JPS5874599A - ３−５族化合物半導体結晶の熱処理方法 - Google Patents
３−５族化合物半導体結晶の熱処理方法Info
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- JPS5874599A JPS5874599A JP17146881A JP17146881A JPS5874599A JP S5874599 A JPS5874599 A JP S5874599A JP 17146881 A JP17146881 A JP 17146881A JP 17146881 A JP17146881 A JP 17146881A JP S5874599 A JPS5874599 A JP S5874599A
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- Japan
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- gaas
- crystal
- heat treatment
- crystals
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ＧａＡｓ結晶等Ｏ鳳−■族化合物半導体結晶
Ｏ熱処環方法に関する０ 高周波α直−電界効果トランジスタ（、ＦＩＴ）やそれ
を基本素子として構成される高率ＧａＡｓデバイス回路
を製作する際、Ｇａｊｂ締晶基板中へ不純物イオンを注
入する技術は欠くべからざるものとなりつつある。不純
物イオイは高精度の注入装置により所望の量および１ｇ
さに注入すること／〕（で自る。しかし、これら注入不
純物を結晶格子間位置に入れ、電気的に活性なものとす
るには注入後に結晶を熱処理する必豊かあるが、■−■
族化合物半導体であるＧａＡｓ結晶においては、元素手
、導体である８ｉ等とは異な９、熱処理法が確立してい
ないのが現勢である◇その最も太き１な原、因はＧａＡ
ｓ結晶そのものが熱的に不安定なためである。即ち、α
η８結晶ではその構成元素であるＡｓ原子が非常に蒸発
しやすく、イオン注入後の熱処理時に多量のＡｓ原子が
敵失してしまう。その結果、ＧａＡｓ結晶の不純物イオ
ンの活性化された量とイオン注入時の不純物量とが合致
しなく、かつ再現性に乏しくなり、電気的特性が変化し
、注入時の不純物量による一義的な電気的特性の制御が
できなくなることによシ、ＧａＡｓデバイスの製作が困
難となる。
Ｏ熱処環方法に関する０ 高周波α直−電界効果トランジスタ（、ＦＩＴ）やそれ
を基本素子として構成される高率ＧａＡｓデバイス回路
を製作する際、Ｇａｊｂ締晶基板中へ不純物イオンを注
入する技術は欠くべからざるものとなりつつある。不純
物イオイは高精度の注入装置により所望の量および１ｇ
さに注入すること／〕（で自る。しかし、これら注入不
純物を結晶格子間位置に入れ、電気的に活性なものとす
るには注入後に結晶を熱処理する必豊かあるが、■−■
族化合物半導体であるＧａＡｓ結晶においては、元素手
、導体である８ｉ等とは異な９、熱処理法が確立してい
ないのが現勢である◇その最も太き１な原、因はＧａＡ
ｓ結晶そのものが熱的に不安定なためである。即ち、α
η８結晶ではその構成元素であるＡｓ原子が非常に蒸発
しやすく、イオン注入後の熱処理時に多量のＡｓ原子が
敵失してしまう。その結果、ＧａＡｓ結晶の不純物イオ
ンの活性化された量とイオン注入時の不純物量とが合致
しなく、かつ再現性に乏しくなり、電気的特性が変化し
、注入時の不純物量による一義的な電気的特性の制御が
できなくなることによシ、ＧａＡｓデバイスの製作が困
難となる。
このような結晶の熱分解を防ぐ方法の１つに、８ｉＯ！
および８ｉａＮｎなどの保鏝膜を結晶表面に被着させる
方法がある。しかし、これらの保−編にはそれ自身がＧ
ａＡｓ結晶と反応をおこし、また保−機とＧａＡｓ結晶
との熱膨張係数が異なる、それゆえそれに起因する歪の
ため注入不純物が異常拡紋しぞしまりという副作用のあ
るものが多い。このため結晶内の不純物分布の精密制御
を行なうには非常に困−さをともなうのが現状である。
および８ｉａＮｎなどの保鏝膜を結晶表面に被着させる
方法がある。しかし、これらの保−編にはそれ自身がＧ
ａＡｓ結晶と反応をおこし、また保−機とＧａＡｓ結晶
との熱膨張係数が異なる、それゆえそれに起因する歪の
ため注入不純物が異常拡紋しぞしまりという副作用のあ
るものが多い。このため結晶内の不純物分布の精密制御
を行なうには非常に困−さをともなうのが現状である。
熱分解を防ぐもう１つの方法として、ＧＩＡＳ結晶から
のＡｓ分解圧以上のＡｓ蒸気分圧をもつ雰囲気中での熱
処理がある。その具体的方法は大別して３つある。＃ｌ
ｉ１の方法は、ＧａＡｓ結晶と人Ｓ蒸発源となるべ自素
材（金属Ａｓ ）を石英アンプルに入れ、それを封じて
熱処理する方法である。この方法では封管の中に入れる
全属人Ｓ量を変えることにょＪ）Ａｌｌの蒸気圧を変え
ることかで：きるため熱処理系としては理想的なもので
ある反面、石英アンプルを封じる手間がかかったシ。熱
□処理後にＡｍ蒸気が固化して結晶表面に被着するため
その防止方法が困−である等の欠点がある。
のＡｓ分解圧以上のＡｓ蒸気分圧をもつ雰囲気中での熱
処理がある。その具体的方法は大別して３つある。＃ｌ
ｉ１の方法は、ＧａＡｓ結晶と人Ｓ蒸発源となるべ自素
材（金属Ａｓ ）を石英アンプルに入れ、それを封じて
熱処理する方法である。この方法では封管の中に入れる
全属人Ｓ量を変えることにょＪ）Ａｌｌの蒸気圧を変え
ることかで：きるため熱処理系としては理想的なもので
ある反面、石英アンプルを封じる手間がかかったシ。熱
□処理後にＡｍ蒸気が固化して結晶表面に被着するため
その防止方法が困−である等の欠点がある。
第２の方法は、＄１の方法に替わる方法であり開管系に
おいて雰囲気ガス（王としてＨｚ、Ａｒ、Ｎｚガス等）
にアルシン（Ａｓｉａ）を添カロし、その熱分解によっ
て′生じるＡｓ蒸気を使用しＧａＡｓ結晶の熱分解を抑
える方法である。この方法を用いてイオン注入結晶の熱
処理を行なった結果は、先に述べた保ａｍつき熱処理方
法を使用した場合より再現性に優れている。ところが、
この方法において用いる人ｓＨｓは猛毒の気体であるた
め、安全性、大量処理等に欠点がある。
おいて雰囲気ガス（王としてＨｚ、Ａｒ、Ｎｚガス等）
にアルシン（Ａｓｉａ）を添カロし、その熱分解によっ
て′生じるＡｓ蒸気を使用しＧａＡｓ結晶の熱分解を抑
える方法である。この方法を用いてイオン注入結晶の熱
処理を行なった結果は、先に述べた保ａｍつき熱処理方
法を使用した場合より再現性に優れている。ところが、
この方法において用いる人ｓＨｓは猛毒の気体であるた
め、安全性、大量処理等に欠点がある。
＃Ｉ３の方法は、第２の方法である開管系を採用しつつ
その中にＧａＡｓ結晶とＡｓ蒸発源材料を１つの容器に
収容し、準閉管状態にし熱処理を行なう方法である。例
えば、特開昭５６−５６６４３号公報に記載されている
ような２重の石英管を用いた方法、Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ
、Ｖｏｌ、９．Ｎｏ、５ １９８０１７）６ｇｇ ８５
７頁〜第晶ｓ Ｈに記載されているような粉末グラファ
イト諒粉末ＣｈＡｉ中にＧａＡｓ結晶を項や込む方法、
あるいはＪ 、 Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈａｎ、 ８ｏｃ、
８０ＬＩＤ−８ＴＡＴｇ８ＣＩＥＮＣＥ ＡＮＤ ＴＥ
ＣＨＮＯＧＹ ’Ａｐｒｉｌ １９８０の第９２５頁〜
第９２７頁に記載されているようなＡｓで飽和した（ｊ
ａ＋＠−液中に試料を入れた箱を沈める方法がある。
その中にＧａＡｓ結晶とＡｓ蒸発源材料を１つの容器に
収容し、準閉管状態にし熱処理を行なう方法である。例
えば、特開昭５６−５６６４３号公報に記載されている
ような２重の石英管を用いた方法、Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ
、Ｖｏｌ、９．Ｎｏ、５ １９８０１７）６ｇｇ ８５
７頁〜第晶ｓ Ｈに記載されているような粉末グラファ
イト諒粉末ＣｈＡｉ中にＧａＡｓ結晶を項や込む方法、
あるいはＪ 、 Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈａｎ、 ８ｏｃ、
８０ＬＩＤ−８ＴＡＴｇ８ＣＩＥＮＣＥ ＡＮＤ ＴＥ
ＣＨＮＯＧＹ ’Ａｐｒｉｌ １９８０の第９２５頁〜
第９２７頁に記載されているようなＡｓで飽和した（ｊ
ａ＋＠−液中に試料を入れた箱を沈める方法がある。
これら各方法はＡｓ蒸気を完全に閉じ込めておくことが
できなかったＪ） 、Ａｓ蒸気の制御性が悪かっ′たり
する。
できなかったＪ） 、Ａｓ蒸気の制御性が悪かっ′たり
する。
本発明は、こうした欠点をかんがみてなされたものであ
り、熱処理されるべきＧａＡ＠結晶と人Ｓ蒸発源として
多結晶ＧａＡｓ微粉末を入れる部分に小孔を開けた板で
仕切った容器をＡ＄で飽和したＧａ浴液に浮かし、その
上部より先端がＧａ溶液中に入るように設計され密閉用
フタを行ない、Ｇａ浴液により容器内と外気とを完全に
速断することを特信とするＧａＡｓ結晶等の■−ｖ族化
合物半導体結晶の熱処理方法を提 供せんとするもので
ある。
り、熱処理されるべきＧａＡ＠結晶と人Ｓ蒸発源として
多結晶ＧａＡｓ微粉末を入れる部分に小孔を開けた板で
仕切った容器をＡ＄で飽和したＧａ浴液に浮かし、その
上部より先端がＧａ溶液中に入るように設計され密閉用
フタを行ない、Ｇａ浴液により容器内と外気とを完全に
速断することを特信とするＧａＡｓ結晶等の■−ｖ族化
合物半導体結晶の熱処理方法を提 供せんとするもので
ある。
本発明にょシ、 ＧａＡｓ結晶の熱分解を理想−ｙｃ防
ぐことのできる閉管系の良さと、作業性および安全性に
優れた容器を用いた開管系の良さとを兼ね備えた熱処理
が可能となる。
ぐことのできる閉管系の良さと、作業性および安全性に
優れた容器を用いた開管系の良さとを兼ね備えた熱処理
が可能となる。
以下、本発明を実施例に基づき図をもって詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明で使用した熱処理装置であり、大きくは
ｊつの部分から構成されている。その第これらは熱伝導
度がスきく、加工性に優れた尚純度なグラフ□アイトに
よシ作られている。
ｊつの部分から構成されている。その第これらは熱伝導
度がスきく、加工性に優れた尚純度なグラフ□アイトに
よシ作られている。
次に実施した熱処理工程を手順に従い具体的に説明する
。先ず容器１に１’００ ｇのＧａと多結′晶のＧａＡ
ｓを入れる。イオン音大結晶の熱処理は８５０℃で行□
なう□ため、その温度でＧａ浴液がＡＩでちょうど飽和
するよう□に４’１．４ｇの多結晶ＧａＡｓ ＠１菫し
添加゛する。これを熱処理に先だって第２図に示すよう
な熱処理系去茄熱し、飽和浴液を作る。この溶液として
容器りの部屋朱に多結晶ＧａＡ１を微粉末状にし□て約
２８８ｇ入れる５Ａｓ′蒸発源として金ｇＡｓでも差し
つかえないが、その場合は先に述べたように入を気圧紅
金属Ａｓ量にょ９大きく変わるためその針量に注意を費
する。そ゛の点条結晶ＧａＡｓを使うとその制御がし易
い。
。先ず容器１に１’００ ｇのＧａと多結′晶のＧａＡ
ｓを入れる。イオン音大結晶の熱処理は８５０℃で行□
なう□ため、その温度でＧａ浴液がＡＩでちょうど飽和
するよう□に４’１．４ｇの多結晶ＧａＡｓ ＠１菫し
添加゛する。これを熱処理に先だって第２図に示すよう
な熱処理系去茄熱し、飽和浴液を作る。この溶液として
容器りの部屋朱に多結晶ＧａＡ１を微粉末状にし□て約
２８８ｇ入れる５Ａｓ′蒸発源として金ｇＡｓでも差し
つかえないが、その場合は先に述べたように入を気圧紅
金属Ａｓ量にょ９大きく変わるためその針量に注意を費
する。そ゛の点条結晶ＧａＡｓを使うとその制御がし易
い。
しかし、Ａｓ蒸発源も熱処理される結晶もともにＧａＡ
ｓであるため８５０℃の熱処理時にともに同じようにＧ
ａとＡｓとへの解離現象が起こることは避けられない。
ｓであるため８５０℃の熱処理時にともに同じようにＧ
ａとＡｓとへの解離現象が起こることは避けられない。
この点に関しては金属Ａｓを使用するのが望ましい。し
かしながら多結晶ＧａＡｓの粉末粒を細くすることによ
シ十分良い結果が得られた。熱処理結晶を容器Ｉのスリ
ット部に差し入れたのちＧａ＃液の容器１の中に入れこ
の状態のまま４２図に示すような′熱処理系に入れる。
かしながら多結晶ＧａＡｓの粉末粒を細くすることによ
シ十分良い結果が得られた。熱処理結晶を容器Ｉのスリ
ット部に差し入れたのちＧａ＃液の容器１の中に入れこ
の状態のまま４２図に示すような′熱処理系に入れる。
熱処理系は厚みｌＯ關のステンレスでで自ており、作業
室延と石英管Ｗおよび移動可能炉Ｕから構成されている
。先−一一一一を優−軸 ず作業室内に第１図の容器を入れ真空排気系で内部を排
気したのちパルプを閉じ密閉し雰囲気ガスとしてλ「を
導入する。雰囲気ガスはＮ２ 、Ｈ２でも良い。また、
このときのガスの圧力はこの糸が閉室系であるので自由
に−■変できるがｌ’Ｉ’ｏｒｒとした。
室延と石英管Ｗおよび移動可能炉Ｕから構成されている
。先−一一一一を優−軸 ず作業室内に第１図の容器を入れ真空排気系で内部を排
気したのちパルプを閉じ密閉し雰囲気ガスとしてλ「を
導入する。雰囲気ガスはＮ２ 、Ｈ２でも良い。また、
このときのガスの圧力はこの糸が閉室系であるので自由
に−■変できるがｌ’Ｉ’ｏｒｒとした。
ガス導入後、石英棒Ｕの先につけられた第１図の見に示
したカバー容器をかぶせる。ここまでの状態が第３図に
示しである。そしてすでに８５０℃に昇温された炉体を
スライドさせることにより熱処理を行なう。この際、容
器γの内部はＡｓで飽和された（ｊａＩｔｉ液（で外気
とは完全に速断されており理想的な密閉状態となってい
る。
したカバー容器をかぶせる。ここまでの状態が第３図に
示しである。そしてすでに８５０℃に昇温された炉体を
スライドさせることにより熱処理を行なう。この際、容
器γの内部はＡｓで飽和された（ｊａＩｔｉ液（で外気
とは完全に速断されており理想的な密閉状態となってい
る。
ところで、ＧａとＧａＡｓおよびＡｓ蒸気からなる系で
は、諷度によＪ）ＡＩの平衡蒸気圧（ＰＡＲ）が求まる
例えば、８５０℃では約０．０１気圧である。そしてそ
の系の存在する容器の容積（ｖ）と温度（Ｔ）の間に（
１）式の関係が与えられる。
は、諷度によＪ）ＡＩの平衡蒸気圧（ＰＡＲ）が求まる
例えば、８５０℃では約０．０１気圧である。そしてそ
の系の存在する容器の容積（ｖ）と温度（Ｔ）の間に（
１）式の関係が与えられる。
ＰＡ、 、ｖ ： ｎ 、 ｈ、 Ｔ・＝ −−−−−
−ｆｌ）ここで、Ｒは定数で、ｎは蒸気となっているＡ
ｓの総量である。この（１）式から分るように容積Ｖが
小さければｎが小さくなる。すなわち、本発明の密閉度
の高い系ではＧａＡｓ結晶からのＡｓの蒸発量が少なく
なる。これは、イオン圧入したＧａＡｓ結晶の熱分解が
少くなくなることを意味してお９本発明の１、： 熱処理法が安定した熱処理が可能であることを示）・− すものである。さ、：：らに、多結晶ＧａＡｓ粉末が入
っているためその量はさらに少なくなる。すなわち。
−ｆｌ）ここで、Ｒは定数で、ｎは蒸気となっているＡ
ｓの総量である。この（１）式から分るように容積Ｖが
小さければｎが小さくなる。すなわち、本発明の密閉度
の高い系ではＧａＡｓ結晶からのＡｓの蒸発量が少なく
なる。これは、イオン圧入したＧａＡｓ結晶の熱分解が
少くなくなることを意味してお９本発明の１、： 熱処理法が安定した熱処理が可能であることを示）・− すものである。さ、：：らに、多結晶ＧａＡｓ粉末が入
っているためその量はさらに少なくなる。すなわち。
熱処理される一ム結晶の全面積（８）と多結晶ＧａＡｓ
粉末の全表面積（８）ｌの比で熱処理される結晶からの
Ａｓの蒸発量（ｎｏ）が、 ８＋８． ・・・・・・・・（２）として決
まる。いま、熱処理されるＧａＡｓ結晶が２Ｉφであり
、１度に５枚の熱処理をす゛ることを考えた場合８ ＝
−３，１４Ｘ （２，５４）”Ｘ５中２００１となる。
粉末の全表面積（８）ｌの比で熱処理される結晶からの
Ａｓの蒸発量（ｎｏ）が、 ８＋８． ・・・・・・・・（２）として決
まる。いま、熱処理されるＧａＡｓ結晶が２Ｉφであり
、１度に５枚の熱処理をす゛ることを考えた場合８ ＝
−３，１４Ｘ （２，５４）”Ｘ５中２００１となる。
一方多結晶ＧａＡｓ粉末の粒径が約１０μｍ（今回実験
で用いた値）の場合にはＧａＡｓの密度が１４４．６４
ｇ／Ｇ−であるので添加した粉ｊｉ２８８ｇの体積は２
１であるＯ粒子数は、２／（惠πＸＩＯ”−９）中２Ｘ
ＩＯ”個となり、その六面積はＳ’ ＝ ３．１４ Ｘ
ＩＦ’ Ｘ ２ Ｘ ２ ＸＩＯ”キ１２００ｉとなる
。
で用いた値）の場合にはＧａＡｓの密度が１４４．６４
ｇ／Ｇ−であるので添加した粉ｊｉ２８８ｇの体積は２
１であるＯ粒子数は、２／（惠πＸＩＯ”−９）中２Ｘ
ＩＯ”個となり、その六面積はＳ’ ＝ ３．１４ Ｘ
ＩＦ’ Ｘ ２ Ｘ ２ ＸＩＯ”キ１２００ｉとなる
。
従って、ＧａＡｓ結晶からの蒸発量は（２）式により多
結晶（ｊａＡｓ粉末を入れない時の約１７７になる。
結晶（ｊａＡｓ粉末を入れない時の約１７７になる。
本発明による数多くの実験結果から表面積Ｓと８１との
比が１：ｌＯ以とであれば非常に均一で８現性のある熱
処理が可能であることを示すものでりる０
比が１：ｌＯ以とであれば非常に均一で８現性のある熱
処理が可能であることを示すものでりる０
第１図は本発明の一実施例に用い九熱処理装置の断面図
、第２図は本発明の一実施例を説明するための熱処理の
様態を説明するだめの図Ｊ第３図は本発明の一実施例に
於ける熱処理時の谷ｄｉ （１）状態図である。 ｌ・・・Ｇａ溶液舗、 ２・・・Ａｓで飽和され九〇ａ溶液、 ３・・・Ａｓ蒸気供給用の多結晶ＧａＡｓ倣粉末。 ４・・・微粉未収容室、 ５・・・ＡＩ蒸気供給用小孔。 ６・・・被熱処理１１ａＡｓ結晶、 ７・・・結晶および粉末収容器、 ８・・・カバー用上ブタ、 ９・作業室。 １０・・石英管、 １１・・可＃電気炉、 １２・・カバー用上ブタ操作棒。
、第２図は本発明の一実施例を説明するための熱処理の
様態を説明するだめの図Ｊ第３図は本発明の一実施例に
於ける熱処理時の谷ｄｉ （１）状態図である。 ｌ・・・Ｇａ溶液舗、 ２・・・Ａｓで飽和され九〇ａ溶液、 ３・・・Ａｓ蒸気供給用の多結晶ＧａＡｓ倣粉末。 ４・・・微粉未収容室、 ５・・・ＡＩ蒸気供給用小孔。 ６・・・被熱処理１１ａＡｓ結晶、 ７・・・結晶および粉末収容器、 ８・・・カバー用上ブタ、 ９・作業室。 １０・・石英管、 １１・・可＃電気炉、 １２・・カバー用上ブタ操作棒。
Claims (1)
- 熱伝導の大きな材料で小孔のあいた板によ如仕切られた
上下２つの収容寓を有し、密閉度の高い容器を用い、上
部に被熱処理属−Ｖ族化合物半導体結晶を収用し、下部
に同一の多結晶粉末を収用し、・この容器をＶ族元素に
よ）飽和した墓族容液中に沈め、上部よシフタを行ない
、この＃ｌ液を用いることによｐ、外気から容器内を密
閉し、結晶の熱による分解を防止し、熱処理を行なうこ
とを特徴とする■−ｖ族化会物半導体結晶の熱処理方法
０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17146881A JPS5874599A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | ３−５族化合物半導体結晶の熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17146881A JPS5874599A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | ３−５族化合物半導体結晶の熱処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5874599A true JPS5874599A (ja) | 1983-05-06 |
Family
ID=15923661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17146881A Pending JPS5874599A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | ３−５族化合物半導体結晶の熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5874599A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1122342A4 (en) * | 1998-09-30 | 2005-04-13 | Mitsubishi Material Silicon | PROCESS FOR REMOVING DEFECTS FROM CRYSTAL MATERIAL AND CRYSTAL MATERIAL |
-
1981
- 1981-10-28 JP JP17146881A patent/JPS5874599A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1122342A4 (en) * | 1998-09-30 | 2005-04-13 | Mitsubishi Material Silicon | PROCESS FOR REMOVING DEFECTS FROM CRYSTAL MATERIAL AND CRYSTAL MATERIAL |
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