JPS5883434A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、Ｉ！ＯＬ（エミッタ・カップ＾ド・ロジッ
ク）回路を含む半導体集積回路装置に関する。

従来より、Ｊ［１ＯＬ（又はＯＭＬ　：電ＲｇＪ換ｍａ
シック）回路の半導体集積回路装置において、その内部
動作高速化のために１内部論理振幅を外部論理振幅より
小さくすることが、脣開昭５０−１３４．７８０号公報
によって公知である。

仁の場合、第１図に示すようなＩＯＬ集積−路の回路ブ
ロック構成が考えらｈる。すなわち、低１１ｉ輻Ｐ’１
１１ｍｏＬ回路１０ＬＨな？（、ＩＯＬ、ｆ）他に、低
ｍ＠の内部論理信号を外部鋤環振−に拡大する出力バラ
シア回路０ＢＩｔｋいしＯＢ　ｔが必要になる。

七して、低畿幅の内５ＺＯ−回路は、第２ム図に示すよ
うな回路が、この発明に先立って考えられている。この
回路では、ＩＯＬ回路を構成する差動トランジスタ対の
それぞれのコレクタに接続された一対の負荷抵抗Ｒａｏ
”ａｍと、上記差動トランジスタ対の共通工ばツタに接
続された定電流抵抗りとの比’ｏｏ　（Ｒ（Ｈａ　）／
　ＲＢ　’に大ｌくすることにより、その出力振幅を小
さくするものである。この場合、第２Ｂ図の入出力伝、
！％性図に点硼で示すように、差動対トランジスタがス
イッチ動作ｔ″行なうため、運動対トランジスタのコレ
・ツタにおける出力電圧ｖ０゜′のハイレベ＾は、接地
電位のようなハイレベＡＫなる。したがって、二はツタ
フォロワ出力トランジスタＱ・（Ｑｓ）のペース、二ず
ツタを通した出力信号Ｖ。、？′も、ハイレベＡ１１ｌ
にレベルシフトしてしまい、その中心値ｖｔｈ’が、Ｉ
ＯＬのロジック−レッジ！ｌＡド電圧ｖｔｈＫ対して上
昇することになる。すなわち、単に出力信号振幅を小さ
くしただけでは、上述のように出力信号が一ハイレベル
ＩＩＫレベルシフトしてしまう。

十Ｃで、第２Ｂ図に実線で示すように、入出力間でのロ
ジックスレッシＷＪ４−ド電圧管−散させるために、第
２ム図に示すようなレベルシフト用の抵抗Ｒ１が設けら
れている。仁れにより、例えばロジックスレッショルド
を圧７ｔｈ（−１，３２＆＾ト）Ｋ対して、ハイレベル
ｔ−−０，９ボルトとし、ｏｆ）Ｖべ’ｌ−１．７５ボ
ルトとする外ｌ５ＩＩＯＩＩＩＩ号を受けて、その出力
が上記同機に−１，３２ボルトを中心としてハイレベル
を−１，０ボルトとし、ロウレベルｌ−１，６ボルトと
する低皇輻の内部信号でＩＯＬ回路を動作させるξとが
で言る。

ところが、この内部１０Ｌ回路では、それぞれにレベル
シフト用抵抗Ｒ７が必ｌＩＫなるため、集積回路の集積
度を低下させるという欠点がある。

また、上記レベルシフト抵抗Ｒ，によって無効の電力が
消費されるため、低消費電力化という一点からは不利な
ものとなる。

この発明の目的は、集積度の向上を図った半導体集積−
路装置を提供することＫある。

この発明の他の目的は、低消費電力化を図った半導体集
積回路装ｆ１１１ｔ−提供することにある。

この発明の他の目的は、動作の高速化を図った半導体集
積回路装置ｔ−提供することにある。

この発明のさらに他の目的は、以下のＷｉＩｇｌｌ及び
図面から明らかになるであろう。

以下、この発明を実施ガとともに詳細［１９明する。

第３図には、この発明に係るＩＯＬ半導体集積回路ｉ！
置装−！Ｊ！１／ＩＰ１のブａツク図が示されている。

同図において、一点鎖一で８オれた部分１０ＬＬｓ１は
、公知の半導体集積回路技術によって１個の半導体基板
上において形成基れる。

端子’ｒ１ｎＩないしテ１ｎｋ及び端子Ｔ。ｕｔｌ　　
ないしＴ。ＵｔＺ　　は、その外Ｓ端子とされる。また
、この半導体集積回路技術罵ＯＬ　ｒＪ８１に通電を行
なう電ｍ１ｎｉ子ｖ０゜（Ｏボルト）　、”ｘＢ　（−
４，５ホ３ト）及びＶ、ｒ、Ｃ−２，０ボルト）も設け
られている（図示せず）。

上記端子”ｉｎｌないし！１０には、外部入力端子とさ
れ、通常のＩＯＩ、論理レベルの入力信号が印加され−
る。これらの端子！１ｎ１ないしテＩｎｋから供給され
る入力信号は、それぞれ入力２１７７回路ＸＢ、ないし
よりｋの入力端子に印加される。

これらの入カバツファＩｌ路ＩＢＩないしＸＢｋは、上
記通常のｖＯＬ論理レベルのハイレベルをその１管とし
て、論理振幅會小さくした出力信Ｊ！を形成して低ｍ＠
内部ＫＯＬ１１１ｉ１！ＯＬ’、、’ないしＩＯＬ’。

の帛定の入力端子に伝えられる。

これらの低振幅内部！ＯＬ回路ｍｏｚ＋’口　ないし１
０Ｌ’ユは、上記人カバツ７アロ路で低振幅にレベ凡変
換された内部１１１０Ｌ信号の中心筒に応じたロジック
スレッショルド電圧”　ｔ　ｈ’で動作する。

そして、外部に出力すべき信号を形成する■ｌＩ−は、
出力２７７７回路ＯＢ、ないしＯＢ、で構成される。こ
些らの出力バッファ回路ＯＢｇないしＯＢ。

は、上記低振幅の内部１１ｆＯＬ信号を受けて、所定♂ の＃ｊＩＭ理動作の下に１これ會増幅して上記通常のＫ
ＯＬ論理レベルに変換して外部端子から出力する。

第一ム図には、上記入力バッファ＠　ｖｓＸ　Ｂ　ｇ　
＊低振幅内部ｍｏｂ回路ＩＣＯＬ’、及び出力バッファ
回路ＯＢ、の一実施列の回路図が示されている。

入力バッファ回路より、は、！＃に制限されないが、そ
の動作の高速化を図るために、負帰還型の差動トランジ
スタ回路が用いられている。

すなわち、差動トランジスタＱ１・、Ｑｌｌ　の共通エ
ミッタと電源端子Ｖ□の間には、定電流抵抗Ｒ１が設け
られている。これらのトランジスタＱ、ｌ・、Ｑｔｔの
コレクタと電源端子ｖ０゜との間には、それぞれコレク
タ抵抗Ｒ０Ｍ、ＲＯ０が設けられている。

上記トランジスタＱｌ（ｌが入力トランジスタとされ、
そのベースが端子Ｔ１□Ｋｍｌ続されている。

−ｔ−して、上記トランジスタＱｌｉが反転入力トラン
ジスタとされ、そのコレクタ出力信号ｖａｏがエミツタ
フオロ９トランジスタＱｔｓのベースに伝えられる。こ
のトランジスタＱｔｓのエミッタと電源端子ｖＴＴとの
関には、分割抵抗Ｒ１ｖ　Ｒ１が設けられて偽る。上記
トランジスタｑＩＩの工はツタから得られる出力信号が
上記抵抗ＲＢ　　ｃａｍで分圧されて、上記反転入力ト
ランジスタａｌｌのベースに帰遺場れる。

上記反転入力トランジスタａｌｌのコレクーｔｔｉ力電
圧ｖ０゜と、そのベースに帰遺嘔れる電圧ｖＰＩとの関
係は、次式（１）　、　（２）で表わされる。

式（２）から明らかな様に、トラ、ンジスーＱｌｌの；
レツタ出力軍圧ｖ０゜の変化量Δｖ０゜Ｋ対するベース
帰還電圧Ｖ□の変化量Δｖｙｇの比率（帰還率）ΔＶ□
／Δｖ０゜は、工ｉｙ＃フオａワトランジスタＱｌの工
２ツー分割抵抗ＲＨ＊Ｒ＠　Ｋよる分圧比Ｒｔ／←ｔｔ
Ｈ＋Ｒｓ　　）ＩＣよって制御てきる。

したがって、帰還率が大きすぎる仁とによる弊害を防止
できる。すなわち、入力トランジスタＱｌ・のベースに
印加される入力信号ｖ１□がハイレベル又はロウレベル
のとき、仁の電圧と反転入力トランジスタＱ１のベース
帰還電圧ｖＦｌとの差電圧が十分でなく、Ｃのため差動
対トランジスタＱ１・ｅ　Ｑ　ｔ　ｔ　のオン／オフ切
換えが十分に行なわれず１、その出力電圧ｖａｏが不安
定になるか又は必要なレベルが得られなく迩るというよ
うな弊害を防止する仁とができる。

、また、入力トランジスタＱｉｏのベースに印加される
入力信号ｖｉｎ　Ｉが、そのロジックスレッシ曹ルド電
圧（外部ＲＯＬ信号ＩＣ訃けるハイレベルとロウレベル
の中心ＩＩ）である場＆に、その出力電圧ｖ。。（エミ
ッタ７オａワトランジスタＱｔ＊ｔ”通した出力信号Ｖ
。ｕｔｓも同様）が、そのレベル変換嘔れたｇｉ号珈幅
の中心点となるように設定することができる。この関係
を満すことＫよる効果は、次の通りでるる。

入力信号ｖ１ｎ＋がノーイレペルとロウレベルとの中心
部よりもロウレベル（又は）１イＶベル）ＩＩＫあると
１、レベル変換された出力信号ｖ０゜。

ｖｏｕｔ、ｔ−ソのハイレベルとロウレベルとの中心部
よりも同じくロウレベル（又はＩ・イレペＡ）Ｉｌｖｃ
する仁とができる。したがって、入力側からみてロウレ
ベル（又は）・イレベＡ）とｑ＊される信号が出力冑か
ら見て逆にハイレベＡ（又はロウレベＡ）のように誤っ
て判断される仁とを防止することがで叢る・ 特ＶＣ＠限石れなｈが、上記入力バッフ７回路（おける
信号レベル変換は、第４Ｂ図の入出力脣性図に示すよう
に設定されている。

−１，３２ボ＾トのロジックスレッシ１Ａド電圧Ｖ□の
下に１そのハイレベルが−０，９ボルトとされ、七のロ
ウレベルが−１，７５ボルトとぢれる外８１　ＯＬ論場
信借Ｖよ。、に対して、同図太い実■で示すように、中
心−（内＠　ａ−）ツクスレッシ曹ルド電圧Ｖｔｈ’　
）　１１−−１．２ボルトとし、そのノ１イレベＡ−０
，９ボルトとし、そのロウレベルｉ−１，５ゼルトとす
る低御幅化された出力信号Ｖ。ｕｔ、全形成するもので
弗る。

同図において、細い実１で示した反転入力トランジスタ
ＱＩＩのペース帰還電圧ｖ７１　　と、上記出力電圧Ｖ
。ｕｔｌとの特性縁の勾配差が、上記分割抵抗比によっ
て決定されるものである。

上記の入カバツ７ア回路より、でレベル変換され良信号
ｖｏｕｔｓは、内９１ＯＬ回路ＢＯＬ、の入力端子テＩ
ＴＩｃ伝見られる。

この内９　Ｍｌｏ　Ｌ　［ａｌ路ｘＯ岬の回路構成は、
下記の点を除いて胸知のＩＯＬ回路と同様であるので、
七の欽明を省略する。

仁の内１ｉ１ｃＯＬ回路１０岬は、上記人力バッファ回
路でレベル変換てれた低ｌｉ幅の信号を受けることより
、仁の実施？’１１回路では、］１ｉＯＬｌｌ！ｌ理ブ
ロックをＩｌ牧する差動トランジスタ的のそれぞれのコ
レクタにＩｊｋ続嘔れた一対の負荷抵抗ＲｂｏｒＲａｍ
と、上記差動トランら・一対ｐ共通−ミツタに接続嘔れ
九定電流抵抗Ｒ１との埃Ｒ０゜（Ｒ（ｌ　Ｍ　）／　Ｒ
８ｔ１通常のＩＯＬ回路に比べて木きくすることにより
、その出力信号振幅が上記レベｌＩ−変換された低振幅
信号と一致するようにされている。

仁れに伴ない、そのロジックスレッシ１Ａド電圧ｖｔ　
ｈ’は、上Ｐ外部１１０Ｌ信号のロジックスレツク曹ル
ド電圧ｖｔｈ　（−１，３２ゼルト）と異なり、上記低
振幅信号の中心１１（−１，２ぎんト）Ｋ設定てれてい
る。上記レベル変換された信号は、外部１０Ｉａ信号ｖ
１ｎｔ等のノ１イレペル（−０，９ｄｌルト）がその壇
まで、低振幅化されている。すなわち中心ｔｌ及びロウ
レベルがハイレベフルｓＫシフトされている。このこと
より、内１１１１ｉＯＬ回路は、Ｍ２ム図の！５にレベ
ルシフト用の抵抗Ｒ，を設ける必１１がない・ そして、外ＷＡＫ出力すべき信号を形成する１０Ｌ回路
は、上記入力信号ｖ１゜１等のように外ｇｉｃＯＬ信号
レベルに拡大する機能を付加した出カバ９７７［ＩＭＯ
Ｂ＋　で構ＩＥｉｉれる。

この出力バッファ回路ＯＢ、は、上記低振幅の内部１０
Ｌ信号會受けるものである仁とより、内部ロジックスレ
ッシｌルビ電圧ｖｔｈ’で動作する。

そして、その出力信号ｖｏｕｔｍの中心値及びロウレベ
ルを第４Ｃ図に示すように、ロウレベル側にシフト（ｗ
ｈ大）するために、差動トランジスタ対のコレクタ負荷
抵抗Ｒ０□十Ｒ６□（Ｒｏｏ、＋”００１）と、その共
通エミッタＩＩｃＷｋけられた定−流抵抗Ｒ，Ｉとの比
ＲＯＩＩＩ　”０１１　（Ｒｏｏｌ　十Ｒ００ｍ）／Ｒ
Ｉｔ’が、通常のＮ０５回路に比べて小さく設定式れて
いる。

なお、コレクタ負荷抵抗を分割抵抗Ｒ０□。

ＲＯｌｌ　（’０（Ｎ　”００１　）のようＫしたのは
？　この出力バッファ回路ＯＢ、の出力信号全内部論理
信号として用いるためである。すなわち、上述のように
、分割抵抗とすること和より、ハイレペＡＮベシフトさ
れた１１まの低振幅の信号をエミッタフォロワトランジ
スタＱｓａ　＃　ＱＣｓ　ｋ通して得ることにより、第
４０ｗＪＫ＠い実■で示した内部１０５個号Ｖ。ｕｔ＊
”を形成するものでるる。

以上レーしたＭＯＬ半導体集槓回路装置では、入力バッ
フ７回路ｔｔ＆ける仁とにより、外部ＥＯＬｑ号のハイ
レベルをその管まとし、七の中心鎗及ＵＣ１ウレベルを
ハイレベルＩＩにシフトすることによって信置振幅を小
さくしている。こ０ため低振幅内部１０Ｌ回路としては
、レベルシフト用の抵抗Ｒ７を設けることなく、上配低
振幅内＠ｇ。

Ｌ信号に一紋した出力信号を形成で―る。したがって、
多数のＩＯＬゲート回路１伽轟りにそれぞれ設けられた
レベ九シフト抵抗Ｒ，ｔｆｌｊｌＪ楓できるから、大幅
な集積度の同上を実現できる。

ｔＸ、レベルシフト用抵抗Ｒ□で消費されていた無効電
力も削減で宴ることによって、低消費電力化も図ること
ができる。なお、内部１１ｉＯＬ回路は、その信号車幅
を小１くする仁とに伴なって動作の高速化が実現できる
ことは云うまでもないであろう。

さらに、入力バッフアロ路として、負帰還型の差動トラ
ンジスタ回路を用いた場合には、反転入力トランジスタ
ＱＩＩのベースに固定された基準電圧が印加されるので
はなく、反転入力トランジスタＱ、のコレクタ出力電圧
ｖ０゜Ｋ対応した電圧かそのベースに帰還されるのて、
纂４Ｂ−に示すように、反転入力トランジスタａｌｌの
べ、−ス、コレツタ闇電圧ｙ。０−ｖＰＩが＃ｌぼ一定
に保たれることになる。この′ため、このトランジスタ
Ｑｌｌのベース、コレクタ間寄生容量０゜が等価的に無
視できることになる。したがって、この実施的のへ力７
７７７回路は、その出力信号の立ち上り、立ち下りスピ
ードの高速化を図ることがで票る。

ｔた、この実施列の入カバツ７ア回路は、負帰還ループ
が設けられているため、電Ｓ＊動等の外乱や、素子骨性
のバラツキに対して強”Ｘ’ｉｒい換えれはこれらの影
響を受けにくいという利点も有−する。

なお、内部ＫＯＬ回路〈おいて、上記レベルシフト用の
抵抗Ｒ，ｌｔ削減した分だけ、この実施列回路では七の
消費電力管小さくできるが、その消費電力を上記抵抗Ｒ
，ｔ−設けた場合と同様にすれは、舎内ｓＫ　Ｏｒ、ｕ
ｏｉｌＩ２ｉＶＣｈｎルｌｌＮ’Ｉ電ｆｉｔ増やすこと
ができる。したがって、消費電力を°レペ＾シフト抵抗
Ｒ１ｔ″設けた場合と同じにすれば、内部ＮＯＬ回路の
動作スピード１１らにいっそう渇くすることができる。

第５ム図には、出力バッフアロ路の他の一実施例の回路
図が示されている。

この実施列では、出力バッファ回路ＯＢ’ｌＫついても
、負帰還型の差動トランジスタロ路を採用する仁とによ
って、その動作高速化管図って−る。

すなわち、この実施的では、萬番ム図の出力７７７７回
路ＯＢ−のように、固定された基準電圧ｖｔｈ’で動作
するのではなく、反転入力トランジスタＱＣｓのベース
に蝶、帰還電圧Ｖ□が印加賂れている。すなわち、反転
入力トランジスタＱ、　Ｉ　ｆｉのコレクタ出力電圧は
、分割抵抗Ｒ０゜ｉ、！ｔＯ０゜が設けられている。−
そして、反転入力トランジスタＱＳＳのコレクタ電圧マ
　　が分割抵抗Ｒ０゜１゜０１ Ｒでレベルアップされた信号ｖ０゜、が、工２００層 ツタフォロワトランジスタＱｖｉ’　のベースに印加場
れている。このトランジスＩ　Ｑｖ＠’のエミッタと電
源端子ｖＴ？との関には、分割抵抗Ｒ’、　、　Ｒ’１
がＷ！Ｉｒｊうれてｉる。上起工ｔツタフオクワトラン
ジスタＱ□′の工ζツー出力信号Ｖ　″が、分割０１ 抵抗ＲＨ’　＊　Ｒ１’で分圧されで、上記反転入力ト
ランジスタＱ、■のベースに帰還電圧Ｖ□　として印加
される。

な）、外部端子！。ｕｔ＋から出力される出力信号Ｖｏ
ｕｔ、ｔ！、上記反転入力トランジスタＱＣｓのコレｌ
ｌ電圧ｖｃｏｗ　ｋ受けるエミッタフォロワ出力トラン
ジスタＱｖｓｔ−通して形成される。

ＣＦ）爽１岡回路では、上記帰還量を適当に設定するＣ
とにより、その出力信号Ｖ。ｒＩ□を通常のＥＯＬ＠畦
レベＡし変換する仁とがてｌる。

すなわち％　ｇｓＢ図の入出力脣性図に示すように通常
の１０Ｌ論壇レベルとするために、そのハイレベＡはそ
の筐１として、中心１１及びロウレベルｌｉｅウレペル
細へのレペ凡ダウン量は後述するように、反転入力トラ
ンジスタＱｌｌのコレクタ負荷抵抗Ｒｏｏｓ　”　ｏａ
ｔ及び抵抗Ｒ６’　＋　Ｒ＠’のそれぞれの抵抗比で制
御できる。

反転入力トランジスタＱｖｓのコレクタ電圧Ｖ。。。

と、そのベースＶＣ＠遺される帰還電圧Ｖ□との関％ｒ
ｊ、次式（３）ないしく６７で資わ嘔れる。

’００１＋Ｒ００１ ｖ　　′＝ｖｏｏ１−ｖＢＩ ＣＯ饅 一□・ｖＴテ Ｒｔ’＋ｆｔｌ’ ・・・（６） 式（６）から明らかなように、反転入力トランジスタａ
ＳＳのコレクタ出力電圧Ｖ。。、の変化量Δｖ００１に
対するベース帰還電圧Ｖ□の変化量Δｖｙａの比率（帰
還率）ΔＶ□／Δｖ００ｍは、エミッタ７オロワトラン
ジスタＱＣｓ’のエイツタ抵抗Ｒ，’　、　Ｒ１’　の
Ｒ１’／　（Ｒ１’＋Ｒ１’　）及びコレクタ負荷抵抗
”ＯＯｌ　’Ｒ４ｏ−分圧比”００１／　（Ｒｏｏｌ　
”００１　）　！／ｃよって制御できる。したがって、
帰還率が大きすぎることによる前述したような弊害を防
止することができる。

また、第５Ｂ図に示すように、入力トランジスタＱ■尋
のベースに印加される低振幅内部１０Ｌ信号ｖｉ！Ｉｋ
ｌが１その中心筒であるロジックスレッシ目ルド電圧ｖ
ｔｈ’　で弗る場合、反転入力トランジスタα■のコレ
クタ出力信−ｌ！ｖ０゜１１．シたがって外部出力信号
Ｖ。ｕｔ、が、その振幅の中心１となるように設定する
ことができる。この関係を満すことによる効果は、前記
入カパツ７ア回路の場合と同様である。

また、この実施的の出力バッファ回路ＯＢＩ’は第４ム
図の出力バッファ回路ＯＢ、のように、固定の基準電圧
ｖｔｈ’が反転入力トランジスタＱ■のベースに印加さ
れる場合と鼻なり、第５Ｂ図に示すような帰還電圧Ｖ□
がその反転入力トラ／ジスＩ　Ｑｍｓのベースに印加さ
れている。これにより反転入力トランジスタａｌｌのベ
ース、コレクー間の電圧ｖ０゜ｍ−ｖＰｍの変化幅が小
さくで春る。したがって、上記トランジスタａＳＳのベ
ース、−：ルツタ関寄生容量０゜の容量値を見かけ上手
てくすることかで１＆今から、そのコレクタ出力信号ｖ
０゜１、ひいては出力（Ｉ秀Ｖ。ｕｔｓの立ち上り、立
ち下り°スピードが高迩化嘔れ、出力バッファ１ｌ１８
０１Ｌ’での信号伝播遅延時間が短ａＩされる。

したがって、第４図の出力パッ７ア回路０ＢＩＶｃ替え
、この実ｊｔＩＰｌの出力バッファ回路ＯＢ　、　／を
用い良場合には、よりいっそうの高速化を図ることがで
きる。また、前記入カパツファ回路と同様に、電源変動
等の外乱及び素子特性のバッフ中の影響【受けにくいと
いう利点も有する。

ざらに、出力バッファ回路として、第４ム図に示すよう
な回１ｌＩ２ｉ票子を用意しておいて、七の出力信号を
同時Ｋｔ振幅内部１ｆｏＩ、信号を形成する場合には、
第４ム図のような出カバソファ回路ＯＢ。

を用い、上記低振幅内部１０Ｌ信号會形成する必要のな
い場合ＶＣは、その結Ｉｍをマスタースライス方式でｉ
ｌｌ！するＣとにより、＠５５ムに示すような高速出力
バツファ＠路ＯＢｓ’として用いることもできる。

また、第５ム図の出力バッファ回路０粕′に、低振幅内
１１１ｍ０Ｌ信号を形成するエミッタフォロワ回路を付
加するものでめしてもよい・この発明は、前記実施的に
＠定畜れない。

単に低振幅内部ｖ、ｏＩ＃ｍ路虻おけるレベルシフト用
抵抗Ｒ１ｔ削除して、その集積度の向上等を図る場合に
は、その入力バッファ回路としては、反転入力トランジ
スタＣ＆Ｉのベースに％外１１ｍ０Ｌ＠愕の中心値と一
致した固定の基準電圧ｖｔｈ　を印加したものであって
もよい。

また、上記形式の入力バッファ回路及び第４ム図の入力
バッファ回路において、入力トランジスタＱｌのコレク
タ抵抗’ａｍ　ｔ−削除するもので６ってもよい。また
、仁の抵抗’ａｍを設けた場合、このトランジスタＱＩ
＠の＝レツタ出力信号管受けるニオツタフォロワ回路を
通して反転畜れた内部１０Ｌ信号及び出力１ｃＯＬ信号
を得るものとしてもよい。

また、内部１ｃＯＬ回路としては、ＫＯＬ論理ブロック
を構成する差動トランジスタ対の共通工きツタに、定電
流トランジスタを設けるものであってもよい。

さらに、低振幅内部１０Ｌ信号の中心値、及びロウレベ
ルは、内＠ｌ　Ｏ’Ｌｍｎ路の動作マージンに応じて種
々低振幅化するものであってよい。

また、第５ム図の出力バッファ回路ＯＢＩ’は、第１図
のようなＩＯＬ集積回路装置の出力７７７７回路に用い
るものとし、その高速動作管実現するものであってもよ
い。

【図面の簡単な説明】

第１図は、仁の発姓立りて考えられているＸＯＬ集積回
路装置のブロック図、第２ム図は、その内部１０Ｌ回路
の−ＰＩｌを示す回路図、第２Ｂ図は、その内５ＩＯＬ
鑓路の入出力特性図、第３図は、仁の発明の一実論内を
示す牛導体集積回路装置のブロック図、第４ム図は、そ
の臭体的−実施列を示す一路図、第４Ｂ図は、第番ム図
の入力バッファ回路の入出力Ｉ！＃性図、第４０図は、
第番ム図の出力パラフッ回路の入出力特性図、第５ム図
は、出力２７７７回路の他の一実施１ＰＩｉ１に示す回
路図、ｌｌｌ５Ｂ図は、その入出力特性図でめる。 鳳０ＬＩＩないしｍｏＬ＝・・・内部ｆｆ０Ｉ、回路、
より膳ないしよりｋ・・・入カバツ７ア回路、ＯＢＭな
いしＯＢ　ｔ・・・出力バッファ＠路。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １．１ＯＬ外部入力信角管受け、その論理ノ１イレペル
   をそのままとして論理振幅管小さくする入力バッファ回
   路と、この人カハツ７ア回路でレベ凡変換された信号を
   受け、このレベ凡変換された信号振幅に応じたロジック
   スレッショルド電圧で動作する内部ｆｆ１ＯＬ回路とを
   含むことを特徴とす為半導体集積回路装置。 ２、上記入力バッファ回路は、その正相入力端子に上記
   １ｉ０Ｌ外部入力信号が印加された差動トランジスタ回
   路と、この差動トランジスタ回路の正相出力信号を受け
   るエミッタフォロワトランジスタと、このトランジスタ
   のエミッタに設けられ、帰還量を決定する分割抵抗とを
   含み、この分割抵抗で分圧された信号を上記差動トラン
   ジスタ回路の反転入力亀子に帰還し、上記エミッタフォ
   ロワトランジスタの工ｉ７−からレベル変換された信号
   ｔ−得るものである仁とｔＩ＃像とする轡許−求の範囲
   １１１項記載の半導体集積回路装置。 ３、外部冨○Ｌ論環振幅に比べて低振幅の信号で動作す
   る内部扉ＯＬ＠鉋からの信号を受けるトランジスタと、
   このトランジスタに対して差動形−とされた反転入力ト
   ランジスタと、この反転入力トランジスタのコレクタに
   設けられた第１の分割抵抗と、このｉｌｌの分割抵抗の
   接続点の信号を受ける工ｉツタフオａワトｌ）／ジスタ
   と、仁の工２ツタ７オロワトランジスタのエミッタに設
   けられた第２の分割抵抗と、上記反転入力トランジスタ
   のコレクタ信号を受け、外部出力亀子にエイツタがＩＩ
   続されたエミッタフォロワ出力トランジスタとを含み、
   上記第２の分割抵抗の分圧信号を反転入力トランジスタ
   に帰還して、上記エミッタフォロワ出力トランジスタの
   エミッタより外部１０Ｌ論理信号に一致した出力信号に
   変換する出力バッファ回Ｗ６ｔ″具備することをｑ＃像
   とする半導体集積回路ｉｌｌ置。 ４、上記内部１０Ｌ回路は、ＩＯＬ外部入力信号を受け
   、その論理ノ１イレベＡ？そのｔまとして論珊龜幅を小
   さくする入カパッファ回路からの信号管受け、このレベ
   ん変換式れた信号振幅に応じたロジックスレッシ冒ルド
   電圧で動作するものでめること１脣像とする特許請求の
   範囲第３項記載の半導体集積−ｉｓ＊ｗ。