JPS5887836A - 基板およびそれを用いたペレツトボンデイング方法 - Google Patents
基板およびそれを用いたペレツトボンデイング方法Info
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- JPS5887836A JPS5887836A JP56185429A JP18542981A JPS5887836A JP S5887836 A JPS5887836 A JP S5887836A JP 56185429 A JP56185429 A JP 56185429A JP 18542981 A JP18542981 A JP 18542981A JP S5887836 A JPS5887836 A JP S5887836A
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- substrate
- solvent
- epoxy paste
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/411—Chip-supporting parts, e.g. die pads
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
- H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
- H10W70/681—Shapes or dispositions thereof comprising holes not having chips therein, e.g. for outgassing, underfilling or bond wire passage
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- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
- H10W72/07351—Connecting or disconnecting of die-attach connectors characterised by changes in properties of the die-attach connectors during connecting
- H10W72/07353—Connecting or disconnecting of die-attach connectors characterised by changes in properties of the die-attach connectors during connecting changes in shapes
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
- H10W72/331—Shapes of die-attach connectors
- H10W72/334—Cross-sectional shape, i.e. in side view
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はエポキシペーストヲ用いて半導体ペレットヲ基
板上にボンディングするベレットボンディング方法に関
する。
板上にボンディングするベレットボンディング方法に関
する。
従来、この樵のベレットボンディング方法においては、
基板１の上にベレット２をエポキシペースト３で固定し
ている。
基板１の上にベレット２をエポキシペースト３で固定し
ている。
しかし、このような従来のベレットボンディング方式で
は、基板１は一定の厚さの版状のベレットボンディング
部を有するものであるので、エポキシペースト中の溶剤
を全部除去できないという問題があった。丁なわち、ベ
レントボンディング後キエアベークを、たとえば２００
Ｃで１時間行なうがエポキシペーストに含まれる溶剤は
ベレット２および基板１を通過できないので、エポキシ
ペースト中をベレット周辺まで拡散し、大気中に飛散す
る。
は、基板１は一定の厚さの版状のベレットボンディング
部を有するものであるので、エポキシペースト中の溶剤
を全部除去できないという問題があった。丁なわち、ベ
レントボンディング後キエアベークを、たとえば２００
Ｃで１時間行なうがエポキシペーストに含まれる溶剤は
ベレット２および基板１を通過できないので、エポキシ
ペースト中をベレット周辺まで拡散し、大気中に飛散す
る。
この場曾、ベレット端Ａから近い距離ＸＩにあるＢから
は溶剤が２００Ｃ１時間で答易に抜は出れる。一方、ベ
レット端Ａから遠い距離にあるＣ点からは溶剤が２００
ｔ：”で１時間のベータで抜けきれない。抜けきれずに
残った溶剤はその鎌のワイヤボンディング時の加熱にエ
リ出て来てベレットを汚し、ワイヤボンディングの接合
強度を著し〈低下させる。またその後のレジンモールド
後ペレットとレジンの密着性を低下させ、耐湿性を劣化
させる。またモールド時のギーアベークとか、その後の
加熱処理時に、残っていた溶剤がレジンモールドとベレ
ットの間に出て米て、レジンモールドとベレットの密着
性を低下させろ。
は溶剤が２００Ｃ１時間で答易に抜は出れる。一方、ベ
レット端Ａから遠い距離にあるＣ点からは溶剤が２００
ｔ：”で１時間のベータで抜けきれない。抜けきれずに
残った溶剤はその鎌のワイヤボンディング時の加熱にエ
リ出て来てベレットを汚し、ワイヤボンディングの接合
強度を著し〈低下させる。またその後のレジンモールド
後ペレットとレジンの密着性を低下させ、耐湿性を劣化
させる。またモールド時のギーアベークとか、その後の
加熱処理時に、残っていた溶剤がレジンモールドとベレ
ットの間に出て米て、レジンモールドとベレットの密着
性を低下させろ。
一方、溶剤を全部飛び出させようと−ｆ６と１０時間と
か、２０時間のベークが会費となり、素子特性上好まし
くなく、また大量のベ−り炉を準備しなければならず、
運転費用も大きい１゜本発明の目的は、前記従来技術の
欠点を解消し、エポキシペースト中の溶剤のガス４・容
易に放出させ、良好なベレットボンディングを行うこと
のできる基板およびそれを用いたベレットボッディング
方法を提供することにりる。
か、２０時間のベークが会費となり、素子特性上好まし
くなく、また大量のベ−り炉を準備しなければならず、
運転費用も大きい１゜本発明の目的は、前記従来技術の
欠点を解消し、エポキシペースト中の溶剤のガス４・容
易に放出させ、良好なベレットボンディングを行うこと
のできる基板およびそれを用いたベレットボッディング
方法を提供することにりる。
この目的を達成するため、本発明１−シ、半導体ペレｙ
トＹエポキシペーストナ用いてベレットホンディングす
るときに、エポキシペーストからの溶剤のガスがキュア
ベーク中に短時間に全部飛んでしまうように孔の開いた
基板を用い４）こと′？特徴以下、本発明を図面に示す
一実施例にしたがって詳細に説明する。
トＹエポキシペーストナ用いてベレットホンディングす
るときに、エポキシペーストからの溶剤のガスがキュア
ベーク中に短時間に全部飛んでしまうように孔の開いた
基板を用い４）こと′？特徴以下、本発明を図面に示す
一実施例にしたがって詳細に説明する。
第２図（Ａ） 、 （Ｂ）は本発明の一実施例を示すも
ので半導体ベレット２′？エポキシペースト３を用いて
基板４にベレットホンディングしたもσ）である。
ので半導体ベレット２′？エポキシペースト３を用いて
基板４にベレットホンディングしたもσ）である。
基板４のベレットボンディング部にはエポキシペースト
からの溶剤が飛び易いように孔５を設けておく。孔５は
この実施例の場合２個設けており、ベレット２中央近傍
のエポキシペースト３に含まれる溶剤が容易にこの孔５
を通して飛び易いようにしである。一方、孔５の大きさ
が大き丁ぎるとそこからエポキシペーストが流れ出し、
ベレットボンディングをすることができなくなる。この
ため孔５の形状は一例と【２て幅１鵡、長さ３謁の矩形
とした。
からの溶剤が飛び易いように孔５を設けておく。孔５は
この実施例の場合２個設けており、ベレット２中央近傍
のエポキシペースト３に含まれる溶剤が容易にこの孔５
を通して飛び易いようにしである。一方、孔５の大きさ
が大き丁ぎるとそこからエポキシペーストが流れ出し、
ベレットボンディングをすることができなくなる。この
ため孔５の形状は一例と【２て幅１鵡、長さ３謁の矩形
とした。
本実施例によれば、基板４のベレットボンディング部に
孔５を設けであることにエリ、エポキシペースト３中の
溶剤がキュアベーク中間中に孔５から全部飛ぶので、そ
の後のワイヤボンディングやレジンモールドの工程でエ
ポキシペーストからの溶剤によるベレットや基板の汚染
を確実に防止できる。
孔５を設けであることにエリ、エポキシペースト３中の
溶剤がキュアベーク中間中に孔５から全部飛ぶので、そ
の後のワイヤボンディングやレジンモールドの工程でエ
ポキシペーストからの溶剤によるベレットや基板の汚染
を確実に防止できる。
これは孔のおいていない基板に比ベエボキシペーストか
ら短時間で溶剤が飛び吊下ためである。
ら短時間で溶剤が飛び吊下ためである。
溶剤の拡散時間ｔは外部までの距離Ｘの２乗に比例する
と近似されｔ＝ｋｘ２（ｋ：比例定数）となる。従来の
場合には外部に対して最も遠い距離は、第１図に示すよ
うに、ベレットの中央であり、一方、本発明によるｍ２
凶の実施例の場合には、り小さくなり、本実施例では迅
速な醇Ａｌｌ放出作用が得られることがわかる。
と近似されｔ＝ｋｘ２（ｋ：比例定数）となる。従来の
場合には外部に対して最も遠い距離は、第１図に示すよ
うに、ベレットの中央であり、一方、本発明によるｍ２
凶の実施例の場合には、り小さくなり、本実施例では迅
速な醇Ａｌｌ放出作用が得られることがわかる。
以上基板に孔を２個開けた場合の例について説明し１こ
が、本発明はかかる場合に限定されるものでなく、孔は
１個以上何個であっても良い。また孔の形状も矩形に限
定されず円形、十字形、三角形など加工ができればどん
な形でも効果がある。
が、本発明はかかる場合に限定されるものでなく、孔は
１個以上何個であっても良い。また孔の形状も矩形に限
定されず円形、十字形、三角形など加工ができればどん
な形でも効果がある。
また、孔はプレスで開けても、エツチング等で開けても
よく、その形状に関係しない。
よく、その形状に関係しない。
以上説明したように、本発明によれば、エポキシペース
ト中の溶剤を迅速に放出でき、確実なベレットボンディ
ングを行うことができる。
ト中の溶剤を迅速に放出でき、確実なベレットボンディ
ングを行うことができる。
第１図は従来のベレットボンディング状態を示す断面図
、第２１囚と（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施例を示す
断面図と平面図である。 ２・・・ベレット、３・・・エポキシペースト、４・・
・基板、５・・・エポキシペースト中の溶剤の放出用の
孔。
、第２１囚と（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施例を示す
断面図と平面図である。 ２・・・ベレット、３・・・エポキシペースト、４・・
・基板、５・・・エポキシペースト中の溶剤の放出用の
孔。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体ペレットヲエポキシペーストによりボンディ
ングするための基板において、ベレットボンディング部
にエポキシペースト中の溶剤のガスを放出する孔を有す
ることを特徴とする基板。 ２、前記孔が基板のベレットボンディング部に複数個設
けられていること暑特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の基板。 ３、半導体ベレットをエポキシペーストによりボンディ
ングする方法において、ベレットボンディング部にエポ
キシペースト中の溶剤のガスを放出するための孔を有す
る基板を用いることを特徴と７るベレットボンディング
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56185429A JPS5887836A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 基板およびそれを用いたペレツトボンデイング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56185429A JPS5887836A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 基板およびそれを用いたペレツトボンデイング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5887836A true JPS5887836A (ja) | 1983-05-25 |
Family
ID=16170625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56185429A Pending JPS5887836A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 基板およびそれを用いたペレツトボンデイング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5887836A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60249351A (ja) * | 1984-05-24 | 1985-12-10 | Fujitsu Ltd | 沸騰冷却型回路基板と冷媒液中での配置構造 |
| JPS60254644A (ja) * | 1984-05-31 | 1985-12-16 | Fujitsu Ltd | 沸騰冷却用回路基板の実装構造 |
| JPH0268936A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-08 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置 |
-
1981
- 1981-11-20 JP JP56185429A patent/JPS5887836A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60249351A (ja) * | 1984-05-24 | 1985-12-10 | Fujitsu Ltd | 沸騰冷却型回路基板と冷媒液中での配置構造 |
| JPS60254644A (ja) * | 1984-05-31 | 1985-12-16 | Fujitsu Ltd | 沸騰冷却用回路基板の実装構造 |
| JPH0268936A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-08 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置 |
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