JPS5891450A - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS5891450A JPS5891450A JP56190336A JP19033681A JPS5891450A JP S5891450 A JPS5891450 A JP S5891450A JP 56190336 A JP56190336 A JP 56190336A JP 19033681 A JP19033681 A JP 19033681A JP S5891450 A JPS5891450 A JP S5891450A
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- Japan
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- pattern
- semiconductor substrate
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- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置製造用のフォトマスクに係り、特
に半導体装置製造におけるフォトレジストのパターン形
成に用いるフォトマスクの形状に関するものでらる。
に半導体装置製造におけるフォトレジストのパターン形
成に用いるフォトマスクの形状に関するものでらる。
従来、半導体装置製造におけるフォ）Ｉ／シストのパタ
ーン形成グは、半導体基板全面にパターンを転写する１
式で必９、目会露党装置では半導体基板全面をおおうパ
ターンのフォトマスクを用い、半導体基板全面に紫外Ｗ
Ａｔ−照射してパターンを形成してい友、−万、半導体
基板は通常一定間隔の溝を有するカセットに収納され几
状態で運搬、保管あるいは装置に表層される。このカセ
ットに牛導体基板會出し入れする際、半導体基板の周辺
部に形成されているフォトレジストが剥れ、小片がカセ
ットに付層し几シ、子導体基板弐面に再付層し几〕シて
不良の原因となっていた。又半導体基板ｔ−装置内で自
動的に搬送する際に装置の内壁と半導体基板の周辺部が
接触し、フォトレジストが剥れ再び半導体基板表面に付
層して不良の原因となっていた。以上の結果、従来の１
式では剥れ几フォトレジストが種々の工程、種々の装置
において半導体基板に再付層し歩留低下、品質低下ｔ−
−九らしてい比。この発明２よかかる従来技術の欠点を
除去することを目的とし、七〇特歇は、フォトマスクに
おいて、半導体基板の周辺部に転写されるべき領域に苧
導体素子バター／がなく透明であることである。
ーン形成グは、半導体基板全面にパターンを転写する１
式で必９、目会露党装置では半導体基板全面をおおうパ
ターンのフォトマスクを用い、半導体基板全面に紫外Ｗ
Ａｔ−照射してパターンを形成してい友、−万、半導体
基板は通常一定間隔の溝を有するカセットに収納され几
状態で運搬、保管あるいは装置に表層される。このカセ
ットに牛導体基板會出し入れする際、半導体基板の周辺
部に形成されているフォトレジストが剥れ、小片がカセ
ットに付層し几シ、子導体基板弐面に再付層し几〕シて
不良の原因となっていた。又半導体基板ｔ−装置内で自
動的に搬送する際に装置の内壁と半導体基板の周辺部が
接触し、フォトレジストが剥れ再び半導体基板表面に付
層して不良の原因となっていた。以上の結果、従来の１
式では剥れ几フォトレジストが種々の工程、種々の装置
において半導体基板に再付層し歩留低下、品質低下ｔ−
−九らしてい比。この発明２よかかる従来技術の欠点を
除去することを目的とし、七〇特歇は、フォトマスクに
おいて、半導体基板の周辺部に転写されるべき領域に苧
導体素子バター／がなく透明であることである。
次にこの発明の実施ガにつき図面を用いて説明する。第
１図、第２図はこの発明の詳細な説明する九めのフォト
マスクの平面図である。＠１図においては、透明なガラ
ス基板１の表面の円形領域に牛導体累子パターン２が形
成されておシ、周辺領域３は透明になっている。この際
円形パターンの直径は、転写する半導体基板の直径よシ
も数（１７小さく、従って半導体基板異面の大部分には
パターンが転写されるが、外周故＜’）の領域にはバタ
ー／が転写されない。又、第２図においては、透明なガ
ラス基板４の表面に、円に内接する領域にチップ単位で
半導体素子パターン５が形成されてお炉、周辺領域６は
透明になっている。この場合も菓子パ夛−ン５に外接す
る円の直径は、転写する半導体基板の直径よ〉も数ｕＪ
小さく、従って半導体基板表面の大部分にはバター７が
転写されるが、外周数ミリの領域にはパターンが転写さ
れない、仁れらの実ｍｓのフォトマスク上ポジ型フォト
レジストの場合に適用し、百合ｊｌＫ′″ｊｔ、工程に
使用すれば、半導体基板の大部分には通常の７オトレジ
ストパターンが形成され、周辺部の領域にはフォトレジ
ストバター／がない。周辺部では整形チップができなか
り友シ、牛導体基板ｔ−収り扱う際、周辺部にキズが入
ったりするため、除去する面積を適当に選べば、歩ｖｌ
ｔ−低下させることはない。従って、半導体基板をカセ
ットに出し入れする際、カセットの溝と接触する部分に
７オトレジストがなく剥れることがない。同様に半導体
基板ｔ−装置内で自動的に搬送する際も、装置の内壁と
接触する半導体基板の周辺部に７オトレジストがなく剥
れる仁とはない。以上の結果フォトレジスト剥れによる
歩留低下、品質低下を防止することができる。上述の実
２１１例において、遣属や並属酸化物の一層薄膜パター
ンは、金属や金属酸化物で構成される多層パターンやエ
マルジ冒／パターンに変更できる。
１図、第２図はこの発明の詳細な説明する九めのフォト
マスクの平面図である。＠１図においては、透明なガラ
ス基板１の表面の円形領域に牛導体累子パターン２が形
成されておシ、周辺領域３は透明になっている。この際
円形パターンの直径は、転写する半導体基板の直径よシ
も数（１７小さく、従って半導体基板異面の大部分には
パターンが転写されるが、外周故＜’）の領域にはバタ
ー／が転写されない。又、第２図においては、透明なガ
ラス基板４の表面に、円に内接する領域にチップ単位で
半導体素子パターン５が形成されてお炉、周辺領域６は
透明になっている。この場合も菓子パ夛−ン５に外接す
る円の直径は、転写する半導体基板の直径よ〉も数ｕＪ
小さく、従って半導体基板表面の大部分にはバター７が
転写されるが、外周数ミリの領域にはパターンが転写さ
れない、仁れらの実ｍｓのフォトマスク上ポジ型フォト
レジストの場合に適用し、百合ｊｌＫ′″ｊｔ、工程に
使用すれば、半導体基板の大部分には通常の７オトレジ
ストパターンが形成され、周辺部の領域にはフォトレジ
ストバター／がない。周辺部では整形チップができなか
り友シ、牛導体基板ｔ−収り扱う際、周辺部にキズが入
ったりするため、除去する面積を適当に選べば、歩ｖｌ
ｔ−低下させることはない。従って、半導体基板をカセ
ットに出し入れする際、カセットの溝と接触する部分に
７オトレジストがなく剥れることがない。同様に半導体
基板ｔ−装置内で自動的に搬送する際も、装置の内壁と
接触する半導体基板の周辺部に７オトレジストがなく剥
れる仁とはない。以上の結果フォトレジスト剥れによる
歩留低下、品質低下を防止することができる。上述の実
２１１例において、遣属や並属酸化物の一層薄膜パター
ンは、金属や金属酸化物で構成される多層パターンやエ
マルジ冒／パターンに変更できる。
第１図、第２図はこの発明の′：Ａ１１ａ列を説明する
之めのフォトマスクの平面図でらる。 同、図において、ｌ・・団・ガラス基板、２・・・・・
・牛導体虞子バター／、３・・・・・・周辺部、４・・
・・・・ガラス基板、５・・・・・・半導体素子パター
ン、６・・用量辺部でろる。 第１毘 療２回
之めのフォトマスクの平面図でらる。 同、図において、ｌ・・団・ガラス基板、２・・・・・
・牛導体虞子バター／、３・・・・・・周辺部、４・・
・・・・ガラス基板、５・・・・・・半導体素子パター
ン、６・・用量辺部でろる。 第１毘 療２回
Claims (1)
- ソーダガラスあるいは石英等の透明な材料を平板状に加
工した基板の狭面に、金属や金属酸化物で形成されたｆ
ｔ、ｔ−遮断するｔめの薄膜パターンを付し死中導体装
置製造用の７オトマスクにおいて、半導体基板の周辺部
に転写されるべき領域に苧導体票子パターンがなく透明
でおることｔ％徴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56190336A JPS5891450A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56190336A JPS5891450A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | フオトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5891450A true JPS5891450A (ja) | 1983-05-31 |
Family
ID=16256490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56190336A Pending JPS5891450A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5891450A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS593437A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-10 | Fujitsu Ltd | 半導体装置製造用基板 |
-
1981
- 1981-11-27 JP JP56190336A patent/JPS5891450A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS593437A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-10 | Fujitsu Ltd | 半導体装置製造用基板 |
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