JPS5893282A - 薄膜半導体素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ　　Ｆｉｌｍ　　Ｔｒａｎ
ａｉｓｔｏｒ）などの薄膜半導体素子の構造に関する。

ガラスなどの絶縁性基板上に、多結晶シリコンなどの半
導体薄膜を形成して、素子を作る薄膜半導体素子が、省
資源、低コストの点から注目され、その低コストの点か
ら従来大面積のものが作ることの出来なかった、表示体
素子などへの応用が考えられている。さて本発明は、集
積度の高い構造を有する薄膜半導体素子の構造を提供す
るものである。第１図で、その断面構造を示す。ガラス
基板１０１の上に、金属薄膜等の導伝性物質の薄膜１０
２を形成する。本発明の実施例においては、モリブデン
珪化物を、気相成長法により形成した。次に、絶縁膜と
して酸化シリコン膜１０３を、堆積させ一部は、除去し
てあり、多結晶シリコン膜１０４の拡散層１０５とモリ
ブデン珪化膜と電気的に接続されている。ここでは、Ｍ
ＯＳ（Ｍｅｔａｌ　　０ｘｉｄｅ　　Ｓｅｍ１ｃｏｎｄ
ｕｃｔｏｒ）構造の素子であるので、ゲート膜１０９を
介してゲート電極１０６を、多結晶シリコンで形成して
いる。次に、層間絶縁膜１０７を、堆積させ、コンタク
トホールを形成したのち、アルミニウムにより上部配線
１０８を形成した。

このような構造を有する薄膜半導体素子の特長は次に示
す多くの利点をもつ。

（１）　　半導体薄膜下に、配線層をもつので、集積度
を上ることが出来る。

（２）　　従来の方法つまり絶縁基板上に直に半導体簿
膜を形成し案子化したものが、静電気、外部からのチャ
ージ等に弱かったのに比べ、半導体薄膜下に、導伝体が
存在するため、上記の欠点を押えることが出来る。

（３）　　配線の多層化が有利である。

【図面の簡単な説明】

第１図が、本発明の断面図である。 １０１が、ガラス基板、１０２は、モリブデン珪化膜で
ある。 以　　上 出願人　株式会、社詠訪精工舎 ３９６−

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 絶縁性基板上に、導伝性薄膜を形成し、絶縁性薄膜を形
   成し、半導体薄膜を形成し、該半導体薄膜上に、半導体
   素子が形成され、該半導体素子の一部が、該導伝性薄膜
   と電気的に接続され、該導伝性薄膜が、該半導体素子の
   配線として用いられていることを特徴とする薄膜半導体
   素子。