JPS587907A - 増幅装置 - Google Patents

増幅装置

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JPS587907A
JPS587907A JP10551581A JP10551581A JPS587907A JP S587907 A JPS587907 A JP S587907A JP 10551581 A JP10551581 A JP 10551581A JP 10551581 A JP10551581 A JP 10551581A JP S587907 A JPS587907 A JP S587907A
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JP
Japan
Prior art keywords
input terminal
resistor
inverting input
terminal
amplifier
Prior art date
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Pending
Application number
JP10551581A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsuo Sato
哲雄 佐藤
Yasuo Kominami
小南 靖雄
Tatsuro Shirai
達郎 白井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Victor Company of Japan Ltd
Nippon Victor KK
Original Assignee
Hitachi Ltd
Victor Company of Japan Ltd
Nippon Victor KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Victor Company of Japan Ltd, Nippon Victor KK filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP10551581A priority Critical patent/JPS587907A/ja
Publication of JPS587907A publication Critical patent/JPS587907A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G1/00Details of arrangements for controlling amplification
    • H03G1/0005Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
    • H03G1/0017Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal the device being at least one of the amplifying solid-state elements
    • H03G1/0023Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal the device being at least one of the amplifying solid-state elements in emitter-coupled or cascode amplifiers

Landscapes

  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、増幅装置に関する。
本発明の目的とするところは、その交流利得の制御が可
能でありかつ高周波妨害電波に対する安定性の高い増幅
装置を提供することにある。
以下、本発明の実施例を図面に沿って説明する。
第1図は、本発明の詳細な説明する増幅装置の回路を示
すものである。破線IC内部の回路部品はモノリシック
半導体集積回路内に形成されており、丸で囲まれた数字
は集積回路の端子番号を示している。
入力信号電圧■1n  は約1μFの入力結合キャパシ
タC1を介して1番端子に伝達され、増幅出力信号電圧
■。ulが2番端子より得られる。3番端子には電源電
圧■。Cが供給され、4番端子は接地電位点(GND)
に接続されている。
一方、5番端子は交流リップル除去用キャパシタCsを
介して接地電位点に接続されている。
1番端子と6番端子との間には200pFの高周波妨害
電波除去用キャパシタC2が接続されている。
集積回路IC内部には演算増幅器AI 、 A2  +
A8.抵抗R5・・・・・I(7,切換えスイッチSW
が形成されている、 演算増幅器A、の非反転入力端子(]→と演算増幅器A
2の非反転入力端子(→−)とは1番端子に接続され、
演算増幅器A3の非反転入力端子(+)は5番端子に接
続されている。一方、5番端子の電位は抵抗R6,R,
の抵抗比によって定められたバイアス電圧VREFによ
って定められている。
演算増幅器A1の非反転入力端子(+)と演算増幅器A
、の非反転入力端子(4−)とはさらに抵抗R2を介し
て5番端子に接続されることによって、これらの非反転
入力端子の電位はバイアス電圧■R1,,Fに定められ
ている。
演算増幅器A1の反転入力端子(−)は抵抗R1を介し
て5番端子に接続されることによって、この反転入力端
子の電位はバイアス電圧V□2に定められている。
演算増幅器A2の反転入力端子(−)と演算増幅器Al
lの反転入力端子(=)とは抵抗R,,R,とR。
とから構成された抵抗回路網を介して5番端子に接続さ
れることによって、これらの反転入力端子の電位はバイ
アス電圧■RICFに定められている。
演算増幅器A、、A、、A、の出力端子はそれぞれスイ
ッチSWの第1接点ら 、第2接点C2゜第3接点C8
に接続され、スイッチSWの出力接点C0は2番端子と
抵抗R4の一端とに接続されている。演算増幅器A、の
反転入力端子(−)と演算増幅器A、の反転入力端子(
−)とに接続されたところの抵抗R,,R,の共通接続
点に、抵抗R4の他端が接続されている。
抵抗R,、R,、、R,、R4,R,の抵抗値は例えば
下記のように設定され、特に抵抗R8の抵抗値は演算増
幅器A、の非反転入力端子(+)と反転入力端子(−)
とを構成する差動対トランジスタのペース拡がり抵抗r
bb’(約500Ω)とほぼ同等の低抵抗値に設定され
ている。
R8・・ ・・・ 75Ω。
R2・・・・・・347Ω。
R6・・・・2.OKΩ。
R4・・・・・・・・6.2にΩ。
R,、R,、R7−−−・ 30 KOさらに、上記の
如く抵抗R,,,Ft、の抵抗値は抵抗R,,R,の抵
抗値より十分大きな値に設定されている。
従って、スイッチSWの第1接点C3と出力接点C6と
が電気的に接続されている場合は、1番端子から2番端
子への交流電圧利得(3v1 は近似的に下式で与えら
れる。
一方、スイッチSWの第2接点C3と出力接点coとが
電気的に接続されている場合は、1番端子から2番端子
への交流電圧利得GV□ は近似的に下式で与えられる
さらに、スイッチSWの第3接点C5と出力接点C8と
が電気的に接続されている場合は、演算増幅器A、の非
反転入力端子(+)は交流リップル除去用キャパシタC
8を介して接地電位点に接続され反転入力端子(−)は
低抵抗R,,R,と交流リップル除去用キャパシタC8
とを介して接地電位点に接続されているため、1番端子
から2番端子への交流電圧信号の伝達が実質的に禁止さ
れる。
かかる交流電圧イぎ号の伝達禁止はオーディオ機器にお
いてはミーート動作として利用することができ、互いに
異なる交流電圧利得GV、、GV□によ、)て交流電圧
利得を所望の値に制御することが可能となる。
演算増幅器A、の非反転入力端子((−)と反転入力端
子(−)とは2009Fの高周波妨害電波除去用キャパ
シタC6とによ・って直接交流的に結合されているため
、この非反転入力端子(」)と反転入力端子(=)とは
オーディオ機器にとって高周波妨害電波であるところの
−・ム電波、テレビ放送局電波等によって同相状態で駆
動される。演算増幅器A1はその非反転入力端子(+)
と反転入力端子(=)とに関して同相信号除去機能を有
するため、演算増幅器A。
の出力端子に高周波妨害電波が伝達されることが実質的
に禁止される。
演算増幅器A、の非反転入力端子(+)と反転入力端子
(−)とは高周波妨害電波用キャパシタC7と低抵抗値
の抵抗凡、とを介して結合されているため、上記両端子
は高周波妨害電波によって同相状態で駆動される。演算
増幅器A、も上記両端子に関して同相信号除去機能を有
するため、その出力端子に高周波妨害電波が伝達される
ことが実質的に禁止されろう さらに、演算増幅器A、の非反転入力端子(→−)は交
流リップル除去用キャパシタC3を介して接地電位点に
接続され反転入力端子(−)は低抵抗R2。
R8と交流リップル除去用キャパシタC8とを介して接
地電位点に接続されており、演算増幅器A3の出力端子
に高周波妨害電波が伝達されることが実質的に禁止され
る。
以上説明したように本発明によれば、交流利得の制御が
可能であり一個の高周波妨害電波除去用キャパシタC8
によって二つの演算増幅器A1 。
A2の出力端子における安定性を向上することが可能と
なった。
第2図は本発明の好適な実施例による増幅装置の回路図
を示している。同図において、第1図の実施例中の同一
の部品には同一の参照記号もし、くけ参照番号を付し、
その詳細な説明を省略する。
三つの演算増幅器AI 9A3.A、は独立の三対の差
動対トランジスタ(Q、、Q2 )、(Q、。
Q、)、(Q、、Q、  )によって構成されている。
トランジスタQ、のベースとトランジスタQ2のベース
とはそれぞれ演算増幅器A1の非反転入力端子(+)と
反転入力端子(−)として動作し、トランジスタQ8の
ベーストトランジスタQ、のベースとはそれぞれ演算増
幅器A、の反転入力端子(−)と非反転入力端子(+)
として動作し、トランジスタQ。
のベースとトランジスタリ。のベースとはそれぞれ演算
増幅器A、の非反転入力端子(ト)と反転入力端子(−
)として動作する、 三対の差動対トランジスタ(Q、、Q、)。
(Qa  、Q、)、(Q、、Q、)の共通エミノタは
ぞれぞJ1定電流l・フンジスタリ+t + Qls 
+ Ql4のコレクタに接続され、定電流トランジスタ
Q、2゜Qll、Ql4  のエミッタはそれぞれ抵抗
R1゜。
R11、■t11  を介して接地電位点に接続されて
いる。
一方、定電流トランジスタQ +t + Qla + 
Ql4のベースはそれぞれ電子制御回路E CCの制御
出力線g、、8t 、g、に接続され、電子制御回路F
CCの制御入力線は7番端子としてモノリシック半導体
集積回路の外部に導出されている。7番端子はスイッチ
SW′の出力接点C8t VCE続されている、スイッ
チSW の第1接点C、/、第2接点C1’、@3接点
C,Jはそれぞれ′道気的70−ティング状態に、直接
接地電位点に、抵抗R1、oを介して接地電位点に接続
されている。
第1接点C1′と出力接点(シ。′とが電気的に接続さ
れている場合に電子制御回路EC(′、は制御出力線e
、のみに所定の[/ペルのバイアス電圧を発生し、葦動
対トランジスタQ++Q2のみが動作状態となる。
第2接点C8′と出力接点C8′とが電気的に接続され
ている場合に電子制御回路E CCは開側1出力線形、
のみに所定のレベルのバイアス電圧を発生し、差動対ト
ランジスタQ、、Q4のみが動作状態となる。
さらに、第3接点03′と出力接点C8′とが電気的に
接続されている場合に電子制御回路ECCは制御出力線
形、のみに所定のレベルのバイアス電圧を発生し、差動
対トランジスタQ、、Q、のみが動作状態となる。
かくしてスイッチSW′と電子制御回路FCCとは第1
区のスイッチSWと機能上等価な動作を実行する。
一方、三対の差動対トランジスタ(Ql、Q−)。
(Q、、Q、)、(Q、、Q、)は共通負荷手段Ldに
接続されている。この共通負荷手段Ldは、カレントミ
ラー回路の形態に接続されたトランジスタQ7 、Q、
と抵抗R,,)t、とによって構成されている。
さらに共通負荷手段L dは、トランジスタQ g +
QIO+ Ql11ダイオードI−)、  、 D、 
 、定[流源cs、、cs、によっ゛C構成された共通
出力増幅段■)sに接続されている7 以上説明した第2図の実施例においても、交流利得の制
御が口」能であり一個の高周波妨害電波除去用キャパシ
タC2によって二つの演算増幅器A1゜Atの出力端子
における安定性を向上することが可能である。
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、その基
本的技術思想の範囲において種々の変形が可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の詳細な説明する増幅装置の回路図を示
し、第2図は本発明の好適な実施例による増幅装置の回
路図を示す。 A、、A、、A、  ・・演算増幅器、R1〜It7・
・・抵抗、C6・高周波妨害電波除去用キャパシタ。 代理人 弁理士  薄 1)利 幸

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 増幅装置は、 (a)  第1の入力端子(申); (b)  第2の入力端子((!1));(C)  出
    力端子(’j)): (d)  上記出力端子(C”?”) )に同相の信号
    を生じさせる非反転入力端子(+)と上記出力端子に逆
    相の信号な生じさせる反転入力端子(−)とを有する第
    1増幅器(A1 ); tel  上記出力端子(R2・)に同相の信号な生じ
    さ庸る非反転入力端子(+)と上記出力端子に逆相の信
    号を生じさせる反転入力端子(−)とを有する第2増幅
    器(A2); (f)  第1抵抗(■t、); (g)  第2抵抗(1’t); (li)  @3抵抗(R,+; fi)  第4抵抗(R,); (i)  第5抵抗(R5) ; (k)  高周波妨害電波除去用キャパシタ(c2)を
    具備してなり、 (1)  上記第1増幅器(AI  )の上記非反転入
    力端子(→−)と上記第2増幅器(A、)の上記非反転
    入力端子(ト)とは上記第1の入力端子(G) )に接
    続され、(2)上記第1の増幅器(A1 )の上記反転
    入力端子(〜)は上記第2の入力端子(■)と上記第1
    抵抗(R1)の一端とに接続され、 (3)上記第1抵抗uL、)の他端にはバイアス電圧(
    VREF)が供給され、 (4)上記第2抵抗(R2)の一端は上記第1抵抗(R
    I)の上記一端に接続され、 (5)上記第2抵抗(R2)の他端は上記第2増幅器(
    A2 )の上記反転入力端子(−)に接続され、(6)
    上記第3抵抗(R5)の一端は上記第2抵抗(■′L2
    )の上記他端に接続され、 (刀 上記第3抵抗(几、)の他端には上記バイアス電
    圧(VREF )が供給され、 (9)上記第4抵抗(1−(i)の他端は上記@2抵抗
    (R3)の上記他端と上記第3抵抗(R3)の上記一端
    とに接続さね、 00)上記第5抵抗(R5)の一端は上記第1増幅器(
    A1 )の−上記非反転入力端子(+)と上記第2増幅
    器(A、)の上記非反転入力端子(→−)とに接続され
    、 OfJ  上記第5抵抗(R5)の他端には上記バイア
    ス電圧C■REF)が供給され、 0z  上記第1の入力端子(■)と上記第2の入力端
    子(■)との間には上記高周波妨害電波除去用キャパシ
    タ(C2)が接続されてなることを特徴どした増幅装置
    。 2、上記第1抵抗(R3)および上記第2抵抗(I(2
    )の抵抗値は上記第3抵抗(R3)および上記第4抵抗
    ()t4)の抵抗値より小さく設定されてなることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項記載の増幅装置。
JP10551581A 1981-07-08 1981-07-08 増幅装置 Pending JPS587907A (ja)

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ID=14409731

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63502209A (ja) * 1985-11-29 1988-08-25 リ−トハムメル・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニ−・コマンディトゲゼルシャフト 成形体の熱処理装置
JPH11298270A (ja) * 1998-04-15 1999-10-29 Nec Corp Pga(プログラマブル・ゲインアンプ)回路

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