JPS5883855A - 電子写真用光導電部材 - Google Patents
電子写真用光導電部材Info
- Publication number
- JPS5883855A JPS5883855A JP56182655A JP18265581A JPS5883855A JP S5883855 A JPS5883855 A JP S5883855A JP 56182655 A JP56182655 A JP 56182655A JP 18265581 A JP18265581 A JP 18265581A JP S5883855 A JPS5883855 A JP S5883855A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- atoms
- layer
- gas
- layer region
- photoconductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、ｒ線等を示す）の様な電磁波に感
受性のある光導電部材に関する。
線、赤外光線、Ｘ線、ｒ線等を示す）の様な電磁波に感
受性のある光導電部材に関する。
固体撮像装置、或いは倫形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、８Ｎ比〔光電流（Ｉｐ）
／暗電流（Ｉｄ） ）が高く、照射する電磁波のスペク
トル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有する
こと、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、
使用時において人体に対して無公害である事、−には固
体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に処理
することが出来る事等の特性が要求される。殊に、事務
機としてオフィスで使用される゛１子写真装置内に組込
まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使用時
における無公害性は重要な点であ為。
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、８Ｎ比〔光電流（Ｉｐ）
／暗電流（Ｉｄ） ）が高く、照射する電磁波のスペク
トル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有する
こと、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、
使用時において人体に対して無公害である事、−には固
体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に処理
することが出来る事等の特性が要求される。殊に、事務
機としてオフィスで使用される゛１子写真装置内に組込
まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使用時
における無公害性は重要な点であ為。
この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ−８ｉと表記す）があり
、―えば、独国公關第２７４φ釘号公報、同第２８５５
７１８号会報には電子写真用像形成部材として１．独国
公關第２９３３４１１号会報には光電変換読取装置への
応用が記載されてｂる。
アモルファスシリコン（以後ａ−８ｉと表記す）があり
、―えば、独国公關第２７４φ釘号公報、同第２８５５
７１８号会報には電子写真用像形成部材として１．独国
公關第２９３３４１１号会報には光電変換読取装置への
応用が記載されてｂる。
両生ら、従来のａ−８１で構成され現光導電層を有する
光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的
、光学的、光導電的特性及びがあるという更に改良され
る可を点が存するのが実情である。
光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的
、光学的、光導電的特性及びがあるという更に改良され
る可を点が存するのが実情である。
例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、扁光
感度、高暗抵抗化を同時に針ろうとすると従来において
はその使用時において残留電位が残る場合が度々観橢さ
れ、この様な種の光導電部材は繰返し長時間使用し続け
ると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残留が生
ずる所謂ゴースト現象を発する様になる等゛の不都合な
点が少なくなかった。
感度、高暗抵抗化を同時に針ろうとすると従来において
はその使用時において残留電位が残る場合が度々観橢さ
れ、この様な種の光導電部材は繰返し長時間使用し続け
ると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残留が生
ずる所謂ゴースト現象を発する様になる等゛の不都合な
点が少なくなかった。
又は例えば、本発明者等の多ぐの実験によれば、電子写
真用像形成部材の光導電層を構成する材料としてのａ−
８轟は、従来Ｏ８ｅ 、 Ｏｄ８ 、縛或いはＰＶＯｚ
−？ ＴＮＦ等の光導電材に較べて、数多くの利点を
有するが、従来の太陽電池用として使用するための特性
が付与され九ａ−８ｉから成る単層構成の光導電層を有
する電子写真用像形成部材の上記光導電層に静電像形成
のための帯電処理を施しても暗減衰（ｄａｒｋ ｄｅｃ
ａｙ）が著しく速く、通常の電子写真法が仲々適用され
―い事、及び多湿雰囲気中においては、上記傾向が着し
く、場合によっては現儂時間まで帯電々荷を殆んど保持
し得ない事がある等、解決され得る町き点が存在してい
る事が判明している。
真用像形成部材の光導電層を構成する材料としてのａ−
８轟は、従来Ｏ８ｅ 、 Ｏｄ８ 、縛或いはＰＶＯｚ
−？ ＴＮＦ等の光導電材に較べて、数多くの利点を
有するが、従来の太陽電池用として使用するための特性
が付与され九ａ−８ｉから成る単層構成の光導電層を有
する電子写真用像形成部材の上記光導電層に静電像形成
のための帯電処理を施しても暗減衰（ｄａｒｋ ｄｅｃ
ａｙ）が著しく速く、通常の電子写真法が仲々適用され
―い事、及び多湿雰囲気中においては、上記傾向が着し
く、場合によっては現儂時間まで帯電々荷を殆んど保持
し得ない事がある等、解決され得る町き点が存在してい
る事が判明している。
更に、ａ−８４材料は、その電気的、光導電的特性の改
良を計るために、水素原子或いは弗素原子や塩素原子１
等のハロゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼素
原子や燐原子等が或いはその他の特性改良のために他の
原子が各々構成原子として含有されるが、これ等の構成
原子の含有の仕方如何によりては、層形成した際の機械
的特性に問題が生ずる場合がある。
良を計るために、水素原子或いは弗素原子や塩素原子１
等のハロゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼素
原子や燐原子等が或いはその他の特性改良のために他の
原子が各々構成原子として含有されるが、これ等の構成
原子の含有の仕方如何によりては、層形成した際の機械
的特性に問題が生ずる場合がある。
即ち、例えば、電子写真用像形成部材の場合には、通常
はアルミニウム等の金属材料で出来九円筒状の支持体上
ＪＩＣａ−８１層が形成されるが、程度問題は層の作成
条件にも依存するけれどもその歪特性の大きさ故に、層
に亀列が生じた秒、支持体上から浮いたり、或いは層全
体が剥離して仕舞う等の不都合さが生ずる場合が少なく
ない・ 又、一般に通常のａ−８１重層体は、アル１＝ウム等の
金属材料で出来た支持体には、密着性の点でそれ程良い
特性を示すものではなく、従って長期的な繰返し使用特
性に問題゛があり、又支持体とト旧層との嵐好な電気的
接触の形成が経時的変化４含めて仲々出来ないという問
題もあ為・ 従うＣ１ｍ−８ｉ材料その４のの特性改良が計られる一
方で光導電部材を設計する際に、上記した様な所望の電
気的、光学的及び光導電的特性が得られる様に工夫され
る必要がある。
はアルミニウム等の金属材料で出来九円筒状の支持体上
ＪＩＣａ−８１層が形成されるが、程度問題は層の作成
条件にも依存するけれどもその歪特性の大きさ故に、層
に亀列が生じた秒、支持体上から浮いたり、或いは層全
体が剥離して仕舞う等の不都合さが生ずる場合が少なく
ない・ 又、一般に通常のａ−８１重層体は、アル１＝ウム等の
金属材料で出来た支持体には、密着性の点でそれ程良い
特性を示すものではなく、従って長期的な繰返し使用特
性に問題゛があり、又支持体とト旧層との嵐好な電気的
接触の形成が経時的変化４含めて仲々出来ないという問
題もあ為・ 従うＣ１ｍ−８ｉ材料その４のの特性改良が計られる一
方で光導電部材を設計する際に、上記した様な所望の電
気的、光学的及び光導電的特性が得られる様に工夫され
る必要がある。
本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８ｉＫ
就て鑞子写真用倫形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原子を母体、とし、水素原子（Ｈ）又はノ１０グ／
原子（Ｘ）のいずれか一方を少な゛くと龜含有するアモ
ルファス材料、所謂水嵩化アモルファスシリコン。
就て鑞子写真用倫形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原子を母体、とし、水素原子（Ｈ）又はノ１０グ／
原子（Ｘ）のいずれか一方を少な゛くと龜含有するアモ
ルファス材料、所謂水嵩化アモルファスシリコン。
ハロゲン化アモルファスシリコン、或いはノ１０ゲン含
有水素化アモルファスシリコン〔以後これ等の総称的表
記としてｒ ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）Ｊを使用する〕から構
成される光導電層を有する光導電部材の層構造を特定化
する様に設計されて作成された光導電部材は実用上著し
く優れ九特性を示すばかりでなく、従来の光導電部材と
較べてみてもあらゆる点くおいて凌駕していること、殊
に電子写真用の光導電部材として著しく優れ九特性を有
していると、とを見出した点に基づいている。
有水素化アモルファスシリコン〔以後これ等の総称的表
記としてｒ ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）Ｊを使用する〕から構
成される光導電層を有する光導電部材の層構造を特定化
する様に設計されて作成された光導電部材は実用上著し
く優れ九特性を示すばかりでなく、従来の光導電部材と
較べてみてもあらゆる点くおいて凌駕していること、殊
に電子写真用の光導電部材として著しく優れ九特性を有
していると、とを見出した点に基づいている。
本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に制御を受けない全環境型であ炒
、耐光疲労に著しく長け、繰返し使用に際１ても劣化現
象を起さず耐久性に優れ、残留電位が全く又は殆んど観
測され愈い光導電部材を提供することを主たる目的とす
る。
いて、殆んど使用環境に制御を受けない全環境型であ炒
、耐光疲労に著しく長け、繰返し使用に際１ても劣化現
象を起さず耐久性に優れ、残留電位が全く又は殆んど観
測され愈い光導電部材を提供することを主たる目的とす
る。
本発明の他の目的は、電子写真用の倫形成部材として適
用させ九場合、静電像形成の丸めの帯電処理の際の電荷
保持能が充分あり、通常の電子写真法が極めて有効に適
用され得る優れた電子写真特性を有する光導電部材を提
恢することである。
用させ九場合、静電像形成の丸めの帯電処理の際の電荷
保持能が充分あり、通常の電子写真法が極めて有効に適
用され得る優れた電子写真特性を有する光導電部材を提
恢することである。
本発明の更に他の目的は、湊度が高（１，／％−７トー
ンが鮮明に出て且り解像度の高い、高品質ｌｌ１ｉ儂を
得る事が容易に出来る電子写真用の光導電部材を提供す
ることである。
ンが鮮明に出て且り解像度の高い、高品質ｌｌ１ｉ儂を
得る事が容易に出来る電子写真用の光導電部材を提供す
ることである。
不発−の更にもう１つの目的は、高光感度性。
高密着性及び支持体との間に良好な電気的接触性を有す
る光導電部材を提供することでもある。
る光導電部材を提供することでもある。
本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、シリ
コン原子を母体とし、構成原子として水素原子（Ｈ）又
はハロゲン原子（Ｘ）のいずれか一方を少なくとも含有
する非晶質材料（ａ−８４（Ｈ，Ｘ ））で構成された
、光導電性を有する非晶質層とを有する光導電部材にお
いて、前記非晶質層が構成原子として窒素原子を含有す
る第一の層領域と、構成原子として周期律表第■族（属
する原子を含有する第二の層領域とを有し、前記第一０
層領域は、前記非晶質層の表面下に内在している事を特
徴とする。
コン原子を母体とし、構成原子として水素原子（Ｈ）又
はハロゲン原子（Ｘ）のいずれか一方を少なくとも含有
する非晶質材料（ａ−８４（Ｈ，Ｘ ））で構成された
、光導電性を有する非晶質層とを有する光導電部材にお
いて、前記非晶質層が構成原子として窒素原子を含有す
る第一の層領域と、構成原子として周期律表第■族（属
する原子を含有する第二の層領域とを有し、前記第一０
層領域は、前記非晶質層の表面下に内在している事を特
徴とする。
上記した様な層構成を取る様にして設計され九本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れ九電気的、光学的。
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れ九電気的、光学的。
光導電的特性及び使用環境特性を示す。
殊に、 ′―子写真用像形成部材として適用させ九場合
には帯電処理の際の電荷保持能に長け、画僚形成への残
留電位の影譬が全くなく、その電気的特性が安定してお
り高感度で、高８Ｎ比を有する４０であって耐光疲労、
繰返し使用特性、殊に多種雰囲気中での繰返し使用特性
Ｋｌしく長け、濃度が≧＜、ハーフトーンが鮮明に出て
、且つ解像度の高い、高品質の可視画像を得る事が出来
る。
には帯電処理の際の電荷保持能に長け、画僚形成への残
留電位の影譬が全くなく、その電気的特性が安定してお
り高感度で、高８Ｎ比を有する４０であって耐光疲労、
繰返し使用特性、殊に多種雰囲気中での繰返し使用特性
Ｋｌしく長け、濃度が≧＜、ハーフトーンが鮮明に出て
、且つ解像度の高い、高品質の可視画像を得る事が出来
る。
以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就て群細に
説明する 第１図は、本発明の第１の夷ＩＩＩＡ謹様例の光導電部
材の層構成を説明する為に模式的に示し九模式的構成図
である。
説明する 第１図は、本発明の第１の夷ＩＩＩＡ謹様例の光導電部
材の層構成を説明する為に模式的に示し九模式的構成図
である。
第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用とＩ、
−ＣＯ支持体１０１）上に、ａ−８１（Ｈ，Ｘ）カら成
る光導電性を有する非晶質層１０２とを有し、該非晶質
層１０２は、構成原子として窒素原子を含有する第１の
層領域１０Ｂと構成原子として第璽族原子を含有する第
２０層領域１０４とを有する様に構成された層構造を有
する＊ ｇ １図に示す例においては、第二０層領域１
０４は非晶質層の全領域を占め第一の層領−が第二の領
域の一部を構成する層構造を有し、第一０層領域は神重
点的に高暗抵抗化と密着性の向上が計られ、第二の層領
域１０４の上層部１０５には、窒素原子を含有させずに
高感度化が重点的に計られている。第一の層領域１０３
中に含有される窒素原子の１は、形成される光導電部材
に要求される特性に応じて所望に従って適宜法められる
が、通常の場合、ｏ、 ＤＩ 〜２０ ａｔｏｍｉｃ
Ｘ好ましくは、０、ｏＺ 〜７ ａｔｏｍｉｃ ％最適
にはｏ、ｏ３〜３ ａｔｏｍｉｃＸとされるのが望ま
しいものである。
−ＣＯ支持体１０１）上に、ａ−８１（Ｈ，Ｘ）カら成
る光導電性を有する非晶質層１０２とを有し、該非晶質
層１０２は、構成原子として窒素原子を含有する第１の
層領域１０Ｂと構成原子として第璽族原子を含有する第
２０層領域１０４とを有する様に構成された層構造を有
する＊ ｇ １図に示す例においては、第二０層領域１
０４は非晶質層の全領域を占め第一の層領−が第二の領
域の一部を構成する層構造を有し、第一０層領域は神重
点的に高暗抵抗化と密着性の向上が計られ、第二の層領
域１０４の上層部１０５には、窒素原子を含有させずに
高感度化が重点的に計られている。第一の層領域１０３
中に含有される窒素原子の１は、形成される光導電部材
に要求される特性に応じて所望に従って適宜法められる
が、通常の場合、ｏ、 ＤＩ 〜２０ ａｔｏｍｉｃ
Ｘ好ましくは、０、ｏＺ 〜７ ａｔｏｍｉｃ ％最適
にはｏ、ｏ３〜３ ａｔｏｍｉｃＸとされるのが望ま
しいものである。
第二の層領域１０４中に含有される曹族原子の量につい
ても、窒素原子の量の場合と同様に所望に従って適宜決
定されるものであって通常の場合１−ｔｏｏ ａｔｏｍ
ｉｃ ［）９ｍ好ましくは２〜５０ ａｔｏｍｉｃｐｐ
ｍ最適には３〜２０ ａｔｏｍｌ ｃ ｐｐｍとされる
のが望ましいものである。
ても、窒素原子の量の場合と同様に所望に従って適宜決
定されるものであって通常の場合１−ｔｏｏ ａｔｏｍ
ｉｃ ［）９ｍ好ましくは２〜５０ ａｔｏｍｉｃｐｐ
ｍ最適には３〜２０ ａｔｏｍｌ ｃ ｐｐｍとされる
のが望ましいものである。
第一の層領域１０３と上層部１６′５との層厚は、本発
明の目的を効果的に達成させる為の重要な因子の１つで
あるので形成される光導電部材に所望の特性が充分与え
られる様に、光導電部材の設計の際に光分なる注意が払
われる必要がある。
明の目的を効果的に達成させる為の重要な因子の１つで
あるので形成される光導電部材に所望の特性が充分与え
られる様に、光導電部材の設計の際に光分なる注意が払
われる必要がある。
本発明において、第一０層領域１０３０層厚は、非晶質
層１０２自体の暦本と密接な関−がある。
層１０２自体の暦本と密接な関−がある。
第一０層領域１０３０層厚は、通常の場合３ｙｌＯＯμ
、好ましくは５〜５０ ＩＡ、最適には７〜３０−とさ
れるのがｗｌｔＬい。
、好ましくは５〜５０ ＩＡ、最適には７〜３０−とさ
れるのがｗｌｔＬい。
又、上層部１０５０層厚は、通常の場合、α０２〜１０
μ、好ましくはα０３〜Ｓｓ、最適には０．０５〜２μ
とされるのが望ましい。
μ、好ましくはα０３〜Ｓｓ、最適には０．０５〜２μ
とされるのが望ましい。
本発明の光導電部材においては、第１図に示す様に、上
層部１０５にも構成原子として璽族原子が含有され、非
晶質層１０２の全体が第二０層領域１０４ ＆される他
に１、上層部１０５ Ｋは、璽族原子を含有させずに第
一０層領域と第二の層領域とを同一層領域とすることも
出来る。
層部１０５にも構成原子として璽族原子が含有され、非
晶質層１０２の全体が第二０層領域１０４ ＆される他
に１、上層部１０５ Ｋは、璽族原子を含有させずに第
一０層領域と第二の層領域とを同一層領域とすることも
出来る。
この様な上層部１０５ Ｋ箇族原子を含有させない実施
態−例の光導電部材においては、殊に、多湿雰囲気中で
の繰返し使用ｗｃ＠＠ｈ時性を示し、該雰囲気中での長
期間の使用に充分なる耐久性を示す。
態−例の光導電部材においては、殊に、多湿雰囲気中で
の繰返し使用ｗｃ＠＠ｈ時性を示し、該雰囲気中での長
期間の使用に充分なる耐久性を示す。
又、第一の層領域内Ｋｌｌ！二の層領域を形成する場合
も良好な実施總様例の１つとして挙げることが出来る。
も良好な実施總様例の１つとして挙げることが出来る。
更に本発明においては、支持体１０１と第一の層領域１
０３との間にＡ／ｌＯ，等の金属酸化物から成る所謂電
気的に障壁的な作用をする中間層を設けても良いもので
ある。
０３との間にＡ／ｌＯ，等の金属酸化物から成る所謂電
気的に障壁的な作用をする中間層を設けても良いもので
ある。
本発明において、第二の層領域に含有される周期律表第
■族に属する原子として、使用され得るのはＢ ＊ Ａ
／ ｗ Ｇａ−Ｉｎ ｅ Ｔ／が挙げられ、殊ＫＢ。
■族に属する原子として、使用され得るのはＢ ＊ Ａ
／ ｗ Ｇａ−Ｉｎ ｅ Ｔ／が挙げられ、殊ＫＢ。
Ｇａ が好ましいものとして使用され得る０支持体と
しては、導電性でも電気絶縁性であっても良い。導電性
支持体としては、例えば、Ｎｉ０ｒ 、 ｘテｙ ｖ
ｘ 、 Ａ／ 、 Ｏｒ 、 Ｍｏ 、 Ａｕ 、 Ｎ
ｂ 、 Ｔａ 。
しては、導電性でも電気絶縁性であっても良い。導電性
支持体としては、例えば、Ｎｉ０ｒ 、 ｘテｙ ｖ
ｘ 、 Ａ／ 、 Ｏｒ 、 Ｍｏ 、 Ａｕ 、 Ｎ
ｂ 、 Ｔａ 。
Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げ
られる。
られる。
・電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。
ポリエチレン、ボリカーボネー・トウセル四−ズ１アセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。
ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ボリア建ド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。
セラミック、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体、は、好適には少なくともその一方の表面を導
電処理され、該導電処理された表向側に他の層が設けら
れるのが望ましい。
性支持体、は、好適には少なくともその一方の表面を導
電処理され、該導電処理された表向側に他の層が設けら
れるのが望ましい。
例えば、ガラスであれば、その表面に％Ｎｉ０ｒ 。
Ａ／、Ｏｒ、Ｍｏ、Ａｕ、 Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔ
Ｉ、Ｐｔ、Ｐｄ。
Ｉ、Ｐｔ、Ｐｄ。
Ｉｎ、０． 、８ｎＯ１、Ｉ Ｔｏ （Ｉｎｌ（％ ＋
８ｎＯ１）等から成る薄膜を設けることによって導電性
が付与され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂
フィルムであれば、Ｎｉ０ｒ 、 ＡＪＰ 、ムｇ 、
Ｐｂ 、 Ｚｎ 、 Ｎｉ 、 Ａｕ 、Ｏｒ。
８ｎＯ１）等から成る薄膜を設けることによって導電性
が付与され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂
フィルムであれば、Ｎｉ０ｒ 、 ＡＪＰ 、ムｇ 、
Ｐｂ 、 Ｚｎ 、 Ｎｉ 、 Ａｕ 、Ｏｒ。
Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、ＴＩ、Ｐｔ等の金属の薄
膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等でそ
の表面に設け、又は前記金属でその表面をラミネート処
理して、その表面に導電性が付与される。支持体の形状
としては、円筒状、ベル・ト状、Ｉｌ状等任意の形状と
し得、所望によって、その形状は決定されるが、例えば
、第１図の光導電部材１００を電子写真用像形成部材と
して使用するのであれば連続高速豪写の場合には、無端
ベルト状又は円筒状とするのが望ましい、支持体の厚さ
は、所望通りの光導電部材が形成ざ゛れる様に適宜決定
されるが、光導電部材として可撓性が要求される場合に
は、支持体としての機能が充分発揮される範囲内であれ
ば可能な限り薄くされる。両生ら、この様な場合支持体
の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、通常は
、ｌＯμ以上とされる。
膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等でそ
の表面に設け、又は前記金属でその表面をラミネート処
理して、その表面に導電性が付与される。支持体の形状
としては、円筒状、ベル・ト状、Ｉｌ状等任意の形状と
し得、所望によって、その形状は決定されるが、例えば
、第１図の光導電部材１００を電子写真用像形成部材と
して使用するのであれば連続高速豪写の場合には、無端
ベルト状又は円筒状とするのが望ましい、支持体の厚さ
は、所望通りの光導電部材が形成ざ゛れる様に適宜決定
されるが、光導電部材として可撓性が要求される場合に
は、支持体としての機能が充分発揮される範囲内であれ
ば可能な限り薄くされる。両生ら、この様な場合支持体
の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、通常は
、ｌＯμ以上とされる。
本発明において、必要に応じて非晶質層中に含有、され
るハロゲン原子■）としては、具体的にはフッ素、塩素
、臭素、ヨウ素が挙けられ、殊にフッ素、・塩素を好適
なものとして挙げることが出来る。
るハロゲン原子■）としては、具体的にはフッ素、塩素
、臭素、ヨウ素が挙けられ、殊にフッ素、・塩素を好適
なものとして挙げることが出来る。
本発明において、ａ−８４（Ｈ，Ｘ）で構成される非晶
質層を形成するには例えばグロー放電法、スパッタリン
グ法、或いはイオンプレー・ティング法等の放電現象を
利用する真空堆積法によって成される。例えば、グロー
放電法によって、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される非晶
質層を形成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓりを
供給し得るｓ盃供給用の原１ｎ−ｉ３スと共に、水素原
子（Ｈ）導入用の又は／及びノ１０ゲン原子α）導入用
の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して
、皺堆、積室内にグミー放電を生起させ、予め所定位置
に設置されである所定の支持体表面上Ｋ ａ−８４（Ｈ
，Ｘ）からなる層を形成させれば★い。又、スパッタリ
ング法で形成する場４！ｒＫは、例えｉ；ｊ Ａｒ 、
Ｈｅ 等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとし
先混合ガスの雰囲気中で、８１で構成されたターゲット
をスパッタリングする際、１１水素原子（Ｈ）又は／及
びノ１０ゲン原子α）４人用（Ｄガスをスパッタリング
用の堆積室に導入してや、れば良い。
質層を形成するには例えばグロー放電法、スパッタリン
グ法、或いはイオンプレー・ティング法等の放電現象を
利用する真空堆積法によって成される。例えば、グロー
放電法によって、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される非晶
質層を形成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓりを
供給し得るｓ盃供給用の原１ｎ−ｉ３スと共に、水素原
子（Ｈ）導入用の又は／及びノ１０ゲン原子α）導入用
の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して
、皺堆、積室内にグミー放電を生起させ、予め所定位置
に設置されである所定の支持体表面上Ｋ ａ−８４（Ｈ
，Ｘ）からなる層を形成させれば★い。又、スパッタリ
ング法で形成する場４！ｒＫは、例えｉ；ｊ Ａｒ 、
Ｈｅ 等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとし
先混合ガスの雰囲気中で、８１で構成されたターゲット
をスパッタリングする際、１１水素原子（Ｈ）又は／及
びノ１０ゲン原子α）４人用（Ｄガスをスパッタリング
用の堆積室に導入してや、れば良い。
本発明において使用される８ｉ供給用の原料ガスとして
は、８ ｉＨａ −８１ｍ１（ｓ −８ｉＪａ ＊ ８
ｉａＨ＊ｅ等Ｏガス状１の又はガス化し得る水素化硅
素（シラｙ類）が有効に使用されるものとして挙げられ
、殊に１層作成作業の扱−易さ、Ｓ１供給効率の良さ等
の点で８ｉＨ４，８ｉ、Ｈ，が好ましいものとして挙げ
られる。
は、８ ｉＨａ −８１ｍ１（ｓ −８ｉＪａ ＊ ８
ｉａＨ＊ｅ等Ｏガス状１の又はガス化し得る水素化硅
素（シラｙ類）が有効に使用されるものとして挙げられ
、殊に１層作成作業の扱−易さ、Ｓ１供給効率の良さ等
の点で８ｉＨ４，８ｉ、Ｈ，が好ましいものとして挙げ
られる。
本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、へロゲ／化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン鍔導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、へロゲ／化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン鍔導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。
又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む硅、素化合物も有効なものとして本発明においては挙
げることが出来る。
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む硅、素化合物も有効なものとして本発明においては挙
げることが出来る。
本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物、とし
ては、具体的には、フッ素、塩素、臭−、ヨウ素のハロ
ゲンガス、ＢｒＦ 、 ０１Ｆ、 ＯＩＦ、。
ては、具体的には、フッ素、塩素、臭−、ヨウ素のハロ
ゲンガス、ＢｒＦ 、 ０１Ｆ、 ＯＩＦ、。
ＢｒＦ、 、 ＢｒＦ、 、 ＩＦ、 、 ＩＰ、 、
ＩＯｚ 、 ＩＢｒ 等の／％０ゲン間化合物を挙
げることが出来る。
ＩＯｚ 、 ＩＢｒ 等の／％０ゲン間化合物を挙
げることが出来る。
ハ・ロゲン原子を含む硅素化合物、使關、ハロ・１ ：
・ ゲン原子で置換されたシラン鍔導体としては、具体的に
は例えば８ｉＦ４ ｍ ８５Ｆ＊ ＊ ８ ｔｏ１４
＊ ８ｉＢｒ４等のハロゲン化硅素が好ましいものとし
て挙げることが出来る。
・ ゲン原子で置換されたシラン鍔導体としては、具体的に
は例えば８ｉＦ４ ｍ ８５Ｆ＊ ＊ ８ ｔｏ１４
＊ ８ｉＢｒ４等のハロゲン化硅素が好ましいものとし
て挙げることが出来る。
この様なハロゲン成子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明Ｏｑ＃黴的な光導電部材を形成
、する場合には、８ｉを供給し得る原料ガスとしての水
素化硅素ガスを使用しなくとも、所定の支持体上にａ−
８！：Ｘから晟る光導電層を形成する事が出来る。
ー放電法によって本発明Ｏｑ＃黴的な光導電部材を形成
、する場合には、８ｉを供給し得る原料ガスとしての水
素化硅素ガスを使用しなくとも、所定の支持体上にａ−
８！：Ｘから晟る光導電層を形成する事が出来る。
グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む非晶質層を
製造する場合、基本的には、８１供給用の原料ガスであ
るノ１０ゲン化硅素ガスとＡｒ。
製造する場合、基本的には、８１供給用の原料ガスであ
るノ１０ゲン化硅素ガスとＡｒ。
Ｈ，、Ｈｅ等のガスを所定の混合比とガス流量になる様
にして非晶質層を形成する堆積室に導入し、グロー放電
を生起してこれ等のガスのプラズマ葬囲気を形成するこ
とによって、□所定の支持体上に非晶質層を形成し得る
ものであるが、水素原子の導入を計る為にこれ瀞のガス
に更に水素原子を含む碑素化合物のガスも所定量混合し
て層形成して本良い。
にして非晶質層を形成する堆積室に導入し、グロー放電
を生起してこれ等のガスのプラズマ葬囲気を形成するこ
とによって、□所定の支持体上に非晶質層を形成し得る
ものであるが、水素原子の導入を計る為にこれ瀞のガス
に更に水素原子を含む碑素化合物のガスも所定量混合し
て層形成して本良い。
又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。
合して使用しても差支えないものである。
反応スパッタリング法或いはイオンブレーティング法に
依ってａ −８ｉ （Ｈ，Ｘ ）から成る非晶質層を形
成するＫは、例えばスパッタリング法の場合には８ｉか
ら成るターゲットを使用して、これを所定のガスプラズ
マ雰囲気中でスパッタリングし、イオンブレーティング
法の場合には、多結晶シリコン又は単結晶シリコンを蒸
発源として蒸着ボートに収容し、このシリコン蒸発源を
抵抗加熱法、或いはエレクトロンビーム法（ｇＢ法）等
によって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定のガスプラズマ
雰囲気中を通過させる事が出来る。
依ってａ −８ｉ （Ｈ，Ｘ ）から成る非晶質層を形
成するＫは、例えばスパッタリング法の場合には８ｉか
ら成るターゲットを使用して、これを所定のガスプラズ
マ雰囲気中でスパッタリングし、イオンブレーティング
法の場合には、多結晶シリコン又は単結晶シリコンを蒸
発源として蒸着ボートに収容し、このシリコン蒸発源を
抵抗加熱法、或いはエレクトロンビーム法（ｇＢ法）等
によって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定のガスプラズマ
雰囲気中を通過させる事が出来る。
この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るには、前記のハロゲン化合物又は前記の・・ロゲン原
子を含む硅素（ＩＩ、金物のガスを堆積室中に導入して
該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれば良いものであ
る。
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るには、前記のハロゲン化合物又は前記の・・ロゲン原
子を含む硅素（ＩＩ、金物のガスを堆積室中に導入して
該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれば良いものであ
る。
又、水素原子を導入する場合には、水嵩原子導入用の原
料ガス、例えば、賜、或いは前記したシラン類等のガス
をスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガスのプラ
ズマ雰囲気を形成してやれは喪い。
料ガス、例えば、賜、或いは前記したシラン類等のガス
をスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガスのプラ
ズマ雰囲気を形成してやれは喪い。
本発明においては、ハロゲン原子導入用ｑ原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、Ｈｌｉ’、Ｈ□／。
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、Ｈｌｉ’、Ｈ□／。
ＨＢｒ 、 ＨＩ等の／％Ｃｌゲン化水素、８ ｉＨＪ
％ 、 Ｓ ｉ残Ｉｔ −８１Ｈ！Ｏｌ＠ 、 ８１Ｈ
Ｏ／、 、 ８ｉ為Ｂｒ、 、 ８１ＨＢｒ、等の／％
’０ゲン置換水素化硅素、等々のガス状部の或いはガス
化し得る、水素原子を構成要素の１つとするハロゲン化
物も有効な非晶質層形成用の出発物質として挙げる事が
出来る。
％ 、 Ｓ ｉ残Ｉｔ −８１Ｈ！Ｏｌ＠ 、 ８１Ｈ
Ｏ／、 、 ８ｉ為Ｂｒ、 、 ８１ＨＢｒ、等の／％
’０ゲン置換水素化硅素、等々のガス状部の或いはガス
化し得る、水素原子を構成要素の１つとするハロゲン化
物も有効な非晶質層形成用の出発物質として挙げる事が
出来る。
これ等の水嵩原子を含むハロゲン化物は、非晶質層形成
の際に層中にハロゲン原子の導入と同時に電気的或いは
光電的特性の制御に極めて有効な永フ素原子も導入さ五
るので、本発明においては好適なハロゲン導入用の原料
として使用される。
の際に層中にハロゲン原子の導入と同時に電気的或いは
光電的特性の制御に極めて有効な永フ素原子も導入さ五
るので、本発明においては好適なハロゲン導入用の原料
として使用される。
水素原子を非晶質層中に構造的に導入するには、上記の
他にＨｆ１或いは８ｉＨ４ｇ ８ｉ＊Ｈａ ＊ Ｓ輸Ｈ
＄。
他にＨｆ１或いは８ｉＨ４ｇ ８ｉ＊Ｈａ ＊ Ｓ輸Ｈ
＄。
８ ｉ４Ｈ，・等の水素化硅素のガスをＳｉを供給する
為のシリコン化合物と堆積室中に共存させて放電を生起
させる事でも行う事が出来る。
為のシリコン化合物と堆積室中に共存させて放電を生起
させる事でも行う事が出来る。
例えば、反応スパッタリング法の場合には、Ｓ１ターゲ
ツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス及びＨ，ガス
を必要に応じてＨｅ、Ａｒ等の不活性ガスも含めて堆積
室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、前記Ｓｉター
ゲットをスパッタリングする事によって、基板上Ｋ ａ
−８ｉ （Ｈ，Ｘ）から成る非晶質層が形成される。
ツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス及びＨ，ガス
を必要に応じてＨｅ、Ａｒ等の不活性ガスも含めて堆積
室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、前記Ｓｉター
ゲットをスパッタリングする事によって、基板上Ｋ ａ
−８ｉ （Ｈ，Ｘ）から成る非晶質層が形成される。
更には、不純物のドーピングも兼ねてＢｔＬ等のガスを
導入してやることも出来る。
導入してやることも出来る。
本発明において、形成される光導電部材の非晶質層中に
含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲン原子（Ｘ）
の量又は水素源−子とハロゲン原子の量の和は通常の場
合１〜４０ ａｔｏｍｉｃに、好適には５〜３０ ａｔ
ｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。
含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲン原子（Ｘ）
の量又は水素源−子とハロゲン原子の量の和は通常の場
合１〜４０ ａｔｏｍｉｃに、好適には５〜３０ ａｔ
ｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。
光導電層中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及び＾ロ
ゲン原子α）の量を制御するには、例えば堆積支持体温
度文は／及び水素原子（Ｈ）、或いは＾ｐゲン原子α）
を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置系内へ
導入する量、放電々力等を制御してやれば嵐い。
ゲン原子α）の量を制御するには、例えば堆積支持体温
度文は／及び水素原子（Ｈ）、或いは＾ｐゲン原子α）
を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置系内へ
導入する量、放電々力等を制御してやれば嵐い。
非晶質層中に厘族原子及び窺素原子を導入して、第一０
層領域及び第二の層領域を形成するには、グロー放電法
や反応スパッタリング法等による層形成の際に、璽族原
子導入用の出発物質又は窒素原子導入用の出発物質、或
いは両出発物質を前記し先非晶質層形成用の出発物質と
共和使用して、形成される層中にその量を制御し乍ら含
有してやる事によって成される。
層領域及び第二の層領域を形成するには、グロー放電法
や反応スパッタリング法等による層形成の際に、璽族原
子導入用の出発物質又は窒素原子導入用の出発物質、或
いは両出発物質を前記し先非晶質層形成用の出発物質と
共和使用して、形成される層中にその量を制御し乍ら含
有してやる事によって成される。
非晶質層を構成する第一０層領域を形成するのにグロー
放電法を用いる場合には、第１の層領域形成用の原料ガ
スとなる出発物質としては、前記した非晶質層形成用の
出発物質の中から所望に！２て選択されたものに窒素原
子導入用の出発物質が加えられる。そｏｍｅｎ素原子導
入用の出発物質としては、少なくとも窒素原子を構成原
子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化し
たも°のの中の大概のものが使用され得る。
放電法を用いる場合には、第１の層領域形成用の原料ガ
スとなる出発物質としては、前記した非晶質層形成用の
出発物質の中から所望に！２て選択されたものに窒素原
子導入用の出発物質が加えられる。そｏｍｅｎ素原子導
入用の出発物質としては、少なくとも窒素原子を構成原
子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化し
たも°のの中の大概のものが使用され得る。
例えばシリコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原料ガス
と、窒素原子（Ｎ）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（Ｈ）又は及びハロゲン原子（Ｘ）を
構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使
用するか、又は、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とす
る原料ガスと、窒素原子（Ｎ）及び水素原子（Ｈ）を構
成原子とする原料ガスとを、こ−れも又所望の混合比で
混合するか、或いは、シリコン原子（８ｏを構成原子と
する原料ガスと、シリコン原子（出）、窒素原子（Ｎ）
及び水素原子（Ｈ）の３つを構成原子とする原料ガスと
を混合して使用することが出来る。
と、窒素原子（Ｎ）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（Ｈ）又は及びハロゲン原子（Ｘ）を
構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使
用するか、又は、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とす
る原料ガスと、窒素原子（Ｎ）及び水素原子（Ｈ）を構
成原子とする原料ガスとを、こ−れも又所望の混合比で
混合するか、或いは、シリコン原子（８ｏを構成原子と
する原料ガスと、シリコン原子（出）、窒素原子（Ｎ）
及び水素原子（Ｈ）の３つを構成原子とする原料ガスと
を混合して使用することが出来る。
又、別には、シリコン原子（８ｉ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに窒素原子α）を構成原子と
する原料ガスを混合して使用しても良い。
を構成原子とする原料ガスに窒素原子α）を構成原子と
する原料ガスを混合して使用しても良い。
窒素原子導入用の原料ガスとなる出発物質としては、窒
素ＣＮｔ）＊アン毫ニア（ＮＨ，）、ヒドラジン（Ｈａ
ＮＮＨ＊＞、アレイビ水素（ＨＮ、）、アジ化アンモニ
ウム（ＮＨ４Ｎ、）等のガス状の又社ガス化し得る窒素
、窒化物及びアジ化物等の窒素化合物を挙げることが出
来る。
素ＣＮｔ）＊アン毫ニア（ＮＨ，）、ヒドラジン（Ｈａ
ＮＮＨ＊＞、アレイビ水素（ＨＮ、）、アジ化アンモニ
ウム（ＮＨ４Ｎ、）等のガス状の又社ガス化し得る窒素
、窒化物及びアジ化物等の窒素化合物を挙げることが出
来る。
この他に、窒素原子の導入に加えて、ハロゲン原子の導
入も行えるという点から、三弗化窒素（ＦｓＮ）、四弗
化窒素（Ｆ４Ｎｍ）−二弗化二窒素（Ｎ、Ｆ、＞、アジ
化弗素（ｐＮ、Ｌ アジ化塩素（ＯＩＮｍ ） ｅアジ
化臭素（ＢｒＮｓ）、アジ化にドラジエクム（Ｎ＊Ｈｓ
Ｎｓ）等のハロゲン含有窪素化合物を挙けることが出来
る。
入も行えるという点から、三弗化窒素（ＦｓＮ）、四弗
化窒素（Ｆ４Ｎｍ）−二弗化二窒素（Ｎ、Ｆ、＞、アジ
化弗素（ｐＮ、Ｌ アジ化塩素（ＯＩＮｍ ） ｅアジ
化臭素（ＢｒＮｓ）、アジ化にドラジエクム（Ｎ＊Ｈｓ
Ｎｓ）等のハロゲン含有窪素化合物を挙けることが出来
る。
スパッターリング法によって、窒素原子を含有する第一
の１領域を形成するには、単結晶又は多結晶の８ｉウェ
ー八−又は８輸Ｎ、ウェーハー、又はＳｊと８４八
が混合されて含有されているり工−ハ゛−をターゲット
として、これ等を種々のガス雰−気中でスパッターリン
グすることによって行えば嵐い。
の１領域を形成するには、単結晶又は多結晶の８ｉウェ
ー八−又は８輸Ｎ、ウェーハー、又はＳｊと８４八
が混合されて含有されているり工−ハ゛−をターゲット
として、これ等を種々のガス雰−気中でスパッターリン
グすることによって行えば嵐い。
例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして１１！用す
れば、窒素原子と必要に応じて水素原子又は／及りハロ
ゲン原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈
ガスで稀釈して、スペッタ−用の堆積室中に導入し、こ
れ等のガスのガスプラズマを形成して前記８ｉウェー八
−ラスパラターりングすれば良い。
れば、窒素原子と必要に応じて水素原子又は／及りハロ
ゲン原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈
ガスで稀釈して、スペッタ−用の堆積室中に導入し、こ
れ等のガスのガスプラズマを形成して前記８ｉウェー八
−ラスパラターりングすれば良い。
又、別には、Ｓｉと８ｉ、Ｎ４ とは別々のターゲッ
トとして、又はＳｉと８ｉ、Ｎ、の混合した一枚、のタ
ーゲットを使用するととによって、スパッター用のガス
としての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子
（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として
含有するガス雰囲気中でスパッターりングすることＫよ
って成される。
トとして、又はＳｉと８ｉ、Ｎ、の混合した一枚、のタ
ーゲットを使用するととによって、スパッター用のガス
としての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子
（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として
含有するガス雰囲気中でスパッターりングすることＫよ
って成される。
窒素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放
電の例で示した原料ガスの中の窒素原子導入用の原料ガ
スが、スパッターリングの場合にも有効なガスとして使
用され得る。
電の例で示した原料ガスの中の窒素原子導入用の原料ガ
スが、スパッターリングの場合にも有効なガスとして使
用され得る。
本発明に於て、非晶質層をグロー放電法又はスパッター
リング法で形成する際に使用される稀釈ガスとしては、
所副稀ガス、例えばＨｅ、Ｎｅ 。
リング法で形成する際に使用される稀釈ガスとしては、
所副稀ガス、例えばＨｅ、Ｎｅ 。
Ａｒ勢が好適なものとして挙けることが出来る。
非晶質層を構成すλ第二〇層領域を形成す・るに＃ｉ、
前述した非晶質層の形成のＩＩＩＫ前記した非晶質層形
成用となる原料ガスと共に１璽族原子導入用となるガス
状態の又はガス化し得に出発物質をガス状態で非晶質層
形成の為の真空堆積室中に導入してやれば嵐いものであ
る。
前述した非晶質層の形成のＩＩＩＫ前記した非晶質層形
成用となる原料ガスと共に１璽族原子導入用となるガス
状態の又はガス化し得に出発物質をガス状態で非晶質層
形成の為の真空堆積室中に導入してやれば嵐いものであ
る。
第二の層領域に導入される璽族原子の含有ｌは、堆積室
中に流入される璽族原子導入用の出発物質のガス流量、
ガス流量比、放電バ’７−４を制御することＫよって任
意に制御され得る。
中に流入される璽族原子導入用の出発物質のガス流量、
ガス流量比、放電バ’７−４を制御することＫよって任
意に制御され得る。
嬉厘族原子導入用の出発物質として、本発明に於いて有
効に使用されるのは、硼素原子導入用としては、塩ルー
ＢＪ（ｍｓ −ＢＩＨ＠ −ＢｓＨｔｔ−・Ｂ、ル、
。
効に使用されるのは、硼素原子導入用としては、塩ルー
ＢＪ（ｍｓ −ＢＩＨ＠ −ＢｓＨｔｔ−・Ｂ、ル、
。
ＢｓＨｔｔ ＊ Ｂ、Ｈｔａ 等の水素化硼素、ＢＦｓ
、 ＢＤＩ、、 ＢＢｒ＠等のハロゲン化硼素等が挙げ
られる。この他、Ａ／σ７ｓ ＊ Ｇａ０７ｍ ｔ Ｉ
ｎ０１ｓ ＊ ＴｊＯ／ｓ 等も挙げることが出来るｄ 不発＠Ｏ光導電部材に於いては、窒素原子が含有される
第一の層領域には、更に酸素原子を含有させても良い。
、 ＢＤＩ、、 ＢＢｒ＠等のハロゲン化硼素等が挙げ
られる。この他、Ａ／σ７ｓ ＊ Ｇａ０７ｍ ｔ Ｉ
ｎ０１ｓ ＊ ＴｊＯ／ｓ 等も挙げることが出来るｄ 不発＠Ｏ光導電部材に於いては、窒素原子が含有される
第一の層領域には、更に酸素原子を含有させても良い。
第一の層領域に酸素原子を化学構造的に含有させるとと
によって、非晶質層と支持体との間に於ける密着性が一
層向上させ得ると共に、一層の暗抵抗の増大を計ること
戊出来る。
によって、非晶質層と支持体との間に於ける密着性が一
層向上させ得ると共に、一層の暗抵抗の増大を計ること
戊出来る。
第一の層領域に窒素原子を導入するには、第一の層領域
を形成する際に窒素原子導入用の出発物質を。ガス状態
で真垂堆積装置内に導入してやれば良い。
を形成する際に窒素原子導入用の出発物質を。ガス状態
で真垂堆積装置内に導入してやれば良い。
或ｈｕ％ 反応スパッターりフグ法によって第一の層領
域を形成する場合には、８ｉ０．ターゲットを使用する
か、又は、８４ 、８ｉ、Ｎ、等と共に８ｆｆｉ鶏が混
合されて込るターゲットを使用するととＫよって゛形成
される第一の層領域中に酸素原子を含有させる事が出来
る。
域を形成する場合には、８ｉ０．ターゲットを使用する
か、又は、８４ 、８ｉ、Ｎ、等と共に８ｆｆｉ鶏が混
合されて込るターゲットを使用するととＫよって゛形成
される第一の層領域中に酸素原子を含有させる事が出来
る。
酸素原子導入用の原料ガ子となる出発物質としては具体
的には、例えば酸素（Ｏｓ ）−オゾン（Ｏｓ）−一酸
化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯＩ）。
的には、例えば酸素（Ｏｓ ）−オゾン（Ｏｓ）−一酸
化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯＩ）。
−二酸化窒素（Ｎ、０）、三二酸化窒素（ＮｍＯｊ）、
四二酸化窒素（Ｎ＊Ｏａ ）−ミニ酸化窒素（Ｎ＊Ｏｓ
＞、三酸化窒素（ＮＯ，＞ 、シリコン原子＜Ｓｉ＞と
酸素原子０）と水素原子（Ｈ）とを榊成原子とする、例
えば、ジシロキナンＨ，８ｉ０８ｉＨｓ、 ）リシロキ
サンＨ，５ｉＯ８Ｉ搗θ８１）（３等の低級シｐキすｙ
等を挙げることが出来る。
四二酸化窒素（Ｎ＊Ｏａ ）−ミニ酸化窒素（Ｎ＊Ｏｓ
＞、三酸化窒素（ＮＯ，＞ 、シリコン原子＜Ｓｉ＞と
酸素原子０）と水素原子（Ｈ）とを榊成原子とする、例
えば、ジシロキナンＨ，８ｉ０８ｉＨｓ、 ）リシロキ
サンＨ，５ｉＯ８Ｉ搗θ８１）（３等の低級シｐキすｙ
等を挙げることが出来る。
次にグロー放電分解法によって形成される光導電部材の
製造方法について説明する。
製造方法について説明する。
第２図にグロー放電分解法による光導電部材の製造装置
を示す。
を示す。
図中の２９２ 、２０３ 、２０４ 、２０５ 、２０
６のガスボンベには、本発明の夫々の層を形成するため
の原料ガスが書封されてお）、その１例として、九とえ
ば、２０２は出で稀釈されえＳｉ域ガス（純度９９．９
９９Ｎ、以下８ｉＨ，，４１ｅと略す。）ボンベ、２０
３は出で稀釈され九九ルガス（純度９９．９９９Ｎ。
６のガスボンベには、本発明の夫々の層を形成するため
の原料ガスが書封されてお）、その１例として、九とえ
ば、２０２は出で稀釈されえＳｉ域ガス（純度９９．９
９９Ｎ、以下８ｉＨ，，４１ｅと略す。）ボンベ、２０
３は出で稀釈され九九ルガス（純度９９．９９９Ｎ。
以下Ｂ、Ｈ，／Ｈｅと略す。）、２０４は騰で稀釈され
九ｓｔ、Ｈ，ガス（綿＆９９．９９Ｎ、以下８１晶／Ｈ
ｅと略す。）−ｆノペ、２０５はルで稀釈さ、れた８ｉ
Ｆ４ガス（純度９９．９９９イ、以下８ｉＰ、／Ｈｅと
略す、）、２０６はＮＨ，ガスボンベである。
九ｓｔ、Ｈ，ガス（綿＆９９．９９Ｎ、以下８１晶／Ｈ
ｅと略す。）−ｆノペ、２０５はルで稀釈さ、れた８ｉ
Ｆ４ガス（純度９９．９９９イ、以下８ｉＰ、／Ｈｅと
略す、）、２０６はＮＨ，ガスボンベである。
これらのガ□スを反応室２０１に流入させるＫはガスボ
ンベ２０２〜２０６のパルプ２２２〜２２６、リークパ
ルプ２３５が閉じられていることを確認し又、流入パル
プ２１２〜２１６、流出パルプ２１７〜２２１、補助パ
ルプ２３２〜２３３が開かれていることを確認して先ず
メインパルプ２３４を開いて反応室２０１１ガス配管内
を排気する２゜次に真空計２３６の読みが約５ Ｘ １
０”ｔｏｒｒになった時点で、補助パルプ２３２〜２３
３、流出パルプ２１７〜２１２を閉じる。
ンベ２０２〜２０６のパルプ２２２〜２２６、リークパ
ルプ２３５が閉じられていることを確認し又、流入パル
プ２１２〜２１６、流出パルプ２１７〜２２１、補助パ
ルプ２３２〜２３３が開かれていることを確認して先ず
メインパルプ２３４を開いて反応室２０１１ガス配管内
を排気する２゜次に真空計２３６の読みが約５ Ｘ １
０”ｔｏｒｒになった時点で、補助パルプ２３２〜２３
３、流出パルプ２１７〜２１２を閉じる。
基体シリンダー２３７上に第１領、・職層を形成する場
合の１例をあげると、ガスボンベ２０２よりＳｉＨ，／
Ｈｅガス、ガスボンベ２０３よりＢ、Ｈ，／Ｈｅガス、
ガスボンベ２１１よすＮＨ，ガスを、パルプ２２２ 、
２２３ 、２２６を開いて出口圧ゲージ２２７．２２８
゜２３１の圧をＩＫｔ／ｄに調整し、流入パルプ２１２
゜２１３．２１６ ’ｊｔ徐々・に開ケて、マスフロ
コント四−ラ２０７ 、２０８ 、２１１内に’ｆｉ人
させる。引き続いて流出パルプ２１７ 、２１８ 、２
２１ ｓ、補助パルプ２３２゜２３３を徐々に開いて夫
々のガスを反応室２０１に流入させる。このときの８１
Ｈ，／Ｈｅガス流量、ＢＡＨ＠ ７’）（ｅガス流量、
面１ガス流量との夫々の比が所望の値になるように流出
パルプ２１７ 、２１８ 。
合の１例をあげると、ガスボンベ２０２よりＳｉＨ，／
Ｈｅガス、ガスボンベ２０３よりＢ、Ｈ，／Ｈｅガス、
ガスボンベ２１１よすＮＨ，ガスを、パルプ２２２ 、
２２３ 、２２６を開いて出口圧ゲージ２２７．２２８
゜２３１の圧をＩＫｔ／ｄに調整し、流入パルプ２１２
゜２１３．２１６ ’ｊｔ徐々・に開ケて、マスフロ
コント四−ラ２０７ 、２０８ 、２１１内に’ｆｉ人
させる。引き続いて流出パルプ２１７ 、２１８ 、２
２１ ｓ、補助パルプ２３２゜２３３を徐々に開いて夫
々のガスを反応室２０１に流入させる。このときの８１
Ｈ，／Ｈｅガス流量、ＢＡＨ＠ ７’）（ｅガス流量、
面１ガス流量との夫々の比が所望の値になるように流出
パルプ２１７ 、２１８ 。
２２１を１１！Ｌ、又、反応室内の圧力が所望の値にな
るように真空計２３６の読みを見ながらメインパルプ２
３４の開口を調整する。そして基体シリンダー２３７の
温度が加熱ヒーター２３８により５０〜４００℃の温度
に設定されていることを確認された後、電源２４０を所
望の電力に設定して反応室２０１内にグロー放電を生起
させ基体シリンダー上に第１領域層を形成す、る。
るように真空計２３６の読みを見ながらメインパルプ２
３４の開口を調整する。そして基体シリンダー２３７の
温度が加熱ヒーター２３８により５０〜４００℃の温度
に設定されていることを確認された後、電源２４０を所
望の電力に設定して反応室２０１内にグロー放電を生起
させ基体シリンダー上に第１領域層を形成す、る。
第１領域層に）・ロゲン原子を含有させる場合には°上
記のガスにたとえば８１Ｆ＆、／Ｈｅを、更に付加して
反応室内に送り込む。
記のガスにたとえば８１Ｆ＆、／Ｈｅを、更に付加して
反応室内に送り込む。
上部層（上層部１０５）を形成するには第１領域層の形
成の際に使用した窒素原子含有ガスを除いて層形成を行
う・ 夫々の１層を形成する際に必要なガス以外の流出パルプ
は全て閉じることは言うまでもなく、又夫々の層を形成
する際、前層の形成に使用したガスが反応室２０１内、
流出パルプ２１７〜２２１から反応室２０１内に至る配
管内に残留することを避けるために、流出パルプ２１７
〜２２１を閉じ補助パルプ２３２． ２３３を開いてメ
インパルプ２３４を全開して系内を一旦高真空に排気す
る操作を必！に応じて行う。
成の際に使用した窒素原子含有ガスを除いて層形成を行
う・ 夫々の１層を形成する際に必要なガス以外の流出パルプ
は全て閉じることは言うまでもなく、又夫々の層を形成
する際、前層の形成に使用したガスが反応室２０１内、
流出パルプ２１７〜２２１から反応室２０１内に至る配
管内に残留することを避けるために、流出パルプ２１７
〜２２１を閉じ補助パルプ２３２． ２３３を開いてメ
インパルプ２３４を全開して系内を一旦高真空に排気す
る操作を必！に応じて行う。
又、層形成を行って−る間は層形成の均一化を計る九め
基体シリンダー′２３７はモータ２３９により一定速度
で回転させる。
基体シリンダー′２３７はモータ２３９により一定速度
で回転させる。
以下実施例について説明する。
実施例１
第２図に示し丸製造装置によりＭシリンダー上に、以下
の条件で層形成を行なり九〇第 ｌ 表 Ｍシリンダ一温度！２５０℃ 放電周波数 ！ １３Ｌ５６ＭＨ！ 反応室内の背圧言０．５ Ｔａｒｔ こうして得られたＩＩ形成部材を、帯電露光実験装置に
設置しΦ５．０ｋＶ”ｅＯＪｓｅｃ間コロナ帯電を行い
、直ちに光量を照射し九光像はタフゲステンランプ光源
を用い、 １，５ｊｕｘ、＠起の光量を透過蓋のテス
トクチヤードを通して照射させたＯその後直ちに、ｅ荷
電性の現俸剤（トナーとキャリアーを含む）を部材表面
をカスケードすること−によって、部材表面上に喪好な
トナー画像を得た。部材上のトナー画像を、Φ５．Ｏｋ
Ｖのコロナ帯電で転写紙上に転写した所、解像力にＪ 優れ、階調再現性のよい鮮明き高１ｌＩＩ度ＯＩｍ儂が
得られ丸。
の条件で層形成を行なり九〇第 ｌ 表 Ｍシリンダ一温度！２５０℃ 放電周波数 ！ １３Ｌ５６ＭＨ！ 反応室内の背圧言０．５ Ｔａｒｔ こうして得られたＩＩ形成部材を、帯電露光実験装置に
設置しΦ５．０ｋＶ”ｅＯＪｓｅｃ間コロナ帯電を行い
、直ちに光量を照射し九光像はタフゲステンランプ光源
を用い、 １，５ｊｕｘ、＠起の光量を透過蓋のテス
トクチヤードを通して照射させたＯその後直ちに、ｅ荷
電性の現俸剤（トナーとキャリアーを含む）を部材表面
をカスケードすること−によって、部材表面上に喪好な
トナー画像を得た。部材上のトナー画像を、Φ５．Ｏｋ
Ｖのコロナ帯電で転写紙上に転写した所、解像力にＪ 優れ、階調再現性のよい鮮明き高１ｌＩＩ度ＯＩｍ儂が
得られ丸。
実施例２
第２図に示し丸製造装置によりＡ／クシリンダ−上以下
の条件で層形成を行なった。
の条件で層形成を行なった。
第 ２ 表
ｈ□１１
その他の条件は実施例１と同様にして行なつ九。
こうして得られ九１１形威部＃に就いて、実施例１と同
様Ｏ条件及り手順で転写紙上に画像を形成したところ極
めて鮮明な画質が得られ九〇集施１１３ 第１領域層を形°成するＩＩ０１ｍＡ／８１１（ｔＯ流
量比を１．０ Ｘ １０−”とし九以外は、実施例１と
同様心条件で第１領域層、上部層を形成して＊＊成部材
を作成し、この像形成Ｓ材に就いて実施例１と同様の条
件及び手順で転写紙上に画＊１形成し九ところ極めて鮮
明な画像が得られ丸。
様Ｏ条件及り手順で転写紙上に画像を形成したところ極
めて鮮明な画質が得られ九〇集施１１３ 第１領域層を形°成するＩＩ０１ｍＡ／８１１（ｔＯ流
量比を１．０ Ｘ １０−”とし九以外は、実施例１と
同様心条件で第１領域層、上部層を形成して＊＊成部材
を作成し、この像形成Ｓ材に就いて実施例１と同様の条
件及び手順で転写紙上に画＊１形成し九ところ極めて鮮
明な画像が得られ丸。
実施例４
第２１１に示し九製造装置によりＭシリンダー上に以下
の条件で層形成を行なったＯ 第 ３ 表 そＯ倫Ｏ条件は、実施例１と同様にして行なった〇 こうして得られた儂形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に、画像を形成したところ極
めて鮮明な画質が得られた０実施例５ 嚢施例１で使用しｆｔ８ｉに／Ｈｅガスｌンべの代’）
Ｋ ８ ｉ＊Ｈｓ ／Ｈｅガスボンベを使用して以下
の条件で、第２図に示し喪製造装置により Ａｊ Ｖリ
ンダ′−上に層形成を行なった。
の条件で層形成を行なったＯ 第 ３ 表 そＯ倫Ｏ条件は、実施例１と同様にして行なった〇 こうして得られた儂形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に、画像を形成したところ極
めて鮮明な画質が得られた０実施例５ 嚢施例１で使用しｆｔ８ｉに／Ｈｅガスｌンべの代’）
Ｋ ８ ｉ＊Ｈｓ ／Ｈｅガスボンベを使用して以下
の条件で、第２図に示し喪製造装置により Ａｊ Ｖリ
ンダ′−上に層形成を行なった。
第４表
その他の条件は、実施例１と同様にして行なった。
こうして得られ九１１形威部材に就いて実施例１と同様
の県件及ｑ手願で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。
の県件及ｑ手願で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。
実施例６
陽極酸イ（法によ“９蒙化処理して８００λの厚さＫ
Ａ／Ａを形成し九Ａ７シリンダー上に実施例１と同様な
条件１手順で１１１領域層、上部層を形成して像形成部
材を作成し九。
Ａ／Ａを形成し九Ａ７シリンダー上に実施例１と同様な
条件１手順で１１１領域層、上部層を形成して像形成部
材を作成し九。
こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手職で転写紙上Ｋ１１ｌｌ＊成したところ極
めて鮮ｌｉ＆画質が得られ九〇ｓｍ例７ 第２１１に示し喪製造装置によりＭシリンダー上に、以
下の条件で層形成を行なった。
の条件及び手職で転写紙上Ｋ１１ｌｌ＊成したところ極
めて鮮ｌｉ＆画質が得られ九〇ｓｍ例７ 第２１１に示し喪製造装置によりＭシリンダー上に、以
下の条件で層形成を行なった。
放電周波数 ２１３．５６ＭＨｚ
反応室内の背圧＝ ９．５Ｔｏｒｒ
こうして得られ九儂形成部材を、帯電露光実験装置に設
置し■５．Ｏｋ Ｖで０．２ｓｅｃ間コロナ帯電を行い
、直ちに光像を照射した光１１社タングステンランプ光
源を用い、１．５／ｕｘ、ｓｅｃの光量を透過層のテス
トチャートを通して照射させた０その後直６に％ｅ荷電
性の現像剤（トナーと命ヤリアーを、含む）を部材表面
をカスケードするこ、とによって、部材表面上に良好な
トナー画像を得た。部材上のトナー画像を、Φ５．Ｏｋ
Ｖのコロナ帯電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ
、階調再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。
置し■５．Ｏｋ Ｖで０．２ｓｅｃ間コロナ帯電を行い
、直ちに光像を照射した光１１社タングステンランプ光
源を用い、１．５／ｕｘ、ｓｅｃの光量を透過層のテス
トチャートを通して照射させた０その後直６に％ｅ荷電
性の現像剤（トナーと命ヤリアーを、含む）を部材表面
をカスケードするこ、とによって、部材表面上に良好な
トナー画像を得た。部材上のトナー画像を、Φ５．Ｏｋ
Ｖのコロナ帯電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ
、階調再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。
第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明する為の
模式的層構成図、第２図は、実施例に於いて本発明の光
導電部材を作製する為に使用された装置の模式的説明図
である。 １００・・・光導電部＠ １０１・・・支持体１０
２・・・非晶質′層 １０３・・・第一０層領域１
０４・・・第二〇層領ｘｌｘ、 １０５−・−上ＭＩ
ＩＩ出 願 人 キャノン株式金社 手続補正書（自発） 特許庁長官 若 杉和夫 殿 １、事件の表示 昭和５６年 特許願 第 １８２６５５ 号２、
発明の名称 光導電部材 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人任 所 東京都
大田区下丸子３−３０−２居 所 ａ ！４６東京都大
田区下丸子３−３０−２キャノン株式会社内（電話７５
Ｂ−２１１１）５、補正の対象 明細書“の「発明の詳細な説明」の欄 ６、補正の内容 （１）明細書第１０頁第１５行つ「場合、・・・好まし
くは・・・」を・「場合、０．０１〜５ Ｘ １０ ａ
ｔｏ＋ｒ＋ｉｃ ｐｐｍ。 好ましく′は１〜１１００ａｔｏ略Ｐｆ）ｍ＋ より
好ましくは・・・・」と補正する。 （２）同第２６頁第７行、何第８行の１窒素原子」を「
酸素原子」と補正する。
模式的層構成図、第２図は、実施例に於いて本発明の光
導電部材を作製する為に使用された装置の模式的説明図
である。 １００・・・光導電部＠ １０１・・・支持体１０
２・・・非晶質′層 １０３・・・第一０層領域１
０４・・・第二〇層領ｘｌｘ、 １０５−・−上ＭＩ
ＩＩ出 願 人 キャノン株式金社 手続補正書（自発） 特許庁長官 若 杉和夫 殿 １、事件の表示 昭和５６年 特許願 第 １８２６５５ 号２、
発明の名称 光導電部材 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人任 所 東京都
大田区下丸子３−３０−２居 所 ａ ！４６東京都大
田区下丸子３−３０−２キャノン株式会社内（電話７５
Ｂ−２１１１）５、補正の対象 明細書“の「発明の詳細な説明」の欄 ６、補正の内容 （１）明細書第１０頁第１５行つ「場合、・・・好まし
くは・・・」を・「場合、０．０１〜５ Ｘ １０ ａ
ｔｏ＋ｒ＋ｉｃ ｐｐｍ。 好ましく′は１〜１１００ａｔｏ略Ｐｆ）ｍ＋ より
好ましくは・・・・」と補正する。 （２）同第２６頁第７行、何第８行の１窒素原子」を「
酸素原子」と補正する。
Claims (3)
- （１） 光導電部材用の支持体と、シリコン原子を母
体とし、構成原子として水素原子又はハロゲン原子のい
ずれか一方を少なくとも含有する非晶質材料で構成され
た光導電性を有する非晶質層とを有する光導電部材にお
いて１．前記非晶質層が構成原子として窒素原子を含有
する第一の層領域と、構成原子どして周期律表第厘族に
属する原子を含有する第二の層領域とを有し、前記第一
０層領域は、前記非晶質層の表面下に内在している事を
特徴とする光導電部材。 - （２） 第一０層領域と第二の層領域とは、少なくと
もその一部を共有している特許請求の範囲第一項に記載
の光導電部材。 - （３） 第÷の層領域と第二の層領域とが実質的に同
一層領域である特許請求の範囲第一項に記載の光導電部
材。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56182655A JPS5883855A (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | 電子写真用光導電部材 |
| US06/437,282 US4536460A (en) | 1981-11-09 | 1982-10-28 | Photoconductive member |
| GB08231137A GB2111704B (en) | 1981-11-09 | 1982-11-01 | Photoconductive member |
| DE19823241351 DE3241351A1 (de) | 1981-11-09 | 1982-11-09 | Fotoleitfaehiges element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56182655A JPS5883855A (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | 電子写真用光導電部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5883855A true JPS5883855A (ja) | 1983-05-19 |
| JPS6261270B2 JPS6261270B2 (ja) | 1987-12-21 |
Family
ID=16122110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56182655A Granted JPS5883855A (ja) | 1981-11-09 | 1981-11-13 | 電子写真用光導電部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5883855A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6440504B1 (en) | 1996-12-12 | 2002-08-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Vacuum processing apparatus and vacuum processing method |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5824148A (ja) * | 1981-08-06 | 1983-02-14 | Seiko Epson Corp | 電子写真感光体 |
-
1981
- 1981-11-13 JP JP56182655A patent/JPS5883855A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5824148A (ja) * | 1981-08-06 | 1983-02-14 | Seiko Epson Corp | 電子写真感光体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6440504B1 (en) | 1996-12-12 | 2002-08-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Vacuum processing apparatus and vacuum processing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6261270B2 (ja) | 1987-12-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0213298B2 (ja) | ||
| JPS5833256A (ja) | 光導電部材 | |
| JPS649625B2 (ja) | ||
| JPH0616177B2 (ja) | 電子写真用光導電部材 | |
| JPS6261270B2 (ja) | ||
| JPS62151857A (ja) | 光導電部材 | |
| JPS5891684A (ja) | 光導電部材 | |
| JPS58108544A (ja) | 光導電部材及びそれを用いる像形成方法 | |
| JPH0210940B2 (ja) | ||
| JPS58137843A (ja) | 光導電部材 | |
| JPS5833259A (ja) | 光導電部材の製造法 | |
| JPS58140746A (ja) | 光導電部材 | |
| JPS58163954A (ja) | 電子写真用光導電部材 | |
| JPH0410623B2 (ja) | ||
| JPH023985B2 (ja) | ||
| JPS6357781B2 (ja) | ||
| JPS58149051A (ja) | 光導電部材 | |
| JPS6316916B2 (ja) | ||
| JPS5880645A (ja) | 電子写真用光導電部材 | |
| JPS6346409B2 (ja) | ||
| JPS58171044A (ja) | レーザー光用の光導電部材 | |
| JPH0410627B2 (ja) | ||
| JPH0368382B2 (ja) | ||
| JPH0456306B2 (ja) | ||
| JPH0219946B2 (ja) |