JPS5871642A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5871642A JPS5871642A JP56169471A JP16947181A JPS5871642A JP S5871642 A JPS5871642 A JP S5871642A JP 56169471 A JP56169471 A JP 56169471A JP 16947181 A JP16947181 A JP 16947181A JP S5871642 A JPS5871642 A JP S5871642A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- aluminium
- scribe
- anodic oxidation
- aluminum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P54/00—Cutting or separating of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置に係り、特に陽極酸化法を用いて
配ＩＩ′？：形成する半導体装置に於ける夕°イサース
クライプに好適なスクライブ領域の構造に関するもので
ある。
配ＩＩ′？：形成する半導体装置に於ける夕°イサース
クライプに好適なスクライブ領域の構造に関するもので
ある。
半導体装置特に集積回路装置に於いては、電極配線に陽
極酸化を用いるものがある。通常陽極酸化による電極配
線は、「電気化学及び工業物理化学ＪＶｏＬ、４０．Ａ
７ （１９７２年）Ｐ、 ４９３〜４９８（紫・常光）
に記載されている様な方法でなされている。
極酸化を用いるものがある。通常陽極酸化による電極配
線は、「電気化学及び工業物理化学ＪＶｏＬ、４０．Ａ
７ （１９７２年）Ｐ、 ４９３〜４９８（紫・常光）
に記載されている様な方法でなされている。
この方法によるとスクライブ領域上の構造は、シリコン
基板上あるいは又シリコン酸化膜等の絶縁膜上Ｋ例えば
アルキニラ五等の陽極酸化可能な電極配線用の金属か該
金属の陽極酸化膜が存在するＷＫなる。
基板上あるいは又シリコン酸化膜等の絶縁膜上Ｋ例えば
アルキニラ五等の陽極酸化可能な電極配線用の金属か該
金属の陽極酸化膜が存在するＷＫなる。
この構造のスクライブ領域をダイサーによりスクライブ
する時、スクライブ領域上に陽極酸化可能な金属がある
場合、ダイサーにより腋金属のめくれ上がりが生じ、内
部電極と外部電極のボンディングの際、ボンディングワ
イヤーと接触しシ冒−ト不＆１起こす可能性があった。
する時、スクライブ領域上に陽極酸化可能な金属がある
場合、ダイサーにより腋金属のめくれ上がりが生じ、内
部電極と外部電極のボンディングの際、ボンディングワ
イヤーと接触しシ冒−ト不＆１起こす可能性があった。
又、スクライブ領域上に該金属の陽極酸化膜が、スクラ
イブ領域外と同一厚さで且つスクライブ領域縁端にシリ
コン基板自体の段部がない状態で存在する場合、ダイサ
ーによる腋金属の陽極酸化膜のカケ不良が発生しやすか
った。
イブ領域外と同一厚さで且つスクライブ領域縁端にシリ
コン基板自体の段部がない状態で存在する場合、ダイサ
ーによる腋金属の陽極酸化膜のカケ不良が発生しやすか
った。
本発明の目的は、前述した様な従来のスクライブ領域上
の構造の欠点を解決した構造を提供することにある。
の構造の欠点を解決した構造を提供することにある。
すなわち本発明の構造は、陽極酸化法を用いて配ａｔ形
成する前、スクライブ領域全面に拡散し最終的に酸化し
て、スクライブ領域ｔｍめたことによりスクライブ領域
縁端に段部を形成し九ととＫより得られる。
成する前、スクライブ領域全面に拡散し最終的に酸化し
て、スクライブ領域ｔｍめたことによりスクライブ領域
縁端に段部を形成し九ととＫより得られる。
この構造を適用すれば、ダイサーを使用する場合の前記
の欠点上なくすことが出来る。
の欠点上なくすことが出来る。
以下図面を参照して、従来構造と比較しながら実施例に
基づき本発明の詳細な説明する。
基づき本発明の詳細な説明する。
第１図（ａ）乃至第１図（ｆ）及び第２図（２）乃至第
２図（＋）は、従来のスクライブ領域構造に至る工Ｓを
示した断面図である。
２図（＋）は、従来のスクライブ領域構造に至る工Ｓを
示した断面図である。
ます半導体素子形成の為の拡散を終了したシリコン基板
１上の酸化膜２に部分的に電極導出部の為の窓を開け（
第１図（ｌｌ） 、アルミニウム等の陽極酸化可能な金
属被膜３を蒸着又はスパッタリング等によって形成しく
第１図（ｂ）） 、次にアルミニウム膜３の表面に薄く
ポーラスなアルミナ膜４を陽極酸化により形成する。（
第１図（Ｃ））。
１上の酸化膜２に部分的に電極導出部の為の窓を開け（
第１図（ｌｌ） 、アルミニウム等の陽極酸化可能な金
属被膜３を蒸着又はスパッタリング等によって形成しく
第１図（ｂ）） 、次にアルミニウム膜３の表面に薄く
ポーラスなアルミナ膜４を陽極酸化により形成する。（
第１図（Ｃ））。
フォトレジスト膜を、マスクとしてポンディングパッド
９．アルミ配線８及びスクライブ線領域７上に、バリア
ータイプのアルミす膜５ｔ−薄く形成する（第１図（ｄ
））。
９．アルミ配線８及びスクライブ線領域７上に、バリア
ータイプのアルミす膜５ｔ−薄く形成する（第１図（ｄ
））。
ここで形成し九バリアータイプのアルミナ膜５をマスク
としてポンディングパッド９．アルミ配線８及びスクラ
イブ領域７以外のアルミニウム膜を陽極酸化により全て
ポーラスなアルミナ膜６に変換する（第１図（Ｃ））。
としてポンディングパッド９．アルミ配線８及びスクラ
イブ領域７以外のアルミニウム膜を陽極酸化により全て
ポーラスなアルミナ膜６に変換する（第１図（Ｃ））。
最後に、ポンディングパッド８及びスクライブ領域７上
のアルミニウム膜の上に存在するアルミナ膜をエツチン
グにより取り去る全工程を終了し最終構造を得る（第１
図げ））。
のアルミニウム膜の上に存在するアルミナ膜をエツチン
グにより取り去る全工程を終了し最終構造を得る（第１
図げ））。
次にもう一つの従来のスクライブ領域構造に至る工程を
第２図（１）乃至第１図ｆｈｌＫ断面図により示す。
第２図（１）乃至第１図ｆｈｌＫ断面図により示す。
まずシリコン基板１上の酸化膜２に部分的に電極導出部
の為の窓ｔＲける。この時スクライブ領域上の酸化膜は
除去しないでそのｔｔＫしておく（第２図（ａ）） 、
アルミニウム等の陽極酸化可能な金属被膜３ｔ−蒸着又
はスパッタリング等によって形成しく第２図（ｂｌ）
、次にアルミニウム膜３０表面に薄くポーラスなアルミ
ナ膜４ｔ−陽極酸化によ抄形成する（第２図（Ｃ））。
の為の窓ｔＲける。この時スクライブ領域上の酸化膜は
除去しないでそのｔｔＫしておく（第２図（ａ）） 、
アルミニウム等の陽極酸化可能な金属被膜３ｔ−蒸着又
はスパッタリング等によって形成しく第２図（ｂｌ）
、次にアルミニウム膜３０表面に薄くポーラスなアルミ
ナ膜４ｔ−陽極酸化によ抄形成する（第２図（Ｃ））。
フォト・レジスト膜を、マスクとしてアルミ配！Ｉ８及
びボンディングバット′９上に、バリアータイプのアル
ミナ膜５を薄く形成する（第２図（ｄ））。
びボンディングバット′９上に、バリアータイプのアル
ミナ膜５を薄く形成する（第２図（ｄ））。
ここで形成したバリアータイプのアルｉす膜５をマスク
としてアルミ配！１８及びポンディングパッド９以外の
アルミニウム膜を陽極酸化により全てポーラスなアルミ
ナ膜６に変換する（第２図（６））最後に、ポンディン
グパッド９上のアルミニウム膜の上に存在するアルミナ
膜をエツチングにより取り去り金工ｌ！を終了し最終構
造を得る（第２図げ））。
としてアルミ配！１８及びポンディングパッド９以外の
アルミニウム膜を陽極酸化により全てポーラスなアルミ
ナ膜６に変換する（第２図（６））最後に、ポンディン
グパッド９上のアルミニウム膜の上に存在するアルミナ
膜をエツチングにより取り去り金工ｌ！を終了し最終構
造を得る（第２図げ））。
上配二つの従来構造のスフ乞ブ領域をダイサーでスクラ
イブした時、第１図（ｆ）の構造ではスクライブ領域上
の金属のメクレ上がり１６が生じ、内部電極と外部電極
のボンディングの際ボンディングワイヤーと接触しシ冒
−ト不＊を起こすことがあり九（第２図（ｇ））。
イブした時、第１図（ｆ）の構造ではスクライブ領域上
の金属のメクレ上がり１６が生じ、内部電極と外部電極
のボンディングの際ボンディングワイヤーと接触しシ冒
−ト不＊を起こすことがあり九（第２図（ｇ））。
又第２図（ｆ）の構造では、スクライブ領域上の陽極酸
化膜に、クラックが人知やすくそのクラックが、スクラ
イブ領域外に及ぶことがあった（第２図（ｈ））。
化膜に、クラックが人知やすくそのクラックが、スクラ
イブ領域外に及ぶことがあった（第２図（ｈ））。
本発明は、上記欠点を解決したものである。第３図１ｍ
）乃至第３図ｔｅ＋は、本発明の実施例によるスクライ
ブ構造に至る工１１會示し九断面図である。
）乃至第３図ｔｅ＋は、本発明の実施例によるスクライ
ブ構造に至る工１１會示し九断面図である。
まず半導体素子形成の為の拡散を行なう際、スクライブ
領域７にも同時に拡散を行なうことにより、スクライブ
領域縁端部に段部を形成したシリコン基板ｌ上の酸化膜
２に部分的に電極導出部の為の窓を開け（第３図ｔａｌ
） 、アルミニウム等の陽極酸化可能な金属被膜３を蒸
着又はスパッタリング等によって形成しく第３ｖＡ（ｂ
））、次にアル１＝ウム膜３の表面に薄くポーラスなア
ルミす膜４を陽極酸化により形成する（第３図（Ｃ））
。
領域７にも同時に拡散を行なうことにより、スクライブ
領域縁端部に段部を形成したシリコン基板ｌ上の酸化膜
２に部分的に電極導出部の為の窓を開け（第３図ｔａｌ
） 、アルミニウム等の陽極酸化可能な金属被膜３を蒸
着又はスパッタリング等によって形成しく第３ｖＡ（ｂ
））、次にアル１＝ウム膜３の表面に薄くポーラスなア
ルミす膜４を陽極酸化により形成する（第３図（Ｃ））
。
フォト・レジスト膜を、マスクとしてアルミ配−８及び
ポンディングパッド９上に、バリアータイプのアルミナ
膜５ｔ−薄く形成する（第３図（ｄ）χここで形成した
バリアータイプのアルミす膜５をマスクとしてアルミ配
１１８及びポンプイングツ（ラド９以外のアルミニウム
膜を陽極酸化により全てポーラスなアルミナ膜６に変換
する（第３図（Ｃ））。
ポンディングパッド９上に、バリアータイプのアルミナ
膜５ｔ−薄く形成する（第３図（ｄ）χここで形成した
バリアータイプのアルミす膜５をマスクとしてアルミ配
１１８及びポンプイングツ（ラド９以外のアルミニウム
膜を陽極酸化により全てポーラスなアルミナ膜６に変換
する（第３図（Ｃ））。
最後に１ポンデイングパツド９上のアルミニウム膜の上
に存在するアルミナ膜をエツチングにより取り去り金工
Ｓｔ終了し最終構造を得る（第３図（ｆ））。
に存在するアルミナ膜をエツチングにより取り去り金工
Ｓｔ終了し最終構造を得る（第３図（ｆ））。
本発明の構造によるスクライブ領域をダイサーでスクラ
イブした場合は、スクライブ領域上の物質がアルミナ膜
であるので、アルミニウムのメクレ上が９の問題はなく
又スクライブ領域の縁端に段部がある為、スクライブ領
域内のアルミナ膜に発生したクラックは、スクライブ領
域外のアルミナ膜迄及ばない。
イブした場合は、スクライブ領域上の物質がアルミナ膜
であるので、アルミニウムのメクレ上が９の問題はなく
又スクライブ領域の縁端に段部がある為、スクライブ領
域内のアルミナ膜に発生したクラックは、スクライブ領
域外のアルミナ膜迄及ばない。
この様に本構造を適用すれば、問題なくダイサースクラ
イブが可能となる。
イブが可能となる。
尚本構造は、一層目が陽極酸化による配線である多層配
線のものについても同様に適用田来る。
線のものについても同様に適用田来る。
第１図（＆）乃至第１図（ｆｌ及びＩｉ２図（ａｌ乃至
第２図（ｈｌは、各々従来のスクライブ領域構造に至る
製造工１！を順次示す断面図である。第２図（ｇｌは、
第１図げ）のスクライブ領域をダイサーでスクライブし
た後の構造を示す断面図である。第２図（ｈ）は、第２
図（ｆ）のスクライブ領域をダイサーでスクライブした
後の状態を示す断面図である。第３図（Ｍｌ乃至第３図
（ｆｌは、各々本発明の実施例のスクライブ領域構造に
至る製造工程を順次示す断面図である。 第３図（ｇｌは、第３図（ｆｌのスクライブ領域をダイ
サーでスクライブし先後の状態を示す断面図である。 尚、図中１・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・
シリコン酸化膜、３・・・・・・アルＺ膜、４・・・・
・・薄いポーラスなアルミナ膜、５・・・・・・バリア
ータイプのアルミナ膜、６・・・・・・ポーラスなアル
ミナ膜、７・・・・・・スクライブ領域、８・・・・・
・アルミ配線、９・・・・・・ポンディングパッド、１
０・・・・・・アルミのメクレ上がりである。 半ＩＴｆＪ にケ ＦｚＩ￥］
第２図（ｈｌは、各々従来のスクライブ領域構造に至る
製造工１！を順次示す断面図である。第２図（ｇｌは、
第１図げ）のスクライブ領域をダイサーでスクライブし
た後の構造を示す断面図である。第２図（ｈ）は、第２
図（ｆ）のスクライブ領域をダイサーでスクライブした
後の状態を示す断面図である。第３図（Ｍｌ乃至第３図
（ｆｌは、各々本発明の実施例のスクライブ領域構造に
至る製造工程を順次示す断面図である。 第３図（ｇｌは、第３図（ｆｌのスクライブ領域をダイ
サーでスクライブし先後の状態を示す断面図である。 尚、図中１・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・
シリコン酸化膜、３・・・・・・アルＺ膜、４・・・・
・・薄いポーラスなアルミナ膜、５・・・・・・バリア
ータイプのアルミナ膜、６・・・・・・ポーラスなアル
ミナ膜、７・・・・・・スクライブ領域、８・・・・・
・アルミ配線、９・・・・・・ポンディングパッド、１
０・・・・・・アルミのメクレ上がりである。 半ＩＴｆＪ にケ ＦｚＩ￥］
Claims (1)
- 陽極酸化法を用いて形成した電極配１Ｉｉｔ−含む半導
体装置に於いて、スクライブ領域の全縁端の基板自体に
段部を有する事を４１１１にとする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56169471A JPS5871642A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56169471A JPS5871642A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5871642A true JPS5871642A (ja) | 1983-04-28 |
Family
ID=15887167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56169471A Pending JPS5871642A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5871642A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61247017A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS498165A (ja) * | 1972-05-10 | 1974-01-24 |
-
1981
- 1981-10-23 JP JP56169471A patent/JPS5871642A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS498165A (ja) * | 1972-05-10 | 1974-01-24 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61247017A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
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