JPS5884429A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS5884429A JPS5884429A JP56182466A JP18246681A JPS5884429A JP S5884429 A JPS5884429 A JP S5884429A JP 56182466 A JP56182466 A JP 56182466A JP 18246681 A JP18246681 A JP 18246681A JP S5884429 A JPS5884429 A JP S5884429A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- coating material
- resist
- pmma
- evaporates
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/36—Imagewise removal not covered by groups G03F7/30 - G03F7/34, e.g. using gas streams, using plasma
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はりソグラフイ技術におけるレジスト膜パターン
の新規な形成方法に関する。
の新規な形成方法に関する。
半導体製造に際して、微細加工するために表面にレジス
ト暎を塗布し、レジ・スト膜゛パターンを形成して、こ
れを保護材として半導体層を加工しており、このような
レジスト膜パターンの精度が半導体装置の特性に大きな
影響を与えることは公知のとおりである。したがって、
レジスト膜材料、換言すれば高分子塗膜材料は良く研究
されて、感度や解像度も改良されてきた。又、照射する
エネ゛μギーも光、電子線、Ｘ線などが用いられて、微
細パターンを高精度に形成できるようになってきた。
ト暎を塗布し、レジ・スト膜゛パターンを形成して、こ
れを保護材として半導体層を加工しており、このような
レジスト膜パターンの精度が半導体装置の特性に大きな
影響を与えることは公知のとおりである。したがって、
レジスト膜材料、換言すれば高分子塗膜材料は良く研究
されて、感度や解像度も改良されてきた。又、照射する
エネ゛μギーも光、電子線、Ｘ線などが用いられて、微
細パターンを高精度に形成できるようになってきた。
ところで、従来のパターン形成方法は、何れもエネルギ
ーを照射した後、現像液に浸漬し、照射領域を溶解除去
しくポジ型レジストの場合）、あるいは未照射領域を溶
解除去しくネガ型レジストの場合）たりして、パターン
を形成する０例えば。
ーを照射した後、現像液に浸漬し、照射領域を溶解除去
しくポジ型レジストの場合）、あるいは未照射領域を溶
解除去しくネガ型レジストの場合）たりして、パターン
を形成する０例えば。
第１図（ａ）〜（０）に示しているようにシリコン基板
ｌ上にポジ型しジス）ＩＩ２を塗布した（第１図■）後
、上面より光を照射して化学変化を起させる。
ｌ上にポジ型しジス）ＩＩ２を塗布した（第１図■）後
、上面より光を照射して化学変化を起させる。
（第１図（至））次いで有機溶剤に浸漬して、レジス１
−１１［２の変化領域を溶解除去する。（第１図（Ｏ）
）しかしこのような現像処理を伴なうパターン形成方法
では、真空中でエネルギー照射処理即ち露光処理を行な
っても、それを大気中に一旦取り出して現像液に浸漬し
なければならないから、汚れが付着したり、変形して折
角の高精度なパターンを悪くする心配があり、工程処理
の簡略化・短縮化のための連続処理が難しい。
−１１［２の変化領域を溶解除去する。（第１図（Ｏ）
）しかしこのような現像処理を伴なうパターン形成方法
では、真空中でエネルギー照射処理即ち露光処理を行な
っても、それを大気中に一旦取り出して現像液に浸漬し
なければならないから、汚れが付着したり、変形して折
角の高精度なパターンを悪くする心配があり、工程処理
の簡略化・短縮化のための連続処理が難しい。
本発明はかような問題点を解消させることを目的とし、
その特徴はエネルギーを吸収して蒸発する高分子塗膜材
料を基板上に塗布し、荷電粒子ビーム、特にイオンビー
ムを照射して所定領域の簡暎材料を蒸発除去させるパタ
ーン形成方法であり、以下詳細に説明す・る。
その特徴はエネルギーを吸収して蒸発する高分子塗膜材
料を基板上に塗布し、荷電粒子ビーム、特にイオンビー
ムを照射して所定領域の簡暎材料を蒸発除去させるパタ
ーン形成方法であり、以下詳細に説明す・る。
本発明に適用される高分子塗膜材料は、エネルギーを吸
収した部分がその熱により蒸発するものであり、解像性
の点から熱伝導率の低いものが好ましく、具体的にはメ
タクリル酸ポリマーでＳｔ成されるレジスト、例えばＰ
ＭＭＡがこれに相当す今。ＰＭＭＡは従来よシ光あるい
は電子線が照射されると分子量が減少する分解型の高分
子材料として周知のもので、塗布後１０５〜１１０℃に
加熱してガラス化されるし、又、２４０〜２６０℃に加
熱すれば、蒸発させることができる。
収した部分がその熱により蒸発するものであり、解像性
の点から熱伝導率の低いものが好ましく、具体的にはメ
タクリル酸ポリマーでＳｔ成されるレジスト、例えばＰ
ＭＭＡがこれに相当す今。ＰＭＭＡは従来よシ光あるい
は電子線が照射されると分子量が減少する分解型の高分
子材料として周知のもので、塗布後１０５〜１１０℃に
加熱してガラス化されるし、又、２４０〜２６０℃に加
熱すれば、蒸発させることができる。
本発明はこれらの性質に着目した形成方法であり、一実
施例を第２図四〜（至）に示す。第２図（ａ）に示すよ
うに、シリコン基板ｔｔｌにＰＭＭＡ ｌ ２をスピン
コーターで塗布した後、温度１５０℃でプリベークして
膜厚１ｇｍ の被膜とする。次いで、第２図中）に示す
ように、金（Ａｕ）マヌク１８を表面に設けて、ＰＭＭ
Ａｌｌ１２を残存させる領域を遮蔽し、基板全体を１０
５℃に加熱しておいて、上面より全面にプロトンビーム
を照射する。プロトンビームはプラズマ発生器より出射
させて、加速エネルギーを２００ＫｅＶ、 照射量６Ｘ
１０１４／ａＩ” 、 ４オン電流１μＡにする。そう
すれば、照射領域は図示のように蒸発して、パターンユ
ングされる。
施例を第２図四〜（至）に示す。第２図（ａ）に示すよ
うに、シリコン基板ｔｔｌにＰＭＭＡ ｌ ２をスピン
コーターで塗布した後、温度１５０℃でプリベークして
膜厚１ｇｍ の被膜とする。次いで、第２図中）に示す
ように、金（Ａｕ）マヌク１８を表面に設けて、ＰＭＭ
Ａｌｌ１２を残存させる領域を遮蔽し、基板全体を１０
５℃に加熱しておいて、上面より全面にプロトンビーム
を照射する。プロトンビームはプラズマ発生器より出射
させて、加速エネルギーを２００ＫｅＶ、 照射量６Ｘ
１０１４／ａＩ” 、 ４オン電流１μＡにする。そう
すれば、照射領域は図示のように蒸発して、パターンユ
ングされる。
上記はマヌク１８を用いた一括転写方式であるが、その
池に電子線照射法で行われているビームスキャン方式で
、絞ったビームによりスキャンユングしても同様にパタ
ーンユングすることができる。又、基板１１を加熱せず
に、それだけ強力なエネルギーを照射すれば、同じく照
射領域を蒸発させてパターンユングすることが可能であ
る。
池に電子線照射法で行われているビームスキャン方式で
、絞ったビームによりスキャンユングしても同様にパタ
ーンユングすることができる。又、基板１１を加熱せず
に、それだけ強力なエネルギーを照射すれば、同じく照
射領域を蒸発させてパターンユングすることが可能であ
る。
又、イオンビームは種々の元素を用いることができるが
、水素（Ｈ）イオンのような軽いイオンが適しており、
重いイオンは余り厚い膜厚をすべて蒸発させることはで
きない。
、水素（Ｈ）イオンのような軽いイオンが適しており、
重いイオンは余り厚い膜厚をすべて蒸発させることはで
きない。
したがって、厚い膜厚のレジスト膜をパターンユングし
て問題なく蒸発させるには、上記例のように基板を加熱
して熱エネルギーを補助し、プロトン（陽子）ビームを
照射する方法が望ましく、又露光方式は一括露光又はビ
ームスキャンの何れでもよい。
て問題なく蒸発させるには、上記例のように基板を加熱
して熱エネルギーを補助し、プロトン（陽子）ビームを
照射する方法が望ましく、又露光方式は一括露光又はビ
ームスキャンの何れでもよい。
以との説明から判るように、本発明は現像処理工程が省
略されて、且つパターンを高精度に保持シ、シかもレジ
スト膜パターンの密着性などの開−もなくなり、パター
ンの品質向とにも役立つ方法である。
略されて、且つパターンを高精度に保持シ、シかもレジ
スト膜パターンの密着性などの開−もなくなり、パター
ンの品質向とにも役立つ方法である。
第１図（ａ）〜（Ｑ）は従来のパターン形成方法を示す
図、第２図れ）、（６）は本発明Ｋか−るノ（ターン形
成４方法を示す図で、図中１．１１はシリコン基板、２
はポジ型しジス）、１２はＰＭＭＡ、１８は金マスクで
ある。 第１図 第２図
図、第２図れ）、（６）は本発明Ｋか−るノ（ターン形
成４方法を示す図で、図中１．１１はシリコン基板、２
はポジ型しジス）、１２はＰＭＭＡ、１８は金マスクで
ある。 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 エネルギーを吸収して蒸発する高分子塗膜材料を、基板
上に塗布し、荷電粒子ビームを照射して。 所定領域の高分子塗膜材料を蒸発除去させる工程からな
ることを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56182466A JPS5884429A (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56182466A JPS5884429A (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5884429A true JPS5884429A (ja) | 1983-05-20 |
Family
ID=16118747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56182466A Pending JPS5884429A (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5884429A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS647524A (en) * | 1987-06-29 | 1989-01-11 | Nec Corp | Alignment mark detection |
-
1981
- 1981-11-13 JP JP56182466A patent/JPS5884429A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS647524A (en) * | 1987-06-29 | 1989-01-11 | Nec Corp | Alignment mark detection |
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