JPS63155691A - 多層配線回路基板 - Google Patents
多層配線回路基板Info
- Publication number
- JPS63155691A JPS63155691A JP30352786A JP30352786A JPS63155691A JP S63155691 A JPS63155691 A JP S63155691A JP 30352786 A JP30352786 A JP 30352786A JP 30352786 A JP30352786 A JP 30352786A JP S63155691 A JPS63155691 A JP S63155691A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- circuit board
- insulating layer
- multilayer wiring
- wiring circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は多層配線回路基板に関する。
（従来の技術）
従来から絶縁基板上に、導体パターン層と絶縁層とが所
定の層数だけ積層された多層配線回路基板を製造する方
法として、例えば次のような方法が知られている。すな
わち第２図（ａ）Ｊ′３よび第２図（ｂ）に示すように
、まずセラミックス基板等の絶縁基板１上に、マスクに
よる選択蒸着あるい【ま全面魚口後の通常のフォトリソ
ヨー程により第１の導体パターン層２ａを形成する。次
にこの導体パターン層２ａ上に第１の絶縁層３ａを全面
に被む形成したのら、エツチングマスクを大きくするか
、あるい【：１オーバーエツチングにより所望の導体間
接続部の断面積よりも大きい導体間接続用の開［」部４
ａを形成する。続いて同様の方法により第２の絶縁層３
１１）を全面に被着形成し、所望の導体間接続部の断面
積と等しい大きさの導体間接１’７ｃ用の開口部４ｂを
形成する。こののち第２の導体パターン層２ｂをマスク
による選択蒸着あるいは全面蒸着後の通常のフＡトリソ
］：稈により所望のパターンに形成する。
定の層数だけ積層された多層配線回路基板を製造する方
法として、例えば次のような方法が知られている。すな
わち第２図（ａ）Ｊ′３よび第２図（ｂ）に示すように
、まずセラミックス基板等の絶縁基板１上に、マスクに
よる選択蒸着あるい【ま全面魚口後の通常のフォトリソ
ヨー程により第１の導体パターン層２ａを形成する。次
にこの導体パターン層２ａ上に第１の絶縁層３ａを全面
に被む形成したのら、エツチングマスクを大きくするか
、あるい【：１オーバーエツチングにより所望の導体間
接続部の断面積よりも大きい導体間接続用の開［」部４
ａを形成する。続いて同様の方法により第２の絶縁層３
１１）を全面に被着形成し、所望の導体間接続部の断面
積と等しい大きさの導体間接１’７ｃ用の開口部４ｂを
形成する。こののち第２の導体パターン層２ｂをマスク
による選択蒸着あるいは全面蒸着後の通常のフＡトリソ
］：稈により所望のパターンに形成する。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながらこのＪ、）にしで１［７られた従来の多層
配線回路基板では、第１の絶縁層３ａおよび第２の絶縁
層３ｂの聞［」部を形成りる際に、第２図（Ｃ）に丞す
」；うに開口部４ａ、／Ｉｂの角部等て絶Ｒ，Ｋ・ｊの
膜外り５ａ、５ｂが牛じる。この膜外りは絶縁層の材料
として感光性ポリイミドを使用した場合に特に顕著であ
る。このように第２の絶縁層の開口部４ｂに膜外り５ｂ
が生じると第１の導体パターン層２ａと第２の導体パタ
ーン層２ｂとの接続面積が減少し、接続不良が生ずると
いう問題があった。
配線回路基板では、第１の絶縁層３ａおよび第２の絶縁
層３ｂの聞［」部を形成りる際に、第２図（Ｃ）に丞す
」；うに開口部４ａ、／Ｉｂの角部等て絶Ｒ，Ｋ・ｊの
膜外り５ａ、５ｂが牛じる。この膜外りは絶縁層の材料
として感光性ポリイミドを使用した場合に特に顕著であ
る。このように第２の絶縁層の開口部４ｂに膜外り５ｂ
が生じると第１の導体パターン層２ａと第２の導体パタ
ーン層２ｂとの接続面積が減少し、接続不良が生ずると
いう問題があった。
本発明はこのような問題を解決するためなされたもので
、絶縁層開口部の膜外りによる接続不良を少なくして歩
留りを向上させた多層配線回路基板を提供することを目
的とする。
、絶縁層開口部の膜外りによる接続不良を少なくして歩
留りを向上させた多層配線回路基板を提供することを目
的とする。
［発明の構成］
（問題点を解決り−るための￥一段）
本発明の多層配線回路基板は、絶縁基板−Ｖに、上下に
隣接する導体パターン層を接続づるセ゛１体間接続用の
導体が配設される開口部を有する２層構造の絶縁層を介
して所定の層数だけ積層された多層配線回路基板におい
て、前記２層の絶縁層の開口部のうち−・方の絶縁層の
開口部をこの絶縁層に接する導体パターン層の配線方向
とほぼ直交覆る２つの長辺を有する形状に形成し、他方
の絶縁層の開口部を前記導体パターン層の配線方向とほ
ぼ平行する２つの長辺を右−づる形状に形成したことを
特徴としている。
隣接する導体パターン層を接続づるセ゛１体間接続用の
導体が配設される開口部を有する２層構造の絶縁層を介
して所定の層数だけ積層された多層配線回路基板におい
て、前記２層の絶縁層の開口部のうち−・方の絶縁層の
開口部をこの絶縁層に接する導体パターン層の配線方向
とほぼ直交覆る２つの長辺を有する形状に形成し、他方
の絶縁層の開口部を前記導体パターン層の配線方向とほ
ぼ平行する２つの長辺を右−づる形状に形成したことを
特徴としている。
絶縁層の開口部を構成する２つの長辺を有する形状とし
ては長方形が適しでいるが、伏型イの他任意の形状とす
ることができる。、また本発明においては２１ｉ／ｉの
絶縁層のうち外側の層は内側の層より、１９くすること
が望ましい。
ては長方形が適しでいるが、伏型イの他任意の形状とす
ることができる。、また本発明においては２１ｉ／ｉの
絶縁層のうち外側の層は内側の層より、１９くすること
が望ましい。
（作用）
このＪ：うに各絶縁層の開口部を２つの平行するＪ（辺
を右づる形状としてそれらがほぼ直交するように形成す
ることににす、開口部に膜外りが発生しても必要な大き
ざの導体間接続用の穴を形成維持するため膜外りにＪ、
る接続不良がほとんど生じなくなる。
を右づる形状としてそれらがほぼ直交するように形成す
ることににす、開口部に膜外りが発生しても必要な大き
ざの導体間接続用の穴を形成維持するため膜外りにＪ、
る接続不良がほとんど生じなくなる。
なお本発明において、２層の絶縁層のうり外側の層を内
側の層より薄くした場合には、第１の導体パターン層と
第２の導体パターン層との接続部分のうり下層のン゛１
体パターンと平行づる辺の周囲は２ＦＪ７′ｉの絶縁層
のうら外側の層のみが介在することになるので、この部
分の絶縁層が薄くなり、第２の導体パターン層の段切れ
による接続不良を防止することができる。
側の層より薄くした場合には、第１の導体パターン層と
第２の導体パターン層との接続部分のうり下層のン゛１
体パターンと平行づる辺の周囲は２ＦＪ７′ｉの絶縁層
のうら外側の層のみが介在することになるので、この部
分の絶縁層が薄くなり、第２の導体パターン層の段切れ
による接続不良を防止することができる。
〈実施例）
次に本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第１図（ａ）は本発明の多層配線回路基板の平面図、第
１図（ｂ）は第１図（ａ）の八−Ａ′線に沿って切断し
た断面図、第１図（Ｃ）は開口部の拡大図である。図に
おいて符号１１はセラミックス基板等の絶縁基板、符号
１２ａは絶縁基板１１上に形成された第１の導体パター
ン層で、ざらにその上に感光性ポリイミドからなる第１
の絶縁層１３ａと第２の絶縁層１３ｂおよび第２の導体
パターン層１２ｂが形成されている。各絶縁層には第１
の導体パターン層１２ａと第２の導体パターン層１２ｂ
どを接続するための導体間接続用の導体が配設される開
口部１４．ａ、１４ｂが形成されている。これらの開口
部は第１図（Ｃ）に示すように第１の絶縁層１３ａの開
口部１４ａは長辺が第１の導体パターン層１２ａの配線
方向と直交りる（（方形になる、」、う形成されてｄ５
す、第２の絶縁１ｉ”’１３ｂの１１ａ口５ｔＳ１４
ｂは長辺が第１の導体パターン層１２ａの配線方向と平
行する方向の長方形になるように形成されている。
１図（ｂ）は第１図（ａ）の八−Ａ′線に沿って切断し
た断面図、第１図（Ｃ）は開口部の拡大図である。図に
おいて符号１１はセラミックス基板等の絶縁基板、符号
１２ａは絶縁基板１１上に形成された第１の導体パター
ン層で、ざらにその上に感光性ポリイミドからなる第１
の絶縁層１３ａと第２の絶縁層１３ｂおよび第２の導体
パターン層１２ｂが形成されている。各絶縁層には第１
の導体パターン層１２ａと第２の導体パターン層１２ｂ
どを接続するための導体間接続用の導体が配設される開
口部１４．ａ、１４ｂが形成されている。これらの開口
部は第１図（Ｃ）に示すように第１の絶縁層１３ａの開
口部１４ａは長辺が第１の導体パターン層１２ａの配線
方向と直交りる（（方形になる、」、う形成されてｄ５
す、第２の絶縁１ｉ”’１３ｂの１１ａ口５ｔＳ１４
ｂは長辺が第１の導体パターン層１２ａの配線方向と平
行する方向の長方形になるように形成されている。
本発明の多Ｈぐ配線回路基板Ｉｔ例えば次のようにし−
ｌ装造される。
ｌ装造される。
まず絶縁基板１１の全面にＴｉを真空蒸着し、通常の〕
Ａ１〜リソエ稈により所望のパターンを右ψる第１の導
体パターン層１２ａを形成する。次にその全面に感光性
ポリイミドを厚く被７１形成しフォ１〜マスクを使用し
て露光現象工程により所定の位置に開口部１／ＩＦ１を
設りで第１の絶縁層１３ａを形成する。この際フォトマ
スクとしＣ開口部が長方形でぞの長辺が第１の導体パタ
ーンＦｓＪ １２ａの配線方向ど直交するようにパター
ンの形成された１ンのを使用りる。続いて感光性ポリイ
ミドを第１の絶縁層１３ａＪζり薄く全面に被着形成し
、フＡ１〜マスクを使用して山］様に開口部１ ／１．
ｂを設りて第２の絶縁層１３ｂを形成する。この際フ
ォトマスクとして開口部が長方形で、その長辺が第１の
導体パターン層１２ａの配線方向と平行づるようにパタ
ーンの形成されたものを使用覆る。
Ａ１〜リソエ稈により所望のパターンを右ψる第１の導
体パターン層１２ａを形成する。次にその全面に感光性
ポリイミドを厚く被７１形成しフォ１〜マスクを使用し
て露光現象工程により所定の位置に開口部１／ＩＦ１を
設りで第１の絶縁層１３ａを形成する。この際フォトマ
スクとしＣ開口部が長方形でぞの長辺が第１の導体パタ
ーンＦｓＪ １２ａの配線方向ど直交するようにパター
ンの形成された１ンのを使用りる。続いて感光性ポリイ
ミドを第１の絶縁層１３ａＪζり薄く全面に被着形成し
、フＡ１〜マスクを使用して山］様に開口部１ ／１．
ｂを設りて第２の絶縁層１３ｂを形成する。この際フ
ォトマスクとして開口部が長方形で、その長辺が第１の
導体パターン層１２ａの配線方向と平行づるようにパタ
ーンの形成されたものを使用覆る。
しかる後第２の絶縁層１３ｂの全面にＴｉを真空蒸着し
、通常のフＡトリソニ［稈により所望のパターンで第２
の導体パターン層１２ｂを形成する。
、通常のフＡトリソニ［稈により所望のパターンで第２
の導体パターン層１２ｂを形成する。
このようにして製造した多層配線回路基板では、各長方
形状の開口部１／４ａ、１４ ｂ ｈ＜イれぞれ長辺を
直交させて配置されているので、第１図＜Ｃ）に示すよ
うに、膜残り１５ａ、１５ｂが発生してもこの部分は開
口部から外れた位置となり、したがって必要な大きざの
開口部がｉ４ＪられるのＣ膜残りによる接続不良が解消
される。またこの実施例では第１の導体パターン層１２
ａと第２の導体パターン層１２ｂとは第２のぷい絶縁層
１３ｂを介して接続されるので、第２の導体パターンＬ
′づ１２ｂの段切れによる接続不良が解消される。
形状の開口部１／４ａ、１４ ｂ ｈ＜イれぞれ長辺を
直交させて配置されているので、第１図＜Ｃ）に示すよ
うに、膜残り１５ａ、１５ｂが発生してもこの部分は開
口部から外れた位置となり、したがって必要な大きざの
開口部がｉ４ＪられるのＣ膜残りによる接続不良が解消
される。またこの実施例では第１の導体パターン層１２
ａと第２の導体パターン層１２ｂとは第２のぷい絶縁層
１３ｂを介して接続されるので、第２の導体パターンＬ
′づ１２ｂの段切れによる接続不良が解消される。
なお上述の実施例では２層の導体パターン層を有する多
層配線回路基板の例について説明したが、これより層数
の多い多層配線基板にもｆｉｉｌ様に適用可能である。
層配線回路基板の例について説明したが、これより層数
の多い多層配線基板にもｆｉｉｌ様に適用可能である。
また第１の導体パターン層、第２の〕９体パターン層と
もにｌｉを使用したが、Ｔｉ以外の金属を使用してしよ
く、第１の導体パターン層と第２の導体パターン層とで
異なる金属を使用してもよい。さらに聞に１部の形状も
長方形に限らず（２＜型・ぞの他の平行する２つの長辺
を有する他の形状とすることもＤＪ能ひある。
もにｌｉを使用したが、Ｔｉ以外の金属を使用してしよ
く、第１の導体パターン層と第２の導体パターン層とで
異なる金属を使用してもよい。さらに聞に１部の形状も
長方形に限らず（２＜型・ぞの他の平行する２つの長辺
を有する他の形状とすることもＤＪ能ひある。
［発明の効果１
以上説明したように本発明の多層配線回路基板において
は、どλ体パターン居間に介在し両導体パターン層間を
電気的に接続する導体が配設される２層構成の絶縁層の
各開口部がそれぞれ直交するＪ：うに形成されるので膜
残りが発生し−Ｃも必要な大きさの開口部が４′７られ
、膜残りによる接続不良がなくなり、歩留りが向上する
とともに工程の管理が容易になる。また２層構成の絶縁
Ｅ′青のうち外側の層を内側にり薄くすれば第１の導体
パターン層と第２の導体パターン層との接続部分がＪｚ
り薄くなるので段切れによる接続不良がなくなる。
は、どλ体パターン居間に介在し両導体パターン層間を
電気的に接続する導体が配設される２層構成の絶縁層の
各開口部がそれぞれ直交するＪ：うに形成されるので膜
残りが発生し−Ｃも必要な大きさの開口部が４′７られ
、膜残りによる接続不良がなくなり、歩留りが向上する
とともに工程の管理が容易になる。また２層構成の絶縁
Ｅ′青のうち外側の層を内側にり薄くすれば第１の導体
パターン層と第２の導体パターン層との接続部分がＪｚ
り薄くなるので段切れによる接続不良がなくなる。
１、図面の簡（１道な１ぴ１明
第上図（ａ）は本発明の多層配線回路基板の平面図、第
１図（ｂ）は第１図（ａ ）のＡ−Ａ’線に沿って切断
した断面図、第１図（ｃ ） ｔ、；を本発明にｄ３り
る開口部の拡大図、第２図（ａ ） ４Ｊ従来の多層配
線回路基板の平面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）のＢ
Ｂ’線に沿って切断した断面図、第２図（Ｃ）は従
来の開口部の拡大図である。
１図（ｂ）は第１図（ａ ）のＡ−Ａ’線に沿って切断
した断面図、第１図（ｃ ） ｔ、；を本発明にｄ３り
る開口部の拡大図、第２図（ａ ） ４Ｊ従来の多層配
線回路基板の平面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）のＢ
Ｂ’線に沿って切断した断面図、第２図（Ｃ）は従
来の開口部の拡大図である。
１．１１ ・・・絶縁基板
２ａ、１２ａ・・・第１の導体パターン層２ｂ、１２ｂ
・・・第２の導体パターン層３ａ、１３ａ・・・第１の
絶縁層 ３ｂ、１３ｂ・・・第２の絶縁層 ４ａ、１４ ａ・・・第１の絶縁層に形成されたｌ７ｉ
１０部 ４ｂ、１４ ｂ・・・第２の絶縁層に形成された開口部 ５ａ、１５ａ・・・第１の絶縁層にお（プる開口部の膜
残り ５ｂ、１５ｂ・・・第２の絶縁層にａ３ Ｃｊる開口部
の膜残り
・・・第２の導体パターン層３ａ、１３ａ・・・第１の
絶縁層 ３ｂ、１３ｂ・・・第２の絶縁層 ４ａ、１４ ａ・・・第１の絶縁層に形成されたｌ７ｉ
１０部 ４ｂ、１４ ｂ・・・第２の絶縁層に形成された開口部 ５ａ、１５ａ・・・第１の絶縁層にお（プる開口部の膜
残り ５ｂ、１５ｂ・・・第２の絶縁層にａ３ Ｃｊる開口部
の膜残り
Claims (5)
- （１）絶縁基板上に、上下に隣接する導体パターン層を
接続する導体間接続用の導体が配設される開口部を有す
る２層構造の絶縁層を介して所定の層数だけ積層された
多層配線回路基板において、前記２層の絶縁層の開口部
のうち一方の絶縁層の開口部をこの絶縁層に接する導体
パターン層の配線方向とほぼ直交する２つの長辺を有す
る形状に形成し、他方の絶縁層の開口部を前記導体パタ
ーン層の配線方向とほぼ平行する２つの長辺を有する形
状に形成したことを特徴とする多層配線回路基板。 - （２）開口部の形状が長方形であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の多層配線回路基板。 - （３）２層の絶縁層のうち外側の層が内側の層より薄く
形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
または第２項記載の多層配線回路基板。 - （４）絶縁層の開口部の長辺の間隔はこの絶縁層と接し
ない側の導体パターン層の配線幅よりも短く形成されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３
項のいずれか１項記載の多層配線回路基板。 - （５）絶縁層の材料が感光性ポリイミドであることを特
徴とする特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれか
１項記載の多層配線回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30352786A JPS63155691A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 多層配線回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30352786A JPS63155691A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 多層配線回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63155691A true JPS63155691A (ja) | 1988-06-28 |
| JPH0455556B2 JPH0455556B2 (ja) | 1992-09-03 |
Family
ID=17922060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30352786A Granted JPS63155691A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 多層配線回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63155691A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0746755B2 (ja) * | 1990-11-15 | 1995-05-17 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 多層薄膜構造の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6196796A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-15 | 株式会社日立製作所 | 多層配線板 |
-
1986
- 1986-12-18 JP JP30352786A patent/JPS63155691A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6196796A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-15 | 株式会社日立製作所 | 多層配線板 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0746755B2 (ja) * | 1990-11-15 | 1995-05-17 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 多層薄膜構造の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0455556B2 (ja) | 1992-09-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63104398A (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| JPS63155691A (ja) | 多層配線回路基板 | |
| JPS59169154A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US4962287A (en) | Flexible printed wire board | |
| JP2530008B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| JP2508831B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2715920B2 (ja) | 多層配線基板およびその製造方法 | |
| JPH10154878A (ja) | 薄膜コンデンサ内蔵基板及びその製造法 | |
| JPH05226475A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS646030B2 (ja) | ||
| JP3146884B2 (ja) | 回路部品 | |
| JPH0774475A (ja) | メッシュパターン構造 | |
| JPS6347952A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60113444A (ja) | 多層配線構造 | |
| JP2915529B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0927547A (ja) | 半導体素子の多層配線及び形成方法 | |
| JP2515461B2 (ja) | 多層配線の形成方法 | |
| JPS62171194A (ja) | マトリクス配線板 | |
| JPH02210893A (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JPH10242647A (ja) | 薄膜多層配線基板の層間接続構造 | |
| JPS61172350A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60192348A (ja) | 半導体集積回路の多層配線の形成方法 | |
| JPH06112653A (ja) | 多層薄膜デバイスと薄膜の接続方法 | |
| JPS5890797A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JPS63207153A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |