JPS5893379A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS5893379A JPS5893379A JP56192595A JP19259581A JPS5893379A JP S5893379 A JPS5893379 A JP S5893379A JP 56192595 A JP56192595 A JP 56192595A JP 19259581 A JP19259581 A JP 19259581A JP S5893379 A JPS5893379 A JP S5893379A
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- electron
- semiconductors
- semiconductor
- types
- control electrode
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/80—FETs having rectifying junction gate electrodes
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- Semiconductor Memories (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は半導体装置に関する。詳しくは、本特許出願の
出願人のなした先の特許出願（特願昭第５４−１７１０
２０号、第５５−８２０３６号等）に係る高電子移動度
トランジスタの拡張に関する。
出願人のなした先の特許出願（特願昭第５４−１７１０
２０号、第５５−８２０３６号等）に係る高電子移動度
トランジスタの拡張に関する。
（２）技術の背景
高電子移動度トランジスタとは電子親和力の相異なる２
種の半導体を接合することにより形成される一つのへテ
ロ接合面の近傍に蓄積する電子群（二次元電子ガス）の
電子面濃度を制御電極によって制御して、この制御電極
を挟んで設けられた一対の入・出力電極間に上記の蓄積
電子群（二次元電子ガス）をもって形成される導電路の
インピーダンスを制御する能動的半導体装置をいう。
種の半導体を接合することにより形成される一つのへテ
ロ接合面の近傍に蓄積する電子群（二次元電子ガス）の
電子面濃度を制御電極によって制御して、この制御電極
を挟んで設けられた一対の入・出力電極間に上記の蓄積
電子群（二次元電子ガス）をもって形成される導電路の
インピーダンスを制御する能動的半導体装置をいう。
高電子移動度トランジスタを構成しうる半導体の組み合
わせとなりつる条件は、（イ）互に格子定数が同一であ
るか近似していること、（ロ）電子親和力の差が大きい
こと、（ハ）バンドギャップの差が大きいこ−とである
から、多数存在する。
わせとなりつる条件は、（イ）互に格子定数が同一であ
るか近似していること、（ロ）電子親和力の差が大きい
こと、（ハ）バンドギャップの差が大きいこ−とである
から、多数存在する。
又、電子親和力の大きな半導体よりなる層を上層にして
も下層にしても、そ１（＜れ、特有の条件を充足するか
ぎり高電子移動度トランジスタの製造は可能である。
も下層にしても、そ１（＜れ、特有の条件を充足するか
ぎり高電子移動度トランジスタの製造は可能である。
更に、ノーマリオン型も、ノーマリオフ型も、それぞれ
、特有の条件を充足すれば、製造可能である。
、特有の条件を充足すれば、製造可能である。
高電子移動度トランジスタにおいては、上記の蓄積電子
群（二次元電子ガス）の電子移動度が特に低温において
非常に大きくなることが特徴である。
群（二次元電子ガス）の電子移動度が特に低温において
非常に大きくなることが特徴である。
（３）従来技術と問題点
上記の電子親和力の異なる２種の半導体よりなる層の界
面近傍に発生する蓄積電子群（二次元電子ガス）の電子
面濃度の大きさや電子移動度の大きさは蓄積電子群（二
次元電子ガス）に供給される自由電子の量に依存するか
ら、ピンチオフ電圧やソース・ドレイン間飽和電流等高
電子移動度トランジスタの特性は、上記の電子親和力の
興なる２種の半導体よりなる層の各層の厚さやｎ型不純
物濃度等が決定すると、これにしたがって決定して、以
後変更するこ、１とは困難である。ところで、高電子移
動度トランジスタを、例えば７７°に以下の低温に保持
したまま、これに光等の電磁波を照射すると、蓄積電子
群（二次元電子ガス）の電子源である電子親和力の小さ
な半導体中で励起現象が発生して、蓄積電子群（二次元
電子ガス）の電子面濃度が増加することが発見された。
面近傍に発生する蓄積電子群（二次元電子ガス）の電子
面濃度の大きさや電子移動度の大きさは蓄積電子群（二
次元電子ガス）に供給される自由電子の量に依存するか
ら、ピンチオフ電圧やソース・ドレイン間飽和電流等高
電子移動度トランジスタの特性は、上記の電子親和力の
興なる２種の半導体よりなる層の各層の厚さやｎ型不純
物濃度等が決定すると、これにしたがって決定して、以
後変更するこ、１とは困難である。ところで、高電子移
動度トランジスタを、例えば７７°に以下の低温に保持
したまま、これに光等の電磁波を照射すると、蓄積電子
群（二次元電子ガス）の電子源である電子親和力の小さ
な半導体中で励起現象が発生して、蓄積電子群（二次元
電子ガス）の電子面濃度が増加することが発見された。
そこで、本特許出願の出願人は、この原理を利用して高
電子移動度トランジスタの特性を変更することを要旨と
する発明を完成して、他の特許出願（特願昭５６−０３
２０８８号）をなしている。
電子移動度トランジスタの特性を変更することを要旨と
する発明を完成して、他の特許出願（特願昭５６−０３
２０８８号）をなしている。
更に、高電子移動度トランジスタを、例えば７７％以下
の低温に保持したまま、これに光等の電磁波を照射する
と、蓄積電子群（二次元電子ガス）の電子面濃度のみな
らず電子移動度も向上し、この操作が高電子移動度トラ
ンジスタの特性の向上にも有効であることが確認された
。
の低温に保持したまま、これに光等の電磁波を照射する
と、蓄積電子群（二次元電子ガス）の電子面濃度のみな
らず電子移動度も向上し、この操作が高電子移動度トラ
ンジスタの特性の向上にも有効であることが確認された
。
そこで、この原理の有効な利用を可能とする構成の高電
子移動度トランジスタの開発が望まれていた。
子移動度トランジスタの開発が望まれていた。
（４）発明の目的
本発明の目的はこの要請にこたえるものであり、高電子
移動度トランジスタにおいて、その制御電極の下部領域
の半導体二重層に光等の電磁波を照射して、この領域に
おける蓄積電子群（二次元電子ガス）の電子面濃度と電
子移動度とを向上し、これによって高電子移動度トラン
ジスタの特性例えばピンチオフ電圧やソース・ドレイン
間飽和電流を向上しうる構成を有する高電子移動度トラ
ンジスタを提供することにある。
移動度トランジスタにおいて、その制御電極の下部領域
の半導体二重層に光等の電磁波を照射して、この領域に
おける蓄積電子群（二次元電子ガス）の電子面濃度と電
子移動度とを向上し、これによって高電子移動度トラン
ジスタの特性例えばピンチオフ電圧やソース・ドレイン
間飽和電流を向上しうる構成を有する高電子移動度トラ
ンジスタを提供することにある。
（５）発明の構成
本出願に含まれる第１の発明の構成は、（イ）半絶縁性
の半導体基板上に互に親和力を異にする２種の半導体よ
りなる二重層が形成されており、（ロ）この２種の半導
体のうち電子親和力の小さい半導体のみｎ型不純物を含
有して、他の半導体は不純物を含有せず、（ハ）上記の
半導体二重層上には透光性導電材料である酸化インジュ
ウム（ＩｎｔＵａ）または二酸化銀（８ｎ０２ ）より
なる制御電極が設けられており、（ニ）この制御電極を
挟んで人・出力電極が形成されていることにある。
の半導体基板上に互に親和力を異にする２種の半導体よ
りなる二重層が形成されており、（ロ）この２種の半導
体のうち電子親和力の小さい半導体のみｎ型不純物を含
有して、他の半導体は不純物を含有せず、（ハ）上記の
半導体二重層上には透光性導電材料である酸化インジュ
ウム（ＩｎｔＵａ）または二酸化銀（８ｎ０２ ）より
なる制御電極が設けられており、（ニ）この制御電極を
挟んで人・出力電極が形成されていることにある。
この構成においては、制御電極が透光性であるため、こ
の制御電極上から光等の電、磁波を照射することにより
、制御電極下部領域の半導体二重層中に光等の電磁波を
照射することができ、この領域に発生する蓄積電子群（
二次元電子ガス）の電子面濃度と電子移動度とを変更し
向上することができる。
の制御電極上から光等の電、磁波を照射することにより
、制御電極下部領域の半導体二重層中に光等の電磁波を
照射することができ、この領域に発生する蓄積電子群（
二次元電子ガス）の電子面濃度と電子移動度とを変更し
向上することができる。
ところで、上記の電磁波照射は例えば７７°に程度の低
温においてなされ、半導体装置はそのまま低温に保持さ
れねばならないから、本発明に係る半導体装置は低温に
保持されねばならず、所期の特性を発揮するためには、
電−波が照射された状態に維持されねばならない。
温においてなされ、半導体装置はそのまま低温に保持さ
れねばならないから、本発明に係る半導体装置は低温に
保持されねばならず、所期の特性を発揮するためには、
電−波が照射された状態に維持されねばならない。
本出願に含まれる第２の発明の構成は、上記の構成を有
する半導体装置が単一のチップ内に複数筒含有されてお
り、多素子型とされていることにある。
する半導体装置が単一のチップ内に複数筒含有されてお
り、多素子型とされていることにある。
この構成においては、一つのチップ内に含有される複数
筒の単位半導体素子のそれぞれに、所望により異なった
強度の電磁波を照射することができ、一つのチップ内に
特性の異な（′る複数種の高電子移動度トランジスタを
含む多素子型とすることができる。一般番と多素子型半
導体装置において各単位半導体素子の特性を異ならせる
ことは必ずしも容易ではない附加的工程を必要とするが
、この構成においては、単に、電磁波の照射強度を異な
らしめるだけで、極めて容易にこの要請を充すことがで
きる。
筒の単位半導体素子のそれぞれに、所望により異なった
強度の電磁波を照射することができ、一つのチップ内に
特性の異な（′る複数種の高電子移動度トランジスタを
含む多素子型とすることができる。一般番と多素子型半
導体装置において各単位半導体素子の特性を異ならせる
ことは必ずしも容易ではない附加的工程を必要とするが
、この構成においては、単に、電磁波の照射強度を異な
らしめるだけで、極めて容易にこの要請を充すことがで
きる。
この構成易こおいても、電磁波照射は例えば７７に程度
の低温においてなされ、半導体装置はそのまま低温に保
持されねばならないから、この第２の発明に係る半導体
装置も低温に保持されねばならず、又、所期の特性を発
揮させるためには、電磁波が照射された状態に維持され
ねばならないことは第１の発明に係る半導体装置の場合
と同様である。
の低温においてなされ、半導体装置はそのまま低温に保
持されねばならないから、この第２の発明に係る半導体
装置も低温に保持されねばならず、又、所期の特性を発
揮させるためには、電磁波が照射された状態に維持され
ねばならないことは第１の発明に係る半導体装置の場合
と同様である。
（６）発明の実施例
以下、図面を参照しつつ、本発明の一実施例について説
明し、本発明の構成と特有の効果とを更に明らかにする
。−一として、クローム（Ｏｒ ）等を含有して半絶縁
性の砒化ガリエウム（ＧａＡｓ ）よりなる基板上に不
純物を含有しない砒化ガリサウム（Ｇａ Ａｓ ）より
なる層（チャンネル層）を形成し、ソノ上に、ｎ型の不
純物を含有するアルミニュウムガリュウム砒素（ＡＩＧ
ａＡｓ）よりなる層（を子供給層）を形成して得られる
層構造を有する高電子移動度トランジスタについて述べ
る。
明し、本発明の構成と特有の効果とを更に明らかにする
。−一として、クローム（Ｏｒ ）等を含有して半絶縁
性の砒化ガリエウム（ＧａＡｓ ）よりなる基板上に不
純物を含有しない砒化ガリサウム（Ｇａ Ａｓ ）より
なる層（チャンネル層）を形成し、ソノ上に、ｎ型の不
純物を含有するアルミニュウムガリュウム砒素（ＡＩＧ
ａＡｓ）よりなる層（を子供給層）を形成して得られる
層構造を有する高電子移動度トランジスタについて述べ
る。
図は、本発明の一実施例に係る高電子移動度トランジス
タの完成状態を示す断面図である。
タの完成状態を示す断面図である。
図において、１はクローム（Ｃｒ ）を含有し半絶縁性
の砒化ガリュウム（ＧａＡｓ）よりなる基板であり、２
はその１番こ結晶格子整合の上厚さを１μｍｎとして形
成された不純物を含有しない砒化ガリュウム（Ｇａ Ａ
ｓ）よりなる層（チャンネル層）である。
の砒化ガリュウム（ＧａＡｓ）よりなる基板であり、２
はその１番こ結晶格子整合の上厚さを１μｍｎとして形
成された不純物を含有しない砒化ガリュウム（Ｇａ Ａ
ｓ）よりなる層（チャンネル層）である。
３はその上に結晶格子整合の上厚さを０．１μｍとして
形成されＩ Ｘ １０１８／ ｃａｎ”の濃度にｎ型の
不純物を含有するアルミニュウムガリュウム砒ｊｌ（Ａ
ＩＧａＡｓ）よりなる層（電子供給層）である。この結
晶パラメータにおいて、チャンネル層２と電子供給層３
との界面近傍のチャンネル層２中に蓄積電子群（二次元
電子ガス）４が発生する。そして、７７°Ｋにおいて、
その電子面濃度は５ Ｘ １０ ”／ ｃａｎ”であり
、電子移動度は１． Ｉ Ｘ １９５ｃｍ２／Ｖｓｅｃ
であった。以上の工程はモレキュラービームエピタキシ
ャル成長法をもって連続的に実行することができる。
形成されＩ Ｘ １０１８／ ｃａｎ”の濃度にｎ型の
不純物を含有するアルミニュウムガリュウム砒ｊｌ（Ａ
ＩＧａＡｓ）よりなる層（電子供給層）である。この結
晶パラメータにおいて、チャンネル層２と電子供給層３
との界面近傍のチャンネル層２中に蓄積電子群（二次元
電子ガス）４が発生する。そして、７７°Ｋにおいて、
その電子面濃度は５ Ｘ １０ ”／ ｃａｎ”であり
、電子移動度は１． Ｉ Ｘ １９５ｃｍ２／Ｖｓｅｃ
であった。以上の工程はモレキュラービームエピタキシ
ャル成長法をもって連続的に実行することができる。
５は金・ゲルマニュウム／金（Ａｕ −Ｇｅ ／Ａｕ）
よりなり厚さが０．３μｍｎである入−出力電極であり
、真空蒸着法とリフトオフ法とを使用してこの領域に選
択的に形成することができる。その後、４５００Ｃの水
素（Ｈ２）ガス中で１分間熱処理して、合金化層６を形
成し、入・出力電極５と蓄積電子群（二次元電子ガス）
４を含むチャンネル層２とのオーミックコンタクトを実
現する。次に、ラジオ周波数電圧を使用してなすスパッ
タ法を使用して、酸化インジニウム（Ｉｎ２０Ｂ）より
なる厚さ０．１μｍｎの薄層を形成し、フォトリソグラ
フィー法を使用して成形して制御電極７を形成する。こ
の制御電極７とのボンディングを容易にするため、厚
さ０．３μｍｎ程−ｎ程合（Ａｕ）層を形成し、リフト
オフ法を使用して上記透光性の制御電極７の周辺にボン
ディング部８を形成する。この状態で、従来技術におけ
る高電子移動度トランジスタが完成し、この実施例にお
いては、７７°Ｋにおいてビンチオ７電圧を測定せると
ころ、０．５■であった。
よりなり厚さが０．３μｍｎである入−出力電極であり
、真空蒸着法とリフトオフ法とを使用してこの領域に選
択的に形成することができる。その後、４５００Ｃの水
素（Ｈ２）ガス中で１分間熱処理して、合金化層６を形
成し、入・出力電極５と蓄積電子群（二次元電子ガス）
４を含むチャンネル層２とのオーミックコンタクトを実
現する。次に、ラジオ周波数電圧を使用してなすスパッ
タ法を使用して、酸化インジニウム（Ｉｎ２０Ｂ）より
なる厚さ０．１μｍｎの薄層を形成し、フォトリソグラ
フィー法を使用して成形して制御電極７を形成する。こ
の制御電極７とのボンディングを容易にするため、厚
さ０．３μｍｎ程−ｎ程合（Ａｕ）層を形成し、リフト
オフ法を使用して上記透光性の制御電極７の周辺にボン
ディング部８を形成する。この状態で、従来技術におけ
る高電子移動度トランジスタが完成し、この実施例にお
いては、７７°Ｋにおいてビンチオ７電圧を測定せると
ころ、０．５■であった。
ここで、この従来技術における高電子移動度トランジス
タを低温に保持して、白色光を照射せるところ、７７°
Ｋにおいて、蓄積電子群（二次元電子ガス）の電子面濃
度は９ Ｘ １０”／ ｃｍ２に、又、電子移動度は１
．４ Ｘ １０’ ｃｍ２／Ｖｓｅｃに向上し、その結
果、ピンチオフ電圧は、７７°Ｋにおいて、先に実測し
た０、５■から０．７ Ｖ ＋こ上昇した。
タを低温に保持して、白色光を照射せるところ、７７°
Ｋにおいて、蓄積電子群（二次元電子ガス）の電子面濃
度は９ Ｘ １０”／ ｃｍ２に、又、電子移動度は１
．４ Ｘ １０’ ｃｍ２／Ｖｓｅｃに向上し、その結
果、ピンチオフ電圧は、７７°Ｋにおいて、先に実測し
た０、５■から０．７ Ｖ ＋こ上昇した。
本実施例から明らかなように、本発明によれば、透光性
の制御電極を通して電子親和力の小さな半導体よりなる
電子供給層中に電磁波を照射することができ、その結果
、この領域における蓄積電子群（二次元電子ガス）の電
子面濃度と電子移動度とを向上し、ピンチオフ電圧やソ
ース・ドレイン間飽和電流等の特性の向上している高電
子移動度トランジスタを製造することができる。
の制御電極を通して電子親和力の小さな半導体よりなる
電子供給層中に電磁波を照射することができ、その結果
、この領域における蓄積電子群（二次元電子ガス）の電
子面濃度と電子移動度とを向上し、ピンチオフ電圧やソ
ース・ドレイン間飽和電流等の特性の向上している高電
子移動度トランジスタを製造することができる。
本発明によれば、単にピンチオフ電圧やソース・ドレイ
ン間飽和電流等の特□性）の向上に止まらず、ノーマリ
オフ型の高電子移動度トランジスタをノーマリオン型の
高電子移動度トランジスタに変更することもできる。
ン間飽和電流等の特□性）の向上に止まらず、ノーマリ
オフ型の高電子移動度トランジスタをノーマリオン型の
高電子移動度トランジスタに変更することもできる。
次に、図に示す構成を有する高電子移動度トランジスタ
を複数簡単−のチップに形成しておき、低温において、
各単位半導体素子に異なった強度をもった電磁波の照射
をなしつる構成としたものが第２の発明であるが、図面
を参照して実施例をζ示すまでもなく明瞭であるから、
図面の提示は省略し、主として本発明の特有の効果につ
き説明する。特性を異にする複数筒の素子を形成するこ
とは必ずしも容易ではない。従来技術においては、単一
のチップにピンチオフ電圧の異なる複数の素子を形成す
るためには、チャンネル層の不純物濃度を異ならしめて
いたが、そのためには半導体層の形成工程において複数
回の拡散法またはイオン注入法等の使用が必須であった
。又、一方、ノーマリオフ型の素子とノーマリオン型の
素子とを同時に単一のチップに、・、形成するには、ｐ
型チャンネルの領域とｎ型チャンネルの領域とを形成し
なければならないので、ｎ型の不純物とｐ型の不純物と
を選択的に導入するなり、場合によっては、一旦一方の
導電型の領域をエツチング法をもって除去して、その領
域に改めて他の導電型の不純物を含有する層を形成する
等の工程が必要であったが、本発明によれば、単に照射
電磁波の強度を変えて所望の領域に選択的に電磁波の照
射をなすのみで、鳩形成のみならず電極の形成も完了し
た後において、極めて容易に、単一のチップに特性を異
にする複数の素子を含有する多素子型半導体装置を製造
することができる。
を複数簡単−のチップに形成しておき、低温において、
各単位半導体素子に異なった強度をもった電磁波の照射
をなしつる構成としたものが第２の発明であるが、図面
を参照して実施例をζ示すまでもなく明瞭であるから、
図面の提示は省略し、主として本発明の特有の効果につ
き説明する。特性を異にする複数筒の素子を形成するこ
とは必ずしも容易ではない。従来技術においては、単一
のチップにピンチオフ電圧の異なる複数の素子を形成す
るためには、チャンネル層の不純物濃度を異ならしめて
いたが、そのためには半導体層の形成工程において複数
回の拡散法またはイオン注入法等の使用が必須であった
。又、一方、ノーマリオフ型の素子とノーマリオン型の
素子とを同時に単一のチップに、・、形成するには、ｐ
型チャンネルの領域とｎ型チャンネルの領域とを形成し
なければならないので、ｎ型の不純物とｐ型の不純物と
を選択的に導入するなり、場合によっては、一旦一方の
導電型の領域をエツチング法をもって除去して、その領
域に改めて他の導電型の不純物を含有する層を形成する
等の工程が必要であったが、本発明によれば、単に照射
電磁波の強度を変えて所望の領域に選択的に電磁波の照
射をなすのみで、鳩形成のみならず電極の形成も完了し
た後において、極めて容易に、単一のチップに特性を異
にする複数の素子を含有する多素子型半導体装置を製造
することができる。
（７）発明の詳細
な説明せるとおり、本出願に含まれる第１の発明によれ
ば、高電子移動度トランジスタにおいて、その制御電極
の下部領域の半導体二重層に光等の電磁波を照射して、
この領域番こおける蓄積電子群（二次元電子ガス）の電
子面濃度と電子移動度とを向上し、これによって高電子
移動度トランジスタの特性例えばピンチオフ電圧ヤソー
ス・ドレイン間飽和電流を向上しつる構成を有する高電
子移動度トランジスタを提供することができる。
ば、高電子移動度トランジスタにおいて、その制御電極
の下部領域の半導体二重層に光等の電磁波を照射して、
この領域番こおける蓄積電子群（二次元電子ガス）の電
子面濃度と電子移動度とを向上し、これによって高電子
移動度トランジスタの特性例えばピンチオフ電圧ヤソー
ス・ドレイン間飽和電流を向上しつる構成を有する高電
子移動度トランジスタを提供することができる。
又、本出願に含まれる第２の発明によれば、上記の発明
に係る高電子移動度トランジスタを複数簡単−のチップ
に含有して、特性の異なる複数種の高電子移動度トラン
ジスタが単一のチップに含まれてなる多素子型半導体装
置を提供することができる。
に係る高電子移動度トランジスタを複数簡単−のチップ
に含有して、特性の異なる複数種の高電子移動度トラン
ジスタが単一のチップに含まれてなる多素子型半導体装
置を提供することができる。
図は本出願に含まれる第１の発明の一実施例に係る高電
子移動度トランジスタの完成状態を示す断面図である。 １・・・・・・半絶縁性基板（クローム等を含有する砒
化ガリュウム基板）、２・・・・・・電子親和力の大き
な半導体よりなる層（不純物を含有しない砒化ガリュウ
ム層）、３・・・・・・電子親和力の小さな半導体より
なる層（ｎ型の不純物を含有するアルミニュウムガリュ
ウム砒素層）、４・・・・・・蓄積電子群（二次元電子
ガス）、５・・・・・・入・出力電極、６・・・・・・
合金化層、７・・・・・・透光性制御電極（酸化インジ
ュウムよりなる制御電極）、８・・・・・・制御電極ボ
ンディング部材（金よりなる環状部材）。
子移動度トランジスタの完成状態を示す断面図である。 １・・・・・・半絶縁性基板（クローム等を含有する砒
化ガリュウム基板）、２・・・・・・電子親和力の大き
な半導体よりなる層（不純物を含有しない砒化ガリュウ
ム層）、３・・・・・・電子親和力の小さな半導体より
なる層（ｎ型の不純物を含有するアルミニュウムガリュ
ウム砒素層）、４・・・・・・蓄積電子群（二次元電子
ガス）、５・・・・・・入・出力電極、６・・・・・・
合金化層、７・・・・・・透光性制御電極（酸化インジ
ュウムよりなる制御電極）、８・・・・・・制御電極ボ
ンディング部材（金よりなる環状部材）。
Claims (4)
- （１）半絶縁性の半導体基板上に形成された電子親和力
の相異なる２種の半導体よりなる二重層を有し、該２種
の半導体のうち、電子親和力の小さな半導体はｎ型の不
純物を含有しているが、電子親和力の大きな半導体は不
純物を含有しておらず、前記２種の半導体よりなる二重
層上に形成された酸化インジニウムまたは二酸化銀より
なる制御電極を有し、該制御電極を挾んで形成された入
・出力電極を有する能動的半導体装置。 - （２）前記能動的半導体装置は低温に保持されており、
前記制御電極には電磁波が照射されて前記２種の半導体
よりなる二重層間の界面近傍には電子群（二次元電子ガ
ス）が蓄積されている、特許請求の範囲第１項記載の能
動的半導体装置。 - （３）半絶縁性の半導体基板上に形成された電子親和力
の相異なる２種の半導体よりなる二重層を有し、該２種
の半導体のうち、電子親和力の小さな半導体はｎ型の不
純物を含有しているが、電子親和力の大きな半導体は不
純物を含有しておらず、前記２種の半導体よりなる層上
に形成された酸化インジニウムまたは二酸化銀よりなる
制御電極を有し、該制御電極を挾んで形成された入・出
力電極を有する能動的半導体装置を単一のチップに複数
筒含有している多素子型半導体装置。 - （４）前記複数筒の能動的半導体装置は低温に保持され
ており、前記複数筒の能動的半導体装置の少なくとも１
箇には千の制御電極に電磁波が照射されて対応する前記
能動的半導体装置の前記２種の半導体よりなる二重層間
の界面近傍には電子群（二次元電子ガス）が蓄積されて
いる、特許請求の範囲第３項記載の多素子型半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56192595A JPS5893379A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56192595A JPS5893379A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5893379A true JPS5893379A (ja) | 1983-06-03 |
Family
ID=16293877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56192595A Pending JPS5893379A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5893379A (ja) |
-
1981
- 1981-11-30 JP JP56192595A patent/JPS5893379A/ja active Pending
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