JPS6156590B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 (1) 発明の技術分野 本発明は磁気バブルの高速駆動を可能とする磁
気バブルメモリデバイスに関する。

(2) 従来技術と問題点 磁気バブルメモリデバイスにおいてメモリ素子
として働らく磁気バブルメモリチツプ（以下メモ
リチツプ）は印刷配線基板に塔載され、これに駆
動コイルが装着されて駆動磁界を与えるように構
成されている。

第１図はかゝる基板の正面図で、第２図は印刷
配線パターンを省略した基板の斜視図である。

メモリチツプ１は深い切り込み部２をもつ基板
３の中央部４に接着剤を用いて固定されており、
メモリチツプ１の配線端子は基板３上に設けられ
ている印刷配線５とボンデイングパツト６におい
てボンデイング接続されている。

こゝで従来の基板３はアルミナ磁器のような無
機材料或はガラスエポキシ、ポリイミドのような
高分子材料からなつており、この上に施された単
層、或は多層からなる印刷配線５は基板の端面に
ある端子部７において図示していないパツケージ
のリード端子と熔着される構造となつている。

次に基板３に設けられている深い切り込み部２
はメモリチツプ１に駆動磁界を与えるためのＸ方
向コイルを挿着するためのものである。

第３図と第４図は基板３に駆動コイルを装着す
る工程を示すもので第３図は予め巻回されている
Ｙ方向コイル８をメモリチツプ１が塔載されてい
る基板３の中央部に装着した状態図であり、第４
図は基板３の深い切り込み部２を用いてＹ方向コ
イル８の上にＸ方向コイル９を挿着した状態図で
ある。

さてＹ方向コイル８とＸ方向コイル９はこのよ
うな直交して設けられており、パツケージ装着後
リード端子を通じて外部のコイルドライバー回路
に接続されて磁気バブルを駆動する回転磁界が形
成されるように構成されている。

こゝで従来駆動コイルに与えられている動作周
波数は100KHz程度であるが、磁気バブル（以下
バブル）を高速駆動動させるために動作周波数を
例えば200KHz以上にまで増加すると駆動コイル
のリアクタンスが増加して100KHzで駆動したと
きと比べて約２倍の電圧印加を必要とすることに
なる。

それで従来通りの電圧値で必要とする磁界を得
るためにはコイルを小形化すればよいが、現在の
基板を用いる限りこれは不可能であり、またコイ
ルの巻回数を減らす場合は必要な磁界を得るため
に電流値を増すことが必要で発熱の点から制約さ
れ、何れも実用的な方法とは云えない。

(3) 発明の目的 本発明は従来の駆動コイルを用いて、動作周波
数を増加させたとき、駆動コイルのリアクタンス
の増加を防止することにより、電圧値は従来のま
まで高い周波数での動作を可能とするものであつ
て、これによりバブルメモリデバイスの高速化を
達成させるものである。

(4) 発明の構成 本発明は導体基板上にバブルチツプを搭載し、
ソレノイドコイルを装着する磁気バブルメモリデ
バイスにおいて、バブルチツプ搭載面に対し裏面
側にある駆動コイルを導体で覆ことによりリアク
タンスを半減させるものである。

(5) 実施例 第５図および第６図は本発明にかかる磁気バブ
ルメモリデバイスの実施例を示す断面図である。

第５図の実施例で使用している基板はアルミ或
は銅などの金属板１０の表面にポリイミド、ポリ
シロキサンなどの耐熱性樹脂１１を被覆してこの
上に印刷配線を施して基板としたものであり、こ
の基板の中央部にメモリチツプを塔載し、以後従
来と同様な方法でＹ方向コイル８とＸ方向コイル
９が挿着されて第４図と同様な外観をもつ素子が
形成される。

この第５図に示す構造をとる実施例においては
金属板１０の表面がリフレクシヨン面であり、こ
の面より上にあるＹ方向コイル８とＸ方向コイル
９は本実施例の場合鏡像が金属板１０中に生じこ
れらの磁界がメモリチツプ１に加わつてこの中の
バブルを駆動する。

次に第６図の場合は基板１２は従来と同じアル
ミナ、ポリイミドなどの絶縁材料により形成され
ているが上層部に銅、銀などの導電膜からなる導
体層１３があり、この上に基板と同じ材料を用い
て絶縁層１４が形成されて印刷配線基板を構成し
ている。

この実施例の場合は導体層１３の上面がリフレ
クシヨン面となり、Ｘ方向コイルおよびＹ方向コ
イルの鏡像は絶縁材料よりなる基板１２の中に形
成されている。

さてリフレクシヨン効果により生じた磁界の方
向は元のコイルによる方向と対称的であり、基板
上に塔載されているメモリチツプに加算して加わ
るため従来の基板を挾んで設けられている裏面側
のコイルによる寄与分とほゞ等しい。

次に高周波で使用する場合のリアクタンスの増
加を減らすためには基板の裏面側の磁界を遮蔽す
ればよく、この方法として基板の裏側部分を導体
をもつて覆えばよい。

第５図および第６図の実施例においては銅箔１
５を用いて基板１０，１２の下面のコイル８，９
を包んである。

かゝる方法をとることにより下面のコイル８，
９による磁界は遮蔽されリアクタンスは1/2に減
少さすことができる。

なおかゝる遮蔽導体は本実施例のように電気的
に浮かせて設けても差支えないが基板のリフレク
シヨン用導体と結線すると雑音対策上有利であ
る。

(5) 発明の効果 本発明は100KHzの動作周波数で従来使用され
ていたバブルメモリデバイスを更に高速動作させ
る場合、駆動コイルのリアクタンスが増加するた
め従来と同様な駆動磁界を得るためには駆動コイ
ルへの印加電圧値の増加が必要であるが、リフレ
クシヨン効果を用い、一方メモリチツプと反対側
の磁界を遮蔽する本発明を実施することにより駆
動コイルへの印加電圧値を増すことなく200KHz
への高速化を達成することができた。

【図面の簡単な説明】

第１図は磁気バブルメモリチツプを塔載する基
板の正面図、第２図は基板の斜視図、第３図は基
板にＹ方向コイルを装着した状態図、第４図はこ
れにＸ方向コイルを装着した状態図、第５図およ
び第６図は本発明の実施例の断面構造である。 図において１は磁気メモリチツプ、３は基板、
８はＹ方向コイル、９はＸ方向コイル、１０は金
属板、１１は耐熱性樹脂、１２は絶縁基板、１３
は導体層、１４は絶縁層、１５は銅箔。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 少なくとも導体層を設けた印刷配線基板に磁
   気バブルチツプが搭載され、且つ該チツプを覆う
   ようにソレノイドコイルからなるＸコイルおよび
   Ｙコイルが挿着され、該コイルの磁界と前記導体
   層のリフレクシヨン効果に生じる磁界とにより磁
   気バブルを駆動してなる磁気バブルデバイスにお
   いて、前記コイルの基板裏面側に位置する部分を
   導体で覆うことにより、基板裏面側の磁界を遮蔽
   してなることを特徴とした磁気バブルメモリデバ
   イス。 ２ 前記印刷配線基板は表面に耐熱樹脂を被覆し
   た金属板からなり、それ自体を導体層としたこと
   を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気バ
   ブルメモリデバイス。 ３ 前記印刷配線基板は絶縁板上に導体層、更に
   該導体層上に前記絶縁板と同じ材料の絶縁層が形
   成されてなることを特徴とした特許請求の範囲第
   １項記載の磁気バブルメモリデバイス。