JPS5890780A - 入力保護装置 - Google Patents
入力保護装置Info
- Publication number
- JPS5890780A JPS5890780A JP56188786A JP18878681A JPS5890780A JP S5890780 A JPS5890780 A JP S5890780A JP 56188786 A JP56188786 A JP 56188786A JP 18878681 A JP18878681 A JP 18878681A JP S5890780 A JPS5890780 A JP S5890780A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- input
- input protection
- capacity
- wiring
- external lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D89/00—Aspects of integrated devices not covered by groups H10D84/00 - H10D88/00
- H10D89/60—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD]
- H10D89/601—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs
Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明に半導体装置の入力保護装置に関するものである
。
。
１＃！３縁ゲート亀界効来トランジスタ（以下ＭＯ８Ｉ
ｌｌ ｒと略記す。）からなる半導体装置において、外
部引き出し電極と入力ＭＯ８Ｔｒのゲー）１ｉ１：極を
接続する場合、静電気勢による過大電圧が外部端子に印
加されることにより人力ＭＯ８Ｔｒのゲート絶縁膜が破
壊される恐れがある。これを防ぐため、通常外部引き出
し一極と前記ゲート電極間に保−回路が設けられる。
ｌｌ ｒと略記す。）からなる半導体装置において、外
部引き出し電極と入力ＭＯ８Ｔｒのゲー）１ｉ１：極を
接続する場合、静電気勢による過大電圧が外部端子に印
加されることにより人力ＭＯ８Ｔｒのゲート絶縁膜が破
壊される恐れがある。これを防ぐため、通常外部引き出
し一極と前記ゲート電極間に保−回路が設けられる。
Ｎチャンネル型ＭＯ８Ｔｒを例にして従来最も一般に用
いられている入力保護装置の平面図を第１図（Ｊｌｌに
、また、第１図（ｂ）に第１図（ａ）中に示されるＡ−
Ａ’の断面図を示す。第２図に第１図に示された入力保
護装置の咎価回路を示す。この入力保護装置の動作原理
は、第２図から明らかな様に、抵抗と容ＩＫよ多入力端
子に加えられた過大を圧波形を遅延させてなめらかにし
、かつ拡散層と基板間のダイオードの順・逆方向特性を
利用し、入力正過犬亀圧は逆方向降伏電圧に、入力食過
大電圧はダイオードの順方向電圧におさえるものである
。
いられている入力保護装置の平面図を第１図（Ｊｌｌに
、また、第１図（ｂ）に第１図（ａ）中に示されるＡ−
Ａ’の断面図を示す。第２図に第１図に示された入力保
護装置の咎価回路を示す。この入力保護装置の動作原理
は、第２図から明らかな様に、抵抗と容ＩＫよ多入力端
子に加えられた過大を圧波形を遅延させてなめらかにし
、かつ拡散層と基板間のダイオードの順・逆方向特性を
利用し、入力正過犬亀圧は逆方向降伏電圧に、入力食過
大電圧はダイオードの順方向電圧におさえるものである
。
ところが、従来の入力保護装置では、保験回路の容重と
して、前記拡散層と半導体基板間に生ずる接合谷ｔを用
りているため、入力端子に印加される−圧が高いほど接
合部の空乏層は大きく広が９、接曾谷′ｌＩｉは小さく
なる。よって、従来の入力保護回路では入力端子に印加
される電圧が筒いｔよと波形を遅延δぜる能力が低下し
、入力保護の能力か劣化するという欠点があり、非常に
不都合であった。
して、前記拡散層と半導体基板間に生ずる接合谷ｔを用
りているため、入力端子に印加される−圧が高いほど接
合部の空乏層は大きく広が９、接曾谷′ｌＩｉは小さく
なる。よって、従来の入力保護回路では入力端子に印加
される電圧が筒いｔよと波形を遅延δぜる能力が低下し
、入力保護の能力か劣化するという欠点があり、非常に
不都合であった。
本発明は、上記従来の欠点の無い入力保護回路を提供す
るものである。
るものである。
本発明は、−導ｔ／１．型半導体基板に形成された逆導
電型拡散層を入力用外部引き出し一極と入力絶縁グー）
’ｍ界効釆トランジスタのゲート電極間に設けた入力保
護回路において前記入力用外部引き出し電極とｉｍ ｍ
ｃ逆導ｋＷ拡散−間に設けらｎた配線上に他の領域の誘
電体物質よシもよシ大きな心電率をＭする＠電体物質を
設置したことを％徴とするＯ 次に′２＃−兜明の一実施例を図面を用いて説明する。
電型拡散層を入力用外部引き出し一極と入力絶縁グー）
’ｍ界効釆トランジスタのゲート電極間に設けた入力保
護回路において前記入力用外部引き出し電極とｉｍ ｍ
ｃ逆導ｋＷ拡散−間に設けらｎた配線上に他の領域の誘
電体物質よシもよシ大きな心電率をＭする＠電体物質を
設置したことを％徴とするＯ 次に′２＃−兜明の一実施例を図面を用いて説明する。
第３図（ａ）は本発明実施例の平面図、第３図（ｂ）は
第３図（！Ｌ）ＯＢ−Ｂ’の断血図である。第４図は第
３図の寺伽回路図−でるる。従来の写＾蝕刻、熱拡散、
気相成長及び金輌配組技術を用いて第３図に示す構造の
入力保護装置ができる。入力用外部引き出し／＃ｊＩＬ
極１５と半導体基板と逆導電型拡散層１２の間に設けら
れた配線の一部分の下に、たとえば窒化珪素１６のよう
に、周囲の酸化膜よりもよシ大きな＠電率をもつ誘電体
物質を設置することによって、第４図の容１２０７を付
加したものである。
第３図（！Ｌ）ＯＢ−Ｂ’の断血図である。第４図は第
３図の寺伽回路図−でるる。従来の写＾蝕刻、熱拡散、
気相成長及び金輌配組技術を用いて第３図に示す構造の
入力保護装置ができる。入力用外部引き出し／＃ｊＩＬ
極１５と半導体基板と逆導電型拡散層１２の間に設けら
れた配線の一部分の下に、たとえば窒化珪素１６のよう
に、周囲の酸化膜よりもよシ大きな＠電率をもつ誘電体
物質を設置することによって、第４図の容１２０７を付
加したものである。
第３図では示していないが、該容量は異穐の訪一体物質
を多層構造状に設置することによっても付加できること
は明らかである。
を多層構造状に設置することによっても付加できること
は明らかである。
本発明における入力保護回路の動作原理は、従来の入力
保護回路とほぼ同じであるが、第４図に示す逼り、外部
引き出し電極２０１から拡散層２０２の配線に入力端子
に印加させる電圧に依存しない容量２０７が設置されて
いる為、スパイク状の入力過電圧が入力端子２０１に印
加されても容重による遅延でなめらかＫなシ従来の入力
保護回路よシも入力保護としての機能を高める効果があ
る。また谷蓋２０７は第４図の拡散層２０２とゲート電
極２０５の間に設置するよシも、本特許の如く外部引き
出し電極２０１と拡散層２０２の間に設置した方が効果
が大である。
保護回路とほぼ同じであるが、第４図に示す逼り、外部
引き出し電極２０１から拡散層２０２の配線に入力端子
に印加させる電圧に依存しない容量２０７が設置されて
いる為、スパイク状の入力過電圧が入力端子２０１に印
加されても容重による遅延でなめらかＫなシ従来の入力
保護回路よシも入力保護としての機能を高める効果があ
る。また谷蓋２０７は第４図の拡散層２０２とゲート電
極２０５の間に設置するよシも、本特許の如く外部引き
出し電極２０１と拡散層２０２の間に設置した方が効果
が大である。
筐た、第３図には記入しなかったが、容量２０７を設け
る領域の基板表面に基板と四導電型で基板よシも一磯に
の不純物を設けるとさらに効果は大きくなる。
る領域の基板表面に基板と四導電型で基板よシも一磯に
の不純物を設けるとさらに効果は大きくなる。
以上は、Ｎチャンネルアルミニウムグー）ＭＯ８Ｔ ｒ
′？を例に説明したが、他のいかなる形成のＭＯ８Ｔ
ｒにも適用が可能であることは明らかである。
′？を例に説明したが、他のいかなる形成のＭＯ８Ｔ
ｒにも適用が可能であることは明らかである。
第１図（ａ）および（ｂ）は従来の入力保護回路の平面
図およびＡ−Ａ’の断面図、第２図はその等価回路図、
第３図（ａ）および（ｂ）は本発明の一実施例の平面図
および１３−Ｂ’の断面図、第４図はその勢価回路図、
でめる。 なお囚において、１．１１・・・・・・Ｐ型半導体基板
、２．１２・・・・・・Ｎ型半導体基板％ １３・・・
・・・窒化＃ｉ素、４．１４・・・・・・接続用穴、５
．１５・・・・・・外部引き出しアルミ電極、５’、１
５’・・・・・・ＭＯＳ Ｔｒのゲート電極へのアル
ミニウム配線、１０１，１０２・・・・・・入力端子、
１０２，２０２，１０６．２０６・・・・・・抵抗、１
０３．２０３，２０７・・・・・・容量、１０４，２０
４・・・・・・ダイオード、１０５．２０５−・・・・
入力ＭＯ８Ｔｒ。 である。
図およびＡ−Ａ’の断面図、第２図はその等価回路図、
第３図（ａ）および（ｂ）は本発明の一実施例の平面図
および１３−Ｂ’の断面図、第４図はその勢価回路図、
でめる。 なお囚において、１．１１・・・・・・Ｐ型半導体基板
、２．１２・・・・・・Ｎ型半導体基板％ １３・・・
・・・窒化＃ｉ素、４．１４・・・・・・接続用穴、５
．１５・・・・・・外部引き出しアルミ電極、５’、１
５’・・・・・・ＭＯＳ Ｔｒのゲート電極へのアル
ミニウム配線、１０１，１０２・・・・・・入力端子、
１０２，２０２，１０６．２０６・・・・・・抵抗、１
０３．２０３，２０７・・・・・・容量、１０４，２０
４・・・・・・ダイオード、１０５．２０５−・・・・
入力ＭＯ８Ｔｒ。 である。
Claims (1)
- 一導亀型半導体基板に形成された逆導電型拡散層を入力
用外部引き出し電極と入力絶縁ゲート電界効果トランジ
スタのゲート′ＩＬ極間に設けた入力保護装置において
、前記入力用外部側き出し一極と前記逆導電型拡散層間
に設けられた配線下に他の領域の酩亀体物質よりもより
大きな防電率をゼするｉ％ｔ＆体物負を設置したことｔ
特徴とする入力保護装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56188786A JPS5890780A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 入力保護装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56188786A JPS5890780A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 入力保護装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5890780A true JPS5890780A (ja) | 1983-05-30 |
Family
ID=16229763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56188786A Pending JPS5890780A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 入力保護装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5890780A (ja) |
-
1981
- 1981-11-25 JP JP56188786A patent/JPS5890780A/ja active Pending
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