JPS5873767A - 薄膜形成用マスクおよびその製造方法 - Google Patents
薄膜形成用マスクおよびその製造方法Info
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- JPS5873767A JPS5873767A JP17139581A JP17139581A JPS5873767A JP S5873767 A JPS5873767 A JP S5873767A JP 17139581 A JP17139581 A JP 17139581A JP 17139581 A JP17139581 A JP 17139581A JP S5873767 A JPS5873767 A JP S5873767A
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、＃着あるいはスパッタリング等の薄膜形成技
術によシ、基板上に所望のパターンを形成する際に使用
する薄膜形成用マスクと、その製造方法に関するもので
ある。
術によシ、基板上に所望のパターンを形成する際に使用
する薄膜形成用マスクと、その製造方法に関するもので
ある。
たとえば、蒸着では、蒸発源と基板を所定の間隔で対向
させ、蒸発源から上方に向けて放射状に飛散する金属の
蒸気を基板上に付着凝固させて、基板に金属の薄膜を形
成する。この六よ、ステンレス鋼やモリブデン鋼あるい
はクロム鋼の薄板に、所望のパターンと同じ透孔を形成
した薄膜形成用マスクを、基板の薄膜形成面に密着させ
て配置し、前記透孔を通過した金属の蒸気のみを基板上
に付着凝固させれば１、基板上に所望のバター、ンを形
成する°ことができる。
させ、蒸発源から上方に向けて放射状に飛散する金属の
蒸気を基板上に付着凝固させて、基板に金属の薄膜を形
成する。この六よ、ステンレス鋼やモリブデン鋼あるい
はクロム鋼の薄板に、所望のパターンと同じ透孔を形成
した薄膜形成用マスクを、基板の薄膜形成面に密着させ
て配置し、前記透孔を通過した金属の蒸気のみを基板上
に付着凝固させれば１、基板上に所望のバター、ンを形
成する°ことができる。
蒸着作業の通常の条件、たとえば、パターン形成面積が
、１００繻×１００１ｗ１、基板と蒸発源の間隔が３０
０ｍの場合、蒸発源が小さいため、基板のパターン形成
部の周縁部では、基板のパターン形成面に対する金属の
蒸気の入射角が約１０度になる。
、１００繻×１００１ｗ１、基板と蒸発源の間隔が３０
０ｍの場合、蒸発源が小さいため、基板のパターン形成
部の周縁部では、基板のパターン形成面に対する金属の
蒸気の入射角が約１０度になる。
一方、前記薄膜形成用のマスクの板厚は、通常１００μ
ｍ程度のものが使用されている。この九め、前記基板の
パターン形成面の周縁部では、蒸発源から直進する金属
の蒸気の一部が薄膜形成用マスクによって遮ぎられ、形
成された薄膜パターンの一部がさらに薄くなることがあ
る。
ｍ程度のものが使用されている。この九め、前記基板の
パターン形成面の周縁部では、蒸発源から直進する金属
の蒸気の一部が薄膜形成用マスクによって遮ぎられ、形
成された薄膜パターンの一部がさらに薄くなることがあ
る。
このような現像を防止するには、薄膜形成用マスクを薄
くしなければなら−ない。しかし、薄膜形成用マスクの
板厚を単に薄くすると、マスクの機械的な強度を低下さ
せ、薄膜形成用マスクに儒みを生じ、薄膜形成用マスク
に形成されたパターンの形状や寸法が変化し易くなるだ
けでなく、基板との密着、性が低下するなどの欠陥が角
生ずる。
くしなければなら−ない。しかし、薄膜形成用マスクの
板厚を単に薄くすると、マスクの機械的な強度を低下さ
せ、薄膜形成用マスクに儒みを生じ、薄膜形成用マスク
に形成されたパターンの形状や寸法が変化し易くなるだ
けでなく、基板との密着、性が低下するなどの欠陥が角
生ずる。
このなめ、たとえば、厚さ数膓のシリコンを補強板とし
、この補強板の片面に、蒸着、スバ、タリング、気相成
長、液相成長、めっき等のうち、いずれかの工程によっ
て、マスク用薄膜となる厚さ数〜数１０μｍの、硼素！
含有するシリコンの薄板を形成し、２層構造のマスク用
板を形成したのち、前記補強板のマスク用薄板の形成さ
れていない片ｉｉｉ Ｋ ｓ基板に形成すペキノ（ター
ンと同じ配置で、そのパターンよシ大きな巾および長さ
の穴を形成したレジスト／＜ターンを設け、ピロカテコ
ール系のエツチング液により、補強板のエツチングを行
ない、補強板に貫通穴を形成したのち、補強板の開口部
よりｅ記マスク用薄板にレーザビームを照射して、ヌス
ク用薄板に、基板に基或すべきパターンと同じパターン
の透孔を形成して成る薄膜形成用マスクと、その製造方
法が開示されている。
、この補強板の片面に、蒸着、スバ、タリング、気相成
長、液相成長、めっき等のうち、いずれかの工程によっ
て、マスク用薄膜となる厚さ数〜数１０μｍの、硼素！
含有するシリコンの薄板を形成し、２層構造のマスク用
板を形成したのち、前記補強板のマスク用薄板の形成さ
れていない片ｉｉｉ Ｋ ｓ基板に形成すペキノ（ター
ンと同じ配置で、そのパターンよシ大きな巾および長さ
の穴を形成したレジスト／＜ターンを設け、ピロカテコ
ール系のエツチング液により、補強板のエツチングを行
ない、補強板に貫通穴を形成したのち、補強板の開口部
よりｅ記マスク用薄板にレーザビームを照射して、ヌス
ク用薄板に、基板に基或すべきパターンと同じパターン
の透孔を形成して成る薄膜形成用マスクと、その製造方
法が開示されている。
このような薄膜形成用マスクにおいては、マスクに要求
される機械的な強度を補０強板で補うことができるので
、マスク°用薄板の厚さは、従来に比べ格段に薄くする
ことができる。したかって、補強板の貫通穴を、蒸発源
からマスク用薄板に形成された透孔に向けて直進する蒸
気を１１４ｆらない大きさ和してお門、蒸着によって基
板上く形成される薄膜パターンの厚さを均一にすること
ができる。また、薄膜形成用マスクの撓みによる問題を
大巾に改善することができる。
される機械的な強度を補０強板で補うことができるので
、マスク°用薄板の厚さは、従来に比べ格段に薄くする
ことができる。したかって、補強板の貫通穴を、蒸発源
からマスク用薄板に形成された透孔に向けて直進する蒸
気を１１４ｆらない大きさ和してお門、蒸着によって基
板上く形成される薄膜パターンの厚さを均一にすること
ができる。また、薄膜形成用マスクの撓みによる問題を
大巾に改善することができる。
しかし、蒸着やスバ、タリングで基板上に所望の薄膜パ
ターンを形成する場合、加熱された金属の蒸気や粒子が
薄膜形成用マスクや基板に付着して凝固するために、薄
膜形成用マスクや基板の温度が上昇する。また、基板と
基板上に形成された薄−パターンとの密着強度を上げる
九め基板を加熱することがある。このとき薄膜形成用マ
スクを基板に密着させると、薄膜形成用マスクも°加熱
され温度が上昇する。このように１薄膜形成用マスクが
加熱されると、マスク用薄板と補強板が膨張する。この
とき、マスク用薄板が補強板に比べて薄いため、マスク
用薄板の熱膨張率が補強板の熱膨張率より小さいと、マ
スク用薄板は補！ｉ、板に引張られ、マスク用薄板に形
成したパターンの寸法が大きくなりたシ、破損したシす
るこ＆、になる。また、マスク用薄□・（ 板の熱膨張率が補強板の熱膨張率千シ大きいと、マスク
用薄板にたるみが生じ、マスク用薄板に形成されたパタ
ーンが変形したシ、薄膜形成時に基板との密着性を低下
させるなどの問題が発生する。また、マスク用薄板と補
強板との板厚の差を小さくすると、薄膜形成用マスクが
加熱され九とき、バイメタルのように返シが発生する。
ターンを形成する場合、加熱された金属の蒸気や粒子が
薄膜形成用マスクや基板に付着して凝固するために、薄
膜形成用マスクや基板の温度が上昇する。また、基板と
基板上に形成された薄−パターンとの密着強度を上げる
九め基板を加熱することがある。このとき薄膜形成用マ
スクを基板に密着させると、薄膜形成用マスクも°加熱
され温度が上昇する。このように１薄膜形成用マスクが
加熱されると、マスク用薄板と補強板が膨張する。この
とき、マスク用薄板が補強板に比べて薄いため、マスク
用薄板の熱膨張率が補強板の熱膨張率より小さいと、マ
スク用薄板は補！ｉ、板に引張られ、マスク用薄板に形
成したパターンの寸法が大きくなりたシ、破損したシす
るこ＆、になる。また、マスク用薄□・（ 板の熱膨張率が補強板の熱膨張率千シ大きいと、マスク
用薄板にたるみが生じ、マスク用薄板に形成されたパタ
ーンが変形したシ、薄膜形成時に基板との密着性を低下
させるなどの問題が発生する。また、マスク用薄板と補
強板との板厚の差を小さくすると、薄膜形成用マスクが
加熱され九とき、バイメタルのように返シが発生する。
本発明の目的は、機械的な強度が強く、かつ、薄膜形成
時の加熱による変形の小さい薄膜形成用マスクを提供′
するＫある。
時の加熱による変形の小さい薄膜形成用マスクを提供′
するＫある。
本発明の他の目的は、機械的強度が強く、かつ、゛加熱
による変形の小さい薄膜形成用マスクの製造方法を提供
する。
による変形の小さい薄膜形成用マスクの製造方法を提供
する。
上記目的を達成する几め、本発＠においては、マスク用
薄板と補強板とｔ同一の材料で形成し、マスク用薄板と
補強板との間に、それらの材料とは特定のエツチング液
で率択工、テング可能な材料で形成され友薄膜を介在さ
せて一体に積層し、補強板もしくは補強板と・薄膜に、
基板に形成すベキハターンと同じ配列で、このパターン
よシ大きな貫通穴を形成、すると共に、マスク用薄板と
薄膜、もしくはマスク用薄板に、前記パターンと同じ透
孔を形成したことを特徴とする。
薄板と補強板とｔ同一の材料で形成し、マスク用薄板と
補強板との間に、それらの材料とは特定のエツチング液
で率択工、テング可能な材料で形成され友薄膜を介在さ
せて一体に積層し、補強板もしくは補強板と・薄膜に、
基板に形成すベキハターンと同じ配列で、このパターン
よシ大きな貫通穴を形成、すると共に、マスク用薄板と
薄膜、もしくはマスク用薄板に、前記パターンと同じ透
孔を形成したことを特徴とする。
以下、本発明の一実施例を図面にしたがって説明する。
オド図は、本発明による薄膜形成用マスクの一例を示す
もので、同図において、薄膜形成用マスク１は、−強板
２と、補強板２０片面に形された薄膜３と、この薄膜３
０片面に形成されたマスク用薄板４が一体に積層され、
補強板２には買通ｉ２ａか、薄膜５には貫通穴３ａが、
マスク用薄膜４には、基板に形成すべきパターンと同一
の透孔４ａが形成されている。
もので、同図において、薄膜形成用マスク１は、−強板
２と、補強板２０片面に形された薄膜３と、この薄膜３
０片面に形成されたマスク用薄板４が一体に積層され、
補強板２には買通ｉ２ａか、薄膜５には貫通穴３ａが、
マスク用薄膜４には、基板に形成すべきパターンと同一
の透孔４ａが形成されている。
前記薄膜形成用マスク１において、補強板２とマスク用
薄板４は、同一の材料で形成され、薄ｙｅｓは、補強板
２ｔケミカルエツチングする特定のエツチング液に対し
、工、チングされる速度がきわめて小さい材料で形成さ
れる。たとえば、補強板２とマスク用薄板４は、イ、リ
ジウム、クロム、タングステン、モリブデン等の熱膨張
率の小さな材料で形成し、薄膜６は、前記材料の他、銅
、ニラゲル等地の材料から、前記条件を満すように選択
する。
薄板４は、同一の材料で形成され、薄ｙｅｓは、補強板
２ｔケミカルエツチングする特定のエツチング液に対し
、工、チングされる速度がきわめて小さい材料で形成さ
れる。たとえば、補強板２とマスク用薄板４は、イ、リ
ジウム、クロム、タングステン、モリブデン等の熱膨張
率の小さな材料で形成し、薄膜６は、前記材料の他、銅
、ニラゲル等地の材料から、前記条件を満すように選択
する。
また、補強板２、薄膜３およびマスク用薄板４のそれぞ
れの厚さは、補強板２が数１００μ虐〜数■、薄膜３が
数μ隅〜１０μ馬、マスク用薄板４が数μｍ〜数１０μ
ｍ程度にする。ここで薄膜５の厚さは、補強板２を工、
ｆングする時、マスク用薄板４を保躾し得る厚°さであ
ればよく、でき冠だけ薄くすることが望ましい。
−ζあような構成とすることにより、薄１ｓ５の熱膨
張を補強板２とマスク用薄板４で拘束し、単一材料で形
成した薄膜形成用ヤス・りと同様の精度および強度を得
ること゛ができる。また、マスク用薄板４をよル薄くす
ることができ、よ〕細密なパターンの形成を可能とする
ことができる。
れの厚さは、補強板２が数１００μ虐〜数■、薄膜３が
数μ隅〜１０μ馬、マスク用薄板４が数μｍ〜数１０μ
ｍ程度にする。ここで薄膜５の厚さは、補強板２を工、
ｆングする時、マスク用薄板４を保躾し得る厚°さであ
ればよく、でき冠だけ薄くすることが望ましい。
−ζあような構成とすることにより、薄１ｓ５の熱膨
張を補強板２とマスク用薄板４で拘束し、単一材料で形
成した薄膜形成用ヤス・りと同様の精度および強度を得
ること゛ができる。また、マスク用薄板４をよル薄くす
ることができ、よ〕細密なパターンの形成を可能とする
ことができる。
前記薄膜形成用・豆夛″ｉ製造方法の一例、を第２図（
Ａ）〜（川にしたがって説明する。 ・ｔｒ１補
強板として、厚さ１腸のクロムの板を準備し、第２図（
４）のように、その片面に、鋼で厚さ３〜５μ編の薄膜
３を形成する。つい□で、第２図（Ｂ）のように、薄膜
３の上に、クロムで厚さ５〜１０μ易のマスク用薄板４
を形成する。さらに、第２図（０）のように、マスク用
薄板４の上に１銅、で厚さ５〜６μ隅のｖニジスト用の
被膜５を形成する。ついで、第２図（Ｄ）のように補強
板２０片片面（露出面）Ｋ感光性レジストの被膜６を形
成し、基板に形成すべきパターンと同じ配列で、前記パ
ターンよシ巾、長さく径）の大きい貫通穴用のパターン
を焼付け、現儂すると第２図（ＩＩのように、−膜６に
穴へａが形成される。この状態で、第２セリクムアンモ
ンの１５％水５ａｔ−エツチング液として、その中に浸
漬しておくと、第２図（Ｆ５のように、補強板２が工、
テングされ、補強板２に貫通穴２ａが形成される。この
とき、薄膜３と被膜８：を形成する銅は、前記エラテン
１１１１゜ グ液忙よるニー’ｆング速度が極めて遅いため、はとん
ど工、チングされない。したがりて、マスク用薄板４は
、その両面に゛形成された薄膜３と被膜５で保躾され、
工、チングされない、ついで、被Ｊｉｉ［６を除去し、
亜塩素酸ソーダ１０−１硫酸アンモン１５％、重炭酸ア
ンセン１０饅、アンモニア７ｓの水溶液をエツチング液
として、薄膜３と被膜５のエツチングを行ない、第２図
（Ｇ）のように、薄膜３に貫通穴５ａを形成し、被Ｉ属
５を除去する。このとき、補強板２およびマスク用薄板
４を形成するクロムは、前記エッチ、ング液による工、
テング速変が極めて遅いため、はとんどエツチングされ
ない。ついで、マスク用薄板４に、レーザビーム、醒子
ビーム等を照射して、第２図（Ｈ）のように、マスク用
薄・板、４４に、基板に形成すべきパターンと同じパ、
ターンの透孔４ａを形成する。
Ａ）〜（川にしたがって説明する。 ・ｔｒ１補
強板として、厚さ１腸のクロムの板を準備し、第２図（
４）のように、その片面に、鋼で厚さ３〜５μ編の薄膜
３を形成する。つい□で、第２図（Ｂ）のように、薄膜
３の上に、クロムで厚さ５〜１０μ易のマスク用薄板４
を形成する。さらに、第２図（０）のように、マスク用
薄板４の上に１銅、で厚さ５〜６μ隅のｖニジスト用の
被膜５を形成する。ついで、第２図（Ｄ）のように補強
板２０片片面（露出面）Ｋ感光性レジストの被膜６を形
成し、基板に形成すべきパターンと同じ配列で、前記パ
ターンよシ巾、長さく径）の大きい貫通穴用のパターン
を焼付け、現儂すると第２図（ＩＩのように、−膜６に
穴へａが形成される。この状態で、第２セリクムアンモ
ンの１５％水５ａｔ−エツチング液として、その中に浸
漬しておくと、第２図（Ｆ５のように、補強板２が工、
テングされ、補強板２に貫通穴２ａが形成される。この
とき、薄膜３と被膜８：を形成する銅は、前記エラテン
１１１１゜ グ液忙よるニー’ｆング速度が極めて遅いため、はとん
ど工、チングされない。したがりて、マスク用薄板４は
、その両面に゛形成された薄膜３と被膜５で保躾され、
工、チングされない、ついで、被Ｊｉｉ［６を除去し、
亜塩素酸ソーダ１０−１硫酸アンモン１５％、重炭酸ア
ンセン１０饅、アンモニア７ｓの水溶液をエツチング液
として、薄膜３と被膜５のエツチングを行ない、第２図
（Ｇ）のように、薄膜３に貫通穴５ａを形成し、被Ｉ属
５を除去する。このとき、補強板２およびマスク用薄板
４を形成するクロムは、前記エッチ、ング液による工、
テング速変が極めて遅いため、はとんどエツチングされ
ない。ついで、マスク用薄板４に、レーザビーム、醒子
ビーム等を照射して、第２図（Ｈ）のように、マスク用
薄・板、４４に、基板に形成すべきパターンと同じパ、
ターンの透孔４ａを形成する。
このようにして、第１図に示す薄膜形成用マスク１を製
造することができる。
造することができる。
なお、前記製造工程において、被膜３、マスク用薄板４
、被膜５は、蒸着、スパッタリング、気相生長、液相生
長、めっき等の工程により形成することができる。また
、被膜６は、補強板２の貫通穴２ａの形成位置に、スク
リーン印刷等によってめっき用レジストを塗布して、被
膜５と共に補強板２に銅めりきを施したのち、めっき用
レジストを除去して、牙２図（Ｅ）のような形状圧して
もよい。この場合、被膜６は、薄ｆｌＩｌｌ［３および
被膜５と共に工、ｆングして除去する。
、被膜５は、蒸着、スパッタリング、気相生長、液相生
長、めっき等の工程により形成することができる。また
、被膜６は、補強板２の貫通穴２ａの形成位置に、スク
リーン印刷等によってめっき用レジストを塗布して、被
膜５と共に補強板２に銅めりきを施したのち、めっき用
レジストを除去して、牙２図（Ｅ）のような形状圧して
もよい。この場合、被膜６は、薄ｆｌＩｌｌ［３および
被膜５と共に工、ｆングして除去する。
さらに１薄膜３とマスク用：薄板４０合針の厚さが、薄
膜形成南マスクとして許容される厚さの範囲内であると
きは、薄膜３を工、テングで除去する必要はなく、マス
ク用薄板４と共に、透孔４ａｔ−形成すればよい。この
とき、被１［５は鋼のかわりに感光性レジストを使用す
ればよく、被膜６と一緒に除去することができる。
膜形成南マスクとして許容される厚さの範囲内であると
きは、薄膜３を工、テングで除去する必要はなく、マス
ク用薄板４と共に、透孔４ａｔ−形成すればよい。この
とき、被１［５は鋼のかわりに感光性レジストを使用す
ればよく、被膜６と一緒に除去することができる。
以上述べたように本発明によれば、同一材料から成るマ
スク用薄板と補強板に１前記材料とは異なシ特定のエツ
チング液に対しエツチング速度の差の大きな材料で形成
され几薄膜とを、マスク用薄板、薄膜、補強板の順に一
体に積層して薄膜形成用マスクを構成したので、単一材
料で形成し九従来の薄膜形成用マスクと同様の強度を潜
るとと亦でき、ま九マスク用薄板をよシ薄くすることが
できるため単一材料で形成した従来の薄膜形成用マスク
゛に比較してよシ細密なパターンの形成が可能となった
。
スク用薄板と補強板に１前記材料とは異なシ特定のエツ
チング液に対しエツチング速度の差の大きな材料で形成
され几薄膜とを、マスク用薄板、薄膜、補強板の順に一
体に積層して薄膜形成用マスクを構成したので、単一材
料で形成し九従来の薄膜形成用マスクと同様の強度を潜
るとと亦でき、ま九マスク用薄板をよシ薄くすることが
できるため単一材料で形成した従来の薄膜形成用マスク
゛に比較してよシ細密なパターンの形成が可能となった
。
第１図は、本発明による薄膜形成用マスクの一例を示す
要部の断面図、第２図（Ｎ〜（ＩＩ）は、本発明による
薄膜形成用マスクの製造工程の一例を示す工程図である
。 １、・・・薄膜形成用マスク、２・・・補強板、３・・
・薄膜、４・・・マスク用薄板、５・・・レジスト被膜
、６・・・感光性レジスト被膜、２ａ＊３ａ、６ａ・・
・貫通穴、４ａ・・・透孔。
要部の断面図、第２図（Ｎ〜（ＩＩ）は、本発明による
薄膜形成用マスクの製造工程の一例を示す工程図である
。 １、・・・薄膜形成用マスク、２・・・補強板、３・・
・薄膜、４・・・マスク用薄板、５・・・レジスト被膜
、６・・・感光性レジスト被膜、２ａ＊３ａ、６ａ・・
・貫通穴、４ａ・・・透孔。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板に形成さべき薄膜のパターンと同一のパターン
の透孔を形成するマスク用薄板と、同一材料で形成され
た補強板と、マスク用薄板および補強板とｔｉ、ｔｉの
工・チング淳に対し工、ｆング速度の差の大きな材料で
形成された薄膜とを、マスク用薄板薄膜補強□板の願に
一体に積層し、補強板に、基板に形・成すべき薄膜パタ
ーンと同じ配列で薄膜パターンよ〕大きな貫通穴を形成
すると共に、この貫通穴に連−過するように一マスク用
薄板と薄膜に薄膜パターンと同じ透孔を形成して成るこ
とを特徴とする薄膜形成用マスク。 ２ 補強板と薄膜に、基板に形成すべき薄膜パターンと
同じ配列で薄膜パターンより大きな貫通穴を形成し、こ
の貫通穴に連通するようにマスク用薄板に薄膜パターン
と同じ透孔を形成して成ることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の薄膜形成用マスク。 ３ 次の工程から成ることを特徴とする薄膜形成用マス
クの製造方法。 （ＩＬ） 補強板の片面に１補強板とは、特定のエツ
チング液に対して工、千町グ速度の差の大きい材料で薄
膜を形成する第１の工程。 江 。 （１）） 前′帯薄膜上に、補強板と同一の材料でマ
スク用薄板を形成する第２の工程。 （ｅ） 前記マスク用薄板の全面と、補強板の貫通穴
を゛形成する部分を除く全面に、工、チング用のレジス
トの被ＩＩ＆を形成する第３の工程。 （ｄ） エツチングにより、補強板に貫通穴を形成す
る第４の工程。 （ｅ） レーザビームもしくは電−子ビームを照射し
て、薄膜およびマスク用薄板に、前記貫通穴と連通する
透孔を形成する第５の工程。 ４ 次の工程から成ることｔ−特徴とする薄膜形成用マ
スクの製造方法。 （ａ） 補強板の片面忙、補強板とは、特定の工、チ
ンダ液に対して工、ｆング速度の差の大きい材料で薄膜
を形成する第１の工ｌＩＭ１！４（ｂ） 前記薄膜上
に、補強板と同一の材料でマスク用薄板を形成する第２
の工程と。 （０） ｆｌｔＪ記マスク用薄板上に、前記薄膜と同
一の材料で被膜を形成する第３の工程と。 （ｄ） 前記補強板の貫通穴を形成する部分、を除く
全面に、エツチング用のレジストの被膜を形成する第４
の工程と。 （８） 工、チングによ多、補強板に貫通穴を形成す
る第５の１徂と。 （ｆ） エツチングによシ、マス１り用、薄板上に形
成された被膜と、前艙貫通穴の底部ＶＣ３ｇ出する薄膜
を除去するオ６の工程と。 （ω レーザビームもしくは電子ビームを照射・ち して、マスク用薄板に１１前記貫通穴と連通す７：、ａ
、ＩＬ ｆニア１；！ニーｔｃｆ；６２ 、シ・±
−：、工、。 ５ 次の工程から成ることを特徴とする薄膜形成用マス
クの製造方法。 ＆（ａ） 補強
板の片面に、補強板とは、特定のエツチング液に対して
エツチング速度の差の大きい材料で薄膜を形成する第１
の工程。 （ｂ） 前記薄膜上に、補強板と同一の材料でマスク
用薄板を形成する第２の工程。 （Ｃ）＃記補強板の片面に、形成すべき貫通穴と同じパ
ターンでメッキ用のレジストを塗布したのち°、補強板
の露出面と、マスク用薄板の全面に、前記薄膜と同一の
材料で被膜を形成し、前記レジストを除去する第３の工
程。 （ｄ） 工、チ−ングによシ、補強板に貫通穴を形成
する第５の工程。 （ｅ） エツチングによシ、補強板とマスク用薄板を
隘う被膜と、貫通穴の底部に露出する薄膜を除去するオ
６の工程。 （ｆ） レーザビー：、栓もしくは電子ビームを照射
して、マスク用・、薄板に前記貫通穴と連通する透孔を
形成するオフの工程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17139581A JPS5873767A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 薄膜形成用マスクおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17139581A JPS5873767A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 薄膜形成用マスクおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5873767A true JPS5873767A (ja) | 1983-05-04 |
| JPH0160542B2 JPH0160542B2 (ja) | 1989-12-22 |
Family
ID=15922357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17139581A Granted JPS5873767A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 薄膜形成用マスクおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5873767A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993002223A1 (en) * | 1991-07-16 | 1993-02-04 | Adc Telecommunications, Inc. | Electroformed mask and use therefor |
| JP2000129419A (ja) * | 1998-10-22 | 2000-05-09 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | 蒸着マスク |
| JP2004039319A (ja) * | 2002-07-01 | 2004-02-05 | Hitachi Metals Ltd | メタルマスク |
| JP2005042147A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 蒸着用マスクの製造方法および蒸着用マスク |
| JP2005089809A (ja) * | 2003-09-17 | 2005-04-07 | Mitsumura Printing Co Ltd | マスキング装置およびマスキング装置の作製方法、並びに搬送装置および搬送装置の作製方法 |
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|---|---|---|---|---|
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-
1981
- 1981-10-28 JP JP17139581A patent/JPS5873767A/ja active Granted
Cited By (9)
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| US5308656A (en) * | 1991-07-16 | 1994-05-03 | Adc Telecommunications, Inc. | Electroformed mask and use therefore |
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| CN100461494C (zh) * | 2003-07-25 | 2009-02-11 | 大日本网目版制造株式会社 | 蒸镀用掩模及其制造方法 |
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| JP2014218749A (ja) * | 2013-01-08 | 2014-11-20 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスクの製造方法および蒸着マスク |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0160542B2 (ja) | 1989-12-22 |
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