JPS587907A - 増幅装置 - Google Patents
増幅装置Info
- Publication number
- JPS587907A JPS587907A JP10551581A JP10551581A JPS587907A JP S587907 A JPS587907 A JP S587907A JP 10551581 A JP10551581 A JP 10551581A JP 10551581 A JP10551581 A JP 10551581A JP S587907 A JPS587907 A JP S587907A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- input terminal
- resistor
- inverting input
- terminal
- amplifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
- H03G1/0017—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal the device being at least one of the amplifying solid-state elements
- H03G1/0023—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal the device being at least one of the amplifying solid-state elements in emitter-coupled or cascode amplifiers
Landscapes
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、増幅装置に関する。
本発明の目的とするところは、その交流利得の制御が可
能でありかつ高周波妨害電波に対する安定性の高い増幅
装置を提供することにある。
能でありかつ高周波妨害電波に対する安定性の高い増幅
装置を提供することにある。
以下、本発明の実施例を図面に沿って説明する。
第1図は、本発明の詳細な説明する増幅装置の回路を示
すものである。破線IC内部の回路部品はモノリシック
半導体集積回路内に形成されており、丸で囲まれた数字
は集積回路の端子番号を示している。
すものである。破線IC内部の回路部品はモノリシック
半導体集積回路内に形成されており、丸で囲まれた数字
は集積回路の端子番号を示している。
入力信号電圧■1n は約1μFの入力結合キャパシ
タC1を介して1番端子に伝達され、増幅出力信号電圧
■。ulが2番端子より得られる。3番端子には電源電
圧■。Cが供給され、4番端子は接地電位点(GND)
に接続されている。
タC1を介して1番端子に伝達され、増幅出力信号電圧
■。ulが2番端子より得られる。3番端子には電源電
圧■。Cが供給され、4番端子は接地電位点(GND)
に接続されている。
一方、5番端子は交流リップル除去用キャパシタCsを
介して接地電位点に接続されている。
介して接地電位点に接続されている。
1番端子と6番端子との間には200pFの高周波妨害
電波除去用キャパシタC2が接続されている。
電波除去用キャパシタC2が接続されている。
集積回路IC内部には演算増幅器AI 、 A2 +
A8.抵抗R5・・・・・I(7,切換えスイッチSW
が形成されている、 演算増幅器A、の非反転入力端子(]→と演算増幅器A
2の非反転入力端子(→−)とは1番端子に接続され、
演算増幅器A3の非反転入力端子(+)は5番端子に接
続されている。一方、5番端子の電位は抵抗R6,R,
の抵抗比によって定められたバイアス電圧VREFによ
って定められている。
A8.抵抗R5・・・・・I(7,切換えスイッチSW
が形成されている、 演算増幅器A、の非反転入力端子(]→と演算増幅器A
2の非反転入力端子(→−)とは1番端子に接続され、
演算増幅器A3の非反転入力端子(+)は5番端子に接
続されている。一方、5番端子の電位は抵抗R6,R,
の抵抗比によって定められたバイアス電圧VREFによ
って定められている。
演算増幅器A1の非反転入力端子(+)と演算増幅器A
、の非反転入力端子(4−)とはさらに抵抗R2を介し
て5番端子に接続されることによって、これらの非反転
入力端子の電位はバイアス電圧■R1,,Fに定められ
ている。
、の非反転入力端子(4−)とはさらに抵抗R2を介し
て5番端子に接続されることによって、これらの非反転
入力端子の電位はバイアス電圧■R1,,Fに定められ
ている。
演算増幅器A1の反転入力端子(−)は抵抗R1を介し
て5番端子に接続されることによって、この反転入力端
子の電位はバイアス電圧V□2に定められている。
て5番端子に接続されることによって、この反転入力端
子の電位はバイアス電圧V□2に定められている。
演算増幅器A2の反転入力端子(−)と演算増幅器Al
lの反転入力端子(=)とは抵抗R,,R,とR。
lの反転入力端子(=)とは抵抗R,,R,とR。
とから構成された抵抗回路網を介して5番端子に接続さ
れることによって、これらの反転入力端子の電位はバイ
アス電圧■RICFに定められている。
れることによって、これらの反転入力端子の電位はバイ
アス電圧■RICFに定められている。
演算増幅器A、、A、、A、の出力端子はそれぞれスイ
ッチSWの第1接点ら 、第2接点C2゜第3接点C8
に接続され、スイッチSWの出力接点C0は2番端子と
抵抗R4の一端とに接続されている。演算増幅器A、の
反転入力端子(−)と演算増幅器A、の反転入力端子(
−)とに接続されたところの抵抗R,,R,の共通接続
点に、抵抗R4の他端が接続されている。
ッチSWの第1接点ら 、第2接点C2゜第3接点C8
に接続され、スイッチSWの出力接点C0は2番端子と
抵抗R4の一端とに接続されている。演算増幅器A、の
反転入力端子(−)と演算増幅器A、の反転入力端子(
−)とに接続されたところの抵抗R,,R,の共通接続
点に、抵抗R4の他端が接続されている。
抵抗R,、R,、、R,、R4,R,の抵抗値は例えば
下記のように設定され、特に抵抗R8の抵抗値は演算増
幅器A、の非反転入力端子(+)と反転入力端子(−)
とを構成する差動対トランジスタのペース拡がり抵抗r
bb’(約500Ω)とほぼ同等の低抵抗値に設定され
ている。
下記のように設定され、特に抵抗R8の抵抗値は演算増
幅器A、の非反転入力端子(+)と反転入力端子(−)
とを構成する差動対トランジスタのペース拡がり抵抗r
bb’(約500Ω)とほぼ同等の低抵抗値に設定され
ている。
R8・・ ・・・ 75Ω。
R2・・・・・・347Ω。
R6・・・・2.OKΩ。
R4・・・・・・・・6.2にΩ。
R,、R,、R7−−−・ 30 KOさらに、上記の
如く抵抗R,,,Ft、の抵抗値は抵抗R,,R,の抵
抗値より十分大きな値に設定されている。
如く抵抗R,,,Ft、の抵抗値は抵抗R,,R,の抵
抗値より十分大きな値に設定されている。
従って、スイッチSWの第1接点C3と出力接点C6と
が電気的に接続されている場合は、1番端子から2番端
子への交流電圧利得(3v1 は近似的に下式で与えら
れる。
が電気的に接続されている場合は、1番端子から2番端
子への交流電圧利得(3v1 は近似的に下式で与えら
れる。
一方、スイッチSWの第2接点C3と出力接点coとが
電気的に接続されている場合は、1番端子から2番端子
への交流電圧利得GV□ は近似的に下式で与えられる
。
電気的に接続されている場合は、1番端子から2番端子
への交流電圧利得GV□ は近似的に下式で与えられる
。
さらに、スイッチSWの第3接点C5と出力接点C8と
が電気的に接続されている場合は、演算増幅器A、の非
反転入力端子(+)は交流リップル除去用キャパシタC
8を介して接地電位点に接続され反転入力端子(−)は
低抵抗R,,R,と交流リップル除去用キャパシタC8
とを介して接地電位点に接続されているため、1番端子
から2番端子への交流電圧信号の伝達が実質的に禁止さ
れる。
が電気的に接続されている場合は、演算増幅器A、の非
反転入力端子(+)は交流リップル除去用キャパシタC
8を介して接地電位点に接続され反転入力端子(−)は
低抵抗R,,R,と交流リップル除去用キャパシタC8
とを介して接地電位点に接続されているため、1番端子
から2番端子への交流電圧信号の伝達が実質的に禁止さ
れる。
かかる交流電圧イぎ号の伝達禁止はオーディオ機器にお
いてはミーート動作として利用することができ、互いに
異なる交流電圧利得GV、、GV□によ、)て交流電圧
利得を所望の値に制御することが可能となる。
いてはミーート動作として利用することができ、互いに
異なる交流電圧利得GV、、GV□によ、)て交流電圧
利得を所望の値に制御することが可能となる。
演算増幅器A、の非反転入力端子((−)と反転入力端
子(−)とは2009Fの高周波妨害電波除去用キャパ
シタC6とによ・って直接交流的に結合されているため
、この非反転入力端子(」)と反転入力端子(=)とは
オーディオ機器にとって高周波妨害電波であるところの
−・ム電波、テレビ放送局電波等によって同相状態で駆
動される。演算増幅器A1はその非反転入力端子(+)
と反転入力端子(=)とに関して同相信号除去機能を有
するため、演算増幅器A。
子(−)とは2009Fの高周波妨害電波除去用キャパ
シタC6とによ・って直接交流的に結合されているため
、この非反転入力端子(」)と反転入力端子(=)とは
オーディオ機器にとって高周波妨害電波であるところの
−・ム電波、テレビ放送局電波等によって同相状態で駆
動される。演算増幅器A1はその非反転入力端子(+)
と反転入力端子(=)とに関して同相信号除去機能を有
するため、演算増幅器A。
の出力端子に高周波妨害電波が伝達されることが実質的
に禁止される。
に禁止される。
演算増幅器A、の非反転入力端子(+)と反転入力端子
(−)とは高周波妨害電波用キャパシタC7と低抵抗値
の抵抗凡、とを介して結合されているため、上記両端子
は高周波妨害電波によって同相状態で駆動される。演算
増幅器A、も上記両端子に関して同相信号除去機能を有
するため、その出力端子に高周波妨害電波が伝達される
ことが実質的に禁止されろう さらに、演算増幅器A、の非反転入力端子(→−)は交
流リップル除去用キャパシタC3を介して接地電位点に
接続され反転入力端子(−)は低抵抗R2。
(−)とは高周波妨害電波用キャパシタC7と低抵抗値
の抵抗凡、とを介して結合されているため、上記両端子
は高周波妨害電波によって同相状態で駆動される。演算
増幅器A、も上記両端子に関して同相信号除去機能を有
するため、その出力端子に高周波妨害電波が伝達される
ことが実質的に禁止されろう さらに、演算増幅器A、の非反転入力端子(→−)は交
流リップル除去用キャパシタC3を介して接地電位点に
接続され反転入力端子(−)は低抵抗R2。
R8と交流リップル除去用キャパシタC8とを介して接
地電位点に接続されており、演算増幅器A3の出力端子
に高周波妨害電波が伝達されることが実質的に禁止され
る。
地電位点に接続されており、演算増幅器A3の出力端子
に高周波妨害電波が伝達されることが実質的に禁止され
る。
以上説明したように本発明によれば、交流利得の制御が
可能であり一個の高周波妨害電波除去用キャパシタC8
によって二つの演算増幅器A1 。
可能であり一個の高周波妨害電波除去用キャパシタC8
によって二つの演算増幅器A1 。
A2の出力端子における安定性を向上することが可能と
なった。
なった。
第2図は本発明の好適な実施例による増幅装置の回路図
を示している。同図において、第1図の実施例中の同一
の部品には同一の参照記号もし、くけ参照番号を付し、
その詳細な説明を省略する。
を示している。同図において、第1図の実施例中の同一
の部品には同一の参照記号もし、くけ参照番号を付し、
その詳細な説明を省略する。
三つの演算増幅器AI 9A3.A、は独立の三対の差
動対トランジスタ(Q、、Q2 )、(Q、。
動対トランジスタ(Q、、Q2 )、(Q、。
Q、)、(Q、、Q、 )によって構成されている。
トランジスタQ、のベースとトランジスタQ2のベース
とはそれぞれ演算増幅器A1の非反転入力端子(+)と
反転入力端子(−)として動作し、トランジスタQ8の
ベーストトランジスタQ、のベースとはそれぞれ演算増
幅器A、の反転入力端子(−)と非反転入力端子(+)
として動作し、トランジスタQ。
とはそれぞれ演算増幅器A1の非反転入力端子(+)と
反転入力端子(−)として動作し、トランジスタQ8の
ベーストトランジスタQ、のベースとはそれぞれ演算増
幅器A、の反転入力端子(−)と非反転入力端子(+)
として動作し、トランジスタQ。
のベースとトランジスタリ。のベースとはそれぞれ演算
増幅器A、の非反転入力端子(ト)と反転入力端子(−
)として動作する、 三対の差動対トランジスタ(Q、、Q、)。
増幅器A、の非反転入力端子(ト)と反転入力端子(−
)として動作する、 三対の差動対トランジスタ(Q、、Q、)。
(Qa 、Q、)、(Q、、Q、)の共通エミノタは
ぞれぞJ1定電流l・フンジスタリ+t + Qls
+ Ql4のコレクタに接続され、定電流トランジスタ
Q、2゜Qll、Ql4 のエミッタはそれぞれ抵抗
R1゜。
ぞれぞJ1定電流l・フンジスタリ+t + Qls
+ Ql4のコレクタに接続され、定電流トランジスタ
Q、2゜Qll、Ql4 のエミッタはそれぞれ抵抗
R1゜。
R11、■t11 を介して接地電位点に接続されて
いる。
いる。
一方、定電流トランジスタQ +t + Qla +
Ql4のベースはそれぞれ電子制御回路E CCの制御
出力線g、、8t 、g、に接続され、電子制御回路F
CCの制御入力線は7番端子としてモノリシック半導体
集積回路の外部に導出されている。7番端子はスイッチ
SW′の出力接点C8t VCE続されている、スイッ
チSW の第1接点C、/、第2接点C1’、@3接点
C,Jはそれぞれ′道気的70−ティング状態に、直接
接地電位点に、抵抗R1、oを介して接地電位点に接続
されている。
Ql4のベースはそれぞれ電子制御回路E CCの制御
出力線g、、8t 、g、に接続され、電子制御回路F
CCの制御入力線は7番端子としてモノリシック半導体
集積回路の外部に導出されている。7番端子はスイッチ
SW′の出力接点C8t VCE続されている、スイッ
チSW の第1接点C、/、第2接点C1’、@3接点
C,Jはそれぞれ′道気的70−ティング状態に、直接
接地電位点に、抵抗R1、oを介して接地電位点に接続
されている。
第1接点C1′と出力接点(シ。′とが電気的に接続さ
れている場合に電子制御回路EC(′、は制御出力線e
、のみに所定の[/ペルのバイアス電圧を発生し、葦動
対トランジスタQ++Q2のみが動作状態となる。
れている場合に電子制御回路EC(′、は制御出力線e
、のみに所定の[/ペルのバイアス電圧を発生し、葦動
対トランジスタQ++Q2のみが動作状態となる。
第2接点C8′と出力接点C8′とが電気的に接続され
ている場合に電子制御回路E CCは開側1出力線形、
のみに所定のレベルのバイアス電圧を発生し、差動対ト
ランジスタQ、、Q4のみが動作状態となる。
ている場合に電子制御回路E CCは開側1出力線形、
のみに所定のレベルのバイアス電圧を発生し、差動対ト
ランジスタQ、、Q4のみが動作状態となる。
さらに、第3接点03′と出力接点C8′とが電気的に
接続されている場合に電子制御回路ECCは制御出力線
形、のみに所定のレベルのバイアス電圧を発生し、差動
対トランジスタQ、、Q、のみが動作状態となる。
接続されている場合に電子制御回路ECCは制御出力線
形、のみに所定のレベルのバイアス電圧を発生し、差動
対トランジスタQ、、Q、のみが動作状態となる。
かくしてスイッチSW′と電子制御回路FCCとは第1
区のスイッチSWと機能上等価な動作を実行する。
区のスイッチSWと機能上等価な動作を実行する。
一方、三対の差動対トランジスタ(Ql、Q−)。
(Q、、Q、)、(Q、、Q、)は共通負荷手段Ldに
接続されている。この共通負荷手段Ldは、カレントミ
ラー回路の形態に接続されたトランジスタQ7 、Q、
と抵抗R,,)t、とによって構成されている。
接続されている。この共通負荷手段Ldは、カレントミ
ラー回路の形態に接続されたトランジスタQ7 、Q、
と抵抗R,,)t、とによって構成されている。
さらに共通負荷手段L dは、トランジスタQ g +
QIO+ Ql11ダイオードI−)、 、 D、
、定[流源cs、、cs、によっ゛C構成された共通
出力増幅段■)sに接続されている7 以上説明した第2図の実施例においても、交流利得の制
御が口」能であり一個の高周波妨害電波除去用キャパシ
タC2によって二つの演算増幅器A1゜Atの出力端子
における安定性を向上することが可能である。
QIO+ Ql11ダイオードI−)、 、 D、
、定[流源cs、、cs、によっ゛C構成された共通
出力増幅段■)sに接続されている7 以上説明した第2図の実施例においても、交流利得の制
御が口」能であり一個の高周波妨害電波除去用キャパシ
タC2によって二つの演算増幅器A1゜Atの出力端子
における安定性を向上することが可能である。
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、その基
本的技術思想の範囲において種々の変形が可能である。
本的技術思想の範囲において種々の変形が可能である。
第1図は本発明の詳細な説明する増幅装置の回路図を示
し、第2図は本発明の好適な実施例による増幅装置の回
路図を示す。 A、、A、、A、 ・・演算増幅器、R1〜It7・
・・抵抗、C6・高周波妨害電波除去用キャパシタ。 代理人 弁理士 薄 1)利 幸
し、第2図は本発明の好適な実施例による増幅装置の回
路図を示す。 A、、A、、A、 ・・演算増幅器、R1〜It7・
・・抵抗、C6・高周波妨害電波除去用キャパシタ。 代理人 弁理士 薄 1)利 幸
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 増幅装置は、 (a) 第1の入力端子(申); (b) 第2の入力端子((!1));(C) 出
力端子(’j)): (d) 上記出力端子(C”?”) )に同相の信号
を生じさせる非反転入力端子(+)と上記出力端子に逆
相の信号な生じさせる反転入力端子(−)とを有する第
1増幅器(A1 ); tel 上記出力端子(R2・)に同相の信号な生じ
さ庸る非反転入力端子(+)と上記出力端子に逆相の信
号を生じさせる反転入力端子(−)とを有する第2増幅
器(A2); (f) 第1抵抗(■t、); (g) 第2抵抗(1’t); (li) @3抵抗(R,+; fi) 第4抵抗(R,); (i) 第5抵抗(R5) ; (k) 高周波妨害電波除去用キャパシタ(c2)を
具備してなり、 (1) 上記第1増幅器(AI )の上記非反転入
力端子(→−)と上記第2増幅器(A、)の上記非反転
入力端子(ト)とは上記第1の入力端子(G) )に接
続され、(2)上記第1の増幅器(A1 )の上記反転
入力端子(〜)は上記第2の入力端子(■)と上記第1
抵抗(R1)の一端とに接続され、 (3)上記第1抵抗uL、)の他端にはバイアス電圧(
VREF)が供給され、 (4)上記第2抵抗(R2)の一端は上記第1抵抗(R
I)の上記一端に接続され、 (5)上記第2抵抗(R2)の他端は上記第2増幅器(
A2 )の上記反転入力端子(−)に接続され、(6)
上記第3抵抗(R5)の一端は上記第2抵抗(■′L2
)の上記他端に接続され、 (刀 上記第3抵抗(几、)の他端には上記バイアス電
圧(VREF )が供給され、 (9)上記第4抵抗(1−(i)の他端は上記@2抵抗
(R3)の上記他端と上記第3抵抗(R3)の上記一端
とに接続さね、 00)上記第5抵抗(R5)の一端は上記第1増幅器(
A1 )の−上記非反転入力端子(+)と上記第2増幅
器(A、)の上記非反転入力端子(→−)とに接続され
、 OfJ 上記第5抵抗(R5)の他端には上記バイア
ス電圧C■REF)が供給され、 0z 上記第1の入力端子(■)と上記第2の入力端
子(■)との間には上記高周波妨害電波除去用キャパシ
タ(C2)が接続されてなることを特徴どした増幅装置
。 2、上記第1抵抗(R3)および上記第2抵抗(I(2
)の抵抗値は上記第3抵抗(R3)および上記第4抵抗
()t4)の抵抗値より小さく設定されてなることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の増幅装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10551581A JPS587907A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | 増幅装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10551581A JPS587907A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | 増幅装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS587907A true JPS587907A (ja) | 1983-01-17 |
Family
ID=14409731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10551581A Pending JPS587907A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | 増幅装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS587907A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63502209A (ja) * | 1985-11-29 | 1988-08-25 | リ−トハムメル・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニ−・コマンディトゲゼルシャフト | 成形体の熱処理装置 |
| JPH11298270A (ja) * | 1998-04-15 | 1999-10-29 | Nec Corp | Pga(プログラマブル・ゲインアンプ)回路 |
-
1981
- 1981-07-08 JP JP10551581A patent/JPS587907A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63502209A (ja) * | 1985-11-29 | 1988-08-25 | リ−トハムメル・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニ−・コマンディトゲゼルシャフト | 成形体の熱処理装置 |
| JPH11298270A (ja) * | 1998-04-15 | 1999-10-29 | Nec Corp | Pga(プログラマブル・ゲインアンプ)回路 |
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