JPS5875157A - 電子写真用像形成部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、ｒ線等を示す）の様な電磁波を利
用して像形成するのに使用される電子写真用像形成部材
に関す°る。

従来、電子写真用像形成部材の光導電層を構成する光導
電材料としては、Ｓｅ　、　ＣｄＳ　、　ＺｎＯ等の無
機光導電材料やポリ−Ｎビニルカルバゾール（ＰＶＫ）
、トリニトロフルオレノン（ＴＮＦ　）等の有機光導電
材料（ＯＰＣ）が一般的に使用されている。

丙午ら、これ等の光導電材料を使用する電子写真用像形
成部材に於いては、未だ諸々の解決され得る可き点があ
って、ある程度の条件緩和る０ 例えば、Ｓｅを光導電層形成材料とする電子写真用像形
成部材は、Ｓｅ単独では、例えば、可視光領域の光を利
用する場合、その分光感度領域が狭いのでＴｅやＭを添
加して分光感度領域を拡げることが計られている。

丙午ら、この様な、ＴｅやＡｓを含むシ系光導電層を有
する電子写真用像形成部材は、確かに分光感度領域は改
良されるが、光疲労が大きくなる為に、同一原稿を連続
的に繰返し、コピーすると複写画像の画像濃度の低下や
バックグランドの汚れ（白地部分のカプリ）を生じたり
、又、引続き他の原稿をコピーすると前の原稿の画像が
残像として複写される（ゴースト現象）等の欠点を有し
ている。

而も、Ｓｅ殊にＡｓ　＋　Ｔｅは人体に対して極めて有
害な物質であるので、製造時に於いて、人体への接触が
ない様な製造装置を使用する工夫が必要であって、装置
への資本投下が著しく大きい。

更には、製造後に於いても、光導電層が露呈していると
、クリーニング等の処理を受ける際、光導電層表面は直
に摺擦される為に、その一部が削り取られて、現像剤中
に混入したり、複写機内に３散したり、複写画像中に混
入したりして、人体に接触する原因を与える結果を生む
。

又、シ系光導電層は、その表面がコロナ放電に、連続的
に多数回繰返し晒されると、層の表面付近が結晶化又は
酸化を起して光導電層の電気的特性の劣化を招く場合が
少なくない。或いは、又、光導電層表面が露呈している
と、静電潜像の可視化（現像）に際し、液体現像剤を使
用する場合、その溶剤と接触する為に耐溶剤性（耐液現
性）に優れていることが要求されるが、この点に於い−
て、Ｓｅ、％光導電層は必ずしも満足しているとは断言
し難い。

これ等の点を改良する為に、Ｓｅ系光導電層の表面を、
所謂保護層や電気絶縁層等と称される表面被覆層で覆う
ことが提案されている。

゛　百年ら、゛これ等の改良に関しても、光導電層と表
面被覆層との接着性、電気的接触性及び表面被覆層に要
求される電気的特性や表面性の点又、別には、Ｓｅ系光
導１層は、通常の場合真空蒸着によって形成されるので
、その為の装置への著しい資本投下を必要とし、且つ、
所期の光導電特性を有する光導電層を再現性良く得るに
は、蒸着温度、蒸着基板温度、真空度、冷却速度等の各
種の製造パラメーターを厳密に調整する必要がある。

更に、表面被覆層は、光導電層表面に、フィルム状のも
のを接着剤を介して貼合するか、又は、表面被覆層形成
材料を塗布して形成される為に、光導電層を形ゝ成する
装置とは別の装置を設置する必要があって、設備投資の
著しい増大があって、昨今の様な減速経済成長期に於い
ては甚だ芳しくない。

又、’ＳｓＳｅ系光導電層電子写真用像形成部材の恍導
電層としての高暗抵抗を保有する為に、アモルファス状
態に形成されるが、Ｓｅの結晶化が約６５℃と極めて低
い温度で起る為に、製造後の取扱い中に、又は使用中に
於ける周囲温度や画像形成プロセス中の他の部材との摺
擦による摩擦熱の影響を多分に受けて結晶化現象を起し
、暗抵抗の低下を招き易いという耐熱性上にも欠点があ
る。

一方、　ＺｎＯ、ＣｄＳ等を光導電層構成材料として使
用する電子写真用像形成部材は、その光導電層が、Ｚｎ
ＯやＣｄＳ等の光導電材料粒子を適当な樹脂結合剤中に
均一に分散して形成されている。この、所謂バインダー
系光導電層を有する像形成部材は、　Ｓｅ系光導電層を
有する像形成部材に較べて製造上に於いて有利であって
、比較的製造コストの低下を計ることが出来る。即ち、
バインダー系光導電層は、ｚｎＯや°ＣｄＳの粒子と適
当な樹脂結着剤とを適当な溶剤を用いて混線して調合し
た塗布液を適当な基体上に、ドクターブレード法、ディ
ッピング法等の塗布方法で塗布した後固化させるだけで
形成することが出来るので、Ｓｅ系ヤ導電層を有する像
形成部材に較べ製造装置にそれ程の資本投下をする必要
がないばかりか、製造法自体も簡便且つ容易であるＯ 百年ら、バインダー系光導電層は、基本的に構成材料が
光導電−材料と樹脂結着剤の二成分系であるし、且つ光
導電材料粒子が樹脂結着剤中に均一に分散されて形成さ
れなければならない特殊性の為に、光導電層の電気的及
び光導電的特性や物理的化学的特性を決定するパラメー
ターが多く、従って、斯かるパラメーターを厳密に調整
しなければ所望の特性を有する光導電層を再現性良く形
成することが出来ずに歩留りの低下を招゛き量産性に欠
ける今いう欠点がある。

又、バインダー系光導電層は、分散系という特殊性故に
、層全体がポーラスになっており、そΩ為に湿度依存性
が著しく、多湿雰囲気中で使用すると電気的特性の劣化
を来たし、高品質の複写画像が−得られなくなる場合が
少なくない。

−更には、光導電層のポーラス性は、現像の際の現像剤
の層中への侵入を招来し、離型性、クリーニング性が低
下するばかりか使用不能を招く原因ともなり、殊に、液
体現像剤を使用すると毛管現象による促進をうけてその
キャリアー溶剤と共に現像剤が層中に侵透するので上記
の点は著しいものとなり、Ｓｅ系光導電層の場合と同様
に光導電層表面を表面被覆層で覆うことが必要となる。

丙午ら、この表面被覆層を設ける改良も、光導電層のポ
ーラス性に起因する光導電層表面の凹凸性故に、その界
面が均一にならず、光導電層と表面被覆層との接着性及
び電気的接触性の良好な状態を得る事が仲々困難である
という欠点が存する。

又、　ＣｄＳを使用する場合には、ｃｄｓ自体の人体へ
の影響がある為に、製造時及び使用時に於いて、人体に
接触したり、或いは、周囲環境下に飛散したりすること
のない様にする必要がある。ＺｎＯを使用する場合には
、人体に対する影響は殆んどないが、　ＺｎＯバインダ
ー系光導電層は光感度が低く、分光感度領域が狭い、光
疲労が著しい、光応答性が悪い等の欠点を有している。

又、最近注目されているＰＶＫやπ亜゛等の有機光導電
材料を使用する電子写真用像形成部材に於いては、表面
が導電処理されたポリエチレンテレフタレート等の適当
な支持体上にＰＷや藺等の有機光導電材料の塗膜を形成
するだけで光導電層を形成出来るという製造上に於ける
利点及び可撓性に長けた電子写真用像形成部材が製造出
来るという利点を有するものであるが、他方に於いて、
耐湿性、耐コロナイオン性、りに片寄っている等の欠点
を有し、極限定された範囲でしか使途に供されていない
。然もこれ等の有機光導電材料の中には発癌性物質の凝
いがあるものもある等５人体に対してその多くは全く無
害であるという保証がなされていない。

・この様に、電子写真用像形成部材の光導電層を形成す
る材料として従来から指摘されている光導電材料を使用
した電子写真用像形成部材は、利点と欠点を併せ持つ為
に、ある程度、製造条件及び使用条件を緩和して各々の
使途に合う適当な電子写真用像形成部材を各々に選択し
て実状 用に供しているのが現請である。

従って、上述の諸問題点の解決された優れた電子写真用
像形成部材が得られる様な電子写真用像形成部材の光導
電層を形成する材料としての第３の材料が所望されてい
る。

その様な材料として最近有望視されているものの中にア
モルファスシリコン（以後ａ−８ｉと略記する）がある
。

ａ−８ｉ膜は、開発初期のころは、その製造法や製造条
件によって、その構造が左右される為に種々の電気的特
性・光学的特性を示し、再現性の点に大きな問題を抱え
ていた。例えば、初期に於いて、真空蒸着法やスパッタ
リング法で形成さ、れたａ−８ｉ膜はボイド等を多量に
含んでいて、その為に電気的性質も光学的性質も大きく
影響を受け、基礎物性の研究材料としてもそれ程注目さ
れてはおらず、又、応用の為の研究開発もなされなかっ
た０而乍ら、アモルファスでは、Ｐ＋ｎ制御が不可能と
されていたのが、ａ−８ｔに於いて、１９７６年初頭に
アモルファスとしては初めてｐ−ｎ接合が実現し得ると
いう報告、Ｃ （Ａｐｐｌｉｅｄ　ｐｈｙｓｌｙｓ　Ｉ、ｅｔｔｅｒ　
；　ＶＯ１２８、Ａ　２　　。

１５　Ｊａｎｕａｒｙ　１９７６　）が成されて以来、
大きな関心が集められ、以後上記ｐ−ｎ接合が得られる
ことに加えて結晶性シリコン（ｃ−８ｔと略記する）で
は非常に弱いルミネセンスがａ−、Ｓｉでは高効率で観
測されるという点から、主として太陽電池への応用に研
究開発力が注がれて来ている０ この様に、これ迄に報告されている弓−、Ｓｉ膜は、太
陽電池用として開発されたものであるので、その電気的
特性・光学的特性の点に於いて、太楊エネルギーを電流
の形に変換して取り出すので、効率良く大きな電流を取
り出すには、ａ−８ｉ膜の明抵抗（電磁波照射時の抵抗
）はある程度以下にしなければならない。一方、余り暗
抵抗（電磁波非照射時の抵抗）が小さ過ぎるａ−８ｔ膜
では効率良く大きな電流を取り出すことが出来ない。こ
の様な点から、太陽電池に応用するには、ａ−８ｉ膜の
暗抵抗は１０″〜１０８Ω・備程度が要求されている。

丙午ら、この程度の暗抵抗を有するａ−８ｉ膜では、そ
のままで電子写真用像形成部材の光導電層として適用さ
せようとしても、余りにも暗抵抗が低く過ぎて、現在、
知られている電子写真法には全く使用し得ない。

又、電子写真用像形成部材の光導電層の形成材料として
は明抵抗が暗抵抗に較べて２〜４桁程度小さいことが要
求されるが、従来、報告されているａ−８ｉ膜では精々
２桁程度であるので、この点に於いても従来のａ−８ｉ
膜では、そのままで電子写真用像形成部材の光導電層と
して、適用しようとしても充分満足し得る光導電層とは
成り得なかった。

又、別には、ａ−８ｉ膜に関するある報告によれば、例
えば、暗抵抗が−１００・（７）であるａ−８ｉ膜は光
電利得（入射ｐｈｏｔｏｎ当りの光電流）が低下してお
シ、この点に於いても、従来のａ−８ｔ膜はそのままで
は完全な電子写真用像形成部材の光導電層とは成り得な
かった〇 °更に、電子写真用像形成部材の光導電層として要求さ
れる上記以外の他の要件、例えば、静電的特性、耐コロ
ナイオン性、−耐溶剤性、耐光疲労性、耐湿性、耐熱性
、耐摩耗性、クリーニング性等の点に於いては、従来全
く未知数であった。

本発明は、上記の諸点に鑑み成されたものでａ−８ｉに
就て電子写真用像形成部材の光導電層への適用という観
点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、ある特性を
有する特定の層構造のａ−８ｉ層とすれば、電子写真用
像形成部材の光導電層として極めて有効に適用され得る
ばかりでなく、電子写真用像形成部材の従来の光導電層
と較べて殆んどの点に於いて凌駕していることを見出し
た点に基いている。

本発明は、製造時に於いては、装置のクローズドシステ
ム化が容易に出来るので、人体に対する悪影響を避は得
ることが出来、又一旦製造されたものは使用上に際し、
人体ばかりかその他の生物、更には自然環境に対しての
影響がなく無公害であって、殊に耐熱性、耐湿性に優れ
、電子写真特性が常時安定していて、殆んど使用環境に
限定を受けない全環境型であり、耐光疲労性、耐コロナ
イオン性に著しく長け、繰返し使用に際しても劣化現象
を起さない電子写真用像形成部材を提供することを主た
る目的とする。

本発明の他の目的は、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明
に出て且つ解儂度の高い、高品質画像を得る事が容易に
出来る電子写真用像形成部材を提供することである。

本発明のもう一つの目的は、光感度が高く、又、分光感
度領域が略々全可視光域を覆っており暗減衰速度が小さ
くて光応答性が速く、且つ耐摩耗性、クリーニング性、
耐溶剤性に優れた電子写真用像形成部材を提供すること
でもある。

本発明の所期の目的は、光導電層を以降に於いて詳述す
る特性を有するａ−８ｉ系光導電層とし、且つ該層中に
空乏層を形成した事によって達成される。

本発明の電子写真用像形成部材の最も代表的な構成例が
第１図及び第２図に示される。第１図に示される電子写
真用像形成部材１は、支持体２．ａ−８ｉ系光導電層３
から構成され、光導電層３は像形成面となる自由表ＷＩ
４を有し、該層３中には空乏層５が形成されている。

本発明に於いて、ａ−８ｉ系光導電層３中に空乏層５を
設けるには、光導電層３を、下記のタイプのａ−８ｉＯ
中の少なくとも二種類を選択し、異なるタイプのものが
接合される状態として層形成する事によって成される。

■ｎ型ａ−８ｉ・・・・・・ドナー（ｄｏｎｏｒ　）の
みを含むもの、或いは、ドナーとアクセプター（ａｃｃ
ｅｐｔｏｒ　）　　；の両方を含み、ドナーの濃度（Ｎ
ｄ）が高いもの。

■ｎ”ｍａ−８ｉ・・・・・・■のタイプの中で殊にｎ
型特性の強い（Ｎｄがより高い）もの。

■ｐＷａ−８ｔ・・・・・・アクセプターのみを含むも
の。或いは、ドナーとアクセプターとの両方を含み、ア
クセプターの濃う度（Ｎａ　）が高いもの。

■ｐ＋型ａ−８ｉ・・・・・・■のタイプの中で殊にｐ
型物性の強い（Ｎａがより高い）もの。

■置型ａ−８ｉ・・・・・・Ｎａ’：：　Ｎａ　＝Ｑの
もの又は。

Ｎａ　＝ＮａＯもの。

即ち、空乏層５は、例えば、所望に従った表面特性を有
する支持体２上に、先ず、ｉ型のａ−８ｉ層を所定の層
厚で形成し、次いで該ｉ型ａ−８ｔ層上に、ｐ型のａ−
８ｉ層を形成することによってｉ型ａ−８ｉ層とｐ型ａ
−８ｉ層との接合部として形成される（以後、空乏層５
に関して支持体２側のａ−８ｉ層を内部層、自由表面４
側のａ−８ｉ層を外部層と称する）。詰り、空乏層５は
、異なるタイプの・ａ−８ｉ層が接合される様に、光導
電層３を形成した場合に、内部ａ−８ｉ層と外部ａ−８
ｉ層との境界遷移領域に形成される。

本発明に於ける空乏層５は、電子写真用像形成部材に静
電像を形成するプロセス中の一工程である電磁波照射工
程の際に、照射され不電磁波を吸収して移動可能なキャ
リアーを生成する層としての機能を有する。又、空乏層
５は、定常状態では、フリーキャリアーの枯渇した状態
となっているので所謂真性半導体としての挙動を示す。

本発明に於いては、光導電層３を構成する層である内部
層６と外部層７とが同一材料であるａ−８ｔで構成され
、その接合部（空乏層５）はホモ（ｈｏｍｏ）　　接合
となっているので、内部層６と外部層７とは電気的・光
学的に良好な接合が成されており、又、内部層・外部層
のエネルギーバンドは滑らかに接合されている。更に空
乏層５には、該層の形成の際に、形成された固有の電界
（拡散電位）（エネルギーバンドの傾き）が゛存在して
いる。この為に、キャリアー生成効率が良くなるばかり
か、又、生成したキャリアーの再結合確率が減少し、即
ち、量子効率が増大し、光応答速度が速くなり、残留電
荷の発生を防ぐという効果が生ずる。

従って、本発明に於いては空乏層５内に於いて、光の様
な電磁波の照射によって生成されたキャリアーは静電像
の形成に有効に働くという利点が存する。

又、本発明の像形成部材は、その成長をより効果的に利
用する為に、静電像を形成する際、光導電層３中に形成
されている空乏層５に、逆バイアス（逆方向バイアス）
となる様な電圧が印加される様に帯電極性を選択して、
外部層面に帯電処理が施される。この逆バイアスが空乏
層・５に印加されると、空乏層５の層厚は、該層に印加
される電圧の略々ＩＡ乗の大きさで増加する。例えば、
高電圧（１０４ｖ／Ｄ１１以上）下では、空乏層５の厚
さは帯電処理を施さない時の厚さに較べて、数倍から数
十倍にもなる。又、空乏層５への逆バイアス印加は接合
によって形成された固有の電界（拡散電位）を更に急峻
なものとする。

この事は、先に述べた効果を一層顕著なものとする。

本発明に於いては、前述した如く、内部層６と外部層７
とが同一材料で形成され、空乏層５は、内部層６と外部
層７の接合によって形成されるので、光導電層３全体が
連続した製造工程の下に形成する事が出来るという利点
も存する。

空乏層５の層厚としては、接合させる内部層６と外部層
７の誘電率や両層の接合前のフェルミレベルの差、即ち
、接合されるａ−８ｉ層を前記の■〜■のタイプに制御
する為に層中にドーピングされる不純物の密度によって
決定され、そして、前述した如く、逆バイアスによる空
芝屑５の層厚の拡がりのため逆バイアスをして使用する
場合には、数百ｘ〜数十μまでにもひろげて用いること
ができる。従って、逆バイアスの程度によって空乏層５
の層厚は、適宜変化させられる。

但し、高電界の逆バイアスを空乏層５上に印加させる場
合、トンネリングやなだれ破壊をおこさない程度に、後
述する不純物の濃度と印加電圧を決定する必要がある。

つまり、不純物濃度があまりに高濃度の場合、比較的低
い逆バイアスでトンネリングやなだれ破壊を生じて、空
乏層５の充分な拡がり（１気容量の減少）と空乏層５へ
の充分な電界を得ることができなくなる。

本発明に於いては、空乏層５は、電磁波を吸収してキャ
リアーを生成する役目を荷うことからすれば、空乏層５
に入射して来る電磁波を可能な限シ吸収する機にする為
に層を厚くするのが良い。百年ら、他方に於いて、空乏
層５に於いて生成されたキャリアーの再結合確率を低下
させる重要因子である、空乏層５に形成される固有の電
界の単位厚さ当りの強さは、層の厚さに逆比例するので
、この点に限れば、空乏層５の厚さは薄い方が良いもの
とされる。

従って本発明に於いては、その目的が充分達成される様
にする為に上記２点が考慮される必□　要がある。即ち
本発明に於いては、電磁波照射によるキャリアーの生成
を大部分空乏層５中で行うので、像形成部材１に電磁波
照射する際の照射方向に従って、内部層６と外部層７の
何れか一方を、コントラストの充分とれた靜電儂が形成
されるのに充分なキャリアーが空乏層５中に於いて発生
され得る様に、即ち、照射される電磁波が空乏層５に充
分到達し得る様に形成される必要がある。ところで、通
常の使用に供される電子写真用像形成部材に於いては照
射される電磁波として可視光が採用されている。従って
、ａ−８ｉｔＤ光吸収係数が波長領域４ｏｏ〜７ｏｏｎ
′ＷＬの範囲で５　Ｘ　１０’〜１　（ｊ’ｃｍ−’で
あるから、先の目的を達成する為には、少なくとも帯電
処理が成された際、光照射側の層表面から５０００人以
内に空乏層５の少なくとも一部が存在する様に、光照射
側の層として内部層６又は外部層７の何れか一方を形成
する必要がある。又、該層厚の下限としては、基本的に
は、内部層６と外部層７の接合によって空乏層５が形成
されさえすれば良いとする点から、薄い方が電磁波の照
射量に対する空乏層５中でのキャリアー発生効率を増大
させる事が出来るので、製造技術的に可能な限り厚さは
薄くされる。

他方、ｐ型（ｐ“型合）やｎ型（ｎ＋型型合を外部層と
して用いる場合、不純物濃度によってその暗抵抗は大き
く変化するが、そのほとんどが従来の電子写真的観点か
らすれば、全く使用できないものである。

その理由は、余り抵抗の小さいものでは、静電像が形成
される際に層の横方向への電荷の逃げを防ぐだけの表面
抵抗性がないから使用出来ないとするものである。

百年ら、本発明に於いては、前述した空乏層５への逆バ
イアスによる空乏層５の層厚の拡がりがあり、この事実
はフリーキャリアーの掃き出しを意味しており、このこ
とは外部層が比較的低抵抗であっても見掛は上高抵抗の
舞いをすることになり、又逆バイアス方向の帯電は、′
外部層の７　ＪＪ−キャリアーを表面方向へ掃き出させ
る効果を有するために外部層に同様の変化を誘起する。

従って、外部層を構成するものとして、上記に説明した
空乏層の拡がり効果とフリーキャリアーの掃き出し効果
が、本発明の目的が達成される程に期待され得るのであ
れば従来の電子写真的観点からすれば、使用出来ないと
されていた比較的低抵抗値を有するものでも使用され得
ることを可能としている。

内部層６と外部層７の中の何れか一方である、電磁波照
射側の層でない層、換言すれば、空乏層５に関して電磁
波照射側との反対にある層は、空乏層５で発生した電荷
を効果的に、輸送する機能を荷うと共に、光導電層３の
電気容量の太きさに大いに寄与する様に形成されること
も出来る。

この理由から、斯かる層は、製造される像形成部材の製
造コストや製造時間等も含めた経済性も加味して通常の
場合、０．５〜１００μ、好適には１〜５０μ、最適に
は１〜３０μの層厚の範囲で形成されることが望まれる
。又、更には、可撓性の要求される像形成部材の場合に
は、他の層や支持体２０可撓性の程度具合にも関係する
が、好適には上限として３−θμ以下に形成されるのが
望ましいものである。

第１図、に於いては、本発明の像形成部材の好適な実施
態様に就いて、内部層６と外部層７として■〜［相］の
タイプの中の異なる二種類のタイプのａ−８ｉ層を選択
、例えば、ｐ型とｎ型　ｐ＋型とｐ型、ｎ型とｎ型、ｐ
型とｎ型等の組合せとして選択し、これ等を接合させて
、光導電層３を形成した例を挙げて、従来のに対するそ
の優位性に就いて説明したが、更に、支持体２側から、
ｐ−１−ｎ、ｎ−１−ｐと云う様に■〜■の中の三種類
の異なるタイプのａ　−Ｓ　ｉ層を接合して光導電層を
構成した場合も本発明の良好な実施態様となり得る。こ
の場合には、光導電層中に空乏層が二つ存在することに
なる。

この場合、二つの空乏層に分割して高電界を印加できる
ため大きな電界の印加が可能となり、高い表面電位を得
ることがより容易となる。

光導電層を支持体側からｎ−１−ｐ、又はｐ・ｉ−ｎの
層構成とした場合には、以下に示す如きの特長を有する
様になると共に種々の電子写真プロセスが適用され得る
様になる。

即ち、支持体側からの光導電層中への電荷の注入を防ぐ
効果があり、更には、表面側と支持体側の両方からの電
磁波照射が可能である為、両面同一画像照射や異なる画
像照射による同時ａｄｄ−ｏｎ方式の画像照射をも可能
にする。そして更には、静電像消去の為の裏面照射（支
持体側からの照射）や後述するＮＰ方式による裏面照射
（支持体側からの電荷注入を促進する）そして耐久性向
上のだめの裏面照射も可能となる。

本発明の電子写真用像形成部材の光導電層を構成する層
としての■〜■のタイプのａ　−Ｓ　ｉ層は、後に詳述
する様にグロー旌電法や反応スパッタリング法等による
層形成の際に、ｎ型不純物（形成されるａ−８ｉ層を■
又は■のタイプにする）又は、ｐ型不純物（形成される
ａ−８ｉ層を■又は■のタイプにする）、或いは、両不
純物を、形成されるａ−８ｉ層中にその量を制御してド
ーピングしてやる事によって形成される。

この場合、本発明者等の実験結果からの知見によれば、
層中の不純物の濃度を１０１５〜１０１９ｃｒｎ−３の
鴨囲内に調整することによって、より強いｎ型（又はよ
り強いｐ型）のａ−８ｉ層からより弱いｎ型（又はよシ
弱いｎ型）のａ−８ｉ層を形成する事が出来る。

■〜■のタイプのａ−８ｉ層は、グロー放電法、スパッ
タリング法、イオンインプランテーション法、イオンブ
レーティング法等によって形成される。これ等の製造法
は、製造条件、設備資本投下の負荷程度、製造規模、製
造される像形成部材に所望される電子写真特性等の要因
によって適宜選択されて採用されるが、所望する電子写
真特性を有する像形成部材を製造する為の制御が比較的
容易である、■〜■のタイプに制御する為にａ　−Ｓ　
ｉ層中に不純物を導入するのに１１１族又はＶ族の不純
物を置換型で導入することが出来る等の利点からグロー
放電法が好適に採用される。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッタリン
グ法とを同一装置系内で併用してａ−Ｓ　ｉ層を形成し
ても良い。ａ　−Ｓ　ｉ層は、本発明の目的とする電子
写真用像形成部材が得られる可く、その暗抵抗及び光電
利得が、例えば、Ｈを含有させて制御される。ここに於
いて、「ａ−Ｓ　ｉ層中にＨが含有されている１という
ことは、「Ｈが、Ｓｔ’と結合した状態」、「Ｈがイオ
ン化して層中に取り込まれている状態」又は′「Ｈ２と
して層中に取り込まれている状態」の何れかの又はこれ
等の複合されている状態を意味する。

ａ　−Ｓ　ｉ層へのＨの含有は、層を形成する際、製造
装置系内にＳｉＨ４、５ｉｙＨａ等の化合物又はＨ７の
形で導入した後、熱分解、グロー放電分解等の方法によ
って、それ等の化合物又はＨ３を分解して、ａ−８ｉ層
中に、層の成長に併せて含有させても良いし、又、イオ
ンインプランテーション法で含有させても良い。

本発明者の知見によれば、ａ−８ｉ層中へのＨの含有量
は、形成される像形成部材が実際面に於いて適用され得
るか否かを左右する大きな要因の一つであって、殊に形
成されるａ　−Ｓ　ｉ層をｐ型又はｎ型に制御する一つ
の要素として、極めて重質であることが判明している。

本発明に於いて、形成され石像形成部材を実際面に充分
適用させ得る為には、ａ−８ｉ層中に含有されるＨの量
は通常の場合１〜４０　ａｔｏｍｉｃチ好適には５〜３
０　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。ａ−８ｉ層
中へのＨ含有量が上記の数値範囲に限定される理由の理
論的裏付は今の処、明確にされておらず推論の域を出な
い。百年ら、数多くの実験結果から、上記数値範囲外の
Ｈの含有量では、例えば本発明の像形成部材の光導電層
を構成する内部層又は外部層としての要求に応じた特性
に制御するのが極めて困難である製造された電子写真用
像形成部材は照射される電磁波に対する感度が極めて低
い、又は場合によっては、該感度が殆んど認められない
、電磁波照射によるキャリアーの増加が小さい等が認め
られ、Ｈの含有量が上記の数値範囲内にあるのが必要条
件であることが裏付けられている。ａ−８ｉ層中へのＨ
の含有は、例えば、グロー放電法では、ａ−８ｔを形成
する出発物質がＳｉＨ４、５ｉ２Ｈａ等の水素化物を使
用するので、５ｓＨ４＠　５１２Ｈａ等の水素化物が分
解してａ−８ｉ層が形成される際、Ｈは自動的に層中に
含有されるが、更にＨの層中への含有を一層効率良く行
なうには、ａ−８ｉ層を形成する際に、グロー放電を行
なう装置系内にＨ２ガスを導入してやれば良い。

スパツタリンタ法による場合にはＡｒ等の不活性ガス又
はこれ等のガスをベースとした混合ガス雰囲・気中でＳ
ｔをターゲットとしてスパッタリングを行なう際にＨ２
ガスを導入してやるか又は、ＳｉＨ４，Ｓｔ、Ｌ等の水
素化硅素ガス、或いは、不純物のドーピングも兼ねてＢ
２Ｈ６、Ｐ）Ｉｓ等のガスを導入してやれば良い。

本発明の目的を達成する為にａ−８ｉ層中に含有される
Ｈの量を制御するには、蒸着基板温度又は／及びＨを含
有させる為に使用される出発物質の製造装置系内へ導入
する量を制御してやれば良い。更には、ａ−８ｉ層を形
成した後に、該層を活性化した水素雰囲気中に晒しても
良い。

又、この時ａ−８ｔ層を結晶温度以下で加熱するのも一
つの方法である。殊にａ−８ｉ層の暗抵抗を向上させる
ためには、該加熱処理法は有効な手段である。又、高強
度の光の様な電磁波を照射して、ａ−８ｉ層の暗抵抗を
向上させる方法も有効な方法である。

ａ−８ｉ層中にドーピングされる不純物としては、ａ−
８ｉ層をｐ型にするには、周期律表第１１１族Ａの元素
、例えばＢ、　Ａｊ、　Ｇａ、　Ｉｎ、　Ｔｊ等が好適
なものとして挙げられ、ｎ型にする場合には、周期律表
第Ｖ族Ａの元素、例えば、Ｎ　＋　Ｐ　＋　Ａｓ　＋Ｓ
ｂ　＋　Ｂ　ｉ等が好適なものとして挙げられる。これ
等の不純物は、＝ａ−８ｉ層中に含有される量がｐｐｍ
オーダーであるので、光導電層を構成する主物質程その
公害性に注意を払う必要はないが出来る限り公害性のな
いものを使用するのが好ましい。この様な観点からすれ
ば、形成されるａ　−８ｉ層の電気的・光学的特性を加
味して、例えば、Ｂ＋　Ａｌｌ　Ｐ＊　Ｓｂ等が最適で
ある。この他に、例えば、熱拡散やインプランテーショ
ンによってＬｉ等がインターステイシアルにドーピング
されることでｎ型に制御することも可能である。

ａ−８ｉ層中にドーピングされる不純物の量は、所望さ
れる電気的・光学的特性に応じて適宜決定されるが、周
期律表第１１１族Ａの不純物の場合には、通常１０’　
〜１０’ａｔｏｍｉｃ％、好適には１０−５〜１０’　
ａｔｏｍｉｃ％、周期律表第Ｖ族Ａの不純物の場合には
、通常１０−８〜１０’　ａｔｏｍｉｃ％、好適には１
０′〜１０−４０−４ａｔｏ％とされるのが望ましい。

これ等不純物のａ−８ｉ層中へのドーピング方法は、ａ
　−Ｓ　ｉ層を形成する際に採用される製造法によって
各々異なるものであって、具体的には一以降の説明又は
実施例に於いて詳述される。

第１図に示される電子写真用像形成部材の如き、光導電
層３が自由表面４を有し、該自由表面４に、静電像形成
の為の帯電処理が施される像形成部材に於いては、光導
電層３と支持体２との間に、静電像形成の際の帯電処理
時に支持体２側からのキャリアーの注入を阻止する働き
のある障壁層を設けるのが一層好ましいものである。こ
の様な支持体２側からのキャリアー〇注入を阻止する働
きのある障壁層を形成する材料としては、選択される支
持体の種類及び形成される光導電層、の電気的特性に応
じて適宜選択されて適当なものが使用される。その様な
障壁層形成材料としては、例えば、”２０１１１　８ｉ
Ｏ５Ｓｉｎ２等の無機絶縁性化合物、ポリエチレン、ポ
リカーポライド、ポリウレタン、パリレン等の有機絶縁
性化合物Ａｕ、　Ｉｒ＋　ｐｔ、　Ｒｈ、　Ｐｄ＋　Ｍ
ｏ　等の金属である。

支持体２としては、導電性でも電気絶縁性であっても良
い。導電性支持体としては、例えば、ステンレス、＾／
、　Ｃｒｙ　Ｉｌｏ＠　Ａｕ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔｅ
、　ＶｒＴｉ、　ＰＬ、　Ｐｄ　　等の金属又はこれ等
の合金が挙げられる。電気絶縁性支持体としては、ポリ
エステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロー
ズトリアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、
ポリ塩化ピリニブ／、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルム又ハシート、ガラス、セラミック、紙
等が通常使用される。これ等の電気絶縁性支持体は、好
適には少なくともその一方の表面を導電処理されるのが
望ましい。

例えば、ガラスであれば、Ｉｎ２Ｏ５＋　”’ａ等でそ
の表面が導電処理され、或いはポリエステルフィルム等
の合成樹脂フィルムであれば、＾／＋Ａｇ＋Ｐｂｌ　Ｚ
ｎ６　Ｎｉ、　　Ａｕ、　Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ｉｒ、　Ｎ
ｂ＋　Ｔａ、　　Ｖ、　Ｔｉ。

ｐｔ等の金属で真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリ
ング等で処理し、又は前記金属でラミネート処理して、
その１表面が導電処理される。支持体の形状としては、
円筒状、ベルト状、板状等、任意の形状とし得、所望に
よって、その形状は決定されるが、連続高速複写の場合
には、無端ベルト状又は円筒、状とするのが望ましい。

支持体の厚さは、所望通りの像形成部材が形成される様
に適宜決定されるが、像形成部材として可撓性が要求さ
れる場−合には、支持体としての機能が充分発揮される
範囲内であれば、可能な限り薄くされる。両年ら、この
様な場合、支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等
の点から、通常は、１０μ以上とされる。

第１図に示す如き、光導電層表面が露呈している層擲成
の像形成部材であって、外部層側から電磁波照射を行う
ものに於いては、ａ−８ｉの屈折率ｎが約３．３５と比
較的大きいので、従来の光導電層と較べて、電磁波照射
の際、光導電層表面で反射が起り易く、従って、光導電
層に吸収される電磁波の量の割合が低下し、照射される
電磁波の損失率が大きくなる。この損失率を出来る限り
減少させるには、光導電層上に反射防止層を設けると良
い。

反射防止層の形成材料としては、光導電層に悪影響を与
えないこと及び反射防止特性に優れているという条件の
他に、更に電子写真的特性、例えば、静電像を形成する
際の層の横方向への電荷の流れが生じない様にある程度
以上の表面抵抗を有すること、液体現像法を採用する場
合には、耐溶剤性に優れていること、更には反射防止層
を形成する条件内で、既に形成されている光導電層の特
性を低下させない事等の条件が要求される。

本発明の目的を達成する為の必要条件の一つであるａ　
−Ｓｉ層中に含有されるＨの量は前記した数値範囲であ
って、その含有獣は、該範囲内において、その層に要求
さ江る特性が満足した状態で得られる可く適宜決定され
るが、重要なことは含有された１１は要求される特性が
付与されるのに有効に寄与する状態で含有されている必
要があることである。

又、本発明の目的を達成する為の必要条件の別な一つで
あるＢ　−Ｓｉ層中にドーピングされる不純物の濃度は
、前記した数値範囲であって、そりドーピング量は、該
範囲内において、その層に要求される特性が満足される
状態で、得られる可く適宜決定されるが、特に有効に作
用する空乏層が形成されるには、□なる値が次のＮａ＋
Ｎｄ 範囲にある様に、ＮａｌＮｄ０値を決めると一層好まし
いものである。即ち、所定の逆バイアス電圧が空乏層に
印加された時、なだれ破壊やトンネリング現象が起らな
い様にＮａ　＋　Ｎｄなる値の上限は決められ、通常は
１０１８備４とされる。下限としては、形成されるａ　
−Ｓｉ層中の、単位体積当りのＳｉの自由ダングリング
ボンドの数Ｎよりも大きな値とされ、好適にはＮよりも
７桁以上、最適には１桁以上大きな値とされるのが望ま
しいものである。

第１図に示される像形成部材１は、光導電層３が自由表
面４を有する構成のものであるが、光導電層３表面上に
は従来のある種、の電子写真用像形成部材の様に、所謂
保護層や電気的絶縁層等の表面被覆層を設けてもよい。

その様な表面被覆層を有する像形成部材が第２図に示さ
れる。

第２図に示される像形成部材８は、第１図における光導
電層３と同様に空乏層１１、内部層１２及び外部層１３
を有する光導電層１０上に自由表面を有す表面被覆層１
４を有する点以外は、構成上に於諭て、第１図に示され
る像形成部材ｌと本質的に異なるものではない。百年ら
表面被覆層１４に要求される特性は、適用する電子写真
プロセスによって各々異なる。即ち、例えば、特公昭４
２−２３９１０号公報−同４３−２４７４８号公報に記
載されているＮＰ方式の様な電子写真プロセスを適用す
るのであれば、表面被覆層１４は、電気的絶縁性であっ
て、帯電処理を受けだ際の静電荷保持能が充分あって、
ある輻度以上の厚みがあることが要求されるが、例エバ
、カールソンプロセスの如き電子写真プロセスを適用す
るのであれば、静電像形成後の明部の電位は非常に小さ
いことが望ましいので表面被覆層１４の厚さ・とじては
非常に薄いことが要求される。表面被覆層１４は、その
所望される電気的特性を満足するのに加えて、光導電層
１０に化学的；物理的に悪影響を与えないこと、光導電
層ｌＯとの電気的接触性及び接着性、更には耐湿性、耐
摩耗性、クリーニング性等を考慮して形成される。

表面被覆層１４の形成材料として有効に使用されるもの
として、その代表的なのは、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリ
スチレン、ポリアミ゛ド、ポリ四弗化エチレン、ポリ三
弗化塩化エチレン、ポリ弗化ビニル、ポリ弗化ビニリデ
ン、六弗化プロピレン−四弗化エチレンコポリマー、三
弗化エチレン−弗化ビニリデンコポリマー、ポリプデン
、ポリビニルブチラール、ポリウレタン等の合成樹脂、
ジアセテート、トリアセテート等のセルローズ誘導体等
が挙げられる。これ等の合成樹脂又はセルロース誘導体
は、フィルム状とされて光導電層ｌＯ上に貼合されても
良く、又、それ等の塗布液を形成して、光導電層１０上
に塗布し、層形成しても良い。

表面被覆層１４の層厚は、所望される特性に応じて、又
、使用される材質によって適宜決定されるが、通常の場
合、０．５〜７０μ程度とされる。殊に表面被覆層１４
が先述した保護層としての機能が要求される場合には、
通常の場合、１０μ以下とされ、逆に電気的絶縁層とし
ての機能が要求される場合には、通常の場合１０μ以上
とされる。百年ら、この保護層と電気絶縁層とを差別す
る層厚値は、使用材料及び適用される電子写真プロセス
、設計される像形成部材の構造によって、変動するもの
で、先の１０μという値は絶対的なものではない。

又、この表面被覆層１４は、先に述べた如き反射防止層
としての役目も荷わせれば、その機能が一層拡大されて
効果的となる。

次に本発明の電子写真用ｒ象形成部材を、グロー放電法
及びスパッタリング法によって製造する場合に就ての概
要を説明する。

第３図は、インダクタンスタイプグロー放電法ｌよ、っ
て、本発明の電子写真用像形成部材を製造する為のグロ
ー放電蒸着装置の模式的説明図である。

１６はグロー放電蒸着槽であって、内部にはａ−３ｉ系
先光導電を形成する為の基板１７が固定部材１８に固定
されており、基板１７の下部側には、基板１７を加熱す
る為のヒーター１９が設置されている。蒸着槽１６の上
部には、高周波電源２０と接続されている誘導コＮル２
１が巻かれており、前記高周波電源２０がＯＮされると
゛誘゛導コイル２１に高周波電力が投入されて、蒸着槽
１６内にグロー放電が生起される様になっている。

蒸着槽１６の上端部には、ガス導入貢が接続されており
、ガスボンベ２２．　２３．　２４　ヨリ各々のボンベ
内のガスが必要時に蒸着槽１６内に導入される様になっ
ている。２５．２６＋２７ハ各々のフローメータであっ
てガスの流量を検知する為のメータであり、又、２’８
．２９．　３０は流入バルブ、３ｔ、３２，３３は流出
ノ；ルフ゛、３４は補助パルプである。

又、蒸着槽１６の下端部はメイノノ（ルゞ）３５を介し
て排気装置（図示されていない）に接続下れている。１
５は、蒸着槽１０内の真空を破る為のリークパルプであ
る。

第３図のグロー放電装置を使用して、基板１７上に所望
特性の光導電層を形成するには、先ず、所定の清浄化処
理を施した基板１７を清浄化面を上面にして固定部材１
８に固定する。

基板１７の表面を清浄化するには、通常、実施されてい
る方法、例えば、アルカリ又は酸等による化学的処理法
が採用される。又、ある程度清浄化した後蒸着槽１６内
の所定位置に設置し、その上に光導電層を形成する前に
グロー放電処理を行っても良い。この場合、基板１７の
清浄化処理から光導電層形成迄同−系内で真空を破るこ
となく行うことが出来るので、清浄化した基板面に汚物
や不純物が付着するのを避けることか出来る。基板１７
を固定部材１８に固定したら、メインパルプ３５を全開
して蒸着槽１．６内の空気を矢印人で示す様に排気して
、真空度≧１０４’ｔ　ｏ　ｒ　ｒ程度にする。

次に補助パルプ３４を全開し、続いて流出パルプ３１，
３２．３３、流入パルプ２８，２９＋３０を全開し、フ
ローメーター２５．．２６．２７内も脱気する。その後
蒸着槽１６内が所定の真空度に達したら補助パルプ３４
、流入バルブ２８゜２９．３０、流出パルプ３１．３２
．３３を閉じる。続いて、ヒーター１９を点火して基板
１７を加熱し所定温度に達したら、その温度に保つ。

ガスポン゛べ２２はａ　−Ｓｉを形成する為の原料ガス
用であって、例えば、ＳｉＨ４，５＝２Ｈ６、５ｔ４Ｈ
１ｏ又は、それ等の混合物等が貯蔵されている。又、ボ
ンベ２３及びボンベ２４は形成するａ−８ｔ層を■・−
■のタイプに制御するのに該層中に不純物を導入する為
の原料ガス用であって、ＰＨ，。

Ｐ２Ｈ４ｒ　Ｂ２Ｈ６５ＡｓＨ３等が貯蔵されている。

基板１７が所定の温度に達したのを確認した後、ボンベ
２２のパルプ３６を開け、出口圧ゲージ３９の圧を所定
圧に調整し、次いで流入ノ；ルプ２８を徐々に開けて、
フローメーター２５内へ例えば５ｔＨ４等のａ　−３ｉ
形成用の原料ガスを流入させる。引き続いて、補助パル
プ３４を所定位置まで開け、次いでビラニーゲージ４２
の示す値を注視し乍ら、流出パルプ３１を徐々に開けて
、ボンベ２２から蒸着槽１６内に供給されるガスの流量
を調整する。形成される５　−Ｓｉ層中に強いて前記し
た不純物をドーピングしない場合には、蒸着槽１６内に
ボンベ２２より８−８ｉ形成用の原料ガスが導入された
時点に於いて、ビラニーゲージ４２を注視し乍らメイン
パルプ３５を調節して、所定の真空度、通常の場合は、
ａ−８ｉ層を形成する際のガス圧で１ｏ−”、＋〜３　
ｔｏｒｒ　　に保つ。次いで、蒸着槽１６外に巻かれた
誘導コイル２１に高周波電源２０により所定周波数、通
常の場合は０．２〜３０　ＭＨｚの高周波電力を供給し
てグロー放電を蒸着槽１６内に起すと、ａ−８ｉ形成用
の原料ガス、例えば、　ＳｉＨ４ガスが分解して、基板
１７上にＳｉが蒸着されて内部層が形成される。

、形成されるａ　−Ｓｉ層中に不純物を導入する場合に
は、ポ／べ２３又は２４より不純物生成用のガスを、ａ
−Ｓｉ層形成時に蒸着槽１６内に導入してやれば良い。

この場合、例えば流出パルプ３２を適当に調節すること
により、ボンベ２３よりの蒸着槽１６へのガスの導入量
を適切に制御することが出来る。従って、形成されるａ
−８ｔ層中に導入される不純物の量を任意に制御するこ
とが出来る他、更に、ａ−Ｓｉ層の厚み方向に不純物の
量を変化させることも容易に成し得る。

上記の様にして、基板１７上に先ず内部層を所定厚で形
成した後゛、次の様にして外部層を形成して光導電層全
体を形成する。

先ず第１の例としては内部層をボンベ２２か１：）１ ら供給されるａ’−８ｉ形成用の原料ガスのみを蒸着槽
１゛６内に導入して形成した場合には、外部層を形成す
る際、ボンベ２２かちのａ　−Ｓｉ形成用の原料ガスに
ボンベ２３又はボンベ２４からの不純物用の原料ガスを
混合して蒸着槽１６内に導入して、既に形成されている
内部層とはタイプの異なる外部層を形成する。

第２の例としては、内部層を、例えば、ボンベ２２かＣ
のａ　　Ｓｉ形成用の原料ガスにボンベ２３からの不純
物用の原料ガスを混合して蒸着槽１６に導入して形成し
た場合には、外部層としては、ボ／べ２２からのＢ　−
Ｓｉ形成用の原料ガスのみか又はボンベ２２からのａ　
−８Ｌ形成用の原料ガスにボンベ２４からの不純物用の
原料ガスを混合して蒸着槽１６に導入して、既に形成さ
れている内部層とはタイプの異なる外部層を形成する。

第３の例としては、内部層をボンベ２２からのａ　　Ｓ
ｉ形成用の原料ガスと、例えばボンベ２３からの不純物
用の原料ガスとの混合ガスを蒸着槽１６内に導入し′て
形成した後、内部層を形成した時とは、ａ−８ｉ形成用
の原料ガスと不純物用の原料ガスとの混合比を変えた混
合ガスを蒸着槽１６内に導入して外部層を形成する。

以上の様な方法によって、内部層と外部層を形成するこ
とによって、内部層と外部層との接合部に空乏層が形成
され、本発明の目的とする電子写真用像形成部材の光導
電層が形成されたことになる。

光導電層をｐ”ｌ＠ｎｍ９＋・ｐ−ｎ等の層構成の様に
空乏層を２つ有する様に形成するには上記の３つの方法
を所望に従って適宜選択して層形成すれば良いものであ
る。

第３図に示されるグ四−放電蒸着装置に於いては、Ｒｐ
　（ｒａｄｉｏ　ｆｒＢｕｅｎｃｙ　）　　インダクタ
ンスタイプｆ’ａ−放電法が採用されているが、この他
、ＦＬＦキャパシタンスタイプ、ＤＣ二極タイプ等のグ
ロー放電法も採用される。

形成されるａ　−Ｓｉ系光導電層の特性は成長時の基板
温度に大きく依存するのでその制御は厳密に行うのが好
ましい。本発明に於いては基板温度を通常は５０〜３５
０℃、好適には１００〜２００℃Ｑｌｌ囲とすることに
よって、電子写真用として有効な特性を有するＢ　　Ｓ
ｉ系光導電層が形成される。更に基板温度はａ　　Ｓｉ
層形成時に連続的又は断続的に変化させて所定の特性を
得る様にすることも出来る二叉、・−８・層の成長速度
もａ　−Ｓｉ層の物性を大きく左右する要因であって、
本発明の目的を達成するには通常の場合０．５〜１００
λ／ｓｅｃ好適には１〜５６λ／ｓｅｃとされるのが好
ましい。

第４図は、スパッタリング法によって、本発明の像形成
部材を製造する為の装置の一つを示す模式的説明図であ
る。

４３は蒸着槽であって、内部には、ａ　−Ｓｉ系光導電
層を形成する為の基板４４が蒸着槽４３とは電気的に絶
縁されている導電性の固定部材４５に固定されて所定位
置に設置されている。基板４４の下方には、基板４４を
加熱する為のヒーター４６が配置され、上方には、所定
間隔を設けて基板４４と対向する位置には多結晶又は単
結晶シリコンターゲット４７がスパッタ用電極４８に取
り付けられて配置されている。

基板°４４が設置されている固定部材４５とシリコンタ
ーゲット４７間には、高周波電源３６四よって、高周波
電圧が印加される様になってイル。又、蒸着槽４３には
、ボンベ４９ｅ５０−５１．５２が各々、流入パルプ５
３．５４．５５゜５６．７　ａ　−メータ５７ｅ　　５
８ｔ　　５９１　６０゜流出パルプ６１ｙ　　６２ｙ　
　６３ｔ　　６４、補助バ。

プロ４を介して接続されており、ボ／べ４９゜ｓｏ、５
１．５２より各々必要時に蒸着槽４３内に所望のガスが
導入される様になっている。

今、第４図の装置を用いて、基板４４上に空乏層を有す
るａ　　Ｓｉ系光導電層を形成するには先ず、メインパ
ルプ６６を全開して蒸着槽４３内の空気を矢印Ｂで示す
様に、適当な排気装置を使用して排気し、次いで補助パ
ルプ６５、流入パルプ５３〜５６、流出パルプ６１〜６
４を全開して蒸着槽４３内を所定、の真空度にする。

次に、ヒーター４６を点′火して基板４４を所定の温度
まで加熱する。スパッタリング法によってａ　　Ｓｉ暉
先光導電層形成する場合、この基板４４の加熱温度は、
通常５０〜３５０℃、好適には１００〜２００℃とされ
る。この基板温度は、ａ−Ｓｔ層の成長速度、層の構造
、ボイドの存否等を左右し、形成されたａ　−Ｓｔ層の
物性を決定する一要素であるので充分なる制御が必要で
ある。又、基板温度は、ａ　−５４層の形成時に、一定
に保轡しても良いし、又ａ　−Ｓｉ層の成長と共に上昇
又は下降又は上下させても良い。

例えば、ａ　−Ｓｔ層の形成初期に於いては、比較的低
い温度Ｔ１に基板温度を保ち、ａ　−Ｓｉ層がある程度
成長したらＴ１よりも高い温度Ｔ２４で基板温度を上昇
させながらａ　　Ｓｔ層を形成し、ａ　−８ｔ層形成終
期には再びＴ２より低い温度Ｔ、に基板温度を下げる等
して、ａＳｉ層を形成することが出来る。この様にする
ことによって、ａ−Ｓｉ層の電気的・光学的ｉ質を層厚
方向に一定着しくは連続的に変化させることが出来る。

・又、ａ８ｉは、その層成長速度が、他の、例えば、Ｂ
ｅ等に較べて遅いので、形成する層厚が厚くなる１と層
形成初期に形成されたａ−８ｉ（基板側に近い＠　−Ｓ
ｉ　）は、層形成終了迄の間に、層形成初期の特性を変
移させる恐れが充分考えられるので、層の厚み方向に一
様な特性を有するａ　−Ｓｉ層を形成する為には層形成
開始から層形成終了時に亘って基板温度を上昇させ乍ら
層形成するのが望ましい。この基板温度制御操作はグミ
−放電法を採用する場合にも適用される。

基板４４が所定の温度に加熱されたことを検゛知した後
、流入パルプ５３〜５．６、流出パルプ６１〜６４、補
助パルプ６５を閉る。

次に、出口圧ゲージ７３を注視し乍ら、パルプ６８を徐
々に開けて、ボンベ５０の出口圧を所定圧に調整する。

続いて、流入パルプ５４を全開してフローメーター５ｇ
内に、例えば４ｒガス等の雰囲気ガスを流入させる。そ
の後、補助パルプ６５を全開し、次いでメインパルプ６
６及び流出パルプ６２を調整し乍ら雰囲、気ガ′スを蒸
着槽４３内に導入し、所定の真空度に蒸着槽４３内を保
つｄ 次に、出口圧ゲージ７２を注視し乍らパルプ６８を徐々
に開けて、ボンベ４９の出口圧を調整する。続いて、流
入パルプ、５３を全開してフローメーター５７内に几ガ
スを流入させる０次いでメインパルプ６６及び流出パル
プ６１を調節しながら爬ガスを蒸着槽４３内に導入し所
定の真空度に保つ。この為ガスの蒸着槽４３への導入は
、基板４４上に内部層として形成されるａ−８ｔ層中に
Ｈを含有させる必要がない場合には省略される。几ガス
及びＡｒガス等の雰囲気ガスの蒸着槽４３内への流量は
所望する物性のａ−８ｉ膚が形成される様に適宜決定さ
れる。例えば、雰囲気ガスと几ガスとを混合する場合に
は蒸着槽４３内の混合ガスの圧力上しては真空度で、通
常は１０〜１０ｔｏｒｒ、好適には５×２ １　（Ｊ　　〜３　Ｘ　１０　　ｔｏｒｒ、とされる。

ＡｒガスはＨｅガス等の稀ガスに代えることも出来る。

形成されるａ−Ｓｉ層中に強いて前記した不純、物をド
ーピングしない場合には、蒸着槽４３内に所定の真空度
になるまで、雰囲気ガス及び礼ガス又は雰囲気ガスが導
入された後、高周波電源７６により、所定の周波数及び
電圧で、基板４・４が設置されている固定部材４５とス
パッター用電極４８間に高周波電圧を印加して放電させ
、生じた、例えばＡｒイオン等の雰囲気ガスのイオンで
シリコンターゲットをスパッタリングし、基板４４上に
内部層としてのａ−８ｉ層を形成する。

形成されるａ−８ｉ層中に不純物を導入する場合には、
ボンベ５０又は５１より不純物形成用の原料ガスを、ａ
−８ｉ層形成時に蒸着槽４３内に導入してやれば良い。

この場合の導入法は、＼第３図に於いて説明したのと同
様である。

上記の様にして基板４４上に先ず内部層を所定厚で形成
した後、第３図に於いて説明したのと同様に内部層上に
外部層を形成する。

第４図の説明に一於いては、高周波電界放電によるスパ
ッタリング法であるが、別に直流電界放電によるスパッ
タリング法を採用しても良い。

高周波電圧印加によるスパッタリング法に於いては、そ
の周波数は通常０．２〜３０１１１１ｚ、ＩＨ適には５
〜２０鮪とされ、又、放電電流密度は通常０、１〜１０
　ｍＡ／ｃｒＩ、好適には１〜５ｍＡ／７とされるのが
望ましい。又、充分−゛なパワーを得る為には通常１０
０〜５０００Ｖ、好適には３００〜５０００Ｖの電圧に
調節されるのが良い。

スパッタリング法によって、製造する際のａ−８ｉ層の
成長速度は、主に基板温度及び放電条件によって決定さ
れるものであって、形成された層の物性を左右する大き
な要因の一つである。本発明の目的を達成する為のａ−
８ｉ層の成長速度は、通常の場合０，５〜１００λ／　
Ｓｅｃ　％好適には１〜５０Ａ／ｓｅｅとされるのが望
ましい。スパッタリング法に於いてもグロー放電法と同
様に不純物のドーピングによって形成されるａ−８ｉ層
をｎ型或いはｐ型に調整することが出来る。不純物の導
入法は、スパッタリング法に於いてもグロー放電法と同
様であって、例えば、ＰＨｓ　＋　Ｐ２Ｈ４、Ｂ２Ｈ１
１等の如き物質をガス状態でａ−８ｉ層形成時に蒸着槽
４３内に導入して、ａ−８ｉ層中にＰ又はＢを不純物と
してドーピングする。この他、又、形成されたａ−８ｉ
層に不純物“をイオンインプランテーション法によって
導入しても良い。

〈実施例１〉 完全にシールドされたクリーンルーム中に設置された第
３図に示す装置を用い、以下の如き繰作によって電子写
真用像形成部材を作製した。

表面が清浄にされたＱ、　’ｌ　ｙａｗ厚５（１’ｌｌ
ｌダのモリブデン板（基板）１７を、グロー放電蒸着１
ａ１６内の所定位置にある固□定部材１Ｂに堅固に固定
した。基板１７は、固定部材１８内の加熱ヒーター９に
よって±０．５℃の精度で加温される。

温度は、熱電対（アルメル−カロメル）によって基板裏
面を直接測定されるようになされた。

次いで系内の全パルプが閉じられていることを確認して
からメインパルプ３５を全開して、槽１６内が排気され
、約５　Ｘ　１０（ｔｏｒｒの真空度にした。その後ヒ
ーター１９の入力電圧を上昇させ、モリブデン基板温度
を検知しながら入力電圧を変化させ、１５０℃の一定値
になるまで安定させた。

その後、補助パルプ３４、ついで流出パルプ３１．３２
．３３及び流入パルプ２８　、２９　。

３０を全開し、フローメーター２５　、２６．２７内も
十分脱気真空状態にされた０パルプ３１−９３２．３３
を閉じた後、シランガス（純度９９゜９９９％）ポンベ
２２のパルプ３６を開け、出口圧ゲージ３９の圧を１ｋ
ｙｌｃｒ＆に調整し、流入パルプ２８を徐々に開けてフ
ローメータ２５内ヘシランガスを流入、させた。引きつ
づいて、流出パルプ３１を徐々に開け、ついで補助パル
プ３４を徐々に開け、ビラニーゲージ４２の読みを注視
しながら補助パルプ３４の開口を調整し、槽内がＩ　Ｘ
　１０’　ｔｏｒｒになるまで補助パルプ３４を開けた
。槽内圧が安定してから、メインバルブ３５を徐々に閉
じビラニーゲージ４２の指示が０．５　ｔｏｒｒになる
まで開口を絞った。内圧が安門するのを確認してから、
高周波電源２０のスイッチをｏｎ状態にして、誘導コイ
ル２１に、５順の高周波電力を投入し、槽内１６のコイ
ル内部（槽上部）にグロー放電を発生させ、３０Ｗ゛の
入力電力とした。上条性で基板上にシリコン膜を生長さ
せ、４時間開条件を保った後、その後、高周波電源２０
をｏｆｆ状態とし、グロー放電を中止させた状態で、ジ
ポランガス（純度９９．９９９％）ボンベ２３のパルプ
を開き、出口圧ゲージ４０の圧を１に９／ｃｄに調整し
、流入パルプ２９を徐々に開はフローメータ２６にジボ
ランガスを流入させた後、流出パルプ３２を徐々に開け
、フローメータ２６の読みが、シランガスの流量の０．
０８　ｖｏ／％になる様に流出パルプ３２の開口を定め
、安定化させた。

引き続き、再び高周波電源２０をＯｎ状態にして、グロ
ー放電をＦ！−させた。こうしてグロー放電を更に１時
間持続させた後、加熱ヒーター９をｏｆｆ状態にし、高
周波電源２０もｏｆｆ状態とし、基板温度が１００℃に
なるのを待ってから流出パルプ３１．３２を閉じメイン
ノ（ルプ３５を全開にして、槽内を１０ｔｏｒｒ以下に
した後、メインパルプ３５を閉じ槽１６内をリークパル
プ１５によって大気圧として基板を取り出した。こうし
て得られたサンプルを像形成部材Ａとした。この場合、
形成されたａ−８ｔ層の全厚は約６μであった。

こうして得られた像形成部材Ａを、帯電露光実験装置に
設置し、ｅ６Ｋｖで０．２ｓｅｃ間コロナ帯電を行い、
直ちに光像を照射した。光像は、キセノンラゝンプ光源
を用い、フィルター（Ｖ−０５８、東芝社製）を用いて
５５０　ｎｍ以下の波長域の光を除いた光１５ｅｕＸ−
８ｅＣを透過型のテストチャートを通して照射された。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含有）を部材Ａ表面にカスケードすることによって、
部材Ａ表面上に良好なトナー画像を得た。部材Ａ上のト
ナー画像を、＋　５ＫＶのコロナ帯電で転写紙上に転写
した所、解像力に、優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃
度の画像が得られた。

一方■６ＫＶのコロナ帯電を行い上記と同様の条件での
露光後、ｅ荷電性の現像剤で現像を試みたが、上記の結
果に較べて画像濃度の低いボ゛ケた画像が得られた。

更にｅ６ＫＶの帯電を行い、■荷電性現像剤を使用して
、上記のＶ−０５８のフィルターの代わりに、三色フィ
ルターＢ、Ｇ、Ｈのそれぞれのフィルターを用いた場合
、いづれの場合にもほぼ同様に良好な画像が転写紙上に
得られた。

〈実施例２〉 第４図に示す装置を用いて、以下の如き操作によって電
子写真用像形成部材を作製した。

表面が清浄された０、　２１ｍ厚１０ＸＩＯαのステン
レス板上に、電子ビーム真空蒸着法によって、厚さ約８
００人の白金薄膜が蒸着されたものを基板として、スパ
ッタリング蒸着槽４３内の加熱ヒーター４６と電熱対を
内蔵した固定部材４５上に固定された。基板４４と対向
した電極上には、多結晶シリコン板（純度９９．９９９
％）ターゲット４７が基板４４と平行に約４．５ｃＩｒ
Ｌ離されて対向するように固定された。

槽４３内は、メインパルプ６６を全開して一旦５　Ｘ　
１０’　ｔｏｒｒ程度まで真空にされ、（このとき、系
の全パルプは閉じられている）、補助パルプ６５および
流出パルプ６１，６２，６３．６４が開らかれ十分に脱
気された後、流出パルプ６１　、６２゜６３．６４と補
助パルプ６５が閉じられた０基板４４は、加熱ヒーター
電源が入力され、２００℃に保たれた。そして水素（純
度９９．９９９９５％）ボンベ４９のパルプ６８を開け
、出口圧力計７２によって１ｋｙ／ｃｔ／ｌに出口圧を
調整した。続いて、流入パルプ５３を徐々に開いて、フ
ローメータ５７内に水素ガスを流入させ、続いて、流出
パルプ６１を徐ｋに開き更に、補助パルプ６５を開いた
。

槽４３の内圧を、圧力計６７で検知しながら流出パルプ
６１を調整して５　Ｘ　１０　ｔｏｒｒまで流入させた
。引き続きアルゴン（純度９９．９９９９　％　）ガス
ボンベ５０のパルプ６９を開け、出口圧力計７３の読み
が１ｋｙ／ｃｔ／ｌになる様に調整された後、流入パル
プ５４が開けられ、続いて流出パルプ６２が徐々に開け
られ、アルゴンガスを槽内に流入させた。槽内圧計６７
の指示が５Ｘ１０ｔｏｒｒになるまで、流出パルプ６２
が徐々に開けられ、この状態で°流量が安定してから、
メインパルプ６６が徐々に閉じられ、槽内圧がｌＸ１０
ｔｏｒｒになるまで開口が絞られた。続いて、ホスフィ
ンガス（純度９９．９９９５チ）ボンベ５２のパルプ７
１を開き、出口圧ゲージ７５を１＃／ｃｄｌに調整し流
入バルブ団を開き、徐々に流出パルプ６４を開はフロー
メータ６０の読みから、水素ガスの７０−メータ５７の
示す流量の約１．　Ｏｖｏｌ！％の流量で流入されるよ
うに流出パルプ６４番調整した。フローメータ５７゜５
８．６０が安定するのを確認してから、高周波電源７６
をｏｎ状態にし、ターゲット４７および固定部材４５間
に１３．５６ＩＩｌｌｚ、　５００Ｖ　、　１．６　Ｋ
Ｖの交流電力が入力された。この条件で安定した放電を
続ける様にマツチングを取りながら層を形成した。この
様にして４時間放電を続は内部層を形成した。その後高
周波電源７１をｏｆｆ状態にし、放電を一旦中止させた
。引き続いて流出パルプ６１，６２．６４を閉じメイン
パルプ６６を全開して槽内ガスを抜き、５　Ｘ　１０　
ｔｏｒｒ　４で真空にした。その後内部層形成の場合と
同様に、水素ガス、Ａｒガスを導入してメインパルプ６
６の開口を調節して槽内圧を２Ｘ１０ｔｏｒｒとした。

続いて、ジボランガス（純度９９．９９９５％　）ボン
ベ５１のパルプ７０を開は出口圧を出口圧力ゲージ７４
の読みが１　ｋｇ　／　ｃｆＩになるよう調整し、流入
パルプ５５を開け、流出パルプ６３を徐々に開けて、７
０−メータ５９によって水素ガス流量の１．　Ｏｖｏｅ
％の流量となるよう調整さレタ。水素、アルゴン、ジボ
ランのガス流量が安定してから、再び高周波電源７６を
ＯＮ状態にして１．６　Ｋ　Ｖ印加し放電を再開した。

この条件で、４０分間放電を続けたのち、高周波電源７
６をｏｆｆ状態とし、加熱ヒーター４６の電源もｏｆｆ
状態とした。基板温度が１００℃以下になるのを待って
、流出パルプ５７　、５８　、５９を閉じ、補助パルプ
６５を閉じた後、メインパルプ６６を全開して槽内のガ
スを抜いた。その後メインパルプ６６を閉じてリークパ
ルプ７７を開いて大気圧にリークしてから基板を取り出
した。このサンプルを像形成部材Ｂとした。

・この場合、形成されたａ−８ｉ層の厚さは、８μであ
った。

こうして得られた像形成部材Ｂを、実施例１と同様に試
験した所、ｅ６ＫＶのコロナ帯電ｅ荷電性現像剤の組み
合せの場合に、解像力、階調性、画像濃度ともにすぐれ
た画像が、得られた０ 〈実施例３〉 表面が清浄にされた、コ〒二ング７０５９ガラス（ＩＩ
Ｉｍ厚、４　ｘ　４　ｃＩｒＬ、両面研磨したもの）表
面の一方に、電子ビーム蒸着法によってＩＴＯ（ｒｎｚ
ｏｓ　：　５ｎ０２２０　：　１成型、６００℃焼成）
を１２００人蒸着した後５００℃酸素ふん囲気中で加熱
処理されたものを、実施例１と同様の装置（第３図）の
固定部材１８上にＩＴＯ蒸着面を上面にして設置した。

続いて、実施例１と同様の操作によってグロー放電槽１
６内を５Ｘ１０’ｔｏｒｒの′真空となし、基板温度は
１７０℃に保たれた後、シランガスが流され、槽内は、
０．８ｔｏｒｒに調整された。この時、更にホスフィン
ガスが、シランガスの０．１　ｖｏｌ！’４となるよう
に、ホスフィンガスのボンベ２４からパルプ３８を通し
て、１ｋｇ／ｄのガス圧（出口圧力ゲージ４１の読み）
で流入パルプ３０、流出パルプ３３の調節によって７０
−メータ２７の読みから槽１６内にシランガスと混合流
入された。ガス流入が安定し槽内圧が一定となり、基板
温度が１７０℃に安定してから、実施例１と同様に高周
波電源２０をｏｎ状態として、グロー放電を開始させた
。

この条件で一１３０分間グロー放電を持続させた後、高
周波電源２０をｏｆｆ状態としてグロー放電を中止させ
内部層の形成を終った。その後、流出パルプ３１．３３
を閉じ、補助パルプ３４、メインパルプ３５を全開にし
て、槽中を５Ｘ１０’ｔ６ｒｒまで真空に゛した。その
後、補筋パルプ３４、メインパルプ３５は閉じられ、流
出パルプ３１を徐々に開け、補助パルプ３４、メインパ
ルプ３５を上記した内部層形・成時と同じ７ランガスの
流量状態になる様に復起された。続いて、再び高周波電
源２−０をｏｎ状態として、グロー族τを再開させ、こ
の状態を８時間持続させた後、加熱ヒーター９及び高周
波電源２０をｏｆｆ状態として、基板温度が１００℃に
なるのを持って、ａ出バルブ３１を閉じ、メインバルブ
３５と補助パルプ３４を全開にして、槽１６内を一旦１
Ｏ−５ｔｏｒｒ以下にしてから、メインノ（ルプ３５を
閉じ、槽１６内をリークパルプ１５でリークし基板を取
り出した。こうして像形成部材Ｃを作製した。

形成されたａ−８ｉ層の全厚は、約１１μであった○こ
うして得られた像形成部材Ｃに就で、画像形成の試験を
した。ｅ６ＫＶのコロナ帯電裏面露光ｅ荷電性現像剤の
組み合せで画像形成処理した場合に実用に供しうる良質
な画像を得ることが出来た。

〈実施例４〉 実施例３と同様の、ＩＴＯをガラス蒸飯（コーニング７
０５９）上に蒸着した基板を用いて実施例３と同様の条
件と手順で同様の層構成のものを形成した後、引き続い
て基板加熱ヒーターをｏｎ状態にしたままで、高周波電
源２０をｏｆｆ状態とした。続いて、・ジボランガスの
ボンベ２３のパルプ３７を開け、出口圧ゲージ４０の圧
をｘｋｙｌｃｒ＆に調整し、流入パルプ２９を徐々に開
けて、７０−メータ２６内へジボランガスを流入させた
。更に流出パルプ３２を徐々に開け、フローメータ２６
の読みがシランガスの流量の０、０８　ｖａｔ！％にな
る様に流出バルブ３２の開口を定め、槽内への７ランガ
スの流量とともに流量が安定化するのを待った。続いて
、高周波電源２０を再びｏｎ状態として、グロー放電を
開始させ、この条件でグロー放電を４５分間持続させた
後、加熱ヒーター９及び高周波電源２０をｏｆｆ状態と
して、基板温度が１００℃になるのを待った。その後、
流出バルブ３１．３２を閉じメインパルプ３５を全開に
して槽１６内を一旦１０　ｔｏｒｒ以下にした後、メイ
ンバルブ３５を閉じて、槽１６内をリークパルプ１５に
よって大気圧にした後、ｉ板を取り出した。こうして像
形成部材りを得た。形成された全ａ−８ｉ層の厚さは約
１２μであった。

−こうして得られた像形成部材りを、実施例１と同様に
帯電露光の実験装置に静置して画像形成の試験をした所
、−６ＫＶのコロナ帯電、■荷電性現像剤の組み合せの
場合に、極めて良質の、コントラストの高いトナー画像
が転写紙上に得られた。

〈実施例５〉 表面がパブ研磨され鏡面状にされた後洗浄された０、　
１　ａｌｌ厚のＡ／板（４ｘ４ｃｍ）上に、電子ビーム
蒸着法によって２，０００人厚のＭｇＦｔ層が均一に蒸
着された。これを基板として実施例１と同様に第３図に
示す装置の固定部材１８上にＭｇＦ’ｓ蒸着面を上面に
して静置した。

続いて実施例１と同様の操作によってグロー放電槽１６
内及び全ガス流入系を５　Ｘ　１０　ｔｏｒｒの真空と
なし、基板温度を２２０℃に保った。

続いて実施例１と同様の各パルプの操作で槽１６内にシ
ランガスを導入し槽内圧を、１．Ｏｔｏｒｒにした。シ
ランガス流量及び基板温度が安定した後、高周波電源２
０をｏｎ状態として、グロー放電を開始させた。この条
件で、５時間グロー放電を持続させた後、高周波電源２
０をｏｆｆ状態としてグロー放電を中止させた。引卒続
いて、パルプ３８．３０．３３の開口を調節して、ホス
フィンガスのボンベ２４からホスフィンガス流量がシラ
ンガス流量、の０．０５　ｖａｔ　％となるように７０
−メータ２７の読みを注視し乍ら安定さ゛せて槽１６内
に導入した。その後、再び高周波電源２０をｏｎ状態と
して、グロー放電を再開させた。このグロー放電の間、
流出バルブ３３を約１０分間の間にシランとの混合比が
初期値０、０５　ｖａｔ　％から０．０１　ｖａｔ　％
増加するように次第に開けて、１時間グロー放電を持続
させた後、高周波電源２０及び加熱ヒーター９がｏｆｆ
状態とされた。基板温度が１００℃以下に自然冷却され
るのを待って、流出バルブ３１及び３３が閉じられ、引
き続きメインパルプ３５が全開されて、槽１６内は、１
０ｔｏｒｒ以下にされた０その後、メインパルプ３５は
閉じられ、リークパルプ１５を開けることによって槽１
６内は大矢圧に戻され、層形成された基板が取り出され
た。こうして像形成部材Ｅを得た。形成されたａ−８ｉ
層の全厚は約７．５μであった。

得られた像形成部材Ｅを実施例１と同様に帯電−露光−
現像の試験を行った所、■６ＫＶのコロナ帯電、ｅ荷電
極の現像剤の組み合せの場合に、極めて良質な画像を得
ることが出来た。

続いて、像形成部材Ｅは、市販の複写機（ＮＰ−Ｌ７キ
ヤノン株式会社製を一部改造した実験機）の感光体用ド
ラム（感光層のないＡ／ドラム）に接地されるように固
定され、■６ＫＶ帯電、露光、現像（ｅ荷電性液体現像
剤、市販品）液絞りｅ帯電、転写■帯電の工程によって
普通紙上に良質の画像を得た。又この工程を、くりかえ
し１０万枚連続コピーしても、全く画質の変化がなかっ
た。

〈実施例６〉 表面が清浄にされたＱ、ｌ　ＩＩＫ厚のＡｉ基板（４ｘ
　４　ｃｍ　）が実施例１と同様に第３図に示す装置の
固定部材１８上に静置された。続いて実施例１と同様の
操作によってグロー放電蒸着槽１６内及び、全ガス流入
系を５　Ｘ　１０’　ｔｏｒｒの真空となし、基板温度
は、２５０℃に保たれた。実施例１と同様の各パルプ操
作で槽１６内にシランガスが流され、槽内圧は０．３　
ｔｏｒｒにされた。

更にジポランガスボンベ２３のパルプ３７を開け、出口
圧ゲージ４０圧を１　ｋｇ　／　ｃＩＩに調整し、流入
ハ莢ブ２９を徐々に開け、フローメーター２６の読みが
シランガス流量の０．１５　ｖｏ／　％になる様に流出
パルプ３２も徐々に開けられてジポランガスが流入され
た。シランガス及びジボランガス共に流量が安定化し、
基板温度が２５０℃で安定化してから、高周波電源２０
をｏｎ状態として、槽１６内にグロー放電を開始させた
。

この条件でグロー放電を３０分間行った後、グロー放電
を続けながら、ジポランの流出パルプ３２を７０−メー
タ２６を注視しながら徐々に閉シ、シランガス流量に対
してジポランガス流量が０．０５優になるまで開口を絞
った。この条件で更にグロー放電を６時間続けた後、流
出バループ３１．３２共に閉じ、槽１６内を一旦５×１
０ｔｏｒｒまで真空状態にした。続いて、シランガスが
再び同様の条件で流され、槽１６内は再び０．３　ｔｏ
ｒｒにされた後、ホスフィンガスボンベ２４からパルプ
３８を通して１に９／ｃｒ／Ｉのガス圧で流入パルプ３
０．流出パルプ３３の調節によってフローメータ２７の
読みから、シランガスの０．０８％となるように槽１６
内に混合して流入させた。ガス流入が安定してから、高
周波電源２０をｏｎ状態として、グロー放電を開始させ
、４５分間持続させた後、高周波電源２０゜及び加熱ヒ
ーター９をｏｆｆ状態として後、基板。

温度が１００℃になるのを待って、流出パルプ３１．３
３共に閉じられ、メインパルプ３５が全開されて槽１６
が一旦１０’　ｔｏｒｒ以下にされてからメインパルプ
３５を閉じ、リークパルプ−１５を開いて槽１６内を大
気圧に戻してから基板を取り出した。

形成されたａ−８ｉ層の全厚は約９μであった。

こうして得られたサンプルを、サンプル裏面のＡ／面を
接着テープで目ばりした後頁にポリカーボネート樹脂の
３０チトルエン溶液に垂直方向にサンプルを浸漬した後
、１．５　ｃｍ　／　６６（、の速度で引き上げてａ−
８ｉ層上にポリカードネート樹脂１５μ層を設けた。そ
の後接着テープは除去された。

こうして像形成部材Ｆを得た。

得られた像形成部材Ｆを、市販の複写機（ＮＰ−Ｌ７；
キャノン株式会社製）を改造した実験機の感光体用ドラ
ム（感光層のないＡ／ドラム）に接地されるように固定
し、０７Ｋｖ１次、帯電、露光同時ＡＣ６ＫＶ帯電、現
像（■荷電性液体現像剤）、液絞り（ローラー絞り）、
転写ｅ５ＫＶ帯電の連結工程によって普通紙上に鮮明な
画像コントラストの高い画像を得た。又この工程をくり
かえし１０万枚以上コピーしても、初期の良質な画像を
維持した。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は、夫々本発明の電子写真用゛像形成
部材の構成の一例を示す模式的構成断面図、 第３図、第４図夫々は本発明の電子写真用像形成部材を
製造する為の装置の一例を示す模式的説明図である。 １．８・・・・・・電子写真用像形成部材２．９・・・
・・・支持体　、３，１０・・・・・・光導電層４・・
・・・・自由表面　　、１４・・・・・・表面被覆層１
６　、４３・・・・・・蒸着槽

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 支持体と、障壁層と、アモルファス′シリコンで構成さ
   れている光導電層とを有し、且つ、該光導電層が空乏層
   を有する事を特徴とする電子写真用像形成部材０