JPS5873135A - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents
半導体装置とその製造方法Info
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- JPS5873135A JPS5873135A JP56172225A JP17222581A JPS5873135A JP S5873135 A JPS5873135 A JP S5873135A JP 56172225 A JP56172225 A JP 56172225A JP 17222581 A JP17222581 A JP 17222581A JP S5873135 A JPS5873135 A JP S5873135A
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- JP
- Japan
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- layer
- glass layer
- window
- phosphorus
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置とその製造方法に関する。
最近の半導体装置は多層配線化が進み、パターン内での
段差が非常に大きくなっている。又、パターンの微細化
が進むにつれ配線幅も細くなり、段差を横切る配線の断
−が歩留に大巻く影畳している。
段差が非常に大きくなっている。又、パターンの微細化
が進むにつれ配線幅も細くなり、段差を横切る配線の断
−が歩留に大巻く影畳している。
この断線対策として一般的には高＃＆にリンを含んだ酸
化膜（以後リンガラスと呼ぶ）を配ｌ／Ｍ形成の前工程
として成長させ、これに熱処理を加えてリンガラスを流
動化し、段部の高低差をなくす方法が取られている。こ
の方法によシ配線の断線はなくなったが、このＴ＃ｂｍ
度にリンを含むリンカラスは吸水性が大きいという欠点
がある。すなわち、為濃度にリンを含むリンガラスＬ水
と反応し、リン酸となり集積回路で金属配線として広く
使用されているアルミニウムを腐食し、配縁を断線させ
てしまうのである。半導体チップをセラミック中金属ケ
ースに組込む場合に線問題が少ないが、グラスチックケ
ースにチップを組込んだ場合には、グラスチックケース
は水を容易に通してしまうのでグラスチックケースにし
み込んだ水に↓シリンガラスが溶け、アルミニウム配線
を腐食することになる。従って、高濃度にリンを含むリ
ンカラス層を使りには耐湿性対策が必要となってくる。
化膜（以後リンガラスと呼ぶ）を配ｌ／Ｍ形成の前工程
として成長させ、これに熱処理を加えてリンガラスを流
動化し、段部の高低差をなくす方法が取られている。こ
の方法によシ配線の断線はなくなったが、このＴ＃ｂｍ
度にリンを含むリンカラスは吸水性が大きいという欠点
がある。すなわち、為濃度にリンを含むリンガラスＬ水
と反応し、リン酸となり集積回路で金属配線として広く
使用されているアルミニウムを腐食し、配縁を断線させ
てしまうのである。半導体チップをセラミック中金属ケ
ースに組込む場合に線問題が少ないが、グラスチックケ
ースにチップを組込んだ場合には、グラスチックケース
は水を容易に通してしまうのでグラスチックケースにし
み込んだ水に↓シリンガラスが溶け、アルミニウム配線
を腐食することになる。従って、高濃度にリンを含むリ
ンカラス層を使りには耐湿性対策が必要となってくる。
この耐湿性対策として プラズマ窒化膜（８ｉ、Ｎ４）
を使用する方法があるが、プラズマ窒化膜は耐湿性に優
れているが、膜内に未反応の水嵩を大量に有し、ておシ
これが熱処理やＢＴ試験（Ｂｉａｓ Ｔｅｍｐｅ −ｒ
ａｔｕｒｅ Ｔｅ５ｔ）等で移動し、素子に愚影替を及
ぼすため間聴がめる１、これに対し、リン濃度が小さい
と耐水性が良いという観点から＾ａＬ＋）ンのリンガラ
ス層と金楓配線層の間に低磯度のリンガラス層を入れる
方法が耐湿性的にも特性的にも安定で優れた方法として
開発された。
を使用する方法があるが、プラズマ窒化膜は耐湿性に優
れているが、膜内に未反応の水嵩を大量に有し、ておシ
これが熱処理やＢＴ試験（Ｂｉａｓ Ｔｅｍｐｅ −ｒ
ａｔｕｒｅ Ｔｅ５ｔ）等で移動し、素子に愚影替を及
ぼすため間聴がめる１、これに対し、リン濃度が小さい
と耐水性が良いという観点から＾ａＬ＋）ンのリンガラ
ス層と金楓配線層の間に低磯度のリンガラス層を入れる
方法が耐湿性的にも特性的にも安定で優れた方法として
開発された。
第１図（ａ）〜（ｅ）は従来のリンガラスを使用する半
導体装置の製造方法の一例を脱明するための１極断面図
である。
導体装置の製造方法の一例を脱明するための１極断面図
である。
まず、ｗ＆１図（ａ）に示すように、Ｐ温半尋体基板１
のゲート酸化膜３を形成し、次にポリシリコンでゲート
４を形成し、次に、ソース・ドレイン拡散層２を形成し
、その上に高ＩＩＩ嵐にリンを含むリンカラス層（以下
高扱直リンガラス層という）５を成長させる。
のゲート酸化膜３を形成し、次にポリシリコンでゲート
４を形成し、次に、ソース・ドレイン拡散層２を形成し
、その上に高ＩＩＩ嵐にリンを含むリンカラス層（以下
高扱直リンガラス層という）５を成長させる。
次に、第１−φ）に示すように、ソース・ドレイン拡散
層２の上の欧化ｊ［３に配線取出し用の窓６をあける。
層２の上の欧化ｊ［３に配線取出し用の窓６をあける。
次に、第１（６）（Ｃ）に示すように、９００〜１００
０°Ｃ徊度の熱処理を行い、高濃度リンガラス層５を流
動化し九後低一度にリンを含むリンカラス層（以下低Ｉ
Ｉ［リンガラス層という）７を形成する。
０°Ｃ徊度の熱処理を行い、高濃度リンガラス層５を流
動化し九後低一度にリンを含むリンカラス層（以下低Ｉ
Ｉ［リンガラス層という）７を形成する。
次に、第１図（ｄ）に示すように、低＃Ｊｉｌｊンガラ
ス層７に窓８をあける。この窓８は、ｗＩＪ１図Φ）に
示す窓６よシ小さくあけないと下の高１ＩＩｌ！皺リン
カシス層５が嶌出するので注意を蒙する。
ス層７に窓８をあける。この窓８は、ｗＩＪ１図Φ）に
示す窓６よシ小さくあけないと下の高１ＩＩｌ！皺リン
カシス層５が嶌出するので注意を蒙する。
次に、＃４１図（ｅ）に示すように、アルミニウム配！
１１１１９を形成し、最後に、低議にリンカラス層１０
で核種してチップ保麟を行う。
１１１１９を形成し、最後に、低議にリンカラス層１０
で核種してチップ保麟を行う。
この様にして作られたチップｔｉ７°ラスチックケース
に入れてもかなシの耐湿性を肩する。しかしながらこの
方法の欠点はホトレジストエ揚での目合せずれに弱いこ
とである。即ち、１ｐＪ１図（ｂ）に示した窓６に対し
、第１図（ｄ）に示した窓８は小さく、かつ、窓６から
はみ出てはならないのであるが、ポトレンスト工程での
目合せ精度が充分でないとき、１ｉ合せずれにより高撫
嵐リンガラス層５が窓８に篇出することになシ、耐湿性
不良を発生し、ひいては断縁不良を発生するという欠点
があった。
に入れてもかなシの耐湿性を肩する。しかしながらこの
方法の欠点はホトレジストエ揚での目合せずれに弱いこ
とである。即ち、１ｐＪ１図（ｂ）に示した窓６に対し
、第１図（ｄ）に示した窓８は小さく、かつ、窓６から
はみ出てはならないのであるが、ポトレンスト工程での
目合せ精度が充分でないとき、１ｉ合せずれにより高撫
嵐リンガラス層５が窓８に篇出することになシ、耐湿性
不良を発生し、ひいては断縁不良を発生するという欠点
があった。
本発明は上記欠点を除去し、耐湿性を改善することによ
υ配縁の断線を低減し、以って信頼性を向上させた半導
体装置とその製造方法を提供するものである。
υ配縁の断線を低減し、以って信頼性を向上させた半導
体装置とその製造方法を提供するものである。
本発明の半導体装置は、−主面に不純物導入層を有する
半導体基板の該−主面を蝋う酸化物または窒化物の絶縁
機と、前記絶縁機とを嶺うｉｍ＊ｉリンドープの第１の
リンカラス層と、前記不純物導入層の上の＃配録１のリ
ンガ２７層と前記絶縁機に設けられ九接続用の第１の窓
と、前記第１の窓を檄いかつ該第１の窓周縁の第１のリ
ンカラス層の上を蝋う接続用ホリン１ノコフ層と、罰し
第ｌのリンガラス層と前記接続用ポリシリコン層とを蝋
いかつ前記接続用ホリシリコン層上に該接続用ポリシリ
コン層よシ小さい開口寸法を１する第２の窓を有する低
１１１［リンドープの第２のリンカラス層と、前記第２
のリンガラス層上に設けられ前記接続用ポリシリコン鳩
に接続する瑯体配綜と、前記導体配線とＩ＃糺１ｓ２の
リンカラス層の上に設けられた低濃度りンドー７゛の第
３のリンガラス層とを含んで構成される。
半導体基板の該−主面を蝋う酸化物または窒化物の絶縁
機と、前記絶縁機とを嶺うｉｍ＊ｉリンドープの第１の
リンカラス層と、前記不純物導入層の上の＃配録１のリ
ンガ２７層と前記絶縁機に設けられ九接続用の第１の窓
と、前記第１の窓を檄いかつ該第１の窓周縁の第１のリ
ンカラス層の上を蝋う接続用ホリン１ノコフ層と、罰し
第ｌのリンガラス層と前記接続用ポリシリコン層とを蝋
いかつ前記接続用ホリシリコン層上に該接続用ポリシリ
コン層よシ小さい開口寸法を１する第２の窓を有する低
１１１［リンドープの第２のリンカラス層と、前記第２
のリンガラス層上に設けられ前記接続用ポリシリコン鳩
に接続する瑯体配綜と、前記導体配線とＩ＃糺１ｓ２の
リンカラス層の上に設けられた低濃度りンドー７゛の第
３のリンガラス層とを含んで構成される。
また、本発明の半導体ｉ飯の製造方法は、−王函に不純
物導入層を形成した半導体基板の駄−主面に酸化物わる
い扛窒化物の絶ｋｍを形成する工程と、前記絶縁族を稜
う高擬阪リンドープの絽１のリンガラス層を形成する工
程と、前記不純物導入層の上の前記絶縁機及び第１のリ
ンガラス層に鉋１の窓を形成する工程と、加熱して前記
第１のリンガラス層の角部に丸味をもたせる熱処理工程
と、前記第１の窓とその周縁の第１のリンガラス層とを
櫟うリンドープの接続用ポリシリコン層を選択形成する
工程と、前Ｅｆｉ’続用ポリシリコン層と絽１のリンカ
ラス層とを蝋う低濃度リンドープの謝２のリンガラス層
を形成する工程と、前記接続用ポリシリコン鳩の上の第
２のリンガラス層に該接続用ポリシリコン層よシ小さい
開口寸法の第２の窓ｔｈける工程と、前記第２のリンガ
ラス層の」二にＬけられたｆｊｆｔ記第２記念２介して
前記接続用ポリシリコン層に接続する導体配線を選択形
成する工程と、前記導体配線と前記第２のリンガラス層
の上に低濃度リンドープの第３のリンガラス層を形成す
る工程とを含んで構成される。
物導入層を形成した半導体基板の駄−主面に酸化物わる
い扛窒化物の絶ｋｍを形成する工程と、前記絶縁族を稜
う高擬阪リンドープの絽１のリンガラス層を形成する工
程と、前記不純物導入層の上の前記絶縁機及び第１のリ
ンガラス層に鉋１の窓を形成する工程と、加熱して前記
第１のリンガラス層の角部に丸味をもたせる熱処理工程
と、前記第１の窓とその周縁の第１のリンガラス層とを
櫟うリンドープの接続用ポリシリコン層を選択形成する
工程と、前Ｅｆｉ’続用ポリシリコン層と絽１のリンカ
ラス層とを蝋う低濃度リンドープの謝２のリンガラス層
を形成する工程と、前記接続用ポリシリコン鳩の上の第
２のリンガラス層に該接続用ポリシリコン層よシ小さい
開口寸法の第２の窓ｔｈける工程と、前記第２のリンガ
ラス層の」二にＬけられたｆｊｆｔ記第２記念２介して
前記接続用ポリシリコン層に接続する導体配線を選択形
成する工程と、前記導体配線と前記第２のリンガラス層
の上に低濃度リンドープの第３のリンガラス層を形成す
る工程とを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を用いてれ明する。
第２図は本発明の半導体装置の一実施例の断面図である
。
。
一主面に不純物導入層１２を有する半導体基板１１の上
に故化物または窒化物の絶縁機１３を設け、この絶縁！
＃、１３の上にゲート及び配線用ボ１ノシリコン層１４
を設ける。このポリシリコン鳩１４と絶縁機の上に高１
１に’Ｊンドープの第ｌの１）ンガラス層１５を設け、
不純物導入層１２の上の第１のリンガラス層１５と絶縁
機１３とをエツチングして第１の窓１６を設ける。この
第１の窓１６を扱いかつこの第１の窓１６の周縁の第１
のリンガラス層１５の上を徨う接続用ポリシリコン鳩２
１を設ける。次に、第１のリンカラス層１５と接続用ポ
リシリコン階２１とを覆いかつボ１ノシリコン層２１上
に接続用ポリシリコン層２１よし小さい開口寸法を有す
る第２の窓１８を有する低濃度リンドープの第２のリン
ガラス層を設ける。
に故化物または窒化物の絶縁機１３を設け、この絶縁！
＃、１３の上にゲート及び配線用ボ１ノシリコン層１４
を設ける。このポリシリコン鳩１４と絶縁機の上に高１
１に’Ｊンドープの第ｌの１）ンガラス層１５を設け、
不純物導入層１２の上の第１のリンガラス層１５と絶縁
機１３とをエツチングして第１の窓１６を設ける。この
第１の窓１６を扱いかつこの第１の窓１６の周縁の第１
のリンガラス層１５の上を徨う接続用ポリシリコン鳩２
１を設ける。次に、第１のリンカラス層１５と接続用ポ
リシリコン階２１とを覆いかつボ１ノシリコン層２１上
に接続用ポリシリコン層２１よし小さい開口寸法を有す
る第２の窓１８を有する低濃度リンドープの第２のリン
ガラス層を設ける。
第２のり／ガラス層１５の上に接続用ボリシ１ノコン層
２１に＊続する導体配縁１９ｆ：設け、その上の導体配
−１９と第２のリンガラス層１５の上に低濃度リンドー
プの第３のリンカラス層２０を設けることにより本拠施
例の半導体装置が構成される。
２１に＊続する導体配縁１９ｆ：設け、その上の導体配
−１９と第２のリンガラス層１５の上に低濃度リンドー
プの第３のリンカラス層２０を設けることにより本拠施
例の半導体装置が構成される。
次に、本発明の半導体装置の製造方法について説明する
。
。
縞３図（ａ）〜（ｄ）は本発明の半導体装置の一実施例
を睨明するための工程断面図でおる。
を睨明するための工程断面図でおる。
まず、９３図（ｅ）に示すように、半導体基板１１に敵
化智または窒化物の絶縁機１３を設け、その上にケート
または配線となる第１のポリシリコン鳩１４を形成し、
イオン注入法あるいは拡散法により不純物導入層１２を
形成する。次に、絶縁膜１３とケート及び配線用ポリシ
リコン層１４の上に、１０〜１３モル慢ＳｔＯ高ＩＩＩ
度リンドープのＭｌのリンカラス層１５を形成する。そ
して、不純＄４人階１２の上の絶縁膜１３及び第１のリ
ンガラス層１５に第１の窓１６を形成する。しかる被加
熱して第１のリンガラス層１５を流動状態にして第１の
窓１６の周縁中その他の角部に丸味をもたせる。熱死ｍ
温度は９００〜１０００°Ｃで行う。
化智または窒化物の絶縁機１３を設け、その上にケート
または配線となる第１のポリシリコン鳩１４を形成し、
イオン注入法あるいは拡散法により不純物導入層１２を
形成する。次に、絶縁膜１３とケート及び配線用ポリシ
リコン層１４の上に、１０〜１３モル慢ＳｔＯ高ＩＩＩ
度リンドープのＭｌのリンカラス層１５を形成する。そ
して、不純＄４人階１２の上の絶縁膜１３及び第１のリ
ンガラス層１５に第１の窓１６を形成する。しかる被加
熱して第１のリンガラス層１５を流動状態にして第１の
窓１６の周縁中その他の角部に丸味をもたせる。熱死ｍ
温度は９００〜１０００°Ｃで行う。
次に、＃ｐ１１の窓１６とその襖縁の第１のリンガラス
層１５とを蝋うようにリンドープの接続用ボリシリコン
層２１を選択形成する。
層１５とを蝋うようにリンドープの接続用ボリシリコン
層２１を選択形成する。
次に、第３図（ｂ）に示すように、接続用ポリシリコン
層２１と絽１のリンガラスＮｌ１１５とを蝋う低＊度リ
ンドーグの第２のリンカラス層１７を形成する。そして
、９００〜１ｏｏｏ’ｃの温度で熱処理してリンカラス
層１７０角部に丸味をつける。
層２１と絽１のリンガラスＮｌ１１５とを蝋う低＊度リ
ンドーグの第２のリンカラス層１７を形成する。そして
、９００〜１ｏｏｏ’ｃの温度で熱処理してリンカラス
層１７０角部に丸味をつける。
次に、第３図（Ｃ）に示すように、接続用ポリンリ゛コ
ン層２１の上の第２のリンガラス層１７に接続用ポリシ
リコン層２１よシ小さい開口寸法の第２の窓１８をあけ
る。
ン層２１の上の第２のリンガラス層１７に接続用ポリシ
リコン層２１よシ小さい開口寸法の第２の窓１８をあけ
る。
次に、第３図（ｄ）に示すように、第２のリンカラス層
１７の上に設けられた第２の窓１８を介して接続用ポリ
シリコン膚２１に接続する導体配−１９を選択形成する
。この導体配＆１１９と第２のリンガラス層１７の上に
低＊度リンドーグの第３のリンガラス層２０を形成する
。これによシ本発明の半導体装置が製造される。
１７の上に設けられた第２の窓１８を介して接続用ポリ
シリコン膚２１に接続する導体配−１９を選択形成する
。この導体配＆１１９と第２のリンガラス層１７の上に
低＊度リンドーグの第３のリンガラス層２０を形成する
。これによシ本発明の半導体装置が製造される。
以上のようにして作成した半導体装ｔｋを用いて耐湿性
テストを実施したところ、従来品に比べて格段の耐湿性
向上がみられ、本発明による半導体装置が耐湿性に非常
に優れている事が確紹された３゜以上詳細に説明したよ
うに、本発明によれば、嫉絖用ホリシリコン層の一部が
１１ｉｂ鎖度り／ｉｔス層の一部を櫟う＊造となってい
るので 目１せずれによシ為線皺リンガラス層がむきだ
しになりアルミニウム配−を腐蝕することがなく、信頼
性の高い半導体装置を祷ることが出来る。
テストを実施したところ、従来品に比べて格段の耐湿性
向上がみられ、本発明による半導体装置が耐湿性に非常
に優れている事が確紹された３゜以上詳細に説明したよ
うに、本発明によれば、嫉絖用ホリシリコン層の一部が
１１ｉｂ鎖度り／ｉｔス層の一部を櫟う＊造となってい
るので 目１せずれによシ為線皺リンガラス層がむきだ
しになりアルミニウム配−を腐蝕することがなく、信頼
性の高い半導体装置を祷ることが出来る。
第２図（ａ）〜（ｅ）は従来のリンガラスを使用する半
導体装置の製造方法の一例を説明するための工程ｉ９１
山図、第２図は本発明の半導体装置の一実施例の断面１
ｍ、４３図（ａ）〜（ｄ）は本発明の半導体装置の製造
方法の−実り例を説明するための工程断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・四ソース・ドレイン
拡散層、３・・・・・・酸化膜、４・・・・・・ゲート
、５・・・・・・高徴簾リンガラス層、６・・曲窓、７
由り・低ｍ度・リンカラス層、８・・四窓、９・・曲ア
ルミニウム配線、ｌＯ・・・・・・低ｆＩＩｋ度リンガ
ラス層、１１・・・・・・半導体基板、１２・・・・・
・不純物導入層、１３・・・・・・絶縁膜、１４・・曲
ケート及び配ｌｌ１１川ポリシリコン層、■・５・・・
・・・第１のリンガラス層、１６・・・・・・窓、１７
・・・・・・第２のリンカラスＩｋ、１Ｂ・・・・窓、
１９・・・・ア／１ミニウム、２ｏ・・曲＃Ｊ３のリン
ガ７スノ曽、２１・・・・・＆杭用ホリシリコ７１ｍ。 第１向 ノＢ
１Ｂ第２図 第３図 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和５６年物 詐 願第１７２２
２５号２、発明の名称 半導体装置とその製造方法
３、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 〒１０８ 東京都港区芝五丁目３７番８号 住友三田
ビル５、補正命令の日付 昭和５７年２月２３日（発送日） ６、補正の対米 明細書の［図面の簡単な説明Ｊの欄 Ｌ 補正の内容 明細書第１２頁Ｗ！Ｊ９行目に［第２図ｔａｌ 〜（ｅ
）は」とおるを［第１図（ａ）〜（ｅｌは］と補正する
。
導体装置の製造方法の一例を説明するための工程ｉ９１
山図、第２図は本発明の半導体装置の一実施例の断面１
ｍ、４３図（ａ）〜（ｄ）は本発明の半導体装置の製造
方法の−実り例を説明するための工程断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・四ソース・ドレイン
拡散層、３・・・・・・酸化膜、４・・・・・・ゲート
、５・・・・・・高徴簾リンガラス層、６・・曲窓、７
由り・低ｍ度・リンカラス層、８・・四窓、９・・曲ア
ルミニウム配線、ｌＯ・・・・・・低ｆＩＩｋ度リンガ
ラス層、１１・・・・・・半導体基板、１２・・・・・
・不純物導入層、１３・・・・・・絶縁膜、１４・・曲
ケート及び配ｌｌ１１川ポリシリコン層、■・５・・・
・・・第１のリンガラス層、１６・・・・・・窓、１７
・・・・・・第２のリンカラスＩｋ、１Ｂ・・・・窓、
１９・・・・ア／１ミニウム、２ｏ・・曲＃Ｊ３のリン
ガ７スノ曽、２１・・・・・＆杭用ホリシリコ７１ｍ。 第１向 ノＢ
１Ｂ第２図 第３図 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和５６年物 詐 願第１７２２
２５号２、発明の名称 半導体装置とその製造方法
３、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 〒１０８ 東京都港区芝五丁目３７番８号 住友三田
ビル５、補正命令の日付 昭和５７年２月２３日（発送日） ６、補正の対米 明細書の［図面の簡単な説明Ｊの欄 Ｌ 補正の内容 明細書第１２頁Ｗ！Ｊ９行目に［第２図ｔａｌ 〜（ｅ
）は」とおるを［第１図（ａ）〜（ｅｌは］と補正する
。
Claims (2)
- （１） −主面に不純物導入層を有する半導体基板の
骸−主面を嶺う酸化物または窒化物の絶縁機と、前記絶
縁膜を扱う高ａｔりンドープの第１のリンガラス層と、
前記不純物導入層の上の前記第１ （Ｄ １．１ンガラ
ス層と前記絶縁機に設けられた接続用の＃１１の窓と、
＃１纂１の窓を嶺いかつ１絽ｉの窓周縁の第１のリンカ
ラス層の上を榎う接続用ポリシリコン層と、前記第１の
リンガラス層と前記接続用ポリシリコン層とを榎いかつ
前記接続用ポリシリコン層上に該縁続用ポリ７リコ／層
よシ小さい開口寸法を有する＠２の窓を有する低ａｍリ
ンドープの第２０リンカラス層と、前ｋＪ第２のリンガ
ラス層上に設けられ前記接続用ポリシリコン層に接続す
る導体配線と紬配導体配−と７前記第２のリンカシス層
の上に設けられた低１１［リンドープの第３のリンガラ
ス層とを含むことを％黴とする半導体装置。 - （２）−生函に不純物導入Ｊ−を形成した半導体基板の
販−主面に酸化物あるいは愈化物の絶縁機を形成する工
程と、前岬絶縁換を蝋う高濃度リンドープの縞ｌのリン
ガラス層を形成する工程と、前記不純物尋人層の上の前
記絶縁膜及び第１のリンカラスｊ−にＭｌの窓を形成す
る工程と、加熱して＃に第１のリンガラス層の角部に丸
味をもたせる熱処理工程と、前記第１の窓とその周縁の
第１のリンカラス層とを蝋うリンドープの接続用ポリシ
リコン層を選択形成する工程と、紡記接続用ホリシリコ
ン層と第１のリンカシス層とを蝋う低ａ匿リンドープの
第２のリンガラス層を形成する工程と、前記接続用ポリ
シリコン層の上の第２のリンガラス層に＃第２のポリシ
リコン層より小さい一口寸法の第２の窓をあける工程と
、前記ｊ１２のリンカラス層の上に設けられたＩｒＵ記
絽２の窓を介して前記接続用ボリシリコン層に接続する
導体配線を選択形成する工程と、前記導体配線と前記ｗ
＆２のリンガラス層の上に低＊＆リンドープの＄３のリ
ンガラス層を形成する工程とを含むことを％像とする半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56172225A JPS5873135A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 半導体装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56172225A JPS5873135A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 半導体装置とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5873135A true JPS5873135A (ja) | 1983-05-02 |
| JPS6249737B2 JPS6249737B2 (ja) | 1987-10-21 |
Family
ID=15937913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56172225A Granted JPS5873135A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 半導体装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5873135A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60140847A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-25 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS61283146A (ja) * | 1985-06-10 | 1986-12-13 | Nec Corp | 半導体集積回路装置及びその製造方法 |
| JPS62274641A (ja) * | 1986-05-22 | 1987-11-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1981
- 1981-10-28 JP JP56172225A patent/JPS5873135A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60140847A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-25 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS61283146A (ja) * | 1985-06-10 | 1986-12-13 | Nec Corp | 半導体集積回路装置及びその製造方法 |
| JPS62274641A (ja) * | 1986-05-22 | 1987-11-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6249737B2 (ja) | 1987-10-21 |
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