JPS5890797A - 電子部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、半導体装置、薄膜サーマルへラド等、及び
これらを複合化した電子部品においてパターンニングし
て形成される導゛・１体、抵抗体、及び絶縁体等に、ポ
リイミド系高分子材料よりなる平坦化絶縁膜を形成する
方法に関するものである。

半導体装置、薄膜サーマルヘッド等、及びこれらを複合
化した電子部品の小形化、応答速度の敏速化、信頼性の
向上等の要求から薄膜技術をマイクロエレクトロニクス
へ応用した薄膜電子部品等を開発しようとする試°みが
強くなっている。

ここではこれらの薄膜電子部品等の形成によくもちいら
れる多層配線を例に、ポリイミド系高分子材料等による
平坦化絶縁膜の形成方法を説明する。

従来のこの種、多層配線の形成方法として第１図、第２
図に示すものがあった。

第１図はマトリクス型二層配線の構成例を示した図であ
り第２図は第１図の■−■線における二層配線の断面構
造図である。

図において、（１）は一層配線、（２）二層配線４（３
）基板、（４）は絶縁膜、（５）は眉間絶縁膜、（６）
は短絡部、（７）はｉ−１’ｒ１１ｊ１部を示してイル
。

まず第１図、第２図とともに従来法による多層配線の形
成方法を説明する。

半導体装置、ｈ膜す−マルヘッド等、及びこれ゛らを複
合化した電子部品等は、例えばステンレススチールある
いはセラミック、ガラス等よりなる導１シ性、又は絶縁
性の基板（３）上に、上述の各機能部、形成力”途中過
程、あるいは各機能部を形成した後に、例えば５ｉ０２
、又はＳｉＮ等よりなる絶縁膜（４）を設け、その上部
に例えばＡＩ、又はＡｕ　　等よりなる一ノー配線（す
を形成した後に、ポリイミド系高分子材料等よりなる層
間絶縁膜（５〕を設け、この上部に再度ＡＩ、又はＡｕ
　　等よりなる二層配線（２）を形成して、麺＠五子部
品等の二ノー配線構造が完成していた。

従来のものは以上のような構成になっているので、−）
−配線（１）のパターン端部の特に肩の部分において、
短絡（６）、又は断線（７）が発生しやすい傾向を有し
ている。特に一層配線に大きな（温容量が必要等で、こ
の膜厚が増加した場合には、特にこの短絡、断線等の発
生の可能性が増加する。又この短絡、断線等の欠陥を防
止するためにポリイミド系高分子材料等よりなる層間絶
縁膜（５）の膜厚を増加させると、一層配線鳳すの引出
し端子部（図示せず）での、例えばフォトエツチング法
による層間絶縁膜（５）のエツチング、除去が困難とな
り、又微細パターンの形成が不能となる等、種々の欠陥
を有し、集積度が高く、かつ短絡、断線のない良好な多
層配線が得られないといった欠点があった。

この発明は前述のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、層間絶縁膜を二つの１−に分離し
、−Ｊａｉ１目で一層配線と同一高さの平坦化絶縁膜を
形成し、二層目で所望の膜厚を有する層間絶縁膜を形成
する方法により、半導体装置、薄膜サーマルヘッド等、
及びこれらを複合化した電子部品等に必要な、平坦化さ
れた良好な層間絶縁膜を有する多層配線構造の製造方法
を提供することを目的としている。

以下この発明の一実施例を第８図により説明する。第８
図−はこの発明の一実施例の断面図で第２図と同じ部分
の請面構造図である。

）（において、（１）は−ノー配線、（２）二層配線、
（３）基板、（４）は絶縁膜、（８）は平坦化絶縁膜、
（９）は層間絶縁膜を示している。ひき続き、第８図に
よりこの発明の一実施例を説明する。

半導体装置、薄膜サーマルヘッド等、及びこれらを各機
能部を複合化したｓｔ電子部品は、例えばステンレスス
チール、あるいはセラミック、ガラス等よノりなる４イ
性又は絶縁性の基板（３）上に、上述の各機能部形成の
途中過程、あるいは各機能部を形成した後に、例えばＳ
ｉＯ□、又はＳｉＮ等よりなる絶縁膜（４）を設け、そ
の上部に、例えばＡＩ、又はＡｕ等よりなる−１−配線
（１）を形成した後に、ポリイミド系高分子材料等を例
えばスピナー法等で、−１−配線（１）と同じ膜厚にな
るように設置し、フォトエツチング法により一層配線（
１）上部のポリイミド系高分子材料等をエツチング除去
し、一層配線（１）と同一高さを有する平坦化絶縁膜（
８）を形成する。

この後所望の膜厚を有する１１間絶縁膜（９）を例えば
ポリイミド系高分子材料等をもちいてスピナー法等で形
成し、次いで例えばＡＩ、又はＡｕ等よりなる二層配線
（２）を形成して、前述の薄膜電子部品等の二層配線構
造が完成する。

この発明による多層配線等にもちいる平坦化絶縁膜は以
上のように構成されているので従来法の例で発生した一
層配線（１）のパターン端部の特に肩の部分において発
生したような一層配線と二１−配線の短絡、二層配線の
断線等がなく、又−１配線に例えば大きな電流容量が必
要でこの膜厚が増加した場合においても、層間絶縁膜を
、平坦化絶縁膜と層間絶縁膜に分離して構成したので、
前記短絡、断線が生じない。また層間絶縁膜を従来例の
ように短絡、断線を防止するために必要以上の膜厚に形
成する必要がなく、シたがって微細パターンの形成が可
能となる等、集積度が高く、かつ短絡、断線のない良好
な多層配線構造が得られる。

又この発明による平坦化絶縁膜を例えば半導体装置、薄
膜サーマルヘッド等、及びこれらの各機能部を複合化し
た電子部品等の多層配線部に適用して、高集積度でかつ
短絡、断線の少ないものが得られる効果がある。

ｔおＩ；ｉｔ記実施例では二層配線の場合を例に説明し
たが、これを発展させた、三層、四層〜十層等のいわゆ
る多１−配緑構造に−も適用できることはｇ及するまで
もなく、この場合には更に効果が大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図は、従来法、及びこの発明を説明するためのマト
リクス型二層配線の平面図、第２図は従来法を説明する
ための第１図■−■線における断面構造図、第３図はこ
の発明法を説明するための断面構造図で、第２図と同じ
部分を示したものである。 図において（１１は一層配線、（２）は二層配線、（３
）は括板、（４）は絶縁膜、（５）は従来の層間絶縁膜
、（６）は短絡部、（７）は断線部、（８）は平坦化絶
縁膜、（９）は層間絶縁膜である。 なお肉牛、同一符合はそれぞれ同一、又は相当部分であ
る。 代理人　　葛　野　信　−（外１名）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１１半薄体装・ｄ１薄膜サーマルヘッド等、及びこ４
   １らを複合化した電子部品等の製造に際し、パターンニ
   ングして形成される導１体、抵抗体、及び絶１１体等の
   台形・・兎膜上にポリイミド系高分子材料等を前記各形
   成膜とほぼ同一の膜厚に形成した後に、フォトエツチン
   グ法等により前記各形成膜上のポリイミドも高分子材料
   等を除去し、再変ポリイミド系趙分子材料等を所望・Ｄ
   膜厚に形成し、前記各形成膜表面、又は上部にポリイミ
   ド系高分子材料等よりなる平坦化絶縁膜を形成するよう
   にしたことを特徴とする電子部品の製造方法。 （２）平坦化絶ｉ、Ｊ　Ｉｉがポリイミド系高分子材料
   であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電
   子部品の、快・な方法。