JPS5833256A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、ｒ？／ａ等を示す）の様な電磁波
に感受性のある光導ｖＬｓ材に関する。

固体撮像装置、或いは像形成分野に於ける電子写真用像
形成部材や原梢貌取装置等に於ける光導電層を構成する
光導電材料としては、高感度で、８Ｎ比〔光電流（Ｉｐ
）／暗電流（Ｉｄ））が高く、照射する電磁波のスペク
トル特性にマ光波長時性にマツチングした吸収スペクト
ル特性を有すること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値
を有すること、使用時に於いて人体に対して無公害であ
る事、更には固体撮像装置に於いては、残像を所定時間
内に容易に処理することが出来る事等の特性が要求され
る。殊に、事務機としてオフィスで使用される電子写真
装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、
上記の使用時に於ける無公害性は重要な点であるＯ この橡な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ−８ｉと表記す）がＴｏ
＃）、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第
２８５．５７１８号公報には電子写真用像形成部材とし
て、特開＠　５５−３９４０４　　号公報には光電変換
読取装置への応用が記載されている。

丙午ら、従来のａ−８ｉで構成され九九導電層を有する
光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的
、光学的、光導電的特性及び耐湿性等の使用環境特性の
点、更には経時的安定性の点に於いて、更に改良される
可き点が存し、広範囲に於ける応用を含めた実用的な固
体撮像装置や読取装置、電子写真用像形成部材→には、
生産性、量産性をも加味して仲々有効に使用し得ないの
が実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適゛用した場合に、そ
の使用時に於いて残留電位が残る場合が度々観測され、
この様な種の光導電部材は繰返し長時間使用し続けると
、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残儂が生ずる
所謂ゴースト曳象を発する様になる等の不都合な点が少
なくなかった。

更には例えば、本発明者等の多くの実験によれば、電子
写真用像形成部材の光導電層を構成する材料としてのａ
−８４は、従来の８ｅ　、　、Ｏｄ８　。

ＺｎＯ或いはＰＶＯｚやＴＮＦ等のＯＰＯ（有機光導電
部材）Ｋ＠べて、数多くの利点を有するが、従来の太陽
電池用として使用する為の特性が付与されたａ−８ｉか
ら成る単層構成の光導電層を有する電子写真用像形成部
材の上記光導電層に静電像形成の為の帯電処理を施して
も暗減衰（ｄａｒｋ　ｄｅｃａｙ　）が著しく速く、通
常の電子写真法が仲々適用され難い事、及び多湿雰囲気
中に於いては、上記傾向が著しく、場合によっては現澹
時間まで帯電々荷を全く保持し得ない事がある等、解決
され得る可き点が存在している事が判明している。

従って、ａ−８ｉ材料そのものの特性改良が計られる一
方で光導電部材を設計する際に、上記した様な所望の電
気的、光学的及び光導電的特性が得られ、高感度で画質
の安定したものが得られる様に工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８ｉに
就て電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読皐装置等
に使用される光導電部材としての適応性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原子を母体とし、水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子
（Ｘ）のいずれか一方を少なくとも含有するアモルファ
ス材料（非晶質材料）、所謂、水素化アモルファスシリ
コン、ハロゲン化アモルファスシリコン、或いはハロゲ
ン含有水素化アモルファスシリコン〔以後これ等の総称
的表記としてａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）ｆｆｉ使用する〕から
構成され、光導電性を示す非晶質層の層構成を後述する
様に特定化して作製された光導電部材は実用的に充分使
用し得るばかりでなく、従来の光導電部材と較べてみて
も殆んどの点に於いて凌駕していること、殊に電子写真
用の光導電部材として光感度及び画質安定化に於いて著
しく優れた特性を有していることを見出した点に基いて
いる。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であり
、耐光疲労に著しく長け、繰返し使用に際しても劣化現
象を起さず、残留電位が全く又は殆んど観測されない光
導電部材を提供することを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、且つ光応答性の速い光導電部材を提供することである
。

本発明の他の目的は、電子写真用の傷形成部材として適
用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度に、静電像形成の為の帯電処理の際の電荷保
持能が充分ちや、且つ多湿雰囲気中でもその特性の低下
が殆んど観測されない優れた電子写真時性を有する光導
電部材管提供することである。

本発明の良に他の目的は、濃度が高＜、７％−７トーン
が鮮明に出て且つ解偉度の為い、高品質画像を常時安定
して得る事が容易に出来る電子写真用の光導電部材を提
供することである。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、水素
原子（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ”）の少なくともいず
れか一方を含み、シリコツ原子を母体とする非晶質材料
（ａ　−ｓ　ｒ　（Ｈ、Ｘ）　ｌ）で構成され、光導電
性を示す非晶質層と障壁層と【有し、前記非晶質層は、
少なくともその一部に酸素原子を含有する層領域を有し
、諌層領域に於ける酸素原子の分布が前記支持体の表面
に略々平行な面内では実質的に均一であり、層の厚み方
向には不均一であって、前記層領域に含有されている酸
素原子が紬記支持体と唸反対の表面側の方に多く分布し
ている事ｔ％徽とし、更に好ましい実施態様に於いては
、前記層領域全体に於ける酸素原子の含有量が０．０５
〜３０ａｔｏｍｉｃ−であり且つその最大分布量が該層
領域ＯＳ記支持体とは反対の表面又は該表面近傍に存し
、その値が０３〜６７ａｔｏｍｊｃｔｓである事を特徴
とする。

上記した様な層構成を取る様にして設計された光導電部
材は、前記した諸問題の総て管解決し得、極めてすぐれ
た電気的、光学的、光導電的特性及び使用環境特性を示
す。

殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
帯電処理の際の電荷保持能に長け、−儂形成への残留電
位の影響が全くなく、多湿雰囲気中でもその電気的特性
が安定しており高感度で、高８Ｎ比を有するものであっ
て耐光疲労、繰返し使用性に著しく長け、淡度が高く、
ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品質
の可ａｉＩｉ像を常時安定的に得る事が出来゛るＯ 以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就て詳細に
説明する。

１ｓ１図は、本発明の光導電部材の典型的な構成例を説
明する為に模式的に示した模式的構成図である。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体１０１の上に、必要に応じて設けられる障壁層
１０２、該障壁層１０２に直接接触した状態に設けられ
、光導電性を示す非晶質層１０３とで構成され、該非晶
質層１０３は、少なくともその一部に酸素原子を含有す
る層領域を有し、該層領域に於ける酸素原子の分布が前
記支持体１０１０表面に略々平行な面内では実質的に均
一であり、層の厚み方向には、不均一であって、前記層
領域に含有されている酸素原子が前記支持体１０１とは
反対の表面側の方に多く分布し、咳層領域全体に於ける
酸素原子の含有量Ｏ１が０．０５〜３０ａｔｏｍｉｃ　
＠であり、且つその最大分布量Ｏｍａｘが鋏層領域の前
記支持体１０１とは反対の表面又は該表面の極く近傍に
存し、０ｕｎａｘが０．３〜６７　ｍｔｏｎｎｔ　ｃ　
ｄ４とされている。

支持体１０１としては、導電性でも１憾絶縁性であって
も良い。導電性支持体としては、例えば、Ｎｉ０ｒ、ｘ
テンレス、ム／　、Ｏｒ　、Ｍｏ　＋Ａｕ　＋ＮＪＴａ
、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｉ、Ｐｄ　　等の金属又はコレ等の合金
が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。

ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。

セラミック、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適ｔＣａ少なくともその一方の表面を導
電処理され、該導電処理され九表面側に他の層が設けら
れるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、Ｎｉ０ｒ　。

Ａ４　＊Ｏｒ　、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ　、Ｎｂ＊Ｔａ、Ｖ
、Ｔｉ　、Ｐｔ　ｓＰｄ＊１、ｎ、０．　、８ｎＯ，＋
　ＩＴＯ（Ｉ　ｎ、０．　＋８ｎＯ，）等から成る薄膜
を設けることによって導電性が付与され、或いはポリエ
ステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、Ｎｉ０
ｒ　、Ａ／　、Ａｇ　、Ｐｂ　、Ｚｎ　＊Ｎｉ　、Ａｕ
。

Ｏｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔｍ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ等の金
属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング
等でその表ｍｉＫ設け、又は前記金属でその表面をラミ
ネート処理して、その表面に導電性が付与される。支持
体１０１の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等、
任意の形状とし得、所望によって、その形状は決定され
るが、例えば、第１図の光導電部、＄１００を電子写真
用像形成部材として使用するのであれば連続高速複写の
場合には、無端ベルト状又社円箇状とするのが望ましい
。支持体１０１の厚さは、所望通りの光導電部材が形成
される様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性
が要求される場合には、支持体としての機能が充分発揮
される範囲内であれば可能な限り薄くされる。丙午ら、
この様な場合支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度
等の点から、通常は、１０μ以上とされる。

障壁層１０２は、支持体、１０１の儒から非晶質層１０
３儒方向か又は非晶質層１０３側から支持体１０１側方
向へのフリーキャリアの流入を効果的に阻止し且つ電磁
波照射時に於いて電磁波の照射によって非晶質層１０３
中に生じ、支持体１０１の側に向って移動するフォトキ
ャリアの非晶質層１０３の側から支持体１０１の側への
通過を容易に許す機能を有するものである。

障壁層１０２は、上記の様な機能を有するものであるが
、支持体１０１と非晶質層１０３との間で形成される界
面に於いて、上記の様な障壁層１０２と同様な機能が充
分発揮されるのであれば、本発明に於いては、障壁層１
０２ｉ強いて設ける必要はない。

障壁層１０２は、７リコン原子を母体とし、炭素原子、
窒素原子の中から選択される原子の少なくとも一種と、
必要に応じて水素原子又はハロゲン原子の少なくともい
ずれか一方とを含む非晶質材料くこれ等を総称してａ−
（８ｉｘ（０、Ｎ）＞−ｘ）ｙ（Ｈ９Ｘ）　ｓ−ｙと表
記する（但し、０＜ｘ＜１　。

Ｑ＜ｙ＜１　）＞又は、電気絶縁性の金属酸化物或いは
電気絶縁性の有機化合物で構成される。

本発明に於いて、ハロゲン原子（Ｘ）として好適なのは
Ｆ、Ｏｌ、Ｂｒ　、Ｉであり、殊にＦ　、Ｏｘが望まし
いものである。

上記障壁層１０２を構成する非晶質材料として有効に使
用されるものとして具体的には、例えば炭素系の非晶質
材料としてａ８ｉａ０ｚ−Ｈｓａ−（８ムｂＣｔ　ｂ）
ｃＨｘ−ｃ　＋　　ａ−（８ｔ（１０１−ｄ）ｅＬ−ｅ
＋ａ−（８ｉｆＯｔ−ｆ）ｇ（Ｈ＋Ｘ）ｔ−ｇ−窒素系
の非晶質材料としてａ　５ｉｈＮｔ−ｈ＋ａ−（８ｉ　
ｔＮｌ−１）７Ｈ１−ｊ、　ａ−（ＳｉｋＮｘ−ｋ）ｌ
Ｘｉ−／＋ａ　（８１ｍＮｎ−ｒｒｌ）ｎ（Ｈ＋Ｘ）ｔ
−ｎｌ等、更には、上記の非晶質材料に於いて、０及び
Ｎの２種の原子を構成原子として含む非晶質材料を挙け
ることが出来る（但しＯ＜　ａ　ｅ　ｂ　＋　Ｃ＊　ｄ
　＊　ｅ　＋　ｆ　＋ｇ　＋　ｋ　＋　１　＋　Ｊ　＋
　ｋ　ｗ　ｌ　ｔ　Ｏｎ　＊　Ｅｌ　＜　Ｚ　）。

これ等の非晶質材料は層構成の最適化設計に依る障壁層
１０２に要求される特性及び該障壁層１０２上に積重さ
れる非晶質層１０３との連続的作成の容易さ等によって
適宜最適なものが選択される。殊に特性向からすれば、
炭素系の非晶質材料全選択するのがより好ましいもので
ある。

障壁層１０２を上１の非晶質材料で構成する場合の層形
成法としてはグロー放電法、スパッタリング法、イオン
インプラ／チージョン法。

イオンブレーティング法、エレクトロンビーム法等によ
って成される。

グロー放電法によって障壁層１０２會形成するには、前
記非晶質材料形成用の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガ
スと所定量の混合比で混合して、支持体１０１の設置し
である真空堆積用の堆積室に導入し、導入させたガスを
グロー放電を生起させることでガスプラズマ化シて前ｍ
ｌ支持体１０１上に前記の非晶質材料管堆積させれば良
い。

本発明に於いて、炭素系の非晶質材料で構成される障壁
層１０２を形成する為の原料ガスとして有効に使用され
るのは、ＳｌとＨとを構成原子とする８直Ｈ４，８ｂ　
Ｈｓ　＊　８　ｋ　ｓ　Ｈｓ　ｒ　８１４　Ｈｔａ　　
等のシラン（８ｉ１ａｎｅ）類等の水素化硅素ガス、Ｃ
とＨとを構成原子とする、例えば炭素数１〜５の飽和炭
化水素、炭素数２〜５のエチレン系炭化水素。

炭素−２〜４のアセチレン系炭化水素等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としてはメタン（ＯＨ，）、
　工ｐ　ン＜ｃｔＨｍ＞＋プロパｙ　（０＠Ｈ１ｌ）　
、ｎ−ブタン（ｎ　０４Ｈ１６）　＋ペンタ７　（０，
Ｈ，、）　＠　エチレン系炭化水素としては、エチレン
（ＯｔＨ＊　）　、グロビレン（ＯＩＨ＠　）　、ブテ
ン−１（０＊ＨＡ　、ブテン−２（０ａＨａ　）　、イ
ソブチレン（０４Ｈ８）、ペンテン（ＯｓＨｓｏ　）　
、アセチレン系炭化水素としては、アセチレン（０＊Ｈ
ｔ）−メチルアセチレン（ＯＩＨ４）。

ブチン（０４Ｈ＊　）等が挙げられ今。

ＳｉとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、ａ
ｔ（ＯＨｍ）ａ　、８ｔ（ＯｔＨｓ）ａ等ｏケイ化フル
キルを挙げることが出来る。これ等の原料ガスの他、Ｈ
導入用の原料ガスとしては勿論Ｈ１も有効なものとして
使用される〇 障壁層１０２をハロゲン原子を含む炭素系の非晶質材料
で構成する為の層形成用の原料ガスの中でハロゲン原子
導入用の原料ガスとしては、例°えばハロゲン単体、ハ
ロゲン化水素、ハロゲン間化合物、ハロゲン化硅素、ハ
ロゲン置換水素化硅素、水素化硅素等を挙げる事が出来
る。

具体的にはハロゲン単体としては、フッ素。

塩ＩＡ、臭素、：Ｗつ素のハ胃ゲンガス、ハロゲン化水
素としては、ＦＨｅＨＩ　、ＨＯｚ　、ＨＢｒ　、　ハ
ロゲン間化合物としては、ＢｒＦ、ＯｔＦ、ＯｚＦ、、
Ｏｔ￥、　。

ＢｒＦ５　＊ＢｒＦＢ　＋Ｉｌ’ｙ　＋　ＩＦ５　＋　
ＩＯＩ　、ＩＢ　ｒ　、　ハロゲン化硅素としては、８
ｉＦ４．ｓｊ、Ｆ’、　、ｓｉｏ／４＋５ｉＯｌ、Ｂｒ
。

５ｔａｒ、Ｂｒ、　、５ｉＯＩＢｒ、　＋８ｉ０ｔ、１
５ｓｉＢｒ４１　ハロゲン置換水素化硅素としては、８
　ｉＨ，Ｆ、　、　８　ｉＨ，Ｃ１＠　。

Ｓ　ＩＨＯ／８１　Ｓ　ｔ　ＨＢＯＩ　＋　８　ｓＨｇ
　Ｂｒ　＊　８１　ＨＩＢｒｆｉ　ｌ　８　ｒ　）ｉＢ
　ｒｍ　＋水素化硅素トシテハ、Ｓ　ｉＢ４．　Ｓ　ｉ
、Ｈ，、Ｓ　ｉ、Ｈｌ。

８　ｉ４Ｈ，、等のシラン（８ｉ１ａｎｅ）類、等々を
挙げることが出来る。

これ等の他に、ＯＯｔ、　、　ＯＨＦ、　、　ＯＨ，Ｆ
、　、　ＯＨ，Ｆ。

ＯＨ，Ｏ／　、ＯＨ，Ｂｒ　、ＯＨ，Ｉ　、　０．Ｈ，
Ｏｌ等のハ０ゲン置換パラフィン系炭化水素、　８Ｆ、
　、　８Ｆ、等のフッ素化硫黄化合物、　８ｔ（ＯＨ３
）、　、８ｔ（ＯｔＨｓ）４゜等のケイ化アルキルやｓ
　ｓａｔ　（ＯＨ，）１　、ｓ　ｓ　ｏ　ｔｔ（ＯＨ，
）ｔ　、　Ｓ　ｉＯｔ、ＯＨ，勢のハロゲン含有ケイ化
アルキル等のシランの鰐導体も有効なものとして挙げる
ことが出来る。

これ等の障壁層形成物質は、形成される障壁層中に、所
定の組成比でシリコン原子、炭素原子及び必要に応じて
ハロゲン原子及び水素原子とが含有される様に、障壁層
形成の際に所望に従って選択されて使用される。

例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子との含有が
容易に成し得て且つ所望の特性の障壁層が形成され得る
８　ｉ　（ＯＨ，）４とハロゲン原゛子を含有させるも
のとしての５ｉＨＯ／、　、　Ｓ　１０／４１８ｉＨ，
Ｏ／、、或いは８ｉＨ，０／等を所定の混合比でガス状
態で障壁層形成用の装置系内に導入してグロー放電を生
起させることによってａ−（８ＩｆＯｔ−ｆ　）　ｇ（
Ｘ＋Ｈ）　ｔ　−ｇ　カラ成ル障１１Ｎｌｉ’ｔ　形成
することが出来る。

窒素系の非晶質材料で障壁層１０２會構成するのにグロ
ー放電法を採用する場合には、先に挙げた障壁層形成用
の物質の中から所望に応じたものを選択し、それに加え
て次の窒素原子導入用の原料ガスを使用すれば良い。即
ち、障壁層１０２形成用の窒素原子導入用の原料ガスに
成り得るものとして有効に使用される出発物質は、Ｎを
構成原子とする或いはＮとＨとを構成原子とする例えば
窒素（Ｎｔ）、アンモニア（ＮＨｍ）。

ヒドラジン（Ｈ，ＮＮＨ，）　、アジ化水素（ＨＮｍ）
、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎｓ　）等のガス状の又
はガイし ス化し得る窒素、窒素物及びアジ化物郷の窒素化合物を
挙げることが出来る。この他に、窒素原子の導入に加え
て、ハロゲン原子の導入も行えるという点から、三弗化
窒＊　（ＦｓＮ＞　、四弗化窒素（Ｆ４Ｎ、）等のハロ
ゲン化窒素化合物を挙げることか出来る。

上記した様に、グロー放電法によって障壁層１０２を形
成する場合には、障壁層形成用の出発物質を上船した物
質の中より種々選択して使用することにより、所望醤性
を有する所望構成材料で構成された障壁層１０２を形成
することが出来る。障壁層１（１２’ｉグロー放電法で
形成する場合の出発物質の組合せで良好なものとして具
体的には例えば８　Ｉ（ＯＨ，）、　、　Ｓ　１Ｏｚ２
（ＯＨｓ）。

等の単独ガス又は８ｉＨ４−ＮＨ，系、　８　ｉ　０　
！、　−ＮＨ４系。

ＳｉＨ４Ｎ！系、　８　ｉ　（ＯＨ，）４−８　ｉ　Ｈ
，系、Ｓｉｏ／、（ＯＨ５）。

−８ｉＨ４糸等の混合ガスを挙げることが出来る。

スパッタリング法によって炭素系の非晶質材料で構成さ
れる障壁層１０２を形成するには、単結晶又は多結晶の
８ｉウエーハー又は０ウエーハー又は８１とＣが混合さ
れて含有されているウェーハーをターゲットとして、こ
れＩ４ｔ″種々のガス雰囲気中でスパッタリングするこ
とによって行えば曳い。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとじて使用する亀
のであれば、炭素原子（０）と水嵩原子（Ｈ）又はハロ
ゲン原子（Ｘ）を導入する為の原料ガスを、必要に応じ
て稀釈ガスで稀釈して、スパッタ用の堆積室中に導入し
、これ４！のガスのガスプラズマを形成して鵠ｋＳｉウ
ェーハーをスパッタリングすれば喪い。

又、別には、Ｓ鳳とＣとは別々のターゲットとして、又
は８ｉとＯｏ混合した一枚のターゲットを使用すること
によって、少なくとも水嵩原子（Ｈ）又はハロゲン原子
（Ｘ）　ｔ−含有するガス雰囲気中でスパッタリングす
ることによって成される。

炭素原子又は水素原子或いはハロゲン原子導入用の原料
ガスとしては、先述したグロー放電の例で示した原料ガ
スが、スパッタリング法の場合にも有効なガスとして使
用され得る。

スパッタリング法によってＳｌ素系の非晶質材料で構成
される障壁層１０２ｔ−形成するには、単結晶又は多結
晶の８ｉウエーハー又はＳ６凡。

ウェーハー又紘Ｓｉと８　輸Ｎ４が混合されて含有され
ているウェーハーをターゲットとして、これ等ｔｍ々の
ガス雰囲気中てスパッタリングすることによって行えば
良い。

例えば、８１ウエーハーをターゲットとして使用すれば
、窒素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入する為の原料ガス、例えばＨ８とＮ２、又は
ＮＨ，を、必要に応じて稀釈ガスで稀釈して、−スパッ
タ用の堆積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマ
を形成して前記Ｓｉウェーハーをスパッタリングすれば
喪い。

又、別には、Ｓｉと８ｉ、Ｎ、とは別々のターゲットと
して、又はＳｔと８輸Ｎ、の混合して形成した一枚のタ
ーゲットを使用するととによって、スパッタ用のガスと
しての稀釈ガス雰囲気中で又は少なくともＨ原子及び／
又はＸ原子を含有するガス雰囲気中でスパッタリングす
ることによって成される。

Ｎ原子導入用の原料ガスと成り得るものとしては、先述
したグロー放電の例で示し友障壁層形成用の出発物質の
中ＯＮ原子導入用の原料ガスが、スパッタリングの場合
にも有効なガスとして使用され得る。

本発明に於いて、障壁層１０２をグロー放電法又はスパ
ッタリング法で形成する際に使用される稀釈ガスとして
は、所謂・希ガス、例えばＨｅ、　Ｎ＠、　Ａｒ　　等
が好適なものとして挙げることが出来る。

障壁層１０２を前記の非晶質材料で構成する場合には、
その要求される特性が所望通りに与えられる様に注意深
く形成される。

即ち、旧と、Ｃ，Ｈの中の少なくと４１１つ及び必要に
応じてＨ又は／及びＸを構成原子とする物質はその作成
条件によって構造的には結晶からアモルファスまでの形
態を取り、電気物性的には導電性から半導電性、絶縁性
までの間の性質を、又光導電的性質から非光導電的性質
までの間の性質を、各々示すので、本発明に於いては、
非光導電性の非晶質材料が形成される様に、その作成条
件の選択が厳密に成される。

障壁１ｌｉ１０２を構成する前記の非晶質材料は障壁層
１０２の機能が、支持体１０１側から非晶質層１０３側
へ又は非晶質層１０３側から支特休１０１儒への７リー
キヤリアの注入を阻止し、且つ非晶質層１０３中で発“
生じたフォトキャリアが移動して支持体１０１側に通過
するのを容易に許すことを果すものであることから、電
気絶縁性的挙動を示す本のとして形成される。

父、非晶質層１０３中で発生したフォトキャリアが障壁
層１０２中を通過する際、その通過がスムーズに成され
る程度に通過するキャリアに対する易動［（ｍｏｂＬ／
ｌｔｙ　）の値を有するものとして障壁層１０２が形成
される。

上記の様な特性を有する前記の非晶質材料から成る障壁
層１０２が形成される為の層作成条件の中の重要な要素
として、層作成時の支持体温度を挙げる事が出来る。

即ち、支持体１０１の表面に前記非晶質材料から成る障
壁層１０２を形成する際、層形成中の支持体温度は、形
成される層の構造及び特性を左右する重要な因子であっ
て、本発明に於いては、目的とする特性を有する前記非
晶質材料が所望通妙に作成され得る様に層作成時の支持
障１層１０２を形成する際の支持体温度としては障壁−
１０２の形成法に併せて適宜最適範囲が選択されて、障
壁層１０２の形成が実行されるが、通常の場合、２０℃
〜３００℃、好適には、５０℃〜２５０℃とされるのが
望ましいものである。障壁層１０２の形成には、同一系
内で障壁層１０２から非晶質層１０３、更には必要に応
じて非晶質層１０３上に形成される第３の１ｍまで連続
的に形成する事が出来る、各層を構成する原子の組成比
の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に比べて比較的容
易である事等の為に、グロー放電法やスパッターリング
法の採用が有利であるが、これ等の層形成法で障壁＠１
０２を形成する場合には、前記の支持体温度と同様に層
形成の際の放電パワー、ガス圧が、作成される障Ｉｊ１
層１０２の特性を左右する重要な因子として挙げること
が出来る。

その目的が達成される為の特性を有する障壁−１０２が
生産性よく効果的に作成される為の放電パワー条件とし
ては、通常１〜３００　Ｗ。

好適には２〜１５０Ｗである。又、堆積室内のガス圧は
通常３　Ｘ　１０’〜５丁ｏｒｒ、好適には８×１０４
〜０．５　Ｔｏｒｒ　ｇ度とされるのが望ましい。

障壁層１０２に含有される炭素原子、窒素原子及び水素
原子、ハロゲノ原子の量は、障壁層１０２の作成条件と
同様、所望の特性が得られる障壁層が形成される重要な
因子である。

障壁層１０２をａ−ｓｔ、ｃｌ−、で構成する場合には
炭素原子の含有量は、シリコン原子に対して通常は６０
〜９０　ｓ＋ｏｒｎｌｃ％、好適には６５〜８０ａｔｏ
ｍｉｃ−％９　耐過には７０〜７５　ａｔｏｍｉｃ％１
．の表示では０．１〜０４．好適には０．２〜０．３５
゜最適には０．２５〜０３とされ、暑−（ＳｌｂＣｔ−
ｂ）ｃＨｔ−Ｃで構成する場合には、炭素原子の含有環
は、通常３０〜９　Ｑ　ａ（ｏｍｉｃ％、好適には４０
〜９Ｑｍｔｏｍｌｃ俤、最適には５０〜８０　ｉｔｏｍ
ｉｃ　婆、水素原子の含有量としては、通常１〜４９　
＊ｔｏ＋ｎｌａ％、好適には２〜３５　ａｔｏｍｉｃ％
、最適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％、ｂ、ｃの表示で
示せば、ｂが通常は０１〜０．５．好適には０．１〜０
．３５．最適には０．１５〜０．３．ｃが通常は０．６
０〜０．９９．好適には０．６５〜０．９８．最適には
０．７〜０．９５とされ、ｍ　（８１ａＣｔ−ａ）ｅＸ
ｌ−ａ又はｓ−Ｃ８１ｔＣ１ｒ）ｇ５−Ｃ３１ｔＣ１ｒ
）で構成される場合には、炭素原子の含有１は通常は４
０〜９０　ａｔｏｍｌｃ係、好適には５０〜９０ａｔａ
ｍｌｃ％、　Ｊｌ適には６０〜８３　ｓ＠ｏｍｌｃ％、
　　ノ１０グン原子又はノ・ロゲン原子と水素原子とを
併せた含有量は通常ａｌ〜２０　＠ｔｏｍｉｃ％、好適
には１〜１８　ａｔｏｍｌｃ　４）、最適には２〜１５
　ａｔｏｍｌｃ％とされ、ノ・ロゲン原子と水素原子の
両者が含有される場合の水素原子の含有量は通常は１９
ａｔｏｓａｉｃ　％以下、好適には１３　ａｔｏｍｉｃ
係以下とされ、ｄ、　ｅ、　ｆ、　Ｈの表示では、ｄ、
　ｆが通常は０．１〜０．４７．好適には０．１〜０．
３５．最適には０．１５〜０．３．　　ｅ、　　ｇが通
常は０．８〜０．９９．好適には０．８２〜０．９９．
最適には０．８５〜０，９８とされる。

障壁層１０２を窒素系の非晶質材料で構成する場合、先
ず霞−’ｌ１ｂＮｌ　−ｂの場合には、窒素原子の含有
量はシリコン原子に対して通常は４３〜６０　ａｔｏｓ
ｍｉｃ％、好適には４３　′５０　ａｔｏｍｉｃ％　、
　ｈの表示では通常は０．４０〜０．５７．好適には０
５〜０．５７とされる。

ａ　−（ＳｉＩＮｌ−１）　１Ｈｘ−ｊで構成する場合
には、窒素原子含有量としては、通常は２５〜５５ａｔ
ｏＩｍｉｃ％。

好適には３５〜５５　ａｔｏｍｉｃ’ｌ　ｐ水素原子の
含有量としては、通常２〜３５ａｔｏ■ｉｃ％、好適に
は５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％とされ、ｌ、　　ｊで表示
すれば、１としては通常０．４３〜０．６．好適には０
．４３〜０．５゜１としては通常０．６５〜０．９８．
好適には０７〜０．９５とされ、ａ　−（ＳｉｋＮ］−
ｋ）／Ｘｘ−１又は　ａ−（５１ｍＮ１　ｍ）ｎ　（Ｈ
＋　Ｘ　）　１ｍ　で構成する場合には窒素原子の含有
量は、通常３０〜６０　ａｔｏｍｉｃ係、好適には４０
〜６　ｏ　２ｔｏｍｉｃ％、ノ・ロゲン原子又は、ハロ
ゲン原子と水素原子とを併せた含有量は、通常１〜２０
　ａｔｏｍｉｃ％、好適には２〜１５　ａｔｏｍｉｃ％
とされ、ハロゲン原子と水素原子の両者が含有される場
合の水素原子の含有量は通常、は１９ａｔｏｍｉｃ％以
下、好適には１３　ａｔｏｍｉｃ％以下とされ、ｙ、　
４　＋１１．　ｎの表示では、ｋ、ｌが通常は０．４３
〜０．６０．好適には０．４３〜０．４９、ｍ、ｎ力”
通常は０．８〜０．９９．好適には０．８５〜０．９８
とされる。

障壁層１０２を構成する電気絶縁性の金属酸化物として
は、Ｔｉ０１　、　Ｃｍ＠ＯＢ　、　Ｚｒ０１　、　Ｈ
ｆＯ富、　Ｇｅ０１　。

ＣｍＯ、ＢｅＯ、Ｐｒｏ＠、　ＹＩＯＩ、　Ｃｒｙ０３
．　Ｌｌｚへ、Ｍｇｏ、ｘｇｏ＊ム１，０＠　。

ｓｉ　０３・ＭｇＯ、等が好ましいものとして挙げるこ
とが出来る。これ等は２種以上を併用して障壁層１０２
を形成しても良いものである。

電気絶縁性の金属酸化物で構成される障壁層１０２の形
成は、真空蒸着法、ＣＶ　Ｄ　（ｃｈｅｍｌｃｓｊｖａ
ｐｏｕｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、グロー法電分解
法、スフ＜ツタリング法、イオンインプランテーション
法。

イオンブレーティング法、エレクトロンビーム法等によ
って成される。

例えば、スパッタリング法によって障壁層１０２を形成
するには、障壁層形成用の出発物質のウエーノ１−をタ
ーゲットとしてＨｅ　、　Ｈａ　、Ａｒ等のスパッター
用のガス雰囲気中でスノくツｌ　ＩＪ／グすることによ
って行えば良い。

エレクトロンビーム法を用いる場合には障壁層形成用の
出発物質を蒸着ボート内に入れてエレクトロ／ビームを
照射して蒸着すればよいが、支持体１０１から非晶質層
１０３中へのキャリアの流入を阻止し、且つ非晶質層１
０３中で発生したフォトキャリアが移動して支持体１０
１側に通過するのを容易に許すことを果たすものである
ことから、電気絶縁性的挙動を示すものとして形成され
る。

障壁層１０２の層厚の数値範囲は、その目的を効果的に
達成する為の重要な因子の１つである。

障壁層１０２０層厚が充分過ぎる程に薄いと、支持体１
０１の側からの非晶質層１０３側方向へ、又は非晶質Ｆ
ｆ４１０３ｆｌｌｌから支持体１０１側方向へのフリー
キャリアの流入を阻止する働きが充分果し得なくなり、
又、充分過ぎる程以上に厚いと、非晶質層１０３中に於
いて生ずるフォトキャリアの支持体１０１の側への通過
する確率が極めて小さくなり、従って、いずれの場合に
も、本発明の目的を効果的に達成され得なくなる。

上記の点に鑑みて本発明の目的を効果的に達成する為の
障壁層１０２０層厚としては、通常の場合、３０〜１０
０ＯＡ、好適には、５０〜６００人である。

本＠唄に於いて、その目的を効果的に達成する様子、支
持体１０１上に設けられる非晶質層１０３は下記に示す
半導体特性を有するｍ−８ｉ（’　＋　ｘ）　　で構成
され、その層厚方向に後述する様な分布を以って酸素原
子がドーピングされる。

■　ｐｆｆｌｓ−８４（Ｈ，Ｘ）・・・アクセプターの
みを含むもの。或いは、ドナーとアクセプターとの両方
を含み、アクセプターの濃度（Ｎａ）が高いもの。

■　Ｐ−型−−ｓｉ（Ｈ、Ｘ　）−・Φの一タイプに於
いてアクセプターの濃度（Ｎ麿）が低い所謂ｐ型不純物
をライトリ−ドープしたもの。

■　日型ａ　　Ｓｔ　（Ｈ、Ｘ　）・・・ドナーのみを
含むもの。

或いはドナーとアクセプターの両方を含み、ドナー濃度
（Ｎｄ）が高いもの。

■　ｎ−型ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）・−〇のタイプに於いて
ドナーの濃度（Ｎｄ）が低い、所謂ノンドープのものか
父はＤ型不純物をライトリ−ドープしたもの。

■　直型ａ　−８４（Ｈ、！　）−Ｎａ！Ｎｄ！　Ｏの
もの又は、Ｎａ　’：：　ＮｄＯもの。

本発明において、非晶質層１０３中に含有されるハロゲ
ン原子（Ｘ）としては、具体的にはフッ素、塩素、臭素
９口、つ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なもの
として挙げることが出来る。

本発明の光導電部材１００に於いて、非晶質１１１０３
中には、その分布が支持体１０１０表面に略々平行な面
内では実質的に均一であり、層の厚み方向には不均一で
あって、支持体１０１とは反対の表面側（第１図に於い
ては、自由表面１０４＠）の方に多く分布し、その最大
分布ｔ　Ｃｍａｘ　の位置が前記表面又は、その極近傍
にある様に酸素原子が含有されている層領域が形成され
る。

第２図乃至第５図には、非晶質層１０３中に含有される
酸素原子の非晶質層１０３の層厚方向の分布状態の典型
例が示される。第２図乃至第５図に於いて、縦軸は、非
晶質層１０３の層厚ｔを示１−１電・は支持体１０１又
は障壁層１０２等の他のものとの非晶質層１０３の界面
位置（下部表面）を、ｔｌは自由表面１０４側の非晶質
＠１０３の界面位置（上部表面）（Ｗ、１図に於いては
自由表面１０４と同位置である）を各々表わし、ｔｏか
らｔｓに向うに従って、層厚ｔの厚くなることを示し、
横軸は、非晶質層１０３０層向方向の任意の位置に於け
る酸素原子の分布量Ｃを示し、矢印方向に分布量の増大
が示され、Ｃ□８は非晶質層１０３中に於ける酸素原子
の最大分布量を示す本のである。

第２図に示す例に於いては、非晶質層１０３中に含有さ
れる酸°素原子の該層１０３中での分布状態は、下部表
面位ＷＩＬｔ・より上部表面位置ｔＢに至る。に従って
単調的に連続的に増大し、位置ｔ１に於いて最大分布量
Ｃｒｎ□に至り、その後表面位置１％までの間は、分布
ｔｃに変動がなく、Ｃ，□の値を維持している。第２因
に於いて、ｔ０附近に於いては、酸、ｇ原子は全く含有
されていないかの様に示されているが、酸素原子量の検
出限界以下は、酸素原子が含有されてい危いのと同様に
扱っている為であ名。

従って、本発明に於いては、酸素原子の篭が０と示され
る７ｍ領域（例えば第３図に於けるｔ−とｔｌとの間の
層領域）は、酸素原子が全く含まれないか、又は、検出
限界量未満含有されているものとして扱われる。現在の
ところ、我々の技術レベルに於いては酸素原子量の検出
限界はシリコン原子に対して２００　ａｔｏａ＋ｉｃ　
ＰＰｍである。

本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と安定した
画質特性が得られる様に酸素原子の分布状態は上部表面
位置ｔ、に近くなるに従って分布量が増大する様に非晶
質層１０３中に酸素原子が含有される。

第１図に示される様に作成される光導電部材ｉｏｏの非
晶質＠　１０３が自由表面１０４を有する場合には、上
部表面位置ｔ、近傍に於いて、酸素原子の含有値を他の
層領域に較べて著しく増大させて、自由表面１０４に付
与される電荷の保持能を同上させる様に設けることがで
きる。

この場合、斯かる層領域は所謂一種の障壁層の機能を果
すものである。

この様に、非晶質層１０３の自由表面１０４近傍に於い
て、酸素原子の含有量を他の層領域に較べて極端に多く
して、−上部障壁層を非晶質層１０３中に形成する事本
出来るが、父別には非晶質層１０３の表面上に、障壁１
１！１０２を構成する材料と同材の材料を使用して、上
部障壁層を形成することも出来る。この際の上部障壁層
の層厚としては、通常は３０Ａ〜５μ、好適には５０λ
〜２μとされるのが望ましい。

第３図に示す例に於いては、非晶質層１０３の下部側ｔ
・とｔ！の間の層領域には、酸素原子が全く含まれない
か、又は検出限界量未満しか含有されてないものであり
、位置ｔｌよりｔｓに至るに従って、酸素原子の分布量
は一次関数的又は−次関数に近い関数的に単調増加し、
位置ｔ１に於いて、最大分布量Ｃｍ５ｘに達する。ｔｓ
とｔｓとの間の層領域に於いては、酸素原子は、最大分
布１ｉ　Ｃｒｏｓｓで一様均一に含有されている。

第４図に示す例に於いては、非晶質Ｆｉｉ１０３の下部
層領域（ｔ・とｔ４との間）では、その分布量が一定量
ＣＩで一様均一に酸素原子が含有されており、上部層領
域（ｔａとｔ３０間）では、最大分布量Ｃｍａｘで一様
均一に分布した状態で酸素原子が含有されていて、下部
層領域と上部層領域とに於いて、その分布量が不連続的
になっている。

第５図に示される例に於いては、非晶［１１０３の下部
表面位置亀・から位置ｔｌに至るまでは、一定ｐ分布量
Ｃ，で酸素原子が含有されており、位ｉ！ｆ、ｌｉより
位置ｔ６に至るに従□って酸素原子の分布量は徐々に増
大し、位置亀・より上部表面位置ｔ。

に至るまでは、酸素原子の分布ｔけ急激に増大し、上部
表面位置１ｓに至って最大分布量Ｃ＋ａ■Ｘを取る様に
、酸素原子が分布している。

本発明に於いては酸素原子の最大分布ｔＣｒｎａｘは、
通常は、前記した様な値を取り得るものであるが、好適
には０．５〜６７　ａｔｏｍｉｃ％、最適にけ１．０　
′６７　ａｔｏｍｉｃ％の範囲から選択されるのが望ま
しいものである。

本発明の光導電部材に於いて１、非晶質層１０３中に含
有される酸素原子は、ｎ１１記した様に非晶質層１０３
の脂摩方向にその含有量の分布が不均一であり、且つ上
部表面位Ｗｔ、又は１．近傍に於いて最大分布量を有し
、上部表面位置ｔ、がら下部表面位置ｔ。に向って、分
布量が減少私する様な分布状態が非晶質層１０３中の層
厚方向に形成される様に所望の分布状態関数に従って、
非晶質層１０３中に添加されることによって、本発明の
所期の目的が効果的に達成されるものであるが、更に非
晶質層１０３全体に於いての含有される＃Ｉ索原子の含
有量も、本発明の所期の目的を達成するのに重要である
。

本発明に於いて、非晶質層１０３中に含有される酸素原
子の全量の値は、通常は、前記【７たｌｋを取り得るも
のであり、更に好適には０．０５〜２０　ａｔｏｍｉｃ
４　、１７１通には０．０５〜１０　ａｔｏ１１１ｉｃ
％の範囲から選択されるのが望ましいものである、本発
明におい又、主としてａ−８ｉ（ｔ（、Ｘ　）で構成さ
れる非晶質１ｍ１０３を形成するには例えばクロー放電
法、スパッタリング法、或いはイオングレーティング法
等の放を現象を利用する真空堆積法によって成される。

例えば、クロー放電法によって非晶質１−を形成するに
は、Ｓｒを生成し得るＳｉ生成原料ガスと共に、水＊原
子導入ＩＩの又は／及びハロゲン原子導入用の原料ガス
を内部が減圧にし得る堆積室内に尋人し−Ｃ１該堆積室
内にグロー放電を生起させ、予めトリｆ定位置に設置さ
れである所定の支持体表面上にａ　−８ｉ（Ｈ＋　ｘ　
）からなる層を形成させれば良い。酸素１皇子を形成さ
れる層中に導入するには、層の成長に併せて、酸系原子
導入用の原料ガスを層の形成時に前記堆積室内に導入し
てやれに良い。

又、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ
、ｍｓ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした
混合ガスの雰囲気中で８ｉで形成されたターゲットをス
パッタリングする際、水素原子父は／及びハロゲン原子
導入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入してや
ればよい。

この際に於ける非晶質層１０３中の酸素原子の導入法と
してれ層の成長に併わせて、酸素原子尋人用の原料ガス
を層形成時に前記堆積室中に導入してやるか、又は、層
形成時に、予め堆積室中に設けた酸素原子導入用のター
ゲットをスパッタリングしてやることが挙げられる。

本発明に於いて非晶質層１０３を形成する際に使用され
るＳｉ生成原料ガスとしては、”［４１８Ｉ１１＠　、
５ｔ３Ｈ＠１　、８１４１１（１等のガス状態の又はガ
ス化し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用される
ものとして挙げられ、殊に、層作成作業の際の扱い易さ
、Ｓ１生成効率の良さ等の点でｆＪｉＨ４゜５ｉ３）Ｉ
＠　　が好ましいものとして挙げられる。

本発明において非晶質１ｉ１０３を形成する際に使用さ
れる・・ロダン原子導入用原料ガスとして有効なのｅよ
、多くのハロゲン化合物が挙げらｒＬ　、例、ｔ　ハロ
ゲン化物、ハロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロゲン
で置換されたシラン誘導体等のガス状態の又はガス化し
得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる。

父、虹には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得るハロゲンを含む硅素
化合物も有効がものとして本発明に於いては挙げること
が出来る。

本発明に於いて好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハＩｆ
ｆゲンガス、ＢｒＦ　、ＣＩ？　、　ＣｌＦ５＋ＢｒＦ
＠　、　ＢｒＦ３　、　ＩＦ７　、　ＩＦＦ　、　ｒｃ
／、　ＩＢｒ　　等のハロゲン間化合物を挙げることが
出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合切、所謂、ハロゲンで置換
されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳｉＦ
４　、５ｉＩＰ＠　、　ＳｉＣ／４　、　ＳｉＢｒ４　
　等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げるとと
が出来る。

この様なハロゲン胞子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｓｉを生成し得る原料ガスとしての水素化
硅素ガスを使用しなくとも、所定の支持体上にａ　−８
ｔ　：　Ｘから成る非晶質層を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む非晶質層１
０３を作成する場合、基本的には、８４生成用の原料ガ
スであるハロゲン化硅素ガスとＡｒ、Ｈｌ、Ｉ・等のガ
スとを所定の混合比とガス流量になる様にして非晶質層
を形成する堆積室内に導入し、グロー放電を生起してこ
れ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによって、
所定の支持体上に非晶質層１０３を形成し得るものであ
るが、水素原子の導入を計る為にこれ等のガスに更に水
素原子を含む硅素化合物のガスも所定量混合して層形成
しても良い。

父、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数棟混
合して使用しても差支えないものである。

反応スパッタリング法或いはイオンブレーティング法に
依って主としてｍ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る非晶質ｆｉ
１０３を形成するには、例えばスパッタリング法の場合
にけ８１から成るターゲットを使用して、これを所定の
ガスプラズマ雰囲気中でスパッタリングし、イオンブレ
ーティング法の場合には１．多結晶シリコン又は単結晶
シリコンを蒸発源として蒸着ボートに収容し、このシリ
コン蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレクトロンビーム法
（ＫＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定の
ガスプラズマ雰囲気中を通過させる事で行う事が出来る
。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中に・・ログン原子を導入
するには、前記の・・ロゲン化合物又は前記のハロゲン
原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガ
スのプラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

父、水素原子を導入する場合には、水ｖｇ１１！子導入
用の原料ガス、例えば、Ｈ！、前記したシラ／類等のガ
スをスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガスのプ
ラズマ雰囲気を形成してやれば良い。

形成される非晶質層中に層厚方向に所望の分布状態を以
って含有される酸素ＪＱ子は、グロー放電法、イオンブ
レーティング法、或いは反応スパッタリング法によって
非晶質層を形成する場合には、酸素原子導入用の原料ガ
スを階の形成時に；−の成長に併せて所望の流量に従っ
て層形成用の堆積室中に導入してやれば良い。

父、スパッターリング法によって非晶質層を形成する場
合には、上記の他、酸素原子導入用のターゲットを前記
堆積室内に設けて置き、層の成長に併せて前記ターゲッ
トをスパッタリングしてやれば良い。

本発明に於いて、酸素原子導入用の原料ガスとして有効
に使用されるものとしては、酸素（０２）。

オゾン（０３）、Ｓｉと０とＨとを構成原子とする。

例えばジシロキサンＥＩｓＳｉ０８１Ｈ，、トＩＪシロ
キサンＨ３８ｉ０８ｉＨ，０８１８，４の低級シロキサ
ン等を挙げる事が出来る。父、酸素原子導入用のターゲ
ットを形成し得る材料として、本発明に於いて有効に使
用されるのは、ｓｔｏ、、　ｓｉｏ等である。

本発明に於いては、非晶質層を形成する際に使用される
ハロゲン導入用の原料ガスとして上記されたハロゲン化
合物或いはハロゲンを含む硅素化合物が有効なものとし
て使用されるものであるが、その他に、ＨＦ、　Ｈｃｊ
、　ＨＢｒ、　ＨＩ　等のハロゲン化水素、５ｉＨ１Ｆ
１　、８ｉＨ■Ｃ１ｇ　、　５ｉＨＣＩ２　ｊｌｉＨｌ
Ｂｒｌ。

５ｉＨＢｒ３等のハロゲン置換水素化硅素等々のガス状
態の或いはカス化し得る、水素原子を構成要素の１つと
するハロゲン化物も有効な非晶質層形成用の出発物質と
して挙げる事が出来る。

これらの水素原子を含むハロゲン化物は、非晶質−形成
の際に層中にハロゲン原子の導入と同時に電気的或いは
光電的特性の制御に惨めで有効な水素原子も導入される
ので、本発明においては好適なハロゲン導入用の原料と
して使用される。

水素１争子を非晶質層中に構造的に導入するには、上記
の他にＨ鵞、或いはＳｉＨ４、５ｔｌＨ＠　、　５ｉ３
Ｈ畠。

８ｉ４自・等の水素化硅素のガスをａ　−３ｉ　を生成
する為のシリコン化合物と堆積室中に共存させて放電を
生起させる事でも行う事が出来る。

例えば、反応スパッタリング法の場合には、８ｉターゲ
ツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス及びＨ，ガス
を必要に応じてｌｉｅ、Ａｒ等の不活性ガスも含めて堆
積室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、前記Ｓｔメ
タ−ットをスパッタリングする事によって、所定の特性
を有し、主としてａ　−８ｉ　（Ｈ，Ｘ　）から成る非
晶質１−が形成される。

更には、不純物のドーピングも兼ねてＢＩＩ（−＋ＰＨ
ｓ＊ＰＦｍ４のガスを導入してやることも出来る。

本発明に於いて、形成される光導電部材の非晶質層中に
含有されるＨ又はＸの駄又は（Ｈ＋Ｘ　）の量は通常の
場合１〜４０　ａｔｏｍｉｃ％、好適には５〜３０　ａ
ｔｏｓａｉｃ％とされるのが望ましい。

層中に含有される■又は／及びＸの１を制御するには、
例えば堆積支持体温度又は／及びＨを含有させる為に使
用される出発物質の堆積装置系内へ導入する量、放電々
力等を制御してやれば良い。

非晶質層をｎ型傾向又はＰ型傾向或いはｉ型とするには
、グロー放電法や反応スパッタリング法等による層Ｊ構
成の際に、ｎ型不純物父は。

型不純物、或いは両不純物を形成される層中にその量を
制御し乍らドーピングしてやる事によって成される。

非晶質層中にドーピングされる不純物としては、非晶質
層を１型又はｐ型傾向にするには、周期律表第■族Ａの
元素、例えば、Ｂ、ムｌ、　Ｇ４゜Ｉｎ、ｒｔ４が好適
なものとして挙げられる。

ｎ型傾向にする場合には、周期律表第■族Ａの元素、例
えばＮ、　　Ｐ、　ＡＩ、８ｂ、Ｂｌ　等が好適なもの
として挙げられる。

本発明に於いて所望の伝導型を有する為に非晶質−中に
導入される不純物の量としては、周期律表第■族Ａの不
純物の場合は３×１ｏ″’１（ＯｍｊＣ係以下の量範囲
でドーピングしてやれば良く、周期律表第Ｖ族＾の不純
物の場合には５　Ｘ　１０−３ａｔｏｇｍｉｃ％以下の
量範囲でドーピングしてやれば良い。

非晶ｖＬ判の層厚は、非晶質層中で発生されるフォトキ
ャリアが効率良く所定の方向に輸送される様に所望に従
って適宜決められ、通常は３〜１００μ、好適には５〜
５０μとされる。

実施例１ 完全にシールドされたクリーンルーム中に設置された第
６図に示す装置を用い、以下の如き操作によって電子写
真用像形成部材を作製した。

表向が清浄にされたＱ、　５　ｔｘ＊厚１０ｃＩＬ角の
モリブデン板（基板）６０９をグロー放電堆積室６０１
内の所定位置にある固定部材６０３に略同に固定した。

基板６０９は、固定部材６０３内の加熱ヒーター６０８
によって±０．５℃の精度で加熱される。Ｍｌｌは、熱
電対（アルメル−クロメル）によって基板裏血を直接測
定されるようになされた。次いで系内の全バルブが閉じ
られていることを確認してからメインバルブ６１０を全
開して、室６０１内が排気され、約５　Ｘ　ＩＱ’Ｔｏ
ｒｒの真空度にした。その後ヒーター６０８の入力電圧
を上昇させ、モリブデン基板温度を検知しながら入力端
子を変化させ、２５０°Ｏの一定値になる°夕で安定さ
せた。

七の後、補助パルプ６４１、次いで流出パルプ６２６，
６２７，６２９及び流入パルプ６２１゜６２２．６２４
を全Ｍｌ、、マスフローコントローラ６１６，６１７，
６１９内も十分脱気真空状態にされた。補助パルプ６４
１１パルプ６２６゜６２７．６２９，６２１，６２２．
６’２４を閉じだ後、Ｈ富で１０ｖｏ／％に稀釈された
ＳｉＨ４ガス（純度９９．９９９係、以下３１Ｈ４ＱＯ
）／Ｈ雪と略す）のボンベ６１１のパルプ６３１．ＩＩ
＠で０．１ｖｏｌ係に稀釈された０１ガス（純度９９．
９９９％、以下Ｏ雪（０，１）／画ｅ　（！：　略ス。

）ボンベ６１２のパルプ６３２を開け、出口圧ゲージ６
３６，６３７の圧を１＃／−２に調整し、流入パルプ６
２１，６２２を徐々に開ケてマスフローコントローラー
６１６，６１７内へｓ＋ｕｉ（１０）／Ｈｓガス、Ｏ寓
（旧）／＆Ｉガスを流入させた。引ぼいて、流出パルプ
６２６，６２７を徐々に開け、次いで補助パルプ６４１
を徐々に開けた。このとき５ｉＨ４（１ｏ）／Ｆｈガス
流量とＯ雪の、ｌ）’ｌｅガス流量の比が１０：０．３
になるようにマスフローコントローラ６１６，６１７を
調整した。

次にビラニーゲージ６４２の読みを注視しながら補助パ
ルプ６４１の開口を調整し、室６０１内がＩ　Ｘ　１Ｏ
−２Ｔｏｒｒになるまで補助パルプ６４１を開けた。室
６０１内圧が安定してから、メインパルプ６１０を徐々
に閉じ、ビラニーゲージ６４２の指示がＱ、ｌ　Ｔｏｒ
ｒになるまで開口を絞った。

ガス流入が安定し内圧が安定するのを確認し続いて高周
波電源６４３のスイッチをＯＮ状態にしてシャッター（
電極を兼ねる。）６０５を閉にして、電極６０３、シャ
ッター６０５間に１３、５６　Ｍｋｌｇの高周波電力を
投入し室６０１内にグロー放電を発生させ、ｌＯＷの入
力電力とした。上記条件を３時間保って光導電性を示す
非晶質層の一部となる下部層領域を形成した。

その後、高周波電源６４３をｏｆｆ状態とし、グロー放
電を中止させた状態で、流出パルプ６２７を閉じ、次に
Ｏ！ガス（純ｔ９９．９９９係）ボンベ６１４からパル
プ６３４を通じて１　ｋｇ　／　ｃｘ＊゛の“ガスｌヒ
（出口圧ゲージ６３９の読み）で、流入パルプ６２４、
流出パルプ６２９を徐々に開いてマスフローコントロー
ラ６１９に０雪ガスｆｒ　Ｋ　Ｌマスフローコントロー
ラ６１９の調整によって０、ガスが、Ｓ＋１（４（１０
）／Ｉｔ　　ガス流量の１／ｌＯになる様にし、安定化
させた。

引き続き、再び１１周波電源６４３をＯＮ状態にして、
グロー放電を再開させた。そのときの入力−力を３Ｗに
した。こうしてグロー放電を史に１０分間持続させて非
晶質層の一部を構成するＥ部１−領域を６００人の厚さ
に形成した後、加熱ヒーター６０８をｏｆｆ状態にし、
高周波電源６４８もｏｆｆ状蝶とし、基板種度が１００
℃になるのを侍ってから流出パルプ６２６．６２９及び
流入パルプ６２１，６２２，６２４を閉じ、メインパル
プ６１０を全開にして、室６０１内を１０’Ｔｏｒｒ以
乍に・した後、メインパルプ６１０を閉じ室６０１内を
リークパルプ６０６によって大気圧として基板をとり出
した。この場合、形成された層の全厚は約９μであった
。こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に
設置し、０５．５ＫＶで０．２１１１Ｃ間コロナ帯輩を
行い、直ちに光像を照射した。光像は、タングステンラ
ンプ光源を用い、１．０　／ａｘ　ｓａｃの光址を透過
型のテストチャートを通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリヤー
を含む）を部材表向にカスケードすることによって、部
材表面上に良好なトナー１儂を得た。部材上のトナー１
儂を、ｅｓ、ｏｘｖのコロナ帯電で転写紙上に転写した
所、解ｆ象力に優れ、噌副外現性のよい鮮明な高濃度の
１儂が得られた。

実施例２ 実施例１と同様にモリブデン基板を設置し続いて実施例
１と同様の操作によってグロー放電堆積室６０１内を５
　Ｘ　１０’Ｔｏｒｒの真空となし、基′板ａ度は２５
０℃に保たれた後実施例１と同様の操作によって補助パ
ルプ６４１、次いで流出パルプ６２６，６２７，６２９
及び流入パルプ６２１，６２２，６２４を全開し、マス
フローコントローラー６１６．　６１７．　６１９内も
十分脱気真空状態にされた。補助パルプ６４１゜パルプ
６２６，６２７，６２９，６２１，６２２゜６２４を閉
じた後、５ｏＨ４（１０）／Ｆｉｘガス（純［９９，９
９９ｔｆｂ）のボンベ６１１のパルプ６３１　、Ｏ，（
０，１）’■Ｃガスボンベ６１２のパルプ６３２を開け
、出口圧ゲージ６３６，６３７の圧を１ｋｇ／♂に調整
し、流入パルプ６２１，６２２を徐々に開けてマスフロ
ーコントローラー６１６，６１７内へ５ｔｕ４（１））
／）Ｔｍガス、ｏ　、（０，１）／璽ｅ　を各々流入さ
せた。

引続いて、流出パルプ６２６，６２７を徐々に開け、次
いで補助パルプ６４１を徐々に開けた。

このとき８ｉＨａ　（１０）／Ｈｍ　ガスｉｔとｏ、（
０，１）／■Ｃガス流量の比が１０：０．３になるよう
にマスフローコントローラー６１６，６１７を調整した
。次にビラニーゲージ６４２の読みを注視しながら補助
パルプ６４１め開口をｗＡ整し、室６０１内がＩ　Ｘ　
１０’Ｔｏｒｔになるまで補助パルプ６４１を開けた。

室６０１内圧が安定してから、メインパルプ６１０を徐
々に閉じ、ビラニーゲージ６４１の指示が０．１丁ｏｒ
ｅになるまで開口を絞った。ガス流入が安定し内圧が安
定するのを確認し続いてシャッター（電極を兼ねる。）
６ｏ５を閉にして高周波電源６４３のスイッチをＯＮ状
態にし、電極６０３，６０５間に１３．５６ＭＨ冨の高
周波電力を投入し室６０１内にグロー放電を発生させ、
１０Ｗの入力電力とした。上記条件で基板上に非晶質層
を、堆積し始めると同時に５ｔｕＦ１４（１０）／　Ｉ
ｓガス流量とＯ，ω、１）／ＩａガｘＲ量の比が、１：
１に力るように調整して、光導電性を示す非晶質層を形
成した。

その後高周波電源６４３をｏｆｆ状態とし、グロー放電
を中止させた状態で流出パルプ６２７を−閉じ、次に０
１ガスボンベ６１４からパルフロ３４を通じてｌ　＃　
／　（ｍ”のガス圧（出口圧ゲージ６３９の読み）で、
流入パルプ６２４．ｒＩｔ、出ハルフロ　２９　を徐々
ニ開いてマスフローコントｏ−：＞６１９４Ｃｏ、ガス
ｔ−ＫＬマスフローコントローラ６１９の調整によって
Ｏ，ガスが！９１１（４α（１／Ｆｉｌガス流量の１／
１０　になるようにし安定させた。

引き続き、再び高周波電源６４３をＯＮ状態にして、グ
ロー放電を再開させた。そのときの入力電力を３Ｗにし
た。こうしてグロー放電を更に１５分間持続させて上部
障壁層を形成した後、加熱ヒーター６０８をｏｆｆ状態
にし、高周波電５６４３もｏｆｆ状態とし、基板温度が
１００℃になるのを侍ってから流出パルプ６２６，６２
９及び流入パルプ６２１，６２２，６２４を閉じ、メイ
ンパルプ６１０を全開にして、室６０１内を１０’Ｔａ
ｒｒ以下にした後、メインパルプ６１０を閉じ室６０１
内をリークパルプ６０６によって大気圧として基板を取
抄出した。この場合、形成された層の全厚は約１５μで
あった。この像形成部材に就て、実施例１と同様の条件
及び手順で転写紙上に５ｂＪ−像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例３ 実施例１と同様にモリブデン基板を設置し、続いて実施
例１と同様の操作によってグロー放電堆積室６０１内を
５８１０’丁◎「ｒの真空となし、基板温度は２５０℃
に保たれた後実施例１と同様の操作−によって補助パル
プ６４１、次いで流出パルプ６２６，６２７、及び流入
パルプ６２１゜６２２を全開し、マスフローコントロー
ラ６１６゜６１７内も十分脱気真空状態にされた。補助
パルプ６４１１パルプ６２６，６２７．６２−１゜６２
２を［じた後、８１Ｈ４（１（１／Ｈａ　カ、ｘ、　（
純ｔ−９９，９９９％）のポジペロ１１のパルプ６３１
　、０ｘ（０，１１ｅガスのボンベ６１２のパルプ６３
２を開ケ、出口圧ゲージ６３６，６３７の圧を１４／扉
に調整し、流入パルプ６２１，６２２を徐々に開けてマ
ス７　ａ　−＝ｔ　７　トｏ−ラ６１６，６１７内へ８
１Ｈ４Ｑｌ１７４［１ガス、Ｏ！ω、ＩＶムを各々流入
させた。引続いて、流出パルプ６２６，６２７を徐々に
開け、次いで補助パルプ６４１を徐々に開けた。このと
きｇｔＨ４ａｏ／Ｉｓガス流量とｏ、Φ１　）’Ｉｓガ
ス流量比が１０：０．３になるように流入パルプ６２１
，６２２を調整した。

次にビラニーゲージ６４２の読みを注視しながら補助パ
ルプ６４１の開口を調整し、室６０１内がＩ　Ｘ　１０
’Ｔｏｒｒに彦るまで補助パルプ６４１を開けた。室６
０１内圧が安定してから、メインパルプ６１０を徐々に
閉じ、ビラニーゲージ６４１の指示が０．１　Ｔｅｒｒ
になるまで開口を絞った。ガス流入が安定し内圧が安定
するのを確認し続いてシャッター（電極を兼ねる。）６
０５を閉にして高周波電源６４３のスイッチをＯＮ状態
にし、電極６０３，６０５間に１３．５６　ＭＨＩの高
周波電力を投入し室６０１内にグロー放電を発生させ、
ｌＯＷの入力電力とした。上記条件で基板上に光導電層
を堆積し始めると同時に５ａＨ’ｌｔｌＫＭって、マス
フローコン）ｏ−−ｐ　　−６１７の流量設定置を連続
的に増加し、５時間後のＳｉ　Ｈ４（Ｊ／’Ｈ＠ガス流
量と（ｈ（０，１）／Ｉｓ　カスＩｔ、　ｔ　比カ、１
　：１０になるようにＩＪ！４１１シた。

こうして光導電性を示す非晶質層を形成し先後、加熱ヒ
ーター６０Ｂをｏｌｅ状態にし、高周波電源６４３もｏ
ｆｆ状態とし、基板温度が１００℃になるのを待ってか
ら流出パルプ６２６，６２７及び流入パルプ６２１，６
２２を閉じ、メインパルプ６１Ｇを全開にして、室６０
１内を１０４Ｔ＠ｒｒ以下にした後、メインパルプ６１
０を閉じ室６０１内をリークパルプ６０６によって大気
圧として基板をｋｌｌり出した。この場合、形成された
層の全厚は約１５μであった。この傷形成部材に就て、
実施例１と同様の条件及び手順′で転写紙上に画像を形
成し九ところ極めて鮮明な１ｉｉ（＊が得られた。

実施例４ ８ｉＨ４ＱＱ／Ｈｍガスボンベ６１１を８ｉＦ４ガス（
Ｈ度９９．９９９僑）ボンベに、’ｈ（０，１）／ｌ＠
ガスボンベ６１２を、酸素を０゜２マ・ｔｑｂ含むアル
ゴン（以ンペに代え、又元尋電虐示す非晶質層の堆積初
期時のＳ凰Ｆ４ガスｔＡ乙門と、ｏ、　（ｏ、２　）／
ム「ガス直重の比をｌ：０．６に設定して、層形成を開
始し非晶質層の堆積終了時のＳｉＦ４ガス流量とＯｍ（
０，２）／＾ｒガス流曖を、連続嶋−加させ、更にグロ
ー放電の入力電力をｉｏｏｗにした以外は、実施例３と
同様の操作条件にてモリブデン基板上に光導電性を示す
非晶質層を形成した。この場合形成された膚の厚さは、
約１８μであった。この津形成郡材に就て、実施例１と
同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成し九ところ
極めて鮮明なＩｔｈｉ儂が得られた。

実施例５ 実施例１と同様にモリブデン基板を設置し続いて実施例
１と同様の操作によってグロー放電堆積室６０１内を５
　Ｘ　１０’Ｔａｒｒの真空となし、基板ｉ！度は２５
０℃に保たれた後、補助パルプ６４１、次いで流出パル
プ６２６．　６２７．　６２８゜６２９及び流入パルプ
６２１，６２２，６２３゜６２４ｔｌａＬ、マスプロー
コントローラ６１６゜６１７．６１８，６１９内も十分
脱気真空状態にされた。

補助パルプ６４１．パルプ６２６，６２７゜６２８、−
６２９，６２１，６２２，６２３，６２４を閉じた（＆
　８ｉＨ４０（１／−ガスのボンベ６１１のパルプ６３
１，０冨ＣＯ，Ｗｋガスのボンベ６１２のパルプ６３２
．Ｈ，で５０　ｔｏ７　ｐｐｍに希釈されたＢＩＨ＠ガ
ス（純−［９９，９９９％、以下ｈＨ＠（５０）／Ｈ，
と略す。）ボンベ６１３のパルプ６３３を開け、出口圧
ゲージ６３６，６３７，６３８の圧を１ｋｇ／ａｄに調
整し、流入パルプ６２１，６２２，６２３を徐々に開ケ
てマスフローコントローラー６１’６゜６１７．６．１
８内へ８１ＨａＱ（１／Ｈａ　カス、０ｓ（０，１）／
ｉｓガス、Ｂ、Ｈ，（５０）／Ｈ１ガスを流入させた。

引続いて、流出パルプ６２６，６２７，６２８を徐々に
開け、次いで補助パルプ６４１を徐々に開けた。このと
き８ｉＨ４（Ｉｌｌ／Ｈｌガス流菫と０茸Φ、１　）／
ｌｉｅガスＩｌｔ量の比が１０　：　０．３　、　！１
ｌＨ４０（１／Ｈ雪ガス流量　とＢ鵞Ｈａ（５０）／Ｈ
鵞ガス流量の比を５０＝１になるようにマスフローコン
トローラ６１６，６１７．ｓｔｇを調整した０次にビラ
ニーゲージ６４２の読みを注視しながら補助パルプ６４
１の開口をｉＡ整【２、室６０１内がＩ　Ｘ　１０′Ｔ
ａｒｒになるまで補助パルプ６４１を開けた。室６０１
内圧が安定してから、メインパルプ６１０を徐々に閉じ
、ビラニーゲージ６４２の指示がＱ、　ｌ　Ｔｏｒｒに
なるまで開口を絞った。ガス流入が安定し内圧が安定す
るのを確認し続いて高周波電源６４３のスイッチをＯＮ
状態にしてシ゛ヤツター（ｔＪｔ極を兼ねる。）６０５
を閉にして、電極６０３．シャッター６０５間に１３．
５６　ＭＦＩｇの高周波電力を投入し室６０１内にグロ
ー放電を発生させ、ｌＯＷの入力電力とした。上記条件
を３時間保って光導電性を示す非晶質層の一部を構成す
る下部１−領域を形成した。その後、高周波電源６・１
３をｏｆｆ状態とし、グロー放電を中止させた状態で、
流出パルプ６２７．　６２８を閉じ、０クガスボ／ペロ
１４からパルプ６３４を通じて１ｋｇ／ｃｄのガス圧（
出口圧ゲージ６３９の銃み）で、流入パルプ６２４流出
バルブ６２９を徐々に開いてマスフローコントローラ６
１９にヘガスｔ−ＭＬマスフローコントローラ６１６．
　６ｔｓｏｌａ！整によ、つてヘガスが、ｇｉＨ４（ｉ
ｌｌ／’Ｈ＋ガスの流量のＩＡＯになる様に安定化させ
た。

引き続き、再び高周波電源６４３をＯＮ状態にして、グ
ロー放電を再開させた。そのときの人力電力を３Ｗにし
た。こうしてグロー放電を劇に１０分間持続させて非晶
質層の一部となる上部層領域を６００五の厚さに形成し
た後、加熱ヒーター６０８をｏｆｆ状態にし、高周波電
源６４３もｏｆｆ状態とし、基板温度が１００℃になる
のを待ってから流出パルプ６２６，６２９及び流入パル
プ６２１，６２２，６２３，６２４を閉じ、メインパル
プ６１０を全開にして、室６０１内を１０４〒ｏｒｅ以
下にした後、メインパルプ６１０を閉じ室６０１内をリ
ークパルプ６０６によって大気圧として基板をと抄出し
た。この場合、形成された層の全厚は約９μであった。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置し、θ５．ＳＫＹで０．２８間コロナ帯電を行い、直
ちに光像を照射した。光像は、タングステンランプ光源
を用い、１．０　／ａｘ　−５ａｃの光−を透過型のテ
ストチャートを通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとギヤリヤー
を含む）を部材表面にカスケードすることによって、部
材表面上に良好なトナー１曲像を得た。部材上のトナー
画１家を、ｅｓ、ｏｘｖのコロナ帯電で転写紙上に転写
した所、解偉力に侵れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度
のｔｈ像が得られた。

次に上記儂形成部材に就で、帯電露光実験装置でｅｓ、
ｏ　Ｋ　ｖ−ｔ’０．２ｓｅｅｉ４１ｏ）　ｏ　−を帯
電を行イ、直ちに０．８１ｕｘ＠ｗｗｚの光量で画像露
光を行い、その後直ちにθ荷電性の現像剤を部材表向に
カスケードし、次に転写紙上に転写・定着したところ極
めて鮮明な画像が得られた。

この結果と先の結果から、本実施例で得られた電子写真
用像形成部材は、帯電極性に対する依存性がなく両極性
像形成部社の特性を具部材ていることが判った。

実施例６ 第６図に示す装置を用い、以下の如き操作によって電子
写真用像形成部材を作成した。

位置にある固定部材６０３に堅固に固定した。

俤）を設置したものである。基板６０９は、固定部材６
０３内の加熱ヒーター６０８によって±０．５℃の精度
で加熱される。温度は、熱電対（アルメル−クロメル）
によって基板裏面を直接測定されるようになされた。次
いで系内の全パルプが閉じられていることを確認してか
らメインバルブ６１０を全開して一旦５　Ｘ　１０４ｔ
ｏｒｒ程度まで真空にされ（このとき、系のパルプは閉
じられている）、補助パルプ６４１および流出パルプ６
２６，６２７，６２９，６３０が開かれマスフローコン
トローラ６１６，６１７，６１９，６２０内が十分に脱
気された後、流出バルブ６２６゜６２７，６２９，６３
０　　と補助バルブ６４１が閉じられた。アルゴン（純
度９９．９９（［６）　　ガスボンベ６１５のバルブ６
３５を開け、出口圧力針６４０の銃みが１　ｋｇ　／　
ｃｍ”になる様に調整され九仕、流入バルブ６２５が開
けられ、続いて流出パルプ６３０が徐々に開けられ、ア
ルゴンガスを室６０１内に流入させた。ピラニーゲージ
６１１の指示が５×１０″ｔａｒｔになるまで、流出パ
ルプ６３０が徐々に開けられ、との状態で流にが安定し
てから、メインバルブ６１０が徐々に閉じられ、室内圧
がＩ　Ｘ　１０−２ｔｏｔｒになるまで開口が絞られた
。シャッター６０５を開として、マスフローコントロー
ラー６２０が安定するのを確認してから、高周波電源６
４３をＯＮ状態にＬ　、ターゲット６０４および固定部
材６０３間に１３．５６ＭＨｚ、］　ＯＯＷの交流電力
が入力された。

この条件で安定した放電を続ける様にマツチングを敗り
、層を形成した。この様にして１分間放電を続けて１０
０λ１すの下部障壁層を形成した。その後高周波電源６
４３をｏｆｆ状態にし、放電を一珪中止させた。引き続
いて流出パルプ６３０を閉じ、メインバルブ６１０を全
開して室６０１内のガスを抜き、５Ｘ１０’竜ｏｔｒま
で真空にした。その後ヒータ６０８の入力電圧を上昇さ
せ、基板温度を検知しながら入力電圧を変化させ、２０
０℃の一定値になるまで安定させた。その後は、実施例
１と同様の操作、条件にて光導電性を示す非晶質層を形
成した。このようにして得られた像形成部材を実施例１
と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したとこ
ろ極めて鮮明な画質が得られた。

実施例７ 実施例４の酸素を０．２ｖｏ／％含むアルゴンガスボン
ベ６１２を酸素を０．２マｏ１４）含むヘリウムガスボ
ンベに代えた以外は実施例４と同様の操作、条件にてモ
リブデン基板上に光導電性を示す非晶質層を形成した。

この場合形成された層の厚さは約１５μであった。この
像形成部材に就て実施例１と同様の条件及び手順で転写
紙上に自儂を形成したところ憔めて鮮明な画像が得られ
た。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光導電部材の好適な実施態様例の層構
造を説明する為の模式的構成図、第２図乃至第５図は各
々本発明の光導電部材の非晶質ｊ−中に含有される１ｊ
ＩＩ；Ｊ原子の分布状態を説明する為の模式的説明図、
第６図は本発明の光導電部材を作成する為の装置の一例
を示す模式的説明図である。 １００・−光導電部材、　　１０１・・・支持体、１０
２・・・障壁層、１０３・・・非晶質層。 出願人　　キャノン株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 光導電部材用の支持体と、シリコン原子を母体とする非
   晶質材料で構成され、光導電性を小す非晶質層と、障壁
   層とを有し前記非晶質層は、少なくともその一部に酸素
   原子を含有する層領域を有し、該層領域に於ける酸素原
   子の分布が層の厚み方向には不均一であって、前記層領
   域に含有されている酸素原子が前記支持体とは反対の表
   面側の方に多く分布してる事を特徴とする光導電部材。