JPS5877044A - デイスク原盤製造方法 - Google Patents
デイスク原盤製造方法Info
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- JPS5877044A JPS5877044A JP17375681A JP17375681A JPS5877044A JP S5877044 A JPS5877044 A JP S5877044A JP 17375681 A JP17375681 A JP 17375681A JP 17375681 A JP17375681 A JP 17375681A JP S5877044 A JPS5877044 A JP S5877044A
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- JP
- Japan
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- photoresist
- glass substrate
- film
- disk
- reflective film
- Prior art date
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- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/261—Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ディスク原盤製造方法に関する。
ディスク面にレーザービームによるスパイラルトラック
を形成して成るディスク原撃は、通常以下の様な製造工
程を経て、製出される。まず、ガラス基板11)面にレ
ーザ光を反射するクロームを蒸着して反射膜(21を形
成し、この反射膜(2)上に更に0.1μ八へ度のフォ
トレジスト材をコーティングしてフォトレジスト層(3
)を形成し、これを80℃でプリベークした後記録装置
に装着してレーザ光により情報を記録し、現像と乾燥工
程を経て100℃でポストベークを為し、ビットをスパ
イラル状に形成したディスク原盤を製出していた(第1
図参照)。第1図はこのディスク原盤の断面を模式的に
示すものである。しかし、この様に製出されたディスク
原盤の表面に銀より成る金属膜(4)を形成し、更にそ
の上にニッケル層(5)をメッキによって形成しニッケ
ルのレプレカディスクを製出する場合(第2図参照)は
、前記反射膜(2)とフォトレジスト層(3]の密着強
度が弱いため、ニッケル層+51の形成に伴い7丁トレ
ジスト層(3)が部分的に剥離する現象を来した。この
剥離によつて、レプレカディスク表面に正しく複写ビッ
トが形成されず、剥離の対応部分にふ(らみを生ぜしめ
た。このふくらみは、後に形成されるディスクレコード
面に凹みを形成し再生情報の8/Nを劣化せしめた。
を形成して成るディスク原撃は、通常以下の様な製造工
程を経て、製出される。まず、ガラス基板11)面にレ
ーザ光を反射するクロームを蒸着して反射膜(21を形
成し、この反射膜(2)上に更に0.1μ八へ度のフォ
トレジスト材をコーティングしてフォトレジスト層(3
)を形成し、これを80℃でプリベークした後記録装置
に装着してレーザ光により情報を記録し、現像と乾燥工
程を経て100℃でポストベークを為し、ビットをスパ
イラル状に形成したディスク原盤を製出していた(第1
図参照)。第1図はこのディスク原盤の断面を模式的に
示すものである。しかし、この様に製出されたディスク
原盤の表面に銀より成る金属膜(4)を形成し、更にそ
の上にニッケル層(5)をメッキによって形成しニッケ
ルのレプレカディスクを製出する場合(第2図参照)は
、前記反射膜(2)とフォトレジスト層(3]の密着強
度が弱いため、ニッケル層+51の形成に伴い7丁トレ
ジスト層(3)が部分的に剥離する現象を来した。この
剥離によつて、レプレカディスク表面に正しく複写ビッ
トが形成されず、剥離の対応部分にふ(らみを生ぜしめ
た。このふくらみは、後に形成されるディスクレコード
面に凹みを形成し再生情報の8/Nを劣化せしめた。
そこで反射膜とフォトレジスト層まだはガラス基板と7
ずトレジスト層の密着強度を増・すため、DNS等の密
着性増強剤が利用されているが、十分な密着力を得るこ
とがCきなかった。
ずトレジスト層の密着強度を増・すため、DNS等の密
着性増強剤が利用されているが、十分な密着力を得るこ
とがCきなかった。
そこで、本発明は、上述の点に鑑み、ガラス基板若(は
ガラス基板上の反射膜に対するフォトレジストの密着強
度を強化した新規且つ有効なディスク原盤製造方法を提
案せんとするものである。
ガラス基板上の反射膜に対するフォトレジストの密着強
度を強化した新規且つ有効なディスク原盤製造方法を提
案せんとするものである。
以下、本発明を図示する一実施声に従い説明する。第6
図は、本実施例方法の工程説明図である。
図は、本実施例方法の工程説明図である。
まず本実施例では、第1工程としてガラス基板Illに
クロームの反射膜(2)を形成する〔第3図(a)〕。
クロームの反射膜(2)を形成する〔第3図(a)〕。
尚この工程は記録ビームを反射せしめる膜を形成するも
のであり、本発明にとって必ずしも不可欠な工程ではな
い。第2工程として、ディスクを150℃で高温乾燥し
て反射膜(21表面の湿気を取り除(。第3工程として
、反射膜121表面にフォトレジストを薄< (100
X) コーティングしてフォトレジスト膜(31を形
成する〔第5図(bJ )。尚、この膜厚は記録ピット
の深さ約0.1μmに比1し十分薄い。第4工程として
ディスクを150℃で30分〜1時間高温を加えて、反
射膜(21とフォトレジスト膜(3a)との架橋反応を
生ぜしめ密着強度を強化する。第5工程として、常温下
でフォトレジスト膜(5a)の表面にフォトレジストを
塗布して1oooffi程度のフォトレジスト層(5b
)を形成する〔第3図(C1〕。第6エ程としてディス
クを80℃〜100℃で、6時間程度プリベークする。
のであり、本発明にとって必ずしも不可欠な工程ではな
い。第2工程として、ディスクを150℃で高温乾燥し
て反射膜(21表面の湿気を取り除(。第3工程として
、反射膜121表面にフォトレジストを薄< (100
X) コーティングしてフォトレジスト膜(31を形
成する〔第5図(bJ )。尚、この膜厚は記録ピット
の深さ約0.1μmに比1し十分薄い。第4工程として
ディスクを150℃で30分〜1時間高温を加えて、反
射膜(21とフォトレジスト膜(3a)との架橋反応を
生ぜしめ密着強度を強化する。第5工程として、常温下
でフォトレジスト膜(5a)の表面にフォトレジストを
塗布して1oooffi程度のフォトレジスト層(5b
)を形成する〔第3図(C1〕。第6エ程としてディス
クを80℃〜100℃で、6時間程度プリベークする。
第2工桿、としてレイスフ表面を記録用レーザービーム
によって露光して現像処理を施す〔第3図(d)〕。
によって露光して現像処理を施す〔第3図(d)〕。
第8工程として80℃〜100℃で30分〜1時間のポ
ストベークを施し、ディスク表面の乾燥とフォトレジス
トの架橋反応を促す。
ストベークを施し、ディスク表面の乾燥とフォトレジス
トの架橋反応を促す。
上述する工程を経たディスクはフォトレジスト層、フォ
トレジスト膜及び反射膜とのvII看強度が強り、以後
のレプレカディスク製造工程に於て、従来の様は剥離を
生ずることもない。
トレジスト膜及び反射膜とのvII看強度が強り、以後
のレプレカディスク製造工程に於て、従来の様は剥離を
生ずることもない。
尚、本実施例の各工程中、第1・第2・第5〜第8の各
′工程は従来とほぼ同様の工程であり、本実施例の特徴
は第3工程と第4工程にある。即ち、本発明は、フォト
レジスト膜をコーディングして高温を加える際に反射膜
とフォトレジストを強固に接合すること、その特徴とす
るものである。
′工程は従来とほぼ同様の工程であり、本実施例の特徴
は第3工程と第4工程にある。即ち、本発明は、フォト
レジスト膜をコーディングして高温を加える際に反射膜
とフォトレジストを強固に接合すること、その特徴とす
るものである。
従って本発明によれば、フォトレジストが、ガラス基板
やガラス基板上の反射膜に対して架橋反応を生ぜしぬる
ため、レプレカ製造に際して剥離の惧れもなくその効果
は大である。
やガラス基板上の反射膜に対して架橋反応を生ぜしぬる
ため、レプレカ製造に際して剥離の惧れもなくその効果
は大である。
第1図は従来のディスク原盤の模式的断面図、92図は
レプレカ製造中の模式的断面図、第5図は本発明の一実
施l法の工程説明図を、それぞれ顕わす。 主な図書の説明 (5a)・・・フォト、レジストIII、(5b) −
・・フォトレジスト層、(1)・・・ガラス基板。 第1図 第21I
レプレカ製造中の模式的断面図、第5図は本発明の一実
施l法の工程説明図を、それぞれ顕わす。 主な図書の説明 (5a)・・・フォト、レジストIII、(5b) −
・・フォトレジスト層、(1)・・・ガラス基板。 第1図 第21I
Claims (1)
- 山 フォトレジスト層にレーザビームを照射した後現像
処理を施してディスク表面に記録ビットを形成するディ
スク原盤を製造する方法に於て、ガラス基板又はガラス
基板上の反射膜に対1で記録ピットの深さに比し十分薄
いフずトレジストをコーティングする工程と、この工程
に続いて尚部下で前記ガラス基板又は前記ガラス基板上
の前記反射膜に対しフォトレジストの架橋反応を生ぜし
める工程と、この工程に続いて常温下で更にフォトレジ
ストをほぼ前記記録ピットの深さ分だけ塗布する工程と
を有するディスク原盤製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17375681A JPS5877044A (ja) | 1981-10-29 | 1981-10-29 | デイスク原盤製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17375681A JPS5877044A (ja) | 1981-10-29 | 1981-10-29 | デイスク原盤製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5877044A true JPS5877044A (ja) | 1983-05-10 |
Family
ID=15966549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17375681A Pending JPS5877044A (ja) | 1981-10-29 | 1981-10-29 | デイスク原盤製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5877044A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1015524C2 (nl) * | 2000-06-26 | 2001-12-28 | Otb Group Bv | Werkwijze ter vervaardiging van een substraat om te worden toegepast in een stampervervaardigingsproces, alsmede substraat verkregen volgens een dergelijke werkwijze. |
| US6927016B2 (en) | 2001-10-23 | 2005-08-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Blank disc and direct stamper and its manufacturing method |
-
1981
- 1981-10-29 JP JP17375681A patent/JPS5877044A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1015524C2 (nl) * | 2000-06-26 | 2001-12-28 | Otb Group Bv | Werkwijze ter vervaardiging van een substraat om te worden toegepast in een stampervervaardigingsproces, alsmede substraat verkregen volgens een dergelijke werkwijze. |
| WO2002009103A1 (en) * | 2000-06-26 | 2002-01-31 | Otb Group B.V. | A method for manufacturing a substrate for use in a stamper manufacturing process, as well as a substrate obtained by using such a method |
| US7067238B2 (en) | 2000-06-26 | 2006-06-27 | Singulus Mastering B.V. | Method for manufacturing a substrate for use in a stamper manufacturing process, as well as a substrate obtained by using such a method |
| US6927016B2 (en) | 2001-10-23 | 2005-08-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Blank disc and direct stamper and its manufacturing method |
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