JPS5871620A - 半導体拡散法 - Google Patents
半導体拡散法Info
- Publication number
- JPS5871620A JPS5871620A JP56169484A JP16948481A JPS5871620A JP S5871620 A JPS5871620 A JP S5871620A JP 56169484 A JP56169484 A JP 56169484A JP 16948481 A JP16948481 A JP 16948481A JP S5871620 A JPS5871620 A JP S5871620A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- core tube
- diffusion
- reactor core
- cap
- furnace core
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
- H10P72/0436—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体拡散法にかかシ、とくに、半導体製造１
租において、ＢＣｊｉ−？Ｐαｌｓのプレデボジシ曹ン
拡散工程における半導体基板の拡散バラツキ（異常拡散
）の発生の防止および炉芯管の洗浄工数削減に有効な拡
散方法に関するものである。
租において、ＢＣｊｉ−？Ｐαｌｓのプレデボジシ曹ン
拡散工程における半導体基板の拡散バラツキ（異常拡散
）の発生の防止および炉芯管の洗浄工数削減に有効な拡
散方法に関するものである。
従来・半導体基板へのＢＣｊｍ−？Ｐα１７．を用いた
プレデボジシｌン拡散方法においては、炉芯管の拡散温
度の７ラツトゾーンからはずれた、特に半導体基板の出
入口付近に、空気と反応して生成したＢｇＯｓやｐｓＱ
ｓが液状になって炉芯管の壁に付着する現象が起きてい
た。このために半導体基板の出入れの際半導体基板に液
化したＢ２Ｏ３十ＰｚＯｓが飛散して付着し、付着した
部分が拡散のバラツキを誘発したシ、後工程の８１０ｇ
形成した際酸化膜の異常になるなどの欠点を有していた
０更にこの現象をさけるべく、炉芯管の洗浄頻度も多大
となっていた。
プレデボジシｌン拡散方法においては、炉芯管の拡散温
度の７ラツトゾーンからはずれた、特に半導体基板の出
入口付近に、空気と反応して生成したＢｇＯｓやｐｓＱ
ｓが液状になって炉芯管の壁に付着する現象が起きてい
た。このために半導体基板の出入れの際半導体基板に液
化したＢ２Ｏ３十ＰｚＯｓが飛散して付着し、付着した
部分が拡散のバラツキを誘発したシ、後工程の８１０ｇ
形成した際酸化膜の異常になるなどの欠点を有していた
０更にこの現象をさけるべく、炉芯管の洗浄頻度も多大
となっていた。
本発明は、以上の欠点をと９除くため、従来から、プレ
デポジシ璽ン拡散に用いられていた炉芯管用キャップを
炉芯管の内壁にそって入シ、しかも、炉芯管のフラット
ゾーン近傍迄届く様な構造にしたものを用いる事によシ
、液状のＢ２Ｏ３やｐａＱｉの付着による拡散のバラツ
キを防止し、更に炉芯管の洗浄頻度を大巾に削減出来る
拡散方法を提供するものである。
デポジシ璽ン拡散に用いられていた炉芯管用キャップを
炉芯管の内壁にそって入シ、しかも、炉芯管のフラット
ゾーン近傍迄届く様な構造にしたものを用いる事によシ
、液状のＢ２Ｏ３やｐａＱｉの付着による拡散のバラツ
キを防止し、更に炉芯管の洗浄頻度を大巾に削減出来る
拡散方法を提供するものである。
すなわち、本発明の特徴として、炉芯管用キャツブを炉
芯管の内壁にそって入シ、炉芯管の拡散温度のフラット
ゾーン近傍迄届く長さの構造をもったものを用いて拡散
する事により、空気と反応して生成した液状のＢ２Ｏ３
やｐ意Ｏｓが炉芯管キャップの内壁に付着する様にな夛
、炉芯管には直接付着しなくなシ、そのことによシ半導
体基板の出入れの際にＢ８０３やｐｉＱｓの半導体基板
への付着を防止する事が出来従来のＢ１０３十Ｐｓｉｓ
付着による拡散のバラツキをおさえる事が可能となシ、
更に、炉芯管の洗浄類ｆを大巾に削減させることが出来
る。以下、本発明の実施例を図面に従って具体的に説明
する。
芯管の内壁にそって入シ、炉芯管の拡散温度のフラット
ゾーン近傍迄届く長さの構造をもったものを用いて拡散
する事により、空気と反応して生成した液状のＢ２Ｏ３
やｐ意Ｏｓが炉芯管キャップの内壁に付着する様にな夛
、炉芯管には直接付着しなくなシ、そのことによシ半導
体基板の出入れの際にＢ８０３やｐｉＱｓの半導体基板
への付着を防止する事が出来従来のＢ１０３十Ｐｓｉｓ
付着による拡散のバラツキをおさえる事が可能となシ、
更に、炉芯管の洗浄類ｆを大巾に削減させることが出来
る。以下、本発明の実施例を図面に従って具体的に説明
する。
第１図は、従来のＢＣＩｓやＰＯＣＩｓを用いたプレデ
ジシ目ン拡散状態を示したもので、図のＢの部分に拡散
を繰シ返す中で、炉芯管の入口付近で、空気と反応した
Ｂ８０３やｐｓＱｓが液状となって堆積していた会館２
図は本発明の実施例を示したもので特に第１図との相異
はキャップの構造である。
ジシ目ン拡散状態を示したもので、図のＢの部分に拡散
を繰シ返す中で、炉芯管の入口付近で、空気と反応した
Ｂ８０３やｐｓＱｓが液状となって堆積していた会館２
図は本発明の実施例を示したもので特に第１図との相異
はキャップの構造である。
実際の拡散方法について示すと、半導体基板ｌを半導体
基板をささえる拡散用ボート２に立て、拡散炉３に挿入
されている炉芯管４の拡散温度のフラットゾーンＡ部に
挿入する。挿入終了後本発明中の炉芯管内壁にそって入
シ、炉芯管のフラットゾーン近傍迄届く長さｔ４り九炉
芯管用キャップ６を炉芯管に装着し、ＢＣｌ ｌ ヤＰ
ＯＣＩ ｓ ｔ Ｎ ｚ等のキャリアガスを用いて炉芯
管のガス導入ロアから流してプレデボジシ冒ン拡散を行
なう。所定時間の拡散終了後、炉芯管用キャップをはず
し、半導体基板を印き出して拡散は終了する。１回プレ
デポジシ嘗ン拡散が終了した時点で使用した炉芯管キャ
ップ６は弗酸と水の混合液で洗浄して、次の拡散にそな
える。
基板をささえる拡散用ボート２に立て、拡散炉３に挿入
されている炉芯管４の拡散温度のフラットゾーンＡ部に
挿入する。挿入終了後本発明中の炉芯管内壁にそって入
シ、炉芯管のフラットゾーン近傍迄届く長さｔ４り九炉
芯管用キャップ６を炉芯管に装着し、ＢＣｌ ｌ ヤＰ
ＯＣＩ ｓ ｔ Ｎ ｚ等のキャリアガスを用いて炉芯
管のガス導入ロアから流してプレデボジシ冒ン拡散を行
なう。所定時間の拡散終了後、炉芯管用キャップをはず
し、半導体基板を印き出して拡散は終了する。１回プレ
デポジシ嘗ン拡散が終了した時点で使用した炉芯管キャ
ップ６は弗酸と水の混合液で洗浄して、次の拡散にそな
える。
以上、本発明によれば、半導体基板のプレデボジシ冒ン
“拡散工程における炉芯管の温度のフラットゾーンから
はずれた低温部へのＢ２Ｏ３やｐｍＱｓの液状不純物の
付着がなくなシ、半導体基板の出入の際の付着による拡
散バラツキがなくなるとともに炉芯管用キャップのみの
洗浄で不純物付着による炉芯管洗浄頻度が大巾に削減出
来る＠また従来炉芯管洗浄の場合は温度を室温迄下げて
炉芯管を抜き出して洗浄し、洗浄後、再び炉芯管を拡散
炉に挿入して拡散温度と、温度のフラットゾーンを測定
する等の工数が、洗浄頻度管減らす事によシ大巾に削減
出来るなど効果は大である。
“拡散工程における炉芯管の温度のフラットゾーンから
はずれた低温部へのＢ２Ｏ３やｐｍＱｓの液状不純物の
付着がなくなシ、半導体基板の出入の際の付着による拡
散バラツキがなくなるとともに炉芯管用キャップのみの
洗浄で不純物付着による炉芯管洗浄頻度が大巾に削減出
来る＠また従来炉芯管洗浄の場合は温度を室温迄下げて
炉芯管を抜き出して洗浄し、洗浄後、再び炉芯管を拡散
炉に挿入して拡散温度と、温度のフラットゾーンを測定
する等の工数が、洗浄頻度管減らす事によシ大巾に削減
出来るなど効果は大である。
第１図は、従来の半導体のプレデボジシ璽ン拡散状態を
示した概略図である第２図は本発明の実施例の概略図で
ある・ 尚、図において１・・・・・・半導体基板、２・・・・
・・拡散用ボート、３・・・・・・拡散炉、４・・・・
・・炉芯管、５・・・・・・炉芯管用キャップ、６・・
・・・・炉芯管用キャップ１７・・・・・・ガス導入口
であるＯ ？ 隼 １ 図 第 ２ 図
示した概略図である第２図は本発明の実施例の概略図で
ある・ 尚、図において１・・・・・・半導体基板、２・・・・
・・拡散用ボート、３・・・・・・拡散炉、４・・・・
・・炉芯管、５・・・・・・炉芯管用キャップ、６・・
・・・・炉芯管用キャップ１７・・・・・・ガス導入口
であるＯ ？ 隼 １ 図 第 ２ 図
Claims (1)
- 半導体基板にＢＣＡ！ｓ ＋ＰＯＣＩｓ％を用いてのグ
レデポジシ冒ン拡散を行なう方法において、炉芯管に鋏
着される炉芯管用キャップが炉芯管の内壁にそって入シ
、シかも、炉芯管の７″）ットゾーン近傍迄の長さをも
った形状のものを用いて拡散すること１−特長とする半
導体拡散方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56169484A JPS5871620A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 半導体拡散法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56169484A JPS5871620A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 半導体拡散法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5871620A true JPS5871620A (ja) | 1983-04-28 |
Family
ID=15887387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56169484A Pending JPS5871620A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 半導体拡散法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5871620A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5599735A (en) * | 1994-08-01 | 1997-02-04 | Texas Instruments Incorporated | Method for doped shallow junction formation using direct gas-phase doping |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5137565A (ja) * | 1974-09-27 | 1976-03-29 | Hitachi Ltd | Yokogatakakusanro |
-
1981
- 1981-10-23 JP JP56169484A patent/JPS5871620A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5137565A (ja) * | 1974-09-27 | 1976-03-29 | Hitachi Ltd | Yokogatakakusanro |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5599735A (en) * | 1994-08-01 | 1997-02-04 | Texas Instruments Incorporated | Method for doped shallow junction formation using direct gas-phase doping |
| US6048782A (en) * | 1994-08-01 | 2000-04-11 | Texas Instruments Incorporated | Method for doped shallow junction formation using direct gas-phase doping |
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