JPH0646500B2 - 磁気バブル転送路 - Google Patents
磁気バブル転送路Info
- Publication number
- JPH0646500B2 JPH0646500B2 JP12742184A JP12742184A JPH0646500B2 JP H0646500 B2 JPH0646500 B2 JP H0646500B2 JP 12742184 A JP12742184 A JP 12742184A JP 12742184 A JP12742184 A JP 12742184A JP H0646500 B2 JPH0646500 B2 JP H0646500B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- magnetic bubble
- transfer path
- bubble transfer
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は磁気バブル転送路に係わり、特に非対称シエプ
ロンパターン，ハーフデイスクパターンあるいはその類
似パターンから形成される磁気バブル転送路をパターン
構造に関するものである。
ロンパターン，ハーフデイスクパターンあるいはその類
似パターンから形成される磁気バブル転送路をパターン
構造に関するものである。
〔発明の背景〕 一般に磁気バブル転送路としては、パーマロイ等の軟強
磁性体薄膜パターンを回転磁界により磁化する、いわゆ
るフイールドアクセス方式が主に使用されている。そし
て、この磁気バブル転送路のパターンには、第１図に要
部拡大平面図で示すような種類のパターンがこれまで主
に用いられてきた。すなわち同図(a)は非対称シエプロ
ンパターン１０を基本パターンとして構成した転送路を
示し、同図(b)ハーフデイスクパターン１１を基本パタ
ーンとして構成した転送路を示し、同図(c)はＣ字形パ
ターン１２を基本パターンとして構成した転送路をそれ
ぞれ示したものである。これらの転送パターンはパラレ
ルギヤツプパターンとして例えばIEEE Transactions on
Magnetics,VoL.MAG-12,No.6,November 1976.P614-P617
およびP651-P653に論じられている。
磁性体薄膜パターンを回転磁界により磁化する、いわゆ
るフイールドアクセス方式が主に使用されている。そし
て、この磁気バブル転送路のパターンには、第１図に要
部拡大平面図で示すような種類のパターンがこれまで主
に用いられてきた。すなわち同図(a)は非対称シエプロ
ンパターン１０を基本パターンとして構成した転送路を
示し、同図(b)ハーフデイスクパターン１１を基本パタ
ーンとして構成した転送路を示し、同図(c)はＣ字形パ
ターン１２を基本パターンとして構成した転送路をそれ
ぞれ示したものである。これらの転送パターンはパラレ
ルギヤツプパターンとして例えばIEEE Transactions on
Magnetics,VoL.MAG-12,No.6,November 1976.P614-P617
およびP651-P653に論じられている。
ところが、近年磁気バブルメモリ素子の高集積度化，高
密度化に伴ない、使用する磁気バブル径が従来の約1.5
μｍからさらに約1.0μｍへと微小化されてきている。
また同様に磁気バブル転送路も第１図に示すように基本
パターンの周期をλとすると、このλが従来では12〜16
μｍであつたものに対して最近では約８μｍ程度に微小
化され、基本パターンはそのパターン間ギヤツプｇ，パ
ターン幅Ｗとしてホトリソグラフイ技術の限界である約
1.0μｍ程度までのパターンが用いられるようになり、
今後さらにこれらのパターンが微小化される傾向にあ
る。
密度化に伴ない、使用する磁気バブル径が従来の約1.5
μｍからさらに約1.0μｍへと微小化されてきている。
また同様に磁気バブル転送路も第１図に示すように基本
パターンの周期をλとすると、このλが従来では12〜16
μｍであつたものに対して最近では約８μｍ程度に微小
化され、基本パターンはそのパターン間ギヤツプｇ，パ
ターン幅Ｗとしてホトリソグラフイ技術の限界である約
1.0μｍ程度までのパターンが用いられるようになり、
今後さらにこれらのパターンが微小化される傾向にあ
る。
このようにパターンが微小化されると、パターン製作プ
ロセスのわずかな変動で実際の出来上りのパターンが大
きく変形するという問題が生じてきた。第２図はこのパ
ターン変形の従来例を示したものである。同図におい
て、実線で示す正常なパターン10aに対して点線で示し
たような変形パターン10bが出来上る。この結果、基本
パターン１０相互間の最小パターン間ギヤツプg′で示
す実質的なギヤツプが大幅に拡大され、この変形パター
ンにより形成された転送路に微小化された磁気バブルが
転送された場合、第３図に示すように回転磁界（HR）−
バイアス磁界（HB）特性の上限値ＩＵが、回転磁界ＨＲ
が約５０ｅ程度と低くなると、IU′と極端に劣化し、
上限値ＩＵおよび下限値ＩＤとで囲まれる安定動作領域
Ａが狭くなるなどの問題があつた。
ロセスのわずかな変動で実際の出来上りのパターンが大
きく変形するという問題が生じてきた。第２図はこのパ
ターン変形の従来例を示したものである。同図におい
て、実線で示す正常なパターン10aに対して点線で示し
たような変形パターン10bが出来上る。この結果、基本
パターン１０相互間の最小パターン間ギヤツプg′で示
す実質的なギヤツプが大幅に拡大され、この変形パター
ンにより形成された転送路に微小化された磁気バブルが
転送された場合、第３図に示すように回転磁界（HR）−
バイアス磁界（HB）特性の上限値ＩＵが、回転磁界ＨＲ
が約５０ｅ程度と低くなると、IU′と極端に劣化し、
上限値ＩＵおよび下限値ＩＤとで囲まれる安定動作領域
Ａが狭くなるなどの問題があつた。
したがつて本発明は、前述した従来の問題点を解消する
ためになされたものであり、その目的とするところは、
磁気バブル転送路を構成する基本パターンおよび磁気バ
ブルが微小化しても安定動作領域の広い回転磁界−バイ
アス磁界特性が容易に得られ、、また製作プロセスの変
動に対しても安定かつパターン変形の起りにくい磁気バ
ブル転送路を提供することにある。
ためになされたものであり、その目的とするところは、
磁気バブル転送路を構成する基本パターンおよび磁気バ
ブルが微小化しても安定動作領域の広い回転磁界−バイ
アス磁界特性が容易に得られ、、また製作プロセスの変
動に対しても安定かつパターン変形の起りにくい磁気バ
ブル転送路を提供することにある。
本発明は、転送パターン足元部の先端が写真処理で丸み
を帯び、それによって隣合う転送パターンの出力部と入
力部間のギャップが広がるという問題を防ぐために足元
先端部に突出部を設けたものであり、本発明によれば下
記の磁気バブル転送路が提供される。
を帯び、それによって隣合う転送パターンの出力部と入
力部間のギャップが広がるという問題を防ぐために足元
先端部に突出部を設けたものであり、本発明によれば下
記の磁気バブル転送路が提供される。
磁気バブルを転入する入り口側足部と転出する出口側足
部とを有する磁気バブル転送パターンを磁気バブル転送
方向に沿って配列してなる磁気バブル転送路において、
前記足部の先端部に、前記転送パターンと同一部材から
なり、かつ前記足部を転送方向に測った幅より狭い幅を
有するパターン突出部を一体的に設けた磁気バブル転送
路。
部とを有する磁気バブル転送パターンを磁気バブル転送
方向に沿って配列してなる磁気バブル転送路において、
前記足部の先端部に、前記転送パターンと同一部材から
なり、かつ前記足部を転送方向に測った幅より狭い幅を
有するパターン突出部を一体的に設けた磁気バブル転送
路。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第４図は本発明による磁気バブル転送路の一実施例を説
明するための要部拡大平面図である。同図において、非
対称シエブロンパターン10′の磁気バブル転送方向Ｐに
対する磁気バブルの入口側足部を10I，出口側足部を10O
のしたとき、これらの足部10I，10Oの先端部には磁気バ
ブル転送方向Ｐと交差する方向に段階状に突出する突出
部10Cが一体的に設けられている。
明するための要部拡大平面図である。同図において、非
対称シエブロンパターン10′の磁気バブル転送方向Ｐに
対する磁気バブルの入口側足部を10I，出口側足部を10O
のしたとき、これらの足部10I，10Oの先端部には磁気バ
ブル転送方向Ｐと交差する方向に段階状に突出する突出
部10Cが一体的に設けられている。
また、このような非対称シエブロパターン10′の足部10
I，10O先端部に突出部１０ｃを設けるには、この非対称
シエブロパターン10′を転写させるマスクとして、第５
図に示すようなガラス基板上に電子ビーム描画法で形成
されるクロムマスクパターン100の前記足部10I，10O先
端部に対応する部分に、前述した段階状突出部10Cとほ
ぼ同等形状のフオトマスク100ｃを電子ビーム描画によ
り形成したものを使用することにより、容易に達成でき
る。
I，10O先端部に突出部１０ｃを設けるには、この非対称
シエブロパターン10′を転写させるマスクとして、第５
図に示すようなガラス基板上に電子ビーム描画法で形成
されるクロムマスクパターン100の前記足部10I，10O先
端部に対応する部分に、前述した段階状突出部10Cとほ
ぼ同等形状のフオトマスク100ｃを電子ビーム描画によ
り形成したものを使用することにより、容易に達成でき
る。
このように非対称シエブロパタン10′の足部10I，10O先
端部に磁気バブル転送方向と交差する方向に突出する突
出部10Cを設けたことにより、非対称シエブロンパター
ン10′の製作プロセスにわずかの変動があつても、足部
10I，10O先端部に生ずるパターン変形は第６図に点線で
示すような変形パターン10b′の形状となり、シエブロ
ンパタン10′相互間の最小パターン間ギヤツプｇに実質
的な変動はなく、充分確保することができる。したがつ
て、微小化された磁気バブルは相互に隣接する非対称シ
エブロンパターン10′の出口側足部10Oから磁気バブル
転送方向Ｐに隣接する非対称シエブロンパターン10′の
入口側足部10Iに容易に転送され、回転磁界HRが約５０
ｅ程度に低下しても、第３図に上限値ＩＵで示すよう
になり、安定動作領域を拡大させることができる。
端部に磁気バブル転送方向と交差する方向に突出する突
出部10Cを設けたことにより、非対称シエブロンパター
ン10′の製作プロセスにわずかの変動があつても、足部
10I，10O先端部に生ずるパターン変形は第６図に点線で
示すような変形パターン10b′の形状となり、シエブロ
ンパタン10′相互間の最小パターン間ギヤツプｇに実質
的な変動はなく、充分確保することができる。したがつ
て、微小化された磁気バブルは相互に隣接する非対称シ
エブロンパターン10′の出口側足部10Oから磁気バブル
転送方向Ｐに隣接する非対称シエブロンパターン10′の
入口側足部10Iに容易に転送され、回転磁界HRが約５０
ｅ程度に低下しても、第３図に上限値ＩＵで示すよう
になり、安定動作領域を拡大させることができる。
第７図(a)〜(f)は本発明による磁気バブル転送路の他の
実施例を示す要部拡大断面図である。同図(a)におい
て、非対称シエブロパターン10′の磁気バブル出口側足
部10Oの先端部のみに、磁気バブル径の1/3〜１倍程度の
パターン長を有するバー状の突出部10dを磁気バブル転
送方向と直交する方向に設けたものである。同図(b)は
同様に磁気バブル入口側足部10Iの先端部のみにバー状
の突出部10Oを設け、同図(c)は磁気バブル入口側足部10
Iおよび出口側足部10Oの双方に突出部10d，10eをそれぞ
れ設けたものである。また同図(d)は磁気バブル出口側
足部10Oに、磁気バブル転送方向Ｐに屈曲部を有する突
出部10fを設け、同図(e)は磁気バブル入口側足部10
Iに、磁気バブル転送方向Ｐと逆方向に屈曲部を有する
突出部10g を設け、同図(f)は磁気バブル入口側足部10I
に同図(b)示すバー状の突出部10eを、その出力側足部10
Oに同図(d)に示す突出部10fをそれぞれ設けたものであ
る。
実施例を示す要部拡大断面図である。同図(a)におい
て、非対称シエブロパターン10′の磁気バブル出口側足
部10Oの先端部のみに、磁気バブル径の1/3〜１倍程度の
パターン長を有するバー状の突出部10dを磁気バブル転
送方向と直交する方向に設けたものである。同図(b)は
同様に磁気バブル入口側足部10Iの先端部のみにバー状
の突出部10Oを設け、同図(c)は磁気バブル入口側足部10
Iおよび出口側足部10Oの双方に突出部10d，10eをそれぞ
れ設けたものである。また同図(d)は磁気バブル出口側
足部10Oに、磁気バブル転送方向Ｐに屈曲部を有する突
出部10fを設け、同図(e)は磁気バブル入口側足部10
Iに、磁気バブル転送方向Ｐと逆方向に屈曲部を有する
突出部10g を設け、同図(f)は磁気バブル入口側足部10I
に同図(b)示すバー状の突出部10eを、その出力側足部10
Oに同図(d)に示す突出部10fをそれぞれ設けたものであ
る。
このように非対称シエブロンパターン10′の磁気バブル
入出口側足部に各種の突出部を設けることにより、製作
プロセスの変動に対してシエブロンパターン10′間のギ
ヤツプｇが実質的にほぼ所定値に確保出来るので、磁気
バブル転送特性が向上し、第３図で説明したように回転
磁界（HR）−バイアス磁界（HB）特性を大幅に改良する
ことができる。
入出口側足部に各種の突出部を設けることにより、製作
プロセスの変動に対してシエブロンパターン10′間のギ
ヤツプｇが実質的にほぼ所定値に確保出来るので、磁気
バブル転送特性が向上し、第３図で説明したように回転
磁界（HR）−バイアス磁界（HB）特性を大幅に改良する
ことができる。
なお、前述した実施例においては、磁気バブル転送路パ
ターンとして非対称シエブロンパターンを基本パターン
としたものについて説明したが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、第１図に説明したハーフデイスクパ
ターン，Ｃ字形パターンあるいは類似のパラレルギヤツ
プパターンに本発明を適用しても前述と全く同様な効果
が得られることは勿論である。
ターンとして非対称シエブロンパターンを基本パターン
としたものについて説明したが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、第１図に説明したハーフデイスクパ
ターン，Ｃ字形パターンあるいは類似のパラレルギヤツ
プパターンに本発明を適用しても前述と全く同様な効果
が得られることは勿論である。
以上説明したように本発明によれば、基本パターン間の
ギヤツプ部での磁気バブル転送特性を向上させることが
できるので、品質および信頼性の高い高密度化磁気バブ
ルメモリ素子が実現可能となるなどの極めて優れた効果
が得られる。
ギヤツプ部での磁気バブル転送特性を向上させることが
できるので、品質および信頼性の高い高密度化磁気バブ
ルメモリ素子が実現可能となるなどの極めて優れた効果
が得られる。
【図面の簡単な説明】 第１図および第２図は従来の磁気バブル転送路の一例を
説明するための要部拡大平面図、第３図は従来および本
発明による磁気バブル転送路の回転磁界（HR）−バイア
ス磁界（HB）特性を示す図、第４図は本発明による磁気
バブル転送路の一実施例を示す要部拡大平面図、第５図
は本発明による磁気バブル転送路を製造する際に用いる
クロムマスクパターンの一例を示す要部拡大平面図、第
６図は本発明による磁気バブル転送路が製造上のバラツ
キによりパターン変形を起した状態を説明するための
図、第７図(a)〜(f)は本発明による磁気バブル転送路の
他の実施例を説明するための要部拡大平面図である。 10′……非対称シエブロンパターン、10I……磁気バブ
ル入口側足部、10O……磁気バブル出口側足部、10c，10
d，10e，10f……突出部、100……クロムマスクパター
ン、100c……フオトマスク。
説明するための要部拡大平面図、第３図は従来および本
発明による磁気バブル転送路の回転磁界（HR）−バイア
ス磁界（HB）特性を示す図、第４図は本発明による磁気
バブル転送路の一実施例を示す要部拡大平面図、第５図
は本発明による磁気バブル転送路を製造する際に用いる
クロムマスクパターンの一例を示す要部拡大平面図、第
６図は本発明による磁気バブル転送路が製造上のバラツ
キによりパターン変形を起した状態を説明するための
図、第７図(a)〜(f)は本発明による磁気バブル転送路の
他の実施例を説明するための要部拡大平面図である。 10′……非対称シエブロンパターン、10I……磁気バブ
ル入口側足部、10O……磁気バブル出口側足部、10c，10
d，10e，10f……突出部、100……クロムマスクパター
ン、100c……フオトマスク。
Claims (1)
- 【請求項１】磁気バブルを転入する入り口側足部と転出
する出口側足部とを有する磁気バブル転送パターンを磁
気バブル転送方向に沿って配列してなる磁気バブル転送
路において、前記足部の先端部に、前記転送パターンと
同一部材からなり、かつ前記足部を転送方向に測った幅
より狭い幅を有するパターン突出部を一体的に設けたこ
とを特徴とする磁気バブル転送路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12742184A JPH0646500B2 (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | 磁気バブル転送路 |
| GB08515784A GB2162709A (en) | 1984-06-22 | 1985-06-21 | A magnetic bubble memory |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12742184A JPH0646500B2 (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | 磁気バブル転送路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS618789A JPS618789A (ja) | 1986-01-16 |
| JPH0646500B2 true JPH0646500B2 (ja) | 1994-06-15 |
Family
ID=14959542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12742184A Expired - Lifetime JPH0646500B2 (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | 磁気バブル転送路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0646500B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0646502B2 (ja) * | 1985-11-13 | 1994-06-15 | 株式会社日立製作所 | 磁気バブルメモリ |
-
1984
- 1984-06-22 JP JP12742184A patent/JPH0646500B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS618789A (ja) | 1986-01-16 |
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