JPS6164873A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
- Publication number
- JPS6164873A JPS6164873A JP18559484A JP18559484A JPS6164873A JP S6164873 A JPS6164873 A JP S6164873A JP 18559484 A JP18559484 A JP 18559484A JP 18559484 A JP18559484 A JP 18559484A JP S6164873 A JPS6164873 A JP S6164873A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base material
- thin film
- mask material
- base
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/04—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the coating material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/52—Multiple coating or impregnating multiple coating or impregnating with the same composition or with compositions only differing in the concentration of the constituents, is classified as single coating or impregnation
Landscapes
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は基材表面の所定部分をマスク材で被覆し、基材
にマスク材の側から飛翔粒子を付着さけてなる薄膜形成
方法に関する。
にマスク材の側から飛翔粒子を付着さけてなる薄膜形成
方法に関する。
［発明の技術的背景コ
従来から、セラミック等の基材上に酸化物、窒化物、炭
化物等の薄膜を形成する方法としては、真空蒸着法、ス
パッタリング法等が知られている３゜これらの方法では
、例えば第３図に示したようにセラミック等の基材１の
表面に下地用の金属膜２を形成し、その表面の所定部分
をマスク材３て被覆し、マスク材３の側から加熱あるい
は放電により粒子化された薄膜形成物質を飛翔させて、
マスク材３に被覆されていない部分に付着させることに
より薄膜４を形成している。なお同図において５は基台
、６は基材１を固定する固定治具、矢印Ｑは粒子の飛翔
方向を示している。
化物等の薄膜を形成する方法としては、真空蒸着法、ス
パッタリング法等が知られている３゜これらの方法では
、例えば第３図に示したようにセラミック等の基材１の
表面に下地用の金属膜２を形成し、その表面の所定部分
をマスク材３て被覆し、マスク材３の側から加熱あるい
は放電により粒子化された薄膜形成物質を飛翔させて、
マスク材３に被覆されていない部分に付着させることに
より薄膜４を形成している。なお同図において５は基台
、６は基材１を固定する固定治具、矢印Ｑは粒子の飛翔
方向を示している。
［背景技術の問題点］
しかしながら、上述したような従来の薄膜形成方法では
、マスク材を除去した後に基材上に形成される薄膜４の
縁部Ｐが金属膜２の表面に対して段差を持った形になる
が、薄膜４の形成後に所定のパターンでレジスト材を被
着させエツチングを行なってファインラインの形成を行
なう際、レジスト材のパターンが上記の段差部分に跨っ
ている場合には、この部分でレジスト材と’ｉ＋’Ｊ
Ｂ’Ａ ４との間に空間ができてしまう。その結果、こ
の部分のエツチングが過剰に進み、薄膜４の縁部Ｐ付近
に形成されるファインラインが極端に幅狭になって、最
悪の場合には切断されてしまうことがある。
、マスク材を除去した後に基材上に形成される薄膜４の
縁部Ｐが金属膜２の表面に対して段差を持った形になる
が、薄膜４の形成後に所定のパターンでレジスト材を被
着させエツチングを行なってファインラインの形成を行
なう際、レジスト材のパターンが上記の段差部分に跨っ
ている場合には、この部分でレジスト材と’ｉ＋’Ｊ
Ｂ’Ａ ４との間に空間ができてしまう。その結果、こ
の部分のエツチングが過剰に進み、薄膜４の縁部Ｐ付近
に形成されるファインラインが極端に幅狭になって、最
悪の場合には切断されてしまうことがある。
また薄１ｔ！０４の表面にさらに他の薄膜を形成する場
合には、段差部分が盛り上がった形状になって、上層部
の表面平滑度が苔しく低下してしまうという問題があっ
た。
合には、段差部分が盛り上がった形状になって、上層部
の表面平滑度が苔しく低下してしまうという問題があっ
た。
［発明の目的］
本発明は上述したような従来の薄膜形成方法の問題点を
解消すべくなされたもので、基材表面に段差のない薄膜
を形成することができ、その結果、形成された薄膜の縁
部１付近でも良好なファインラインが得られるとともに
、形成された薄膜の上にさらに膜を形成する場合でも上
層部が盛り上がるようなことがない薄膜形成方法の提供
を目的としている。
解消すべくなされたもので、基材表面に段差のない薄膜
を形成することができ、その結果、形成された薄膜の縁
部１付近でも良好なファインラインが得られるとともに
、形成された薄膜の上にさらに膜を形成する場合でも上
層部が盛り上がるようなことがない薄膜形成方法の提供
を目的としている。
［発明の概要コ
すなわち本発明の薄膜形成方法は、基材表面の所定部分
をマスク材で′ｍ覆し、１１ａ記も４祠に前記マスク材
の側から飛翔粒子を付着させてなる薄膜形成方法におい
て、前記マスク材の縁部と前記基材の表面との間に前記
飛翔粒子が回折する程度の空隙を設けることを特徴とし
ている。
をマスク材で′ｍ覆し、１１ａ記も４祠に前記マスク材
の側から飛翔粒子を付着させてなる薄膜形成方法におい
て、前記マスク材の縁部と前記基材の表面との間に前記
飛翔粒子が回折する程度の空隙を設けることを特徴とし
ている。
［発明の実施例］
以下本発明の詳細を図面に示す実施例について説明する
。
。
第１図に示したのは本発明方法の一実施例を示す横断面
図である。
図である。
同図において７は薄膜が形成されるセラミック等からな
る基材、８はその表面に予め形成しておく下地用の金属
膜、９ａ 、９ｂは基材７を固定する固定冶具、１０は
基台を示している。さらに１１は７７ＩＪ膜を形成した
い部分のみを露出させるマスク材を示している。
る基材、８はその表面に予め形成しておく下地用の金属
膜、９ａ 、９ｂは基材７を固定する固定冶具、１０は
基台を示している。さらに１１は７７ＩＪ膜を形成した
い部分のみを露出させるマスク材を示している。
そして本実施例においてはマスク材１１と基材７の表面
の金属膜８との間に所定の間隙りを設ける。この間隙り
はマスク材１１の側から加熱あるいは放電により粒子化
された物質を飛翔させたときに、その飛翔粒子が回折す
るような距離にされている。矢印Ｑはその飛翔方向であ
る。
の金属膜８との間に所定の間隙りを設ける。この間隙り
はマスク材１１の側から加熱あるいは放電により粒子化
された物質を飛翔させたときに、その飛翔粒子が回折す
るような距離にされている。矢印Ｑはその飛翔方向であ
る。
本実施例においては、酸化物、窒化物、炭化物等を加熱
あるいは放電により粒子化し、マスク材１１の側から飛
翔させると飛翔粒子は間隙りによりマスク材１１の縁部
で回折し、間隙りの内部方向へ傾゛斜するように金属膜
８に付着する。
あるいは放電により粒子化し、マスク材１１の側から飛
翔させると飛翔粒子は間隙りによりマスク材１１の縁部
で回折し、間隙りの内部方向へ傾゛斜するように金属膜
８に付着する。
その結果、簿ＩＩ！１２の縁部Ｐの段差が解消されて、
その上部にさらに薄膜を形成する場合でも、上層部の表
面平滑度が低下することがなく、また薄膜１２に７フイ
ンラインを形成する際に薄膜１２の縁部Ｐに跨ってレジ
スト材のパターンを形成しても空間ができないのでエツ
チングが過剰に進むことがない。
その上部にさらに薄膜を形成する場合でも、上層部の表
面平滑度が低下することがなく、また薄膜１２に７フイ
ンラインを形成する際に薄膜１２の縁部Ｐに跨ってレジ
スト材のパターンを形成しても空間ができないのでエツ
チングが過剰に進むことがない。
なお上述した実施例では、マスク材１１は基台１０に対
して固定されているが、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、マスク材１１を止め具等を用いて基材７に対
して固定してもよい。また下地用の金属膜８は必ずしも
金属であるとは限らず、また必ずしも形成すべきもので
はない。
して固定されているが、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、マスク材１１を止め具等を用いて基材７に対
して固定してもよい。また下地用の金属膜８は必ずしも
金属であるとは限らず、また必ずしも形成すべきもので
はない。
さらに上述した実施例では、マスク材１１と基材７との
間に間隙りを設けることにより飛翔粒子を回折させてい
るが、マスク材１１の縁部に、第２図に示したような切
欠部１３、あるいはテーパ一部（図示せず）等を形成し
て飛翔粒子を回折さヒるようにしてもよい。なお１間隙
りおよび切欠部１３等の設定条件により飛翔粒子の回折
状態が変化するので、形成される薄膜１２の縁部Ｐの傾
斜が最適になる設定を実験的に求めるようにする。
間に間隙りを設けることにより飛翔粒子を回折させてい
るが、マスク材１１の縁部に、第２図に示したような切
欠部１３、あるいはテーパ一部（図示せず）等を形成し
て飛翔粒子を回折さヒるようにしてもよい。なお１間隙
りおよび切欠部１３等の設定条件により飛翔粒子の回折
状態が変化するので、形成される薄膜１２の縁部Ｐの傾
斜が最適になる設定を実験的に求めるようにする。
なお基材７としては、セラミック基板の他にガラス基板
、ホウロウ基板あるいはシリコンウェハ等が考えられる
が、本発明方法はいづ−れの蓋材の表面に薄膜を形成す
る場合でも、マスク材の縁部と基材の表面との間に空隙
を設ければ実施可能である。
、ホウロウ基板あるいはシリコンウェハ等が考えられる
が、本発明方法はいづ−れの蓋材の表面に薄膜を形成す
る場合でも、マスク材の縁部と基材の表面との間に空隙
を設ければ実施可能である。
［発明の効果コ
以上説明したように本発明によれば、基材表面の所定部
分をマスク材で被覆し、基材にマスク材の側から飛翔粒
子を付着させてなる薄膜形成方法において、マスク材の
パターンの縁部と基材の表面との間に飛開粒子が回折す
る稈度の空隙を設けるので、基材表面に段差のない薄膜
を形成することができ、その結果、形成された薄膜の縁
部付近でも良好なファインラインが得られるとともに、
形成されたｉｌＪの上にさらに膜を形成する場合でも上
層部が盛り上がるようなことがない。
分をマスク材で被覆し、基材にマスク材の側から飛翔粒
子を付着させてなる薄膜形成方法において、マスク材の
パターンの縁部と基材の表面との間に飛開粒子が回折す
る稈度の空隙を設けるので、基材表面に段差のない薄膜
を形成することができ、その結果、形成された薄膜の縁
部付近でも良好なファインラインが得られるとともに、
形成されたｉｌＪの上にさらに膜を形成する場合でも上
層部が盛り上がるようなことがない。
第１図および第２図は本発明方法の一実施例の構成を示
す横断面図、第３図は従来の薄膜形成方法を示す横断面
図である。 １．７・・・・・・・・・・・・・・・基 材２．８・
・・・・・・・・・・・・・・金属膜３．１１・・・・
・・・・・・・・マスク材４．１２・・・・・・・・・
・・・薄膜５．１０・・・・・・・・・・・・基 台６
．９ａ 、９ｂ・・・固定治具 １３・・・・・・・・・・・・・・・・・・切欠部Ｄ・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・間 隙代理
人弁理士 須 山 佐 − 第１図 第２図 第３図
す横断面図、第３図は従来の薄膜形成方法を示す横断面
図である。 １．７・・・・・・・・・・・・・・・基 材２．８・
・・・・・・・・・・・・・・金属膜３．１１・・・・
・・・・・・・・マスク材４．１２・・・・・・・・・
・・・薄膜５．１０・・・・・・・・・・・・基 台６
．９ａ 、９ｂ・・・固定治具 １３・・・・・・・・・・・・・・・・・・切欠部Ｄ・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・間 隙代理
人弁理士 須 山 佐 − 第１図 第２図 第３図
Claims (3)
- （１）基材表面の所定部分をマスク材で被覆し、前記基
材に前記マスク材の側から飛翔粒子を付着させてなる薄
膜形成方法において、前記マスク材の縁部と前記基材の
表面との間に前記飛翔粒子が回折する程度の空隙を設け
ることを特徴とする薄膜形成方法。 - （２）マスク材の縁部と基材との空隙を可変にしておく
特許請求の範囲第１項記載の薄膜形成方法。 - （３）基材の表面に基材と異なる材質からなる膜を予め
形成しておく特許請求の範囲第１項または第２項記載の
薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18559484A JPS6164873A (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18559484A JPS6164873A (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | 薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6164873A true JPS6164873A (ja) | 1986-04-03 |
Family
ID=16173530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18559484A Pending JPS6164873A (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6164873A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0535849U (ja) * | 1991-10-14 | 1993-05-14 | セントラル硝子株式会社 | マスキング材 |
| JP2017002338A (ja) * | 2015-06-05 | 2017-01-05 | 旭硝子株式会社 | 光学部材および光学部材の製造方法 |
| JP2022171973A (ja) * | 2018-12-05 | 2022-11-11 | 日本特殊陶業株式会社 | 溶射部材の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58221272A (ja) * | 1982-06-15 | 1983-12-22 | Fujitsu Ltd | マスク蒸着装置におけるマスク支持装置 |
-
1984
- 1984-09-05 JP JP18559484A patent/JPS6164873A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58221272A (ja) * | 1982-06-15 | 1983-12-22 | Fujitsu Ltd | マスク蒸着装置におけるマスク支持装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0535849U (ja) * | 1991-10-14 | 1993-05-14 | セントラル硝子株式会社 | マスキング材 |
| JP2017002338A (ja) * | 2015-06-05 | 2017-01-05 | 旭硝子株式会社 | 光学部材および光学部材の製造方法 |
| JP2022171973A (ja) * | 2018-12-05 | 2022-11-11 | 日本特殊陶業株式会社 | 溶射部材の製造方法 |
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