JPS5888977A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS5888977A JPS5888977A JP56187558A JP18755881A JPS5888977A JP S5888977 A JPS5888977 A JP S5888977A JP 56187558 A JP56187558 A JP 56187558A JP 18755881 A JP18755881 A JP 18755881A JP S5888977 A JPS5888977 A JP S5888977A
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- JP
- Japan
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- state imaging
- imaging device
- solid
- amorphous
- band width
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
うとして必要とされる安定な分光特性の得られる光導電
膜積層型固体撮像装置を提供するものである。
膜積層型固体撮像装置を提供するものである。
固体撮像装置は集積回路技術の進展と共に急激な発展を
みせ、最近ブは単板カラーカメラとしての実用的な絵素
数（約２０万個）を有するものが実現されるようになっ
た。一方、性能面での改良もはかられ、とりわけ走査機
能を有するＳｔ基板上に光導電膜を検層した固体撮像装
置は、高感度でブルーミングが少ない等の特徴を有し、
撮像管に匹適し得るデバイスとして有用である。そのよ
うなデバイスとして例えば特開昭５４−１０３６３０号
公報と特開昭５５−３９４０４号公報が挙げられる。
みせ、最近ブは単板カラーカメラとしての実用的な絵素
数（約２０万個）を有するものが実現されるようになっ
た。一方、性能面での改良もはかられ、とりわけ走査機
能を有するＳｔ基板上に光導電膜を検層した固体撮像装
置は、高感度でブルーミングが少ない等の特徴を有し、
撮像管に匹適し得るデバイスとして有用である。そのよ
うなデバイスとして例えば特開昭５４−１０３６３０号
公報と特開昭５５−３９４０４号公報が挙げられる。
このような光導電膜積層型固体撮像装置の実現には、す
ぐれた走査機能を有するＳｔ基板の開発と同様、すぐれ
だ光電変換機能を有する膜の開発が必須である。前記公
報においては、光導電膜としてＩＩ−Ｖｌ族化合物の異
種接合膜あるいは非晶質Ｓｔ膜等を用いている。非晶質
Ｓｔ膜はその製膜プロセスが一般に低圧ガス雰囲気中で
行なうために凹凸を有する基板上に形成する場合の被覆
性にすぐれているが、一方性能面においては残像が遅い
という欠点や印加電圧に対して分光特性が変化するとい
う欠点を有していた。Ｓｉ基板のみによる固体撮像装置
は残像や分光特性の安定性は極めてよいので、上記のよ
うな欠点は、光導電膜を積層したことによる利点、即ち
感度増加やプルーミングの減少を相殺するものである。
ぐれた走査機能を有するＳｔ基板の開発と同様、すぐれ
だ光電変換機能を有する膜の開発が必須である。前記公
報においては、光導電膜としてＩＩ−Ｖｌ族化合物の異
種接合膜あるいは非晶質Ｓｔ膜等を用いている。非晶質
Ｓｔ膜はその製膜プロセスが一般に低圧ガス雰囲気中で
行なうために凹凸を有する基板上に形成する場合の被覆
性にすぐれているが、一方性能面においては残像が遅い
という欠点や印加電圧に対して分光特性が変化するとい
う欠点を有していた。Ｓｉ基板のみによる固体撮像装置
は残像や分光特性の安定性は極めてよいので、上記のよ
うな欠点は、光導電膜を積層したことによる利点、即ち
感度増加やプルーミングの減少を相殺するものである。
本発明の固体撮像装置は、上記のような従来の欠点を克
服するために開発されたもので、光電変換膜の光入射側
の一部に禁止帯幅の小なる部分を形成することにより、
残像及び分光特性の印加電圧による変化を大幅に減少さ
せた固体撮像装置を提供するものでおる。
服するために開発されたもので、光電変換膜の光入射側
の一部に禁止帯幅の小なる部分を形成することにより、
残像及び分光特性の印加電圧による変化を大幅に減少さ
せた固体撮像装置を提供するものでおる。
第１図に本発明の一実施例における固体撮像装置の単位
絵素の断面図を示した。本実施例では走査機能として電
荷結合型デバイス（以下、これをＣＯＤと呼ぶ）を用い
て説明するが、これはＣ０Ｄ−に限定されるものではな
（、Ｂａｃｋｅｔ ＢｒｉｇａｄｅＤｅｖｉｃｅ （Ｂ
ＢＤ ）あるいはＭ ＯＳ マトリックス型素子であっ
ても良いことは言うまでもない。
絵素の断面図を示した。本実施例では走査機能として電
荷結合型デバイス（以下、これをＣＯＤと呼ぶ）を用い
て説明するが、これはＣ０Ｄ−に限定されるものではな
（、Ｂａｃｋｅｔ ＢｒｉｇａｄｅＤｅｖｉｃｅ （Ｂ
ＢＤ ）あるいはＭ ＯＳ マトリックス型素子であっ
ても良いことは言うまでもない。
同図において１はＰ型Ｓｔ基板で、２はｎ型領域でＰ型
Ｓｉ基板１との間にダイオードを形成している。３はｎ
−型領域で埋込み型のチャンネルとなっている。４は読
み込みゲート電極６の下の絶縁膜である。ゲート電極６
は読み込み動作と転送動作を兼ねており、後述するよう
にここに印加するパルスの高さにより読み込み動作と転
送動作の区別をおこなう。６は低融点ガラス等よりなる
絶縁体であり♂型領域２の一部のみ開口している。
Ｓｉ基板１との間にダイオードを形成している。３はｎ
−型領域で埋込み型のチャンネルとなっている。４は読
み込みゲート電極６の下の絶縁膜である。ゲート電極６
は読み込み動作と転送動作を兼ねており、後述するよう
にここに印加するパルスの高さにより読み込み動作と転
送動作の区別をおこなう。６は低融点ガラス等よりなる
絶縁体であり♂型領域２の一部のみ開口している。
７は光励起されたキャリアの収集電極で￥ｏ、Ｔａ。
へ１等よりなり絵素間分離のためモザイク状に形成され
♂型領域２と電気的に接続されている。８は本発明にか
かわる非晶質Ｓｔ よりなる光電変換膜で、光入射側の
一部に禁止帯幅の小なる部分９を形成している。禁止帯
幅の小なる部分９は光の吸収係数が大きいため青色光は
もちろん赤色光もこの部分で吸収される。１０はＩ Ｔ
Ｏ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎ ０ｘｉｄｅ）よりなる透明
電極、１１は入射光である。１２は非晶質Ｓｉｓに最適
な印加電圧を与えるための外部電源である。
♂型領域２と電気的に接続されている。８は本発明にか
かわる非晶質Ｓｔ よりなる光電変換膜で、光入射側の
一部に禁止帯幅の小なる部分９を形成している。禁止帯
幅の小なる部分９は光の吸収係数が大きいため青色光は
もちろん赤色光もこの部分で吸収される。１０はＩ Ｔ
Ｏ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎ ０ｘｉｄｅ）よりなる透明
電極、１１は入射光である。１２は非晶質Ｓｉｓに最適
な印加電圧を与えるための外部電源である。
次に、上記固体撮像装置の動作について説明する。第２
図に、本装置の要部平面図を示した。第３図（、） 、
（ｂ）は駆動パルス波形と入射光がある場合のｉ型領
域２の電位変化を示したものである。はじめに、第１フ
イールドにおいて光で生成したキャリアは電極アに集め
られる。ゲート電極６にｖｃＨなる読み込みパルスを印
加するとｉ型領域２はｖＣＨ”−ｖＴに充電されるため
に（ここでｖＴは♂型領域２とｉ型領域３およびゲート
電極６でなるトランジスタの闇値電圧である）、信号電
荷はｉ領域３に移される。１２および１２′は転送動作
を行なわせるためリン等のイオン注入により形成した障
壁部である。垂直転送はゲート電極６および６′に順次
パルスＶφを印加することにより電位勾配が形成され矢
印１３に示した方向に順次転送することが出来る。第２
フイールドにおいてはｉ領域２′に収集された電荷が同
様な方法により読み出すことが出来る。
図に、本装置の要部平面図を示した。第３図（、） 、
（ｂ）は駆動パルス波形と入射光がある場合のｉ型領
域２の電位変化を示したものである。はじめに、第１フ
イールドにおいて光で生成したキャリアは電極アに集め
られる。ゲート電極６にｖｃＨなる読み込みパルスを印
加するとｉ型領域２はｖＣＨ”−ｖＴに充電されるため
に（ここでｖＴは♂型領域２とｉ型領域３およびゲート
電極６でなるトランジスタの闇値電圧である）、信号電
荷はｉ領域３に移される。１２および１２′は転送動作
を行なわせるためリン等のイオン注入により形成した障
壁部である。垂直転送はゲート電極６および６′に順次
パルスＶφを印加することにより電位勾配が形成され矢
印１３に示した方向に順次転送することが出来る。第２
フイールドにおいてはｉ領域２′に収集された電荷が同
様な方法により読み出すことが出来る。
次に上記固体撮像装置の製造法について説明する。Ｐ
ＷＳ ｉ基板１に熱拡散等によりＰ等を拡散させ♂型領
域２を形成する。ぎ型領域の埋込みチャンネル３はＰあ
るいはＡ５等をイオン注入することにより形成する。更
に、Ｐ型８４基板１の表面にゲート酸化膜４を形成した
後、非晶質シリコン（Ｐｏｌｙ−８ｔ）等によりゲート
電極６を形成する。しかる後に絶縁層６を形成するがこ
れは♂型領域２の一部を開口した後、段差緩和のためメ
ルト７０−を行なうので、リンシリケートガラスのよう
な低融点物質が望ましい。絶縁層６を形成した後、Ａｌ
ｌ 、Ｍｏ 、 Ｗ 、Ｔａ 、Ｃｒ等より電荷収集用
の第一電極７を形成する。この第一電極は絵素分離を行
なうためモザイク状に形成している。
ＷＳ ｉ基板１に熱拡散等によりＰ等を拡散させ♂型領
域２を形成する。ぎ型領域の埋込みチャンネル３はＰあ
るいはＡ５等をイオン注入することにより形成する。更
に、Ｐ型８４基板１の表面にゲート酸化膜４を形成した
後、非晶質シリコン（Ｐｏｌｙ−８ｔ）等によりゲート
電極６を形成する。しかる後に絶縁層６を形成するがこ
れは♂型領域２の一部を開口した後、段差緩和のためメ
ルト７０−を行なうので、リンシリケートガラスのよう
な低融点物質が望ましい。絶縁層６を形成した後、Ａｌ
ｌ 、Ｍｏ 、 Ｗ 、Ｔａ 、Ｃｒ等より電荷収集用
の第一電極７を形成する。この第一電極は絵素分離を行
なうためモザイク状に形成している。
非晶質Ｓｔ ａの形成法として主なものにグロー放電に
よる方法とスパッタリングによる方法がある。グロー放
電法においてはＳｉＨ４あるいはＳ ｉ ２Ｈ６をベー
スとしてＨ２添加等を行なう。非晶質Ｓｔ中金含有れる
Ｈの量は１０〜ａｏ％が望ましい。本発明の特徴である
禁止帯幅の狭い層９の形成は、上記非晶質Ｓｔ形成中に
一時的にＨ２ガス流量を減少させたり基板温度を上昇さ
せたりして非晶質Ｓｉ中に含有されるＨ濃度を減少させ
ることにより得ることが出来る。
よる方法とスパッタリングによる方法がある。グロー放
電法においてはＳｉＨ４あるいはＳ ｉ ２Ｈ６をベー
スとしてＨ２添加等を行なう。非晶質Ｓｔ中金含有れる
Ｈの量は１０〜ａｏ％が望ましい。本発明の特徴である
禁止帯幅の狭い層９の形成は、上記非晶質Ｓｔ形成中に
一時的にＨ２ガス流量を減少させたり基板温度を上昇さ
せたりして非晶質Ｓｉ中に含有されるＨ濃度を減少させ
ることにより得ることが出来る。
禁止帯幅の狭い層９の形成法としてＨ含有量を減少させ
ても形成できるが、この方法に限定されるものではなく
、例えばＧｅ等を含有させることによっても禁止帯幅を
狭ばめることは可能であり全く同等の効果が得られる。
ても形成できるが、この方法に限定されるものではなく
、例えばＧｅ等を含有させることによっても禁止帯幅を
狭ばめることは可能であり全く同等の効果が得られる。
まだスパッタリング法で作製する場合にはＳｔをターゲ
ットとして雰囲気ガスとしてＡｒとＨ２を導入してスパ
ッタリングを行なうことにより非晶質Ｓｔが得られるが
、Ｈ２とＡｒの混合比を変えることにより非晶質８ｉ中
のＨ含有量を制御することが可能であるのでグロー放電
法の場合と同様に、非晶質Ｓｉ中の一部に禁止帯幅の狭
い層を作製することが出来る。第４図にＨ含有量に対す
る禁止帯幅の依存性を示した。この図より、例えば３０
％水素量含有層８を約１μｍ形成し、その後６チ水素量
含有層（禁止帯幅の狭い層９）を約０．３μｍ形成し、
更に３０チ水素量含有層（非晶質５ｔａ）を０．２μｍ
形成すれば第１図に示した構造の非晶質Ｓｔが得られる
。
ットとして雰囲気ガスとしてＡｒとＨ２を導入してスパ
ッタリングを行なうことにより非晶質Ｓｔが得られるが
、Ｈ２とＡｒの混合比を変えることにより非晶質８ｉ中
のＨ含有量を制御することが可能であるのでグロー放電
法の場合と同様に、非晶質Ｓｉ中の一部に禁止帯幅の狭
い層を作製することが出来る。第４図にＨ含有量に対す
る禁止帯幅の依存性を示した。この図より、例えば３０
％水素量含有層８を約１μｍ形成し、その後６チ水素量
含有層（禁止帯幅の狭い層９）を約０．３μｍ形成し、
更に３０チ水素量含有層（非晶質５ｔａ）を０．２μｍ
形成すれば第１図に示した構造の非晶質Ｓｔが得られる
。
また、スパッタリング法においてＧｅ等を一部に含有さ
せる場合には、Ｓｔ ターゲット中に混合した合金タフ
ゲットを用いるかあるいはＳｔ ターゲット表面の一部
にＧｏを設置することにより、任意の量のＧｏを含有さ
せることが出来る。このようにして形成した非晶質Ｓｉ
Ｏ上にスパッタリング法等によりインジウム・スズの酸
化物である透明電極１ｏを形成することにより、本実施
例の素子を得ることが出来る。
せる場合には、Ｓｔ ターゲット中に混合した合金タフ
ゲットを用いるかあるいはＳｔ ターゲット表面の一部
にＧｏを設置することにより、任意の量のＧｏを含有さ
せることが出来る。このようにして形成した非晶質Ｓｉ
Ｏ上にスパッタリング法等によりインジウム・スズの酸
化物である透明電極１ｏを形成することにより、本実施
例の素子を得ることが出来る。
次に、本発明の実施例における固体撮像装置の効果につ
いて述べる。第６図は本発明の実施例および従来例にお
ける固体撮像装置光電流の電圧依存性を示したものであ
る。従来例は非晶質Ｓｉ８の中に禁止帯幅の狭い層９を
形成しない場合であるが光電流は電圧増加と共に増加の
傾向を示す。
いて述べる。第６図は本発明の実施例および従来例にお
ける固体撮像装置光電流の電圧依存性を示したものであ
る。従来例は非晶質Ｓｉ８の中に禁止帯幅の狭い層９を
形成しない場合であるが光電流は電圧増加と共に増加の
傾向を示す。
５１．５２は従来例の場合の特性曲線を示しており、特
性曲線６１は赤色光に対するもの、特性曲線６２は青色
光に対するものである。従来例において特に問題となる
のは赤色光と青色光に対する光電流の増加割合が異なっ
ていることである。通常、光導電膜積層型固体撮像板に
おいて、光導電膜への印加電圧は幅をもたせる。このこ
とは設定電圧により非晶質Ｓｔの分光特性が異なること
を意味し、単板カラーカメラとして固体撮像上にフィル
ターを形成した時に色再現性の劣下となる。
性曲線６１は赤色光に対するもの、特性曲線６２は青色
光に対するものである。従来例において特に問題となる
のは赤色光と青色光に対する光電流の増加割合が異なっ
ていることである。通常、光導電膜積層型固体撮像板に
おいて、光導電膜への印加電圧は幅をもたせる。このこ
とは設定電圧により非晶質Ｓｔの分光特性が異なること
を意味し、単板カラーカメラとして固体撮像上にフィル
ターを形成した時に色再現性の劣下となる。
しかるに本発明の実施例の固体撮像装置のように禁止帯
幅の狭い層９を設けることにより、光電流の電圧依存性
は小さくなり、単板カラーカメラとした時の色再現性は
一段と改善される。第５図において、特性曲線５３．５
４は本発明の実施例に関するものであり、６３は赤色光
に対するもの、６４は青色光に対するものである。
幅の狭い層９を設けることにより、光電流の電圧依存性
は小さくなり、単板カラーカメラとした時の色再現性は
一段と改善される。第５図において、特性曲線５３．５
４は本発明の実施例に関するものであり、６３は赤色光
に対するもの、６４は青色光に対するものである。
本発明の実施例におけるさらに他の効果は残像の改善で
ある。第６図に残像のフィールド依存性を示した。 フ
ィールドにおける残像は、本発明の実施例に関する特性
曲線６１では６チ以下であるが、禁止帯幅の狭い層９を
形成しない従来の場合（特性曲線６２）においては約１
８％と遅く、０ かつ、長い時間にわたり残像成分が残る。
ある。第６図に残像のフィールド依存性を示した。 フ
ィールドにおける残像は、本発明の実施例に関する特性
曲線６１では６チ以下であるが、禁止帯幅の狭い層９を
形成しない従来の場合（特性曲線６２）においては約１
８％と遅く、０ かつ、長い時間にわたり残像成分が残る。
上記に示した禁止帯幅の小なる部分を形成したことによ
る効果は、主に非晶質Ｓｔの電子の易動度μｅと正孔の
易動度μｈが大幅に異なるためである。即ち、通常μｅ
は約１０−’ ７ ／Ｖ−ｓｅａであルカｐｈハ約１０
−２ｃｒＡ ／Ｖ−ｓｅａ以下である。従って、第７図
（ａ）の従来例の場合においては禁止帯幅の狭い層９が
存在しないときは青色光による励起キヤ番リアは、７１
で示すように透明電極１ｏ付近で生成され、主な走行キ
ャリアは電子７２となるが、赤色光による励起キャリア
は７３で示すように非晶質Ｓｔ ｓの第一電極７付近で
生成されるため主な走行キャリアは正孔７４となり赤色
光の飽和特性が劣下する。
る効果は、主に非晶質Ｓｔの電子の易動度μｅと正孔の
易動度μｈが大幅に異なるためである。即ち、通常μｅ
は約１０−’ ７ ／Ｖ−ｓｅａであルカｐｈハ約１０
−２ｃｒＡ ／Ｖ−ｓｅａ以下である。従って、第７図
（ａ）の従来例の場合においては禁止帯幅の狭い層９が
存在しないときは青色光による励起キヤ番リアは、７１
で示すように透明電極１ｏ付近で生成され、主な走行キ
ャリアは電子７２となるが、赤色光による励起キャリア
は７３で示すように非晶質Ｓｔ ｓの第一電極７付近で
生成されるため主な走行キャリアは正孔７４となり赤色
光の飽和特性が劣下する。
これに対して第７図（ｂ）の本発明の実施例の場合には
入射光側の一部に禁止帯幅の小なる部分を形成するなら
その部分における光吸収係数が増加するため入射光の青
色光は熱論のこと赤色光の大部分もこの吸収係数の大き
い禁止帯幅の小なる部分で吸収される。従って、青色光
および赤色光を含１１ む可視域の光による励起キャリアは７６に示すように禁
止帯の小なる部分で生成されるため膜中の主な走行キャ
リアは移動度が大きい電子となるので、低電界において
も電子が第一電極７に到達しやすくなり光電流の飽和特
性が向上すると共に、光電流の波長依存性も減少する。
入射光側の一部に禁止帯幅の小なる部分を形成するなら
その部分における光吸収係数が増加するため入射光の青
色光は熱論のこと赤色光の大部分もこの吸収係数の大き
い禁止帯幅の小なる部分で吸収される。従って、青色光
および赤色光を含１１ む可視域の光による励起キャリアは７６に示すように禁
止帯の小なる部分で生成されるため膜中の主な走行キャ
リアは移動度が大きい電子となるので、低電界において
も電子が第一電極７に到達しやすくなり光電流の飽和特
性が向上すると共に、光電流の波長依存性も減少する。
更に、主な走行キャリアが電子となるため当然ながら残
像も改善される。
像も改善される。
以上述べてきたように、本発明の固体撮像装置は光入射
側の一部に禁止帯幅の小なる′部分を形成した非晶質Ｓ
ｔ等よりなる光導電膜を走査デバイス上に積層した固体
撮像板で、残像と分光特性の電圧依存性の安定化をはか
ることにより色再現性を向上させた固体撮像板を提供す
るもので、その高感度・低プルーミング特性とあわせて
、その産業上の意義はきわめて大きいものと言える。
側の一部に禁止帯幅の小なる′部分を形成した非晶質Ｓ
ｔ等よりなる光導電膜を走査デバイス上に積層した固体
撮像板で、残像と分光特性の電圧依存性の安定化をはか
ることにより色再現性を向上させた固体撮像板を提供す
るもので、その高感度・低プルーミング特性とあわせて
、その産業上の意義はきわめて大きいものと言える。
第１図は本発明の一実施例における固体撮像装置の要部
断面図、第２図は同固体撮像装置の要部平面図、第３図
（−） 、 （ｂ）は同固体撮像装置の駆動パ２ ルスとダイオード電位変化を示す図、第４図は非晶質Ｓ
ｔの水素含有率と禁止帯幅の相関図、第６図は従来およ
び本発明の実施例における非晶質Ｓｔの電流・電圧特性
を示す図、第６図は従来および本発明の実施例における
固体撮像装置の残像特性図、第７図（ａ）、 （ｂ）は
それぞれ従来および本発明の固体撮像装置の動作を説明
するだめのバンドモデル図である。 １・・・・・Ｐ型まｉ基板、２・・・・−ｎ型領域、３
・・・・・・ｎ−領域、６・・・・ゲート電極、６・・
・・絶縁体、７・・・・・・収集電極（第１電極）、８
・・・・・非晶質Ｓｔ層、９・・・・・禁止帯幅の小さ
い層（部分）、１ｏ・・・・・・透明電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３ＷＡ 第４図 １￥品憤、Ｓ′ｉ市１”スネＪ贅量（勾ｆ’Ｍ／（Ｐｓ
ｒ＋Ｐｎ） 第５図 、５７ 覚 １１丑（Ｖ） 第６図 フィールド畝 第７図 ２
断面図、第２図は同固体撮像装置の要部平面図、第３図
（−） 、 （ｂ）は同固体撮像装置の駆動パ２ ルスとダイオード電位変化を示す図、第４図は非晶質Ｓ
ｔの水素含有率と禁止帯幅の相関図、第６図は従来およ
び本発明の実施例における非晶質Ｓｔの電流・電圧特性
を示す図、第６図は従来および本発明の実施例における
固体撮像装置の残像特性図、第７図（ａ）、 （ｂ）は
それぞれ従来および本発明の固体撮像装置の動作を説明
するだめのバンドモデル図である。 １・・・・・Ｐ型まｉ基板、２・・・・−ｎ型領域、３
・・・・・・ｎ−領域、６・・・・ゲート電極、６・・
・・絶縁体、７・・・・・・収集電極（第１電極）、８
・・・・・非晶質Ｓｔ層、９・・・・・禁止帯幅の小さ
い層（部分）、１ｏ・・・・・・透明電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３ＷＡ 第４図 １￥品憤、Ｓ′ｉ市１”スネＪ贅量（勾ｆ’Ｍ／（Ｐｓ
ｒ＋Ｐｎ） 第５図 、５７ 覚 １１丑（Ｖ） 第６図 フィールド畝 第７図 ２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）信号電荷を順次選択走査する手段を有する半導体
基板と上記半導体基板上に光電変換膜を積層してなる固
体撮像装置であって、上記光電変換膜の光入射側に位置
する一部の禁止帯幅が他の部分の禁止帯幅より小である
ことを特徴とする固体撮像装置。 に））光電変換膜が非晶質Ｓｔを主体とすることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の固体撮像装置。 （３）非晶質Ｓｔの禁止帯幅の小なる部分が水素含有量
を他の部分より小とすることにより形成されていること
を特徴とする特許請求の範囲第２項記載の固体撮像装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56187558A JPS5888977A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56187558A JPS5888977A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5888977A true JPS5888977A (ja) | 1983-05-27 |
| JPS6350912B2 JPS6350912B2 (ja) | 1988-10-12 |
Family
ID=16208175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56187558A Granted JPS5888977A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5888977A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5564350A (en) * | 1978-11-08 | 1980-05-15 | Hitachi Ltd | Radioactive-ray receiving face |
-
1981
- 1981-11-20 JP JP56187558A patent/JPS5888977A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5564350A (en) * | 1978-11-08 | 1980-05-15 | Hitachi Ltd | Radioactive-ray receiving face |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6350912B2 (ja) | 1988-10-12 |
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