JPS5893357A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5893357A JPS5893357A JP56192528A JP19252881A JPS5893357A JP S5893357 A JPS5893357 A JP S5893357A JP 56192528 A JP56192528 A JP 56192528A JP 19252881 A JP19252881 A JP 19252881A JP S5893357 A JPS5893357 A JP S5893357A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- chip
- shroud
- enclosure
- polyimide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W42/00—Arrangements for protection of devices
- H10W42/20—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置に関する。
近年、半導体集積回路は微細加工技術の進歩に伴ない集
積度が急激に高くなりつつある。しかし、高集積度化に
より、半導体集積回路に用いる素子寸法は微細となり物
質から放射される放射線により回路が誤動作する危険性
が増している。実除に最近のダイナミックメモリーにお
いては上記の如き回路の誤動作を除去すべく種々の放射
線対策が提案され製品に適用されている。本発明はその
放射線対策用保＠膜の一構造を提供するものである。
積度が急激に高くなりつつある。しかし、高集積度化に
より、半導体集積回路に用いる素子寸法は微細となり物
質から放射される放射線により回路が誤動作する危険性
が増している。実除に最近のダイナミックメモリーにお
いては上記の如き回路の誤動作を除去すべく種々の放射
線対策が提案され製品に適用されている。本発明はその
放射線対策用保＠膜の一構造を提供するものである。
現在実施されている対策方法の１つに放射線の発生源と
なる物質の含有量が極端番こ低い樹脂でチップ表面をコ
ーティングして、外部から入って来る放射線を阻止し、
チップ表面への影響を防ぐ方法がある。コーテイング材
としては大別してシリコーン樹脂とポリイミド樹脂が有
り、またコーティング方法としては、ポツティングとパ
ターンニングの２つが有る。ポツティングは組立工程に
おけるボンディング作業終了後、樹脂を上から滴下しチ
ップ上をコートするものであり、非常に簡単であるがポ
ンディングパッド部分も樹脂で横われる為、熱的ストレ
ス等が加わる事により、ボンディングワイヤーのオープ
ン不要を引き起す危険性がある。パターンニングに依る
方法はウェハース加工工種の最終工程で樹脂をウェハー
ス表面全面にコーティングした後、焼きかため、その後
ポンディングパッド部分を含む放射線の照射に依り誤動
作の恐れの無い領域の樹脂を除去するものである。
なる物質の含有量が極端番こ低い樹脂でチップ表面をコ
ーティングして、外部から入って来る放射線を阻止し、
チップ表面への影響を防ぐ方法がある。コーテイング材
としては大別してシリコーン樹脂とポリイミド樹脂が有
り、またコーティング方法としては、ポツティングとパ
ターンニングの２つが有る。ポツティングは組立工程に
おけるボンディング作業終了後、樹脂を上から滴下しチ
ップ上をコートするものであり、非常に簡単であるがポ
ンディングパッド部分も樹脂で横われる為、熱的ストレ
ス等が加わる事により、ボンディングワイヤーのオープ
ン不要を引き起す危険性がある。パターンニングに依る
方法はウェハース加工工種の最終工程で樹脂をウェハー
ス表面全面にコーティングした後、焼きかため、その後
ポンディングパッド部分を含む放射線の照射に依り誤動
作の恐れの無い領域の樹脂を除去するものである。
この構造は前述のボッティングの説明で述べたボンディ
ングワイヤーオープンの危険性は無いが、焼きかためた
樹脂膜とチップを構成する材質（シリコン、シリコン酸
化膜等）との膨張係数の差に依る機械的ストレスがチッ
プ表面に加わる事に依り半導体集積回路の誤動作を会１
き起す危険性が有る。
ングワイヤーオープンの危険性は無いが、焼きかためた
樹脂膜とチップを構成する材質（シリコン、シリコン酸
化膜等）との膨張係数の差に依る機械的ストレスがチッ
プ表面に加わる事に依り半導体集積回路の誤動作を会１
き起す危険性が有る。
本発明は上記不都合を除去し、かつ充分に放射線がチッ
プ表面に到達する事を防ぐ事が可能な放射線保線膜の構
造にかかわるものである。
プ表面に到達する事を防ぐ事が可能な放射線保線膜の構
造にかかわるものである。
本発明の特徴は、放射線照射により回路の誤動作を防止
する為の表面保藤膜を有する半導体装置において、チッ
プ表向のコーティングの必要な部分を囲む領域に少なく
とも一重の耐熱性樹脂よりなる不連続な囲いを有し、か
つ該チップ上の囲いの中に放射−を遮断できる厚さの樹
脂がコーティングされている半導体装置にある。
する為の表面保藤膜を有する半導体装置において、チッ
プ表向のコーティングの必要な部分を囲む領域に少なく
とも一重の耐熱性樹脂よりなる不連続な囲いを有し、か
つ該チップ上の囲いの中に放射−を遮断できる厚さの樹
脂がコーティングされている半導体装置にある。
又、本発明は上記囲いを作る樹脂が感光性ポリイミドで
あり、内側にコーティングされる樹脂に耐熱性ポリイミ
′ドを使用している事を％黴と半導体装置である。
あり、内側にコーティングされる樹脂に耐熱性ポリイミ
′ドを使用している事を％黴と半導体装置である。
さらに本発明は上記囲いをつくる樹脂が感光性ボリイミ
′ドであり、内側にコーティングされる樹脂にシリコー
ンを使用していることを特徴半導体装置である。
′ドであり、内側にコーティングされる樹脂にシリコー
ンを使用していることを特徴半導体装置である。
ＩＩ１図（ＩＩ）は従来のボッティング方式を実施した
チップの平面図であり、同図（ｂ）はその断面図である
。この方式は単にチップ１の上に樹脂２を滴下し、樹脂
の表面張力を利用してチップ全面をコーティングする。
チップの平面図であり、同図（ｂ）はその断面図である
。この方式は単にチップ１の上に樹脂２を滴下し、樹脂
の表面張力を利用してチップ全面をコーティングする。
一般に使用される樹脂はポリイミドとシリコーンの２種
類である。
類である。
第２図（ａ）はパターンニング方式を実施したチップの
平面図であり同図（ｂ）はその断面図である。これはＩ
Ｃチップ１の全面に樹脂３をコーティングした後、焼き
かため、その後樹脂を必要としない領域の樹脂を除去す
ることにより得られる。
平面図であり同図（ｂ）はその断面図である。これはＩ
Ｃチップ１の全面に樹脂３をコーティングした後、焼き
かため、その後樹脂を必要としない領域の樹脂を除去す
ることにより得られる。
第３図（１）が本発明の一実施例を示す平面図であり、
同図（ｂ）は同図（ａ）の人−人′断面図である。
同図（ｂ）は同図（ａ）の人−人′断面図である。
図中４は囲いを形成するボリイミ′ド膜であり、このパ
ターンは短いパターンを繰り返す事により破断線の如き
形状とする為熱膨張係数の差に依りチップ表面に加わる
機械的ストレスを緩和出来る。
ターンは短いパターンを繰り返す事により破断線の如き
形状とする為熱膨張係数の差に依りチップ表面に加わる
機械的ストレスを緩和出来る。
又図中２は囲いを形成した後、その囲いの中にボッティ
ングに依り形成されたシリコーン樹脂層である。
ングに依り形成されたシリコーン樹脂層である。
本発明の特徴は、第３図から明らかな様にチップ上で放
射線照射に依り、誤動作を起す恐れのある領域を囲む耐
熱性樹脂から成る不連続なパターンを形成し、その中に
耐熱性樹脂をポツティングする方法に依り対放射線保＊
膜を形成する点である。
射線照射に依り、誤動作を起す恐れのある領域を囲む耐
熱性樹脂から成る不連続なパターンを形成し、その中に
耐熱性樹脂をポツティングする方法に依り対放射線保＊
膜を形成する点である。
本構造を用いるとパターンニングにより形成された耐熱
性樹脂のパターンは長く連続する事が無い為、膨張係数
の差に依りチップ表面にかかる機械的ストレスを緩和す
る拳が可能であり、かつボッティングに依り形成する保
護膜はその表面張力に依り、不連続な囲いの外に流れ出
る事は無い為組立後の熱的ストレスにより、ボンディン
グワイヤーにダメージを与える事もない。
性樹脂のパターンは長く連続する事が無い為、膨張係数
の差に依りチップ表面にかかる機械的ストレスを緩和す
る拳が可能であり、かつボッティングに依り形成する保
護膜はその表面張力に依り、不連続な囲いの外に流れ出
る事は無い為組立後の熱的ストレスにより、ボンディン
グワイヤーにダメージを与える事もない。
またこの構造はボッティングに依り形成する膜を従来方
法に依り得られる膜より厚くする事が可能であり、対放
射線保Ｉ！膜としては一層有効ならのど訃し得る利点を
も合わせ持つ事となる。本説明中に記載した実施例では
、囲いを形成する耐熱性樹脂としてポリイミドを使用し
ているが他の材料を使用出来る事は明らかであり％特に
感光性ボリイく′ド等、感光性樹脂を使用すると加工が
簡便となる利点が有る。またポツティングに依り形成す
る樹脂膜として本説明ではシリコーンを使用しているが
ボリイ・ミド等、他の材質を使用する事も可能である。
法に依り得られる膜より厚くする事が可能であり、対放
射線保Ｉ！膜としては一層有効ならのど訃し得る利点を
も合わせ持つ事となる。本説明中に記載した実施例では
、囲いを形成する耐熱性樹脂としてポリイミドを使用し
ているが他の材料を使用出来る事は明らかであり％特に
感光性ボリイく′ド等、感光性樹脂を使用すると加工が
簡便となる利点が有る。またポツティングに依り形成す
る樹脂膜として本説明ではシリコーンを使用しているが
ボリイ・ミド等、他の材質を使用する事も可能である。
談た第３図中に示した不連続な囲いは連続線を斜めに破
断した形状となっているがこの形状は他に、直交する方
向に破断する。または弧の形状に破断する勢、内部にボ
ッティングする樹脂が外に流れ出さない様、様々な形状
とする事も可能である。また本説明では一重の囲いを用
いた例を使用しているがポツティングした樹脂が外層こ
流れ出る事を完全ｌこ防ぐ目的で二重、三重等多重の闘
いを形成してもよい。
断した形状となっているがこの形状は他に、直交する方
向に破断する。または弧の形状に破断する勢、内部にボ
ッティングする樹脂が外に流れ出さない様、様々な形状
とする事も可能である。また本説明では一重の囲いを用
いた例を使用しているがポツティングした樹脂が外層こ
流れ出る事を完全ｌこ防ぐ目的で二重、三重等多重の闘
いを形成してもよい。
第１図（Ｊｌ）および第１図（ｂ）は従来ボッティング
方式を実施したチップの平面図および断面図である。 第２図（ａ） ｋよび第２図（ｂ）は従来パターンニン
グ方式を実施したチップの平面図および断面図である。 第３図（匍および８３図（ｂ）は本発明を実施した一例
を示す平面図およびそのＡ −Ａ’断面図である。 尚、図において、１・・・・・・ＩＣチップ、２・曲・
シリコーンａ％ ３・・・・・・ポリイミド膜、４ ・
・””ポリイミド膜から成る凹いである。 （０） 酪 １ 図 （ａ） 第 ２ 図
方式を実施したチップの平面図および断面図である。 第２図（ａ） ｋよび第２図（ｂ）は従来パターンニン
グ方式を実施したチップの平面図および断面図である。 第３図（匍および８３図（ｂ）は本発明を実施した一例
を示す平面図およびそのＡ −Ａ’断面図である。 尚、図において、１・・・・・・ＩＣチップ、２・曲・
シリコーンａ％ ３・・・・・・ポリイミド膜、４ ・
・””ポリイミド膜から成る凹いである。 （０） 酪 １ 図 （ａ） 第 ２ 図
Claims (3)
- （１） 放射線照射により回路の誤動作を防止する為
の表面保護膜を有する半導体装置において、チップ表面
のコーティングの必要な部分を囲む領域に少なくとも一
重の耐熱性樹脂よりなる不連続な囲いを有し、かつ咳チ
ップ上の囲いの中に放射線を遮断できる厚さの樹脂がコ
ーティングされていることを特徴とする半導体装置。 - （２）囲いを作る樹脂が感光性ポリイ）ドであり、内側
にコーティングされる樹脂に耐熱性ポリイミドを使用し
ている事を特徴とする特許請求の範囲館（１）項記載の
半導体装置。 - （３）囲いをつくる樹脂が感光性ポリイゑドであり、内
側にコーティングされる樹脂にシリコーンを使用してい
ることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56192528A JPS5893357A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56192528A JPS5893357A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5893357A true JPS5893357A (ja) | 1983-06-03 |
Family
ID=16292775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56192528A Pending JPS5893357A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5893357A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0179843U (ja) * | 1987-11-18 | 1989-05-29 | ||
| JPH06224330A (ja) * | 1993-01-22 | 1994-08-12 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 半導体用絶縁膜 |
-
1981
- 1981-11-30 JP JP56192528A patent/JPS5893357A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0179843U (ja) * | 1987-11-18 | 1989-05-29 | ||
| JPH06224330A (ja) * | 1993-01-22 | 1994-08-12 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 半導体用絶縁膜 |
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