JPS5888626A - 原子吸光分光光度計用放射線源ランプ組立体とそれを用いる分光光度計 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は原子共鳴線源ランプ及びこのようカランブと共
に用いる分光光度計に関するものである。

ランプ電源装置により動作させられた時１個又知られて
いる。共鳴線放射線源ランプにより放射線が放出され、
た時元累の特性を表わす選択された波長の放射線を通過
させるモノクロメータと、与えられた波長情報に応答し
て上記の選択さ７１．た波長にモノクロメータをセット
する波長制御手段とを具える原子吸光分光光度計も知ら
れている。

このような既知のランプ組立体はこのような既知の分光
光度計にモノクロメータをセットするための前記波長情
報を入れる職務を有する分光光度計を使用する人に１個
又は複数個の元素を識別させるようになっている。この
仕事の欠点は使用者側に誤りがある＋ｘｌ能１１：を有
し月っ分光光度計を自動動作させるのに限度があること
である。

本発明の目的はこれらの欠点を克服するにある。

本発明によれば、発明の詳細な説明の欄の第二段に記載
（〜た放射線源ランプにおいて、ランプ組立体が前記１
個又は複数個の元素を表わす電気回路網と、この回路網
を原子吸光分光光度計内の測定回路手段に接続する括続
手段とを有し、分光光度計内で前記１個又は観数個の元
素を同定できるように朽成さ肛ていることを特徴とする
。

また本発明によりは発明の詳細な説明の欄の第二段に記
載した原子吸光分光光開割において、前段に記載した放
射線源ランプ組立体と共に用いるのに適した分光光度計
が分光光度計に、前記測定回路手段と、マイクロプロセ
サと、その中の複数個の前記ランプの夫々１個又は複数
個の元素の各々と関連する位置に波長情報を蓄わえる酵
み出り専用メモリとを設け、マイクロプロ十すが電気回
路網が前記測定回路手段に接続され、この測定回路手段
による夫々の回路網の測定に応答して前記ランプ組立体
の１個又は複数個の元素を同？するように条件づけられ
ており、このマイクロプロセサが前記波長制御手段に同
定される元素につき読み出し専用メモリから取り出され
た波長情報を加えるように条件づけられていることを特
徴とする。

発明の詳細な説明の欄の第二段に記載した既知のランプ
組立体であって、ランプが単−元素又は多重元素中空陰
極ランプであるもの幻：適尚なランプ動作電流を選び、
実際に使用する職務を有する分光光度計の使用者に最大
ランプ動作電流を指示するようになっている。これも誤
りの可能性を含み且つ自動動作できるのに限界がある。

本発明に併り、ランプが単−元素又ｄ、多重元素中空陰
極ランプであるランプ組立体においては、回路網が更に
ランプ動作電流を表わすことができる。ここでの利漬は
分光光反引の有効前命中特定の元素又は元素の組み合せ
についての中空除徐ランプの特性、殊に耐大ランプ動作
電流を変えることができる点にある。本発明に係る分光
光度計はこのよう彦放射線源ランプ組立体と共に用いら
ねるようになっており、分光光反引は前記ランプ電源装
置と、ランプ電流情報を蓄わえる読み出し専用メモリと
を具え、マイクロプロセサがこの読み出し専用メモリか
らのランプ電流情報と一緒に、ランプわ１立体回路網が
接続されている測定回路手段から取り出されたランプ８
流情報を用いて前記ランプ電源装置を制御するように条
件づけられている。

本発明に係る分光光度計では前記ランプ組立体の頂子に
関１〜て１個又は複数個の試料を分析する分光光度計の
動作から成る分析を少なくとも分析の持続時間中読み出
し−書き込みメモリに連続的に蓄わえられている情報ナ
ツトを用いるように条件づけられているマイクロプロセ
サで制御することができる４、この場合−上記情報セッ
トは当該元＃につき読み出し専用メモリから取り出され
５る前記波長情報を含む元素に関連する情報と、前記１
個又は複数個の試料につきどこかから増り川さねる試料
に関連する情報とを有する。元素に関連する情報も、試
料に関連する情報もいずれも分析に必要であって、これ
ら両者を前述した態様でマイクロプロセサで使用するた
めに情報セットに持ち込むことは本発明に係るランプ組
立体を用いる分析で分光光度計の動作の自動化を更に進
める上で利点を有する。

前述した分光光度計１−２個り＋の前記ランプ組立体を
一時に保持し、保持されている全てのランプ組立体の回
路網を前記測定回路手段に接続し、一時に保持されてい
るランプ組立体の１個のランプをモノクロメータの光路
内に位置決めする保持・位置決め手段とを有し、セット
になっている各元素についての放射線源ランプが前記ラ
ンプ組立体の一部である場合において、元素のセットの
各々につき前記１個又は徐数個の試料を分析する分光光
度計の動作から成る分析系列が、前記保持・位置決め手
段を制御して前記元素のセットの各元素の特性放射線を
放出する前記ランプを順番にモノクロメータの光路内に
位置決めするように条件づけられているマイクロプロセ
サと、少なくとも前記分析系列の持続時間中読み川し１
き込みメモリに連続的に蓄わ見られている複数個の前記
情報セットの各々を前記元素のセットの各元素につキー
ツの情報セットの割合で順番に用いるように条件づけら
れているマイクロプロセサとにより制撰ｊ１される。こ
の構成はこのようが分析系列において、−組の元素につ
き分光光度計の自動動作を容易にするという利点を有す
る。

Ｚ　ｉｎにつき本発明の詳細な説明する。

第１図及び第２図につき述べると、単−元累中空陰極う
ンブ絹立体ＨＣＬＩｄ中空隘極霜極ＣＡと陽極％ｉ極Ａ
Ｎとを封止した容器ＳＥ内に納めて形成されたランプを
有する。容器ＳＦにベースＢＡを取りつける。そしてこ
のベースＢＡ内に４個の抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ８及びＲ４
を共通リード線ＥＬに接続したものからなる抵抗回路網
ＲＮを納める。。

ベースＢＡから突出し、夫々電極ＯＡとＡＮＫ接続され
ている２個のプラグ端子Ｐ６及びＰ７がこれらの電極を
ランプ電源装置ＬＰＳ（第４図参照）に接続する手段を
提供する。ベースＢＡから突出し、夫々抵抗Ｒ１−Ｒ４
と共通リード線ＥＬに接続されている５個のプラグ端子
ｐｌ、ｐ５は原子吸光分光光度計内の測定回路手段ＭＯ
Ｍ（第８図及び第４図参照）に抵抗回路網を含めるため
の他の接続手段を提供する。抵抗回路網は抵抗Ｒ１及び
Ｒ２によりランプの元素を表わし、また抵抗Ｒ８とＲ４
によりランプ動作電流を表わす。第２図に示すように端
子Ｐ１〜Ｐ７は通常の六角プラグ配置に従って配置され
、またベースＢＡ上にボスＢＡＩがあって、正しく電気
接続できるようにする。

分光光度計内にあって動作位置におる時、ランプ組立体
Ｈ（３Ｌは分光光度計の光路内に位置し、端子Ｐ１〜Ｐ
７から分光光度計内の固？ソケットＳＫへの電気接続は
ソケットコネクタとプラグコネクタとを有する接続リー
ド線ＣＬを介して行なわれる。抵抗回路網ＲＮけベース
ＢＡ内に位置させる代りに接続リード線ＯＬ内に置くこ
ともできる。この場合は、接続リード線ＯＬはランプ組
立体の一部を形成するものと考えることができ、接続リ
ード線ＯＬの適当力部分が電極についての前記接続手段
の一部を与え、回路網についての前記別の接続手段の全
体を与える。もう一つの方法は回路網ＲＮを少１止した
各器ＳＥ内に設けることである。第１図及び第２図に示
した構成からのこれらの２つの変形例はランプに別体の
それと判かるベースを設ける必要が必らずしもないこと
を示す１、第８図につき述べると、抵抗回路網ＲＮが分
光光度計内の測定回路手段ＭＧＭとマイクロプロセサμ
Ｐと一緒に示さねている。、測定回路手段）、ｌＯＭは
バスＢｓを介してマイクロプロセサμＰＩ／Ｃ括続され
、このマイクロプロセサμＰＶＣより制御されるマルチ
プレクサＭＰＸ及びアナログ−ディジタル変換器ＡＤＯ
，＠ひに電圧源十Ｖに接続されている抵抗Ｒ５を含む。

マルチプレクサＭＰＸにより抵抗Ｒ１〜Ｒ４は抵抗Ｒ５
と共通リード線ＥＬとに直列に接続され、従って各抵抗
Ｒ１−Ｒ４両端間の電圧がアナログ−ディジタル変換器
ＡＤＯに印加される。２個の抵抗Ｒ１とＲ２のオーミッ
ク抵抗値は回路網を含む単一元素中空陰極ランプ組立体
の元素を表わす。これらの２個の一部が元素の原子番号
の中位の値を表わし、他方の抵抗が一位の値を表わすよ
うにすると好適である。２個の抵抗Ｒ８とＲ４のオーミ
ック値は一緒になってランプ動作電流、それも具合よく
回路網を含むランプ組立体の電極に対する最大動作１Ｌ
流を表わす。マイクロプロセサμＰは測定回路手段ＭＯ
Ｍによる抵抗回路網の測定、即ちアナログ−ディジタル
変換器ＡＤＯの抵抗Ｒ１とＲ２に対応する２個の順次の
ディジタル出力に対応して元素を同冗するようにできて
いる。測定回路手段ＭＯＭにより抵抗回路網から導き出
されたランプ電流情報、即ちアナログ−ディジタル変換
器の抵抗Ｒ８とＲ４とに対応する２個のＪｌｌｌ″１次
のディジタル出力は後に第４図及び第５図につき詳述す
るように、他のランプ電流情報と一緒にマイクロブロセ
ザμＰで用いられて、夫々の中空陀極ランプの電極に接
続、されているランプ電源装置ＬＰＳを制御する。

上述ｌ〜だよう彦抵抗回路網は安価であり、便利でもあ
るが、元素と最大ランプ動作電流とを表わす−Ｆ述］７
たよう力中空陰極うンプ絹立体に含捷れている■１気回
路網ｄ゛抵抗性堤外のものとすることができる。適尚に
適応させられた測定回路手段と」１−にこの１１」気回
路を例メげ容諭性にすることができ、或は開放若しく６
短絡回路である接続を用いることにより又はダイオード
を用いることにより二進表示を力えることもできる。

第１図及び第２図につき上述した電免、回路網を具える
単−元累中空Ｍ枠ランプは本発明に係るランプ組立体の
一実施例である。ランプ電源手段により４１１１作させ
られる昭１個又は複数個の元素に時打の共鳴線放射線を
出す他のランプに類什Ｊの回路網を設けて本発明に係る
原子吸光分光光Ｘ４＝、Ｅｌｆ。

ンプ組立体を形成することもできる。このような他のラ
ンプの一つは無電極放電管である。この場合電気回路網
を同様にランプを有する組立体内に設け、ランプが共鳴
線放射線を出す単一元素を分光光度計で同定することが
できる。無電極放電管は通常分光光度計の外部に補助電
源を具える。この場合ランプ組立体内の回路網はまた分
光光度計で同定され、補助電源を制御するのに使用され
る電源の特定の値を表わすこともできる。もう一つのこ
のような他のランプは多重元素中空陰極ランプである。

この場合も電気回路網をランプを具える組立体内に設け
、ランプが共鳴線放射線を出す全ての元素を分光光度計
で同定することができる。

多重元素中空陰極ランプは２，８又は４個の元素の特定
の組み合わせに対する共鳴線放射線を出し、回路網がこ
れらの元素を個別に表わし、又は特定の組み合せを表わ
すようにすると便利である１、この回路網はまた単一元
素中空陰極ランプにつき前述したところと同じようにし
て最大ランプ電流を表わすこともできる。

台用−は第４・図につき述べ２〉と、ここには４個の単
一元素中空陰極ランプ組立体ＨＯＬ１〜ＨＯＩ、４を保
持する原子吸光分光光度計が示されている。

中空陰極ランプ組立体ＨＯＬＩ〜ＨＯＬ４は各々第１図
及び第２図につき前述したランプ組立体ＨＯＬに従い、
１だ各々第８図につき述べたのと本質的には同じように
測定回路手段ＭＣＩとマイクロプロセザμＰとに接続さ
ねている。４個のランプ組立体ＨＣＬ１〜ＩＩ（ＯＬ４
はタレットＴＵ内に保持され、タレット制偶１手段ＴＵ
Ｇで動作させられ、一時には４個のランプ組立体ＨＣＬ
１−ＨＯＩ、４の選択された一つを分光光度計の光路内
に置く。第４図はランプ組立体ＨＯＬ１が光路内にある
ところを示す。ランプ組立体ＨＯＬ１により放出された
放射線は陰極ＯＡ、１からアトマイザ（ａｔｏｍｉｚｅ
ｒ　）ＡＴを通る。このアトマイザＡＴけ通常の火炎形
とすることもできるし、電熱炉形とすることもできる。

分光光度計により分析する試料は自動サンプラＡＳから
アトマイザＡＴに供給される。自動°　　サンプラＡＳ
は自動サンプラ制御手段ＡＳＯにより動作させられ、ア
トマイザＡＴはアトマイザ制御手段ＡＴＯにより動作さ
せられる。放射線はアトマイザＡＴを通り抜は終った後
、モノクロメータＩＮを通り抜ける。モノクロメータを
通シ抜ける放射線の波長は波長制御手段ＭＷＯにより選
択さワ１、モノクロメータの帯域、即ちスリットの幅は
スリット制御手段ＭＳＯにより選択される。光電子増倍
管検出器ＤＥＴは振幅がモノクロメータＩＮから現われ
る放射線の強さに比例する電圧信号を出力する。そして
対数変換器ＬＧが光電子増倍管検出器ＤＥＴの出力の対
数に比例する増幅された電圧信号を出力する。それにつ
いてアトマイザＡＴから送られてきたサンプルを分析す
る元素の濃度は本質的に対数変換器ＬＧの出力信号に比
例する。

各ランプ組立体ＨＯＬｌ〜ＨＯＬ４の２個の電極はラン
プ電源装置ＬＰＳＫ接続するが、第４図では中空陰極電
極ＯＡｌ等だけが略式図示さｊｌ、各場合とも１本の線
で接続して示している。夫々のランプ組立体ＨＯＬ１−
ＨＣＬ４の抵抗回路網ＲＮＩ〜ＲＮ４に１、各々４・個
の抵抗Ｒ１−Ｒ４を第１図及び第８図に示したように有
するが、これらの抵抗回路網はマルチプレクサＭＰＸ］
に接続さｊ、る、１図面を簡明ならしめるため各抵抗回
路網ＲＮＩ〜ＲＮ４からマルチブレクザＭＰＸｌ迄１本
の接続線しか示していないが、本当はこれらの抵抗回路
網内の１６個の抵抗の各々から各別にマルチプレクサＭ
ＰＸ１へ接Ｕ１・さねている。これらの１６個の回路網
抵抗の名々は順次にラッチ回路手段ＬＨによす制御され
るマルチプレクサＭ　Ｉ）　Ｘ　ｌを介Ｌ７て抵抗Ｒ５
と内列に電圧源十■に接続される。各１６個の回路網抵
抗両端間の電圧は次にこれまたラッチ回路手段ＬＨによ
り制御されるもう一つのマルチプレクサＭＰＸ２を介し
てアナログ−ディジタル変換器ＡＤＣに接続される３、
マルチプレクサＭＰＸ］及びＭＰＸ２、抵抗Ｒ５、重圧
源十Ｖ、ラッチ回路手段ＬＨ並ひにアナログ−ディジタ
ル変換器ＡＤＯは…り定回路手段ＭＣＭを形成し、この
測定回路手段ＭＯＮＶＣ抵抗回路網ＲＮＩ−ＲＮ４が接
続される。対数変換器ＬＧの出力信号はマルチプレクサ
１イＰＸ２を介してアナログ−ディジタル変換器ＡＤＯ
に送られる１、分光光度計の動作時にはランプ組立体Ｈ
ＯＬ１〜ＨＣＬ４が測定回路手段に接続さね、るや否や
抵抗回路網ＲＮＩ−１（Ｎ４が測定回路手段ＭＣＭによ
り測定される。そのり・てこの測定は背景チェックルー
チンと（〜て反復さ力、る。

これは分光光開削によ多出力された別のアナログ信号、
例えば対数変換器ＬＧの出力をマルチプレクサＭＰＸ２
を介してアナログ−ディジタル変換器Ａ、ＤＣに供給す
べき時中断される。背景チェックルーチンは例えばラン
プが必要な位置にない時誤り信号を供給するのに使われ
る。

マイクロコンピュータＭＯＰはマイクロプロセサμＰを
具え、この他にマイクロプロセサ／ｚｐで処理するため
にデータを一時的に蓄わえるための揮発性の読み出し病
き込みメモリＲＡＭと、マイクロプロセサ／ｌＰのΦ月
作を条件づけるだめのプログラム情報を保持する読み出
し専用メモＩＪＲＯＭとを具える。パスＢＳはマイクロ
プロセサμＰを読み出し引き込みメモリＲＡＭ、読み出
し勇用メモリＲＯｌ、！、アナログ−ディジタル変換器
ＡＤＯ。

ラッチ回路手段ＬＨ，ランプＢｑ源ＬＰＳ、タレット制
御手段ＴＵＯ１自動ザンブラ制御手段ＡＳＯ、アトマイ
ザ８７制御手段ＡＴＣ，スリット制御手段ＭＳＯ及び波
長制御手段ＭＷＯに結ぶ。

プログラム情報を蓄わえるのに加えて、読み出し専用メ
モＩＪＲＯＭは分光光度計と共に使用される複数個の単
−元累中空陰椿うンブ紹立体の各元素に関連する記憶侍
従に、殊に波長情報を含む元素に関連する情報を蓄わえ
る１、１６個を越えるこのよう々単一元素中空陰極ラン
プ組立体を設けることもできるが、任意の一時に抵抗回
路網が測定回路ｉ４ｃＭＶｃ摺続されて分光光度計内に
置けるのは１個又は若干側のランプ組立体、例えば４個
のランプ組立体ＨＯＬ１〜ＨＣＬ４である。マイクロプ
ロセサμＰは回路網が測定回路手段ＭＯＰＶＣ接続さね
ている１個又は若干側のランプ組立体の元素を夫々の回
路網の測定に応じて同がするように条件づけられている
。第４図に示す４個のランプ組立体ＨＯＬ］〜ＨＧＬ　
４・の場合、この同定はランプ組立体の夫々の抵抗回路
網ＲＮｌ−ＲＮ４の抵抗Ｒ１及びＲ２両端間でＩＩＩＥ
Ｉ次に測定された電圧について、アナログ−ディジタル
変換器ＡＤＯの出力に応答する形で行なわれる。マイク
ロプロセサμＰは１個又は複数個のランプ組立体の元素
が同定され、またランプがモノクロメータの光路内に存
在する一つについて読み出し専用メモＩＪＲＯＭから取
り出された波長情報を波長制御手段ＭＷＯに与えるよう
に条件づけられている。タレットＴＵ及びタレット制御
手段ＴＵＣはマイクロプロセサμＰがモノクロメータの
光路内に存在するランプを同定できるようにする手段を
含む。

読み出し７専用メモＩＪＲＯＭはまたランプ電流情報を
蓄わえる。マイクロプロセサμＰは元素が測定回路手段
ＭＣＭを介して同定される１個又は若干側のランプ組立
体についてのランプ電流情報を用いてランプ電源装＃Ｌ
ＰＳを制御するように条件づけられている。マイクロプ
ロセサμＰが抵抗回路網ＲＮＩ〜ＲＮ４から測定回路手
段ＭＧＭを介してηソリ出された最大ランプ鞘流情報と
読み出し専用メモリＲＯＭから取り出さねたランプ％流
情朝とを用いてランプ′！（源装置ＬＰＳを制御するこ
とは有利である４、仮にも１〜抵抗ｆｆｊｌ路網ＲＮＩ
−ＲＮ４が夫々のランプ糾立体の最大ランプ動作常ｌ？
ｉ１ｆを表わす抵抗Ｒ８及びＲ手を含１カいとすると読
み出り、専用メモリＲＯＭに蓄わえられているランプ電
流情報が初数個の中空陰極ランプ組立体の各々の夫々の
元素と関連する位置に保たわ、これで分光光開削を使用
することができ、夫々のランプの動作電流を完全に定め
ることができるであろう。

情報が読み出ｊ２専用メモリに蓄わえられている松数個
の中空陰極ランプ糾立体の一つの単−元素に関ｌ〜て１
個又は柊数個の試料を分析する分光光は計の動作から成
る分析を行なうためには元素に関する情報と試料に関す
る情報の両方が必要である。分光光開削の自動動作は両
方のタイプの情報が４１．に持ち来た豆わて情報セット
を形成し、この情報セットを少なくとも当該分析の持続
時間中不揮発１４１：の読み出ｌ〜−和き込みメモＩＪ
ＮＶＭに連続的に蓄わえるようにすることにより行なわ
れる３、このメモＩＩＮＶＭにはパスを介してマイクロ
プロセサμＰが接続さねていて、この情報セラ＋４−用
いて当該分析を制御するように条件づけられる。

メモ’ＪＮＶＭ内の各情報セットのうちの元素に関連す
る情報は、読み出し専用メモＩＪＲＯＭから取り出され
、夫々のランプ絹立体の元素が同定された時マイクロプ
ロセサμＰによりメモリＮＶＭに移される。この元素に
関連する情＠は前述した波長情報と、スリット制御手段
ＭＳＯに加えられるスリット幅情報とを含む１、アトマ
イザＡ、Ｔが火炎形の場合は、読み出し専用メモｌｌＲ
ＯＭから導ひかれる元素に関連する情報はアトマイザ制
御手段Ａ、　Ｔ　Ｏに加えられる、燃料のタイプと速度
を指定する情報を含み、また測定時間情報を含むことも
できる。検出器ＤＥＴの出力信号が対数変換器ＬＧ、マ
ルチブレクザＭＰＸ２及びアナログ−ディジタル変換器
Ａ、　Ｄ　Ｃを介して受は取られ、その信号の雑音を小
さくするためにマイクロプロセサ／ｌＰにより平均化さ
れる時間は上記測定時間により決する。アトマイザＡＴ
が電熱炉形の場合は、元素に関連する情報がここでも波
長情報とスリット幅情報とを含み、またアトマイザ制御
手段Ａ、ＴＯに加えられる炉加熱ザイクル情報を含み、
更に検出器ＤＥＴの出力信号からのピーク高さ及びピー
ク区域の結果を決めるのに関連する測定時間情報′を含
むこともできる。

メモＩＪＮＶＭ内の各情報セットの試料に関連する情報
は分光光度計の使用者によりパスＢＳを介してマイクロ
プロセサμＰに接続されているキーバッドＫＰＤを介し
てメモリＮＶＭ内の適当力記憶位置に入れることかでき
る。この試料に関連する情報は自動サンプラＡｓ内に保
持すべき標準濃度の試料の数とこれらの標準試料の濃度
を同定する情報とを含む３．背景補正の特徴（これは周
知であり、それ故この明細書ではとこ以外では述べない
が）は通常分光光度計で使用するために与えられる。そ
してこの場合試料に関連する情報が特定の分析で背景補
正を用いるべきか否かを指示する。

元素に関連する情報は無効にする命令（ｏｖｅｒｒｉ　
−ｄｉｎｇ　１ｎｓｔｒｕｃｔｉｏｎ　）を含むことが
でき、モノクロメータが通過させるべき放射線の波長が
成る値を越えた時元素に対する背景補正をスイッチオン
することができる１、 単一元素に関して１個又は杉数個の試料の分析の結果は
一時的にマイクロコンピュータＭ（ＥＰの揮発性の読み
出し−書き込みメモＩＩＲＡ、Ｍに蓄わえられ、最終的
には適当なレコーダ、例えばパスＢＳによりマイクロプ
ロセサμＰに接続されているところを示しだプリンタＰ
ＲＩ、及び多くは表示装置（図示せず）に出力される。

ここで自動サンプラＡＳけ場合場合により火炎形アトマ
イザＡＴ又は電熱炉形アトマイザＡＴのいずれかと使用
するのに特に適したタイプとすると述べるとよい。また
、自動サンプラ制徊１手段ＡＳＯは通常は部分的に特定
の自動サンプラＡｓに特有で且つその中にあり、部分的
に永続的にマイクロプロセサμＰと関連し、分光光度計
の本体内にある。原子吸光分光光度計は一次的には一つ
のタイプのアトマイザと一緒に使用されるように設けら
れ且つアクセサリとして他のタイプのアトマイザと共に
使用するようＶＣ％Ｊ整できるようにすべきことは周知
である。例えば−次的には火炎モードで使用されるが、
電熱炉モードにも合わせることができる原子吸光分光光
度計が知らね、でいる。

そしてこの場合電熱炉用のアトマイザ制償４１手段ＡＴ
Ｏけアクセ９　リと１〜て設けら４５、電熱炉はむしろ
装置の本体内に置かれ、水粉的にマイクロプロセサ／Ｉ
Ｐと関連させられる。適当なセンサ（図示せず）を設け
、アトマイザＡＴのタイプ及び自動ザンブラＡＳをマイ
クロプロセサμＰに合致させ、適当な動作を石なうよう
にする。ここに述べたアトマイザ制征１手段が分光光度
計のアクセサリ部と１２で設けられる場合はそれ自体の
不揮発性の読み出し−書き込みメモリを持だぜ、複数組
の炉加熱ザイクル情報を蓄わえさせることができる。

この情報に」一連したところでは読み出し専用メモリＲ
ＯＭから取り出されるものとして述べられているが、代
りに電熱炉アトマイザ制御手段ＡＴＯの不揮発性読み出
し−１き込みメモリ内に蓄わえるとともできる１、この
場合この不揮発性読み出し−書き込みメモリは分析のた
めの全部の情報セットを蓄わえる不揮発性読み出し−書
き込みメモリＮＶＭの一部と考えることができる。

不揮発性読み出し一層き込みメモＩＪＮＶＭは上述した
複数個の情報セットを蓄わえる記憶容量を有する。斯く
して元素の組の各々に関し、自動サンプラＡＳ内に保持
されている１個又は複数個のサンプル分析するための分
光光度計の動作から成る分析系列は、マイクロプロセサ
μＰを元素の組の各元素につき１個の情報となるように
複数個の情報セットの各々を順次に用いるように条件づ
けることで制御される。複数個の情報セットは少なくと
も分析系列の持続時間中読み出し−書き込みメモＩＪＮ
ＶＭ内に連続的に蓄わえる。例えばメモリＮＶＭは第４
図に示した４個の単−元累中空限極ランブ組立体ＨＯＬ
１−ＨＯＬ４の一つ毎に一つ、少なくとも４個の情報セ
ットを蓄わえる容量ｌを有する。このような４個のラン
プ組立体を用いる場合、各情報セット内の元素に関連す
る情報は読み出し専用メモリＲＯＭから取り出される。

分光光度言１け付加的に夫々の元素を同定する回路網を
有する本発明に係るランプ組立体以外のランプを使用す
ることができる１、例えば４個のタレットランプ位置の
各々に通常の単−元素中空陰極ランプを装着することも
できる。そしてこの場合は分光光度計の使用者は、単に
キーバッドＫＰＤを介して各ランプの元素をＮ足するマ
イクロプロセサμＰに情報を与えるたけでよく、マイク
ロプロセサμＰがこれに応答して読み出し専用メモＩＪ
ＲＯＭから必俄な元素に関連する情報を取り出し、それ
を転送して不揮発性メモリＮＶＭで用いられるようにす
る。抵抗回路網ＲＮＩ−ＲＮ４の任意の一つの関数を一
層正確に再生する場合は、使用者はキーバッドＫＰＤか
らこれらの回路網のランプ電流情報に対応する情報を提
供するとともできる。

もう一つの例を奪けると、通常の無電極放電ランプを４
個のタレットランプ位置の各々に装着することができる
。この場合も使用者はキーバッドＫＰＤを介してランプ
の夫々の元素を同定する情報を与えることができ、加え
て使用者は無電極放電管を動作させるための補助電源用
の情報を力えねばならない。もう一つの例は多重元素中
空陰極ランプを使用することである。このランプは普通
に見られるもので、この場合は使用者はキーバッドＫＰ
Ｄを介してランプが多重元素ランプと四重する情報と、
ランプの元素を同定する情報と、ランプ電流情報とを与
える。この可能な変形例は多重元素中空陰極ランプに抵
抗回路網を設け、測定回路手段ＭＯＭにより測定し、こ
れによりランプ電流情報とそれを多重元素ランプである
と同定する情報とを与えるものである。っこの場合は使
用者はキーバッドＫＰＤを介してランプの元素を同定す
る情報を与えるだけでよく、マイクロプロセサμＰが読
み出し専用メモＩＪＲＯＭから元素に関連する情報を取
り出し、それを各元素につき不揮発性読み出し−書き込
みメモＩＪＮＶＭ内の個別の情報セットに転送する。

本発明に係るランプ組立体以外のランプを使用できるこ
とに加えて、分光光度計に手勧無効化機能を持たせ、本
発明に係る回路網を有するランプ組立体が存在する時で
も、使用者はキーバッドＫＰＤを介して不揮発性読み出
し−書き込みメモＩＪＮＶＭ内の情報セットにさもなく
は読み出し専用メモリＲＯＭからルＩり出される情報と
異々る元素に関連する情報を入力することができる。。

外部の割初機（図示せず）を適当なインタフェース回路
を介してバスＢＩＣ接続することができる。外部計η機
の一つの用途は不揮発性読み出Ｌ７−（（＋き込みメモ
リＮＶＭの機能を増補させることにより分光光度計の自
動動作を更に容易Ｖ（するにある。ｆｌｌえば前述した
ように元素に関連する情報と試料に関連する情報とから
成る情報セットが荷重の分析のために不揮発性メモＩＪ
ＮＶＭ内に入ると、この情報セットは外部計算機に転送
され、不揮発性メモＩＪＩＪＶＭの記憶容計が途中の種
々の分析で使用し尽くさ扛た時でも任意の後刻に呼び出
して同じ分析を反復するのに使用することができる。

第４図につき上述した原子吸光分光光度計の説明におい
ては、このよう力分光光度計の本発明に関連する特徴だ
けを述べたが、通常存在１〜又は存在する可能性のある
他の％徴も存在する。例えば、ランプ電源装置の出力は
通常変調されており、検出器ＤＥＴからの信号は対数変
換器ＬＧで処理するのに先立って対応して復調する。！
！た検出器ＤＥＴに自動とすることができる利得制御を
かけることもできる。また二重ビーム動作、即ちアトマ
イザをバイパスする基準光路を設け、この基準光路から
得られる信号を用いて機器、殊に中空陰極ランプの出力
及び検Ｉ′ｌＩ′３器出力のドリフトに対処するベース
ライン補正を与えることは原子吸光分光光度計では周知
のオプションとしてつけうる特徴である。長時間に亘す
自動動作できる第４図につき前述した分光光度計の場合
は、二重ビーム動作は殊に有利であり、多く内蔵されて
いる。

第５図には第４図に示した分光光度計の動作の流れ図が
示されている。

動作ｌは「スイッチオン」で、使用者が分光光開側−へ
の電源をスイッチオンする。動作２は［イニシャライズ
」で、使用者は４個の単−元素中空陰極うンプ糾立体Ｈ
ＯＬＩ〜ＨＯＬ４をタレットＴＵ内に納め電気接続する
ことにより装着し、４個の対応する情報セットを不揮発
性読み出ｌ〜−杏き込みメモＩＪＮＶＭに入ｎる。ラン
プの装着位置は唯一つじか庁く、これはランプが分光光
間引の光軸上にイ装置する位置、即ち、第４図に示した
ようにランプ組立体ＨＯＬＩの位置と一致する１、各ラ
ンプが１−次に装着されている時、マイクロプロセサμ
Ｐは夫々の情報セットに対する関連元素に関する情報を
読み出し専用メモｌｌＲＯＭから不揮発性メモＩＪＮＶ
Ｍの適当な記憶位詩に、測定回路手段ＭＯＭによるラン
プ１立体回路網ＲＮＩ−ＲＮ４の夫々一つの測定に対応
して転送する。各ランプが装着位置にある時使用者は夫
々の情報セットに対する関連試料に関連する情報をキー
バッドＫＰＤとマイクロプロセサμＰを介してメモリＮ
ＶＭ内に入れる。自１す１サンプラＡＳ内の幼しい試料
に対し、分光光度計の動作を同一ランプ組立体ＨＯＬ１
〜ＨＯＬ４の元素に関し異なる試料セットに対し旧敵の
分析系列をくり返すようにすることもできる。

こう力っていればランプ組立体は既に装着さねており、
対応する情報セットが予じめ不揮発性メモリ内にあり、
使用者が「スイッチオン」や「イニシャライズ」動作を
行斤う必要はなく力る。！ｌＪ作Ｂ「ランプへの電源」
では使用者は各ランプに対するランプ電源装置ＬＰＳを
順次にスイッチオンし、各ランプに対するこの動作に応
答してマイクロプロセサμＰにより不揮発性メモリＮＶ
Ｍから適当カランブ電流情報を次々に取シ出し、ランプ
電源装置Ｌ　Ｐ　Ｓに印加する。アトマイザＡＴが火炎
形の場合は図示ｊ〜ないが動作２又は８の後に使用者が
アトマイザＡＴの炎を点火するのに必要な行動を含む動
作が必要とがる。動作４［自動サンプラのスタート］で
は使用者は自動サンプラＡＳの動作を開始させ、この動
作に応答して適当な情報が自動サンプラ制御手段ＡｓＣ
から読み川しす１き込みメモＩＪＲＡＭに入れ、その後
で分光光度計の動作が兜全に自動化さｊ、て使用者によ
る他の割り込みがない限りマイクロプロセサμＰの制御
の下に置かれる。

ΦＩ１作蛋に応答１．てマイクロプロセサμＰは動作５
ｒＮ＝１にセット」を行々う。ここでＮはタレットのカ
ウントを表わす。タレットのカウントＮは自動サンプラ
Ａ、Ｓの運転貼、即ち１　（［ＭＩの元素についてのサ
ンプルの分析時に４個のランプ組立体ＨＯＬ１〜ＨＯＬ
４のどの一つが光路内に置かれるべきかを決め、不揮発
性メモＩＪＮＶＭ内のどの情報セットかこの分析の時マ
イクロプロセサ°μＰで用いるかを決める。タレットカ
ラン）Ｎは各分析時中杭み出し−１き込みメモｌｌＲＡ
Ｍ内に蓄わえられる。動作５［応答し、てマイクロプロ
セサμＰはΦカ作６「ランプタレットｆ　Ｎにセットす
る」を行なう。この動作でに、タレットＴＵはタレット
制御手段ＴＵＧにより位置Ｎに駆動される（この段階で
ｉＪ’　Ｎ　＝　１けランプ組立体ＨＯＬ　１を指すの
に対応する）。１１１作６に応答してマイクロプロセサ
／ｌＰは動作７「スリットをセントする」を制御する。

ここにおいてモノクロメータＭＮのスリット幅は不揮発
性メモＩＪＮＶＭ内の情報セットから得られるスリット
幅情報を用いてスリット制御手段ＭＳＯによりセットす
る４つ次にマイクロプロセサμＰけ動作８「波長をセッ
トする」を制衝１する３、ここでは不揮発性メモＩＪＮ
ＶＭ内の情報セットからの波長情報を用いて波長制御手
段ＭＷＣによりモノクロメータＩＮの波長をセットする
。通例辿り、検出器ＤＥＴの利得はモノクロメータの波
長をセットすることと共に自動的に１１　！される。ま
た動作６に応答してマイクロプロセサμＰは測定時間情
報を不揮発性メモＩＪＮＶＭから揮発１〈Ｆ読、み出し
−１き込みメモリＲＡＭへ転送し、マイクロプロセサμ
Ｐが次の一元素についての試Ｊｌの測定時に利用できる
ようにする。

動作８に続いてマイクロプロセサμＰは動作９「ブラン
クの測定」を制御する。この動作９では自動サンプラ制
御手段ＡＳＯの？Ｉｌ制御の下に自動サンプラＡｓは一
組のウンブルを分析する対象の一元素の濃度が普段はゼ
ロであるアトマイザＡＴに試料を提供する。乙の試、料
ｄアトマイザ制御手段ＡＴＯの制御の下にアトマイザＡ
Ｔで噴霧化される。

検出器ＤＥＴの出力信号は対数変換器ＬＧ、及び測定回
路手段ＭＧＭのマルチプレクサＭＰＸ２とアナログ−デ
ィジタル変換器ＡＤＯを介してマイクロプロセサμＰに
送られ、その結果は一元素につき一組の試別を分析する
間当該元素のゼロ濃腹゛を表わすベースライン測定とし
て♂ｒ、み出し−書き込みメモリＲＡＭ内に蓄わえられ
る。アトマイザＡＴが火炎形の場合、マイクロプロセサ
ノｔＰは不揮発性メモリＮＶＭからアトマイザ制御手段
ＡＴＣに燃料のタイプと速度についての情報を与え、当
該試料と特定の元素についての分析について俵に測定す
る全ての試料を噴霧化する。アトマイザＡＴが電熱炉形
の場合は、マイクロプロセサμＰは不揮発性メモリＮＶ
Ｍからアトマイザ制御手段にＡＴＯへ炉加熱ザイクル情
報を与え、特定の元素の分析につき当該試料と稜の試料
を噴霧化する。動作９の次にマイクロプロセサμＰは動
作１０ｒ標準を測定する」を制御する。この動作では、
予じめ定められた数（この数は不揮発性メモリＲＡＭ内
の関連情報セット内に存在する）の標準の即ち既知の濃
度の試料を次々に自動サンプラＡｓによりアトマイザＡ
Ｔへ与える。各場合において検出器ＤＥＴの出力信号は
測定回路手段ＭＯＭを介してマイクロプロセサμＰに与
えられ、吸収結果は読み出し−書き込みメモリＲＡＭ内
のベースライン測定と比較することにより計算され、次
に読み出し−１き込みメモｌＲＡＭ内に蓄わえられる。

動作１０の次にマイクロプロセサμＰは動作１１ｒ較正
」を行々う。この動作ではマイクロプロ七すμＰは不揮
発性メモリＲＡＭ内の関連情報セットから標準サンプル
の既知の濃度値を取り出し、これらの濃度値を標準試料
の吸光結果（これは動作ＩＯで読み出し−書き込みメモ
ＩＪＲＡＭに既に蓄わえられている）と共に使用して一
組の較正係数を計算し、次にこれを一元素に対する分析
中読み出し−１き込みメモリＲＡＭに蓄わえる。これら
の較正係数はスケール伸張とｌ〜て知られている機能を
可能にし、次の試料測定に湾曲補正を与えられるように
する。

動作ｌｌに続いてマイクロプロセサμＰは動作１２「試
料を測定し、較正し、濃度を鞘わえる」を１ｊηう。こ
の１す１作では単一元素につき分析す−ζき試料の艇１
からとった一つの言Ａ゛料を自ｑ山すンフ゛う八Ｓによ
りアトマイザＡＴ　［ＪＥｉえる、っ検１］１器ＤＥＴ
の用力信号から導ひき出さねた試料の吸光結果をｉＪ　
４出し一ψ！き込みメモ１ｌＲＡ、Ｍに送り、との酷。

み１１１（−−ゼ４き込みメモＩＪＲＡＭ内に蓄わえら
ｔｌている１正係数を吸光結果に与え、濃度結果を得、
この濃［痔結果を読み出し−省き込みメモＩＪＲＡＮ内
に蓄わえる。０す１作１２の次にマイクロプロセサμＰ
は動作１８「自動ザンブラは１了か？」を′Ａ制御する
。この動作において、自１ツノサンプラ制御手段ＡＳＯ
は自動ザンブラＡｓがその運りｊの終了点に達］７、測
定すべき試料がもう々いか否かを検出する。答えが１−
ＮＯＪであわにＩ”、次の訳本１につき動作１２を反４
する。動作１２か全部の試別につき行斤われ終り、夫々
の濃［焚結果が読み出し−書き込みメモＩＪＲＡλイに
鬼わえられ終っている時は、動作］８は答え１Ｙｅｓ」
を出力し、マイクロプロセサ／ｌＰは動作１４　ｒＮ　
＝Ｌｉｍｉｔ　？　Ｊに進む。この動作においてはタレ
ットカウントＮがグーニックされ、それがタレット位置
の数、例えば第４図に示すような４個のタレット位置に
対応するか否かを判定する１、ｔＩ１作５によりセット
さねたように第１の分析Ｎ＝１等では動作１４は答「Ｎ
Ｏ」を出力する。そしてこれに応答してマイクロプロセ
サμＰは動作１５　ｒＮ＝Ｎ＋ＩＪを実行［−、タレッ
トカウントＮの値を増す。動作１５に応答してマイクロ
プロセサμＰは動作６を行ない、そこでタレツ）ＴＵを
次の位置に進め、次のランプ組立体ＨＯＬ２を分光光度
計の光路内に持ち来たし、動作７〜１８を繰り返し、も
う−組の濃度結果を読み出し−１き込みメモリＲＡＭに
与える。これは次のランプ組立体ＨＣＬ２の単−元素に
ついての自動ザンプラＡＳ内の同じ絹の試料についての
ものである。最後に動作１４が名ｒＹｅｓＪを出力する
時マイクロプロセサμＰは１１作１６Ｆ結果をプリント
し、停止せよ」を実行する。この動作ではタレツ）ＴＵ
内にある全ての単一元素組立体ＨＣＬ１−ＨＣＬ４の元
素についての自動ツンブラＡＳ内の試料の絹の全ての試
別の濃度結果が読み出し−書き込みメモリＲＡＭから取
り出さね、表に１とめられ、プリンタＰＲＩによりプリ
ントさｉ］、、次に分光光間開を停止トする。即ちたい
がいの電源をスイッチオフＬ、休眠状態にセットする。

次に新１７い試別の絹の分析が使用者に動作１からの動
作の全系列をスターｉ・することを要求する。

【図面の簡単な説明】

第１図１７Ｊ本発明に係る単−元素中空陰極ランプ組立
体の略式断面図（甫気接続を付ｊ〜である）、第２図は
第１図のランプ組立体の余［祝図、第８図は第１図のラ
ンプ組立体の抵抗回路網とこのランプを用いる分光光度
計の測定回路手段の線図、 第４図は第１図のランプ組立体を４個用いる本発明に係
る原子吸光分光光度計のブロック図、第５図は第４図に
示す分光光ＩＷ計の動作を説明するだめの流れ図である
。 ＨＯＬ・中空し極うンプ絹立体、（ＥＡ・−中空陰（夕
電捗、ＡＮ陽極電極、ＳＥ・・容器、ＢＡベース、Ｒ１
−Ｒ５・・抵抗、ＥＬ・・・共通リード線、ＲＮ　　抵
抗回路網、Ｐ１〜Ｐ７　プラグ端子、ＬＰＳ・・・ラン
プ電源装置、ＭＣＭ・・測定回路手段、ＢＡＩ・・・ボ
ス、ＯＬ・・・接続リード線、ＭＰＸ　　マルチプレク
サ、Ａ、ＤＣ・・アナログ−ディジタル変換器、ＴＵ・
タレット、’］’　Ｕ　Ｏ・・タレット制御手段、ＡＴ
・−・アトマイザ、ＡＳ・自ｉ１Ｍンブラ、ＡｓＣ・自
動サンプラ卸ｊ御手段、ＡＴＯ・アトマイザ制御手段、
ＩＮ・・モノクロメータ、ＭＷＯ・・・波長制御手段、
ＭＳＯ・・スリット制御手段、Ｉ）ＥＴ・光電子増倍管
検出器、ＬＧ・・・対数変換器、ＬＨ・・ラッチ回路手
段、ＭＯＰ・・マイクロコンピュータ、μＰ・マイクロ
プロセサ、ＲＡＭ・・・藺み出しすき込みメモリ、ＲＯ
Ｍ・・・読み出し専用メモリ、ＮＶＭ・・・不揮発性の
読み出し−書き込みメモリ、ＫＰＤ・・キーバッド、Ｐ
ＲＩ・プリンタ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　ランプ電源装置により動作させられる時１個又は複
   数個の元素の特性共鳴線放射線を出すランプを有する原
   子吸光分光光度計用放射線源ランプ組立体において、ラ
   ンプ組立体が前記１個又は複数個の元素を表わす電気回
   路網と、この回路網を原子吸光分光光度計内の測足回路
   手段に接続する接続手段とを有し、分光光度計内で前記
   １個又は複数個の元素を同定できるように構成されてい
   る原子吸光分光光度計用放射線源ランプ組立体。 区　前記電気回路網を電気抵抗としたことを特徴とする
   特許請求の範囲第１項記載の原子吸光分光光度計用放射
   線源ランプ組立体。 ８　ランプを単−元素又は多重元素中空陰極ランプとし
   たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の原子吸
   光分光光度計用放射線源ランプ組立体。 表　ランプを単一元素中空陰極ランプとし、この元素を
   前記電気回路網内の２個の抵抗のオーミック値により表
   わしたことを特徴とする特許請求の範囲第８項記載の原
   子吸光分光光度計用放射線源ランプ組立体。 丘　前記抵抗の一万が前記元素の原子番号の中位の値を
   表わし、他方の抵抗が一位の値を表わ１〜たことを特徴
   とする特許請求の範囲第４項記載の原子吸光分光光度計
   用放射線源ランプ組立体。 ６　電気回路網がランプ動作電流を表わすことを特徴と
   する特許請求の範囲第８項ないし第５項のいずれか一項
   に記載の原子吸光分光光度計用放射線源ランプ組立体。 ？、　前記ランプ動作電流が前記電気回路網内の２個の
   抵抗のオーミック値により表わされることを特徴とする
   特許請求の範囲第６項記載の原子吸光分光光度計用放射
   線源ランプ組立体、っ ８　ランプが封止された容器内の電極により形成され、
   この容器にベースが取り付けらノ１、前記電気回路網が
   このベース内に閃かれている特許請求の範囲第８項ない
   ［７第７項のいずれか一項に記載のｐ子吸光分光光曵帽
   用放射線源うンプ府１立体。 ９　放射線が共鳴線放射線を出すだめの放射線源ランプ
   から放射さ力た時元累に特有の選択された波長の放射線
   を通過させるモノクロメータと、これに加えら力、た波
   長情報に応答してモノクロメータを前記選択された波長
   にセットする波長制御手段とを具える原子吸光分光光度
   側において、分光光１１１ｊ　ｉｔ　Ｋ、前記測定Ｎ路
   手段と、マイクロプロセサと、その中の複数個の前記ラ
   ンプの夫々１個又は複数個の元素の名々と関連する位置
   に波長情報を蓄わえる読み出１〜専用メモリとを設け、
   マイクロプロセサが電気回路網が前記測定回路手段に接
   続され、この測定回路手段による夫々の回路網の測定に
   応答して前記ランプ組立体の１個又は複数個の元素を同
   定するように条件づけられており、このマイクロプロセ
   サが前記波長制御手段に同定される元素につき読み出し
   専用メモリから取り出された波長情報を加えるように条
   件づけられているととを特徴とする原子吸光分光光度計
   。 １０　　分光光度計が前記ランプ電源装置を具え、読み
   出し専用メモリがランプ電流情報を蓄わえ、マイクロプ
   ロセサが、この読み出し専用メモリからの一ヒ記ランプ
   電流情報と共に、測定回路により測定回路に接続さｊ、
   ている前記ランプ組立体回路網から取り出された他のラ
   ンプ電流情報を用いて、前記ランプ電源装置を制御する
   ように条件づけられていることを特徴とする特許請求の
   範囲第９項記載の原子吸光分光光度計。 １１　　前記ランプ組立体の元素に関Ｌ、１個又は複数
   個の試料を分析する分光光度計のツ１１作から成る分析
   を少なくともこの分析の持続時間中連続的に読み出し一
   〜書き込みメモリに蓄わえられている情報セントを用い
   るように条件づけられていて、この情報セットが当該元
   素につき貯１み出し専用メモリから取り出された前記波
   長情報を含む元素に関連する情報と、前記１個又は複数
   個のサンプルにつき他から取り出された試料に関連する
   情報とを有することを特徴とする特許請求の範囲第９項
   記載の原子吸光分光光度計。 ｌλ　分光光度計が保持さ力、ている全てのランプ組立
   体の回路網を前記測定回路手段に接続した状態で一時に
   ２個以上の前記ランプ組立体を保持し、一時に保持され
   ているランプ組立体の１個のランプをモノクロメータの
   光路内に位置決めする保持・位置決め手段を有し、セッ
   トの各元素についての放射線源ランプが前記ランプ組立
   体の一部である場合、元素のセットの各々に関１〜、前
   記１個又はａ数個の試料を分析する分光光度計の動作か
   ら成る分析系列が、前記保持・位置決め装置を制御し、
   前記元素のセットの各元素の特性放射線を出力する前記
   ランプをモノクロメータの光路内に１項番に置くように
   条件づけられているマイクロプロセサと、少なくとも前
   記分析系列の持続時間中読み出し７−書き込みメモリに
   連続的に蓄わえられている複数個の情報セットの各々を
   順番に前記元素セットの各元素につき１個の情報セット
   と彦るように用いるように条件づけられているマイクロ
   プロセサとにより制御することを特徴とする特許請求の
   範囲第１１項記載の原子吸光分光光度計。