JPS5895350A - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
- Publication number
- JPS5895350A JPS5895350A JP56192167A JP19216781A JPS5895350A JP S5895350 A JPS5895350 A JP S5895350A JP 56192167 A JP56192167 A JP 56192167A JP 19216781 A JP19216781 A JP 19216781A JP S5895350 A JPS5895350 A JP S5895350A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photosensitive
- film
- smoothing
- smooth
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、段差を有した被加工材上での露光方法に関す
る。
る。
発明の技術的背景とその問題点
近時、半導体クエーへやマスク等の試料に微細な）４タ
ーンを形成する＃粗加工技術として、光、紫外Ｎ、Ｘ／
ｍ、電子ビーム或いはイオンビーム等を利用した各種の
露光方法が開発されている。微細加工技術の′一般的な
例では、まず第１図ｆａ） Ｉ＝示す如く基板１１上に
設けられた被加工膜１２上に感光ＰＡ１３ンｍ布し、こ
の感光膜１３に同図（ｂ）に示す如く所望Ａ？ターンに
露光し現像する。次いで、第１図（Ｃ）に示す如く上記
感光膜１３？マスクとして被加工膜１２を選択エツチン
グしたのち、感光膜！３ン除去することｆ二よって、皺
加工膜１２の微細加工が行われる。
ーンを形成する＃粗加工技術として、光、紫外Ｎ、Ｘ／
ｍ、電子ビーム或いはイオンビーム等を利用した各種の
露光方法が開発されている。微細加工技術の′一般的な
例では、まず第１図ｆａ） Ｉ＝示す如く基板１１上に
設けられた被加工膜１２上に感光ＰＡ１３ンｍ布し、こ
の感光膜１３に同図（ｂ）に示す如く所望Ａ？ターンに
露光し現像する。次いで、第１図（Ｃ）に示す如く上記
感光膜１３？マスクとして被加工膜１２を選択エツチン
グしたのち、感光膜！３ン除去することｆ二よって、皺
加工膜１２の微細加工が行われる。
そして、現在の露光技術は１〔μｍ〕前後の寸法のツヤ
ターンを形成できる段階にまで発展している。
ターンを形成できる段階にまで発展している。
ところが、このような微細加工技術？用いて段差のある
被加工膜にｆ＃、細／４’ターンケ形成する場合、次の
ような問題がある。すなわち、被）１０工膜の表面Ｃ二
凹凸等の段差が存在すると、前記感光膜のＩ膜厚が不均
一となり、この膜厚不均一に起因して露光精度の低下を
招く。つまり、被加工膜の凹陥部等における感光膜の膜
厚が厚くなり適正露光を行い得ないと云う問題があった
。
被加工膜にｆ＃、細／４’ターンケ形成する場合、次の
ような問題がある。すなわち、被）１０工膜の表面Ｃ二
凹凸等の段差が存在すると、前記感光膜のＩ膜厚が不均
一となり、この膜厚不均一に起因して露光精度の低下を
招く。つまり、被加工膜の凹陥部等における感光膜の膜
厚が厚くなり適正露光を行い得ないと云う問題があった
。
そこで最近、上記問題を解決するものとして、３層構造
方式の微細加工技術が考案されている。
方式の微細加工技術が考案されている。
この技術では、まず第２図（ａ） Ｃ示す如く段差のあ
る基板２ノ上Ｃ二形成された被加工膜２２上Ｃ二フォト
レジスト等の平滑材２３を回転塗布し該表面を平滑化し
たのち、平滑材２３上にトランスファ材２４および感光
膜２５を順次形成する。
る基板２ノ上Ｃ二形成された被加工膜２２上Ｃ二フォト
レジスト等の平滑材２３を回転塗布し該表面を平滑化し
たのち、平滑材２３上にトランスファ材２４および感光
膜２５を順次形成する。
次いで、第゛Ｖ図（ｂ） ｒ二示す如く感光膜２５ン所
望パタ一ンＣｇ光し現像する。このとき、感光膜２５は
被加工膜２２の段差に拘りなく平滑面上で露光されるの
で、被加工膜２２の段差５二よるスファ材２４を選択エ
ツチングしたのち、トランスファ材２４をマスクとして
同図（ａ） を二示す如く平滑材２３を選択エツチング
し、しかるのち平滑材２３ンマスクとして同図ｔｅｌに
示す如く被加工膜２２を選択エツチングすることによっ
て、被加工膜２２に＃細ノ量ターンが形成される。
望パタ一ンＣｇ光し現像する。このとき、感光膜２５は
被加工膜２２の段差に拘りなく平滑面上で露光されるの
で、被加工膜２２の段差５二よるスファ材２４を選択エ
ツチングしたのち、トランスファ材２４をマスクとして
同図（ａ） を二示す如く平滑材２３を選択エツチング
し、しかるのち平滑材２３ンマスクとして同図ｔｅｌに
示す如く被加工膜２２を選択エツチングすることによっ
て、被加工膜２２に＃細ノ量ターンが形成される。
しかしながら、上述した３層構造方式ン利用した微細加
工技術にあっても、前記露光精度低下の解決策としては
万全ではなかった。すなわち、被加工膜の間隔の狭い段
差では問題ないが、間隔の広い段差の場合（−は第３図
に示す如く平滑材の表面が完全に甲清とならない。つま
り、基板３１上≦二設けられた被加工膜３２の段差の間
隔が広い場合、平滑材３３ン回転塗布しても平滑材３３
の表面には下地段差に起因するｊ漢厚変動が生じる。こ
のため、平滑材３３上Ｃ：前記したトランスファ材およ
び感光膜を設けて該感光膜′Ｉｋ−露光しても、露光精
度の低下を完全に防止することはできなかった。
工技術にあっても、前記露光精度低下の解決策としては
万全ではなかった。すなわち、被加工膜の間隔の狭い段
差では問題ないが、間隔の広い段差の場合（−は第３図
に示す如く平滑材の表面が完全に甲清とならない。つま
り、基板３１上≦二設けられた被加工膜３２の段差の間
隔が広い場合、平滑材３３ン回転塗布しても平滑材３３
の表面には下地段差に起因するｊ漢厚変動が生じる。こ
のため、平滑材３３上Ｃ：前記したトランスファ材およ
び感光膜を設けて該感光膜′Ｉｋ−露光しても、露光精
度の低下を完全に防止することはできなかった。
発明の目的
本発明の目的は、被加工材の段差の間隔の大小に拘らず
高精度の露光を行い得て、微細パターン形成における加
工精度同上ミニ寄与し得る露光方法？提供することｆ二
ある。
高精度の露光を行い得て、微細パターン形成における加
工精度同上ミニ寄与し得る露光方法？提供することｆ二
ある。
発明の概要
本発明の骨子は、被加工材の表向段差の間隔・の広い部
分８二、露光技術〉用いて予め感光性平滑材？残存せし
めること（二ある。すなわち、上記感光性平滑材を残存
せしめた状態ではどの段差においても間隔が狭くなって
おり、この表面（＝平滑材全回転塗布すると該表向は確
実に平滑化される。その後、前述したトランスファ材お
よび感光材を設は感光膜を露光すれば、高精度露光を行
い得ること（二なる。
分８二、露光技術〉用いて予め感光性平滑材？残存せし
めること（二ある。すなわち、上記感光性平滑材を残存
せしめた状態ではどの段差においても間隔が狭くなって
おり、この表面（＝平滑材全回転塗布すると該表向は確
実に平滑化される。その後、前述したトランスファ材お
よび感光材を設は感光膜を露光すれば、高精度露光を行
い得ること（二なる。
本発明はこのような点舊二着目し、段差？有する被加工
材上に第１の感光性平滑材を設けたのち、４光技術を用
いて上記第１の感光性平滑材全露光し該平滑材を上記被
加工物の段差間隔の広い部分にのみ選択的に残存せしめ
、しかるのち上記第１の感光性平滑材上および仮加工材
上１ニレジスト＆設けこのレジストｙｙ所望ノ譬ターン
Ｃ！光するよう（二した方法である。
材上に第１の感光性平滑材を設けたのち、４光技術を用
いて上記第１の感光性平滑材全露光し該平滑材を上記被
加工物の段差間隔の広い部分にのみ選択的に残存せしめ
、しかるのち上記第１の感光性平滑材上および仮加工材
上１ニレジスト＆設けこのレジストｙｙ所望ノ譬ターン
Ｃ！光するよう（二した方法である。
発明の効果
本発明（二よれば、露光技＃を用いた第１の感光性平滑
材を残存せしめる工程により、被加工材の段差の間隔が
広い場合にあってもその間隔を相対的Ｃ二挾めることが
できる。このため、被加工材の表面段差の間隔の大小に
拘りなく常に適正露光ン行い得て、露光精度の同上全は
かり得る。したがって、微細パターン形成Ｃ二おける加
工１４２回上に薔与し得る等の効果を奏する。
材を残存せしめる工程により、被加工材の段差の間隔が
広い場合にあってもその間隔を相対的Ｃ二挾めることが
できる。このため、被加工材の表面段差の間隔の大小に
拘りなく常に適正露光ン行い得て、露光精度の同上全は
かり得る。したがって、微細パターン形成Ｃ二おける加
工１４２回上に薔与し得る等の効果を奏する。
発明の実施例
第４図（ａ）〜Ｉｇｌは本発明の一実施例方法に係わる
＃細ノ母ターン形成工程！示−ｒ断面図である。
＃細ノ母ターン形成工程！示−ｒ断面図である。
まず、第４図（ａ）に示す如く深さ１〔Ｐ〕の大小の段
差を有するシリコン人板４１旧に設けられたアルミニウ
ム膜（被加工材）４２−ＦＣＣ；オトレジスト（商品名
０ＦＰＲ−８００東京応化製）からなる第１の感光性平
滑材４３ｖ１．２Ｃμｍ〕の厚さに回転塗布する。次い
で、露光技術を用いて、第４図（ｂ）に示す如く段差の
間隔の広い部分にだけ第１の感光性平滑材４３ン存在せ
しめ、これＹ１８０（’Ｃ）で熱処理する。
差を有するシリコン人板４１旧に設けられたアルミニウ
ム膜（被加工材）４２−ＦＣＣ；オトレジスト（商品名
０ＦＰＲ−８００東京応化製）からなる第１の感光性平
滑材４３ｖ１．２Ｃμｍ〕の厚さに回転塗布する。次い
で、露光技術を用いて、第４図（ｂ）に示す如く段差の
間隔の広い部分にだけ第１の感光性平滑材４３ン存在せ
しめ、これＹ１８０（’Ｃ）で熱処理する。
次に、第４図（ｃ）に示す如く前記アルミニウム腺４２
上および第ｌの感光性平滑材４３上に該平滑材４３と同
様のフォトレジストからなる第２の平滑材４４を２〔μ
薄〕の厚さＣ二回転塗布し、これＹ２Ｏ０（’Ｃ）で熱
処理する。次いで、第４図（ｄ）に示す如くプラズマＣ
ＶＤ法を用い第２の平滑材４４上Ｃニポリシリコン膜４
５（トランスファ材）Ｙｏ、２［μ肩］の厚さに形成し
、このポリシリコンＨ４ｓ上Ｃ二前記平ｌｌ＃材４３，
４４と同様なフォトレノストからなる感光材４６を０．
７〔μｍ〕の厚さＣ二回転塗布する。そして、第４図（
ｅｌ （二示す如く感光材４６に所望のパターンを露光
し現像する。次いで、反応性イオンエツチング法ン用い
て＃１ｊ４図（ｆ）−二示す如く感光材４６をマスクと
してポリシリコン膜４５ン選択エツチングし、続いてポ
リシリコン膜４５ｉマスクとして第２の平滑材４４を選
択エツチングする。その後、第２の平滑材４４をマスク
として弔４図（ｇ） Ｃ示す如く、アルミニウム膜４２
を選択エツチングし、Ｈ２の平Ｉｔ材４４を除去する。
上および第ｌの感光性平滑材４３上に該平滑材４３と同
様のフォトレジストからなる第２の平滑材４４を２〔μ
薄〕の厚さＣ二回転塗布し、これＹ２Ｏ０（’Ｃ）で熱
処理する。次いで、第４図（ｄ）に示す如くプラズマＣ
ＶＤ法を用い第２の平滑材４４上Ｃニポリシリコン膜４
５（トランスファ材）Ｙｏ、２［μ肩］の厚さに形成し
、このポリシリコンＨ４ｓ上Ｃ二前記平ｌｌ＃材４３，
４４と同様なフォトレノストからなる感光材４６を０．
７〔μｍ〕の厚さＣ二回転塗布する。そして、第４図（
ｅｌ （二示す如く感光材４６に所望のパターンを露光
し現像する。次いで、反応性イオンエツチング法ン用い
て＃１ｊ４図（ｆ）−二示す如く感光材４６をマスクと
してポリシリコン膜４５ン選択エツチングし、続いてポ
リシリコン膜４５ｉマスクとして第２の平滑材４４を選
択エツチングする。その後、第２の平滑材４４をマスク
として弔４図（ｇ） Ｃ示す如く、アルミニウム膜４２
を選択エツチングし、Ｈ２の平Ｉｔ材４４を除去する。
かくして形成されたアルミニウム膜４２のノ々ターンは
、１〔μ菖〕のパターンにあっても下地段差に影響され
ることなく高精度なものであった。
、１〔μ菖〕のパターンにあっても下地段差に影響され
ることなく高精度なものであった。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、前１１ｉｔ第１．第２の平滑材および前記
感光材としては、必ずしも同種のものでなく、異なるも
のを用いてもよい。さら（−１被加工膜はアルミニウム
に限定されないのは勿浦のことである。また、前記第２
の平滑材、トランスファ＋才および感光材の代りに第３
の感光性平滑材ン用い、この第３の感光性平滑材を所望
・千ターンに露光するよう（二してもよい。その他、本
発明の要旨？逸脱しない範囲で１，１山々変形して実施
することができる。
い。例えば、前１１ｉｔ第１．第２の平滑材および前記
感光材としては、必ずしも同種のものでなく、異なるも
のを用いてもよい。さら（−１被加工膜はアルミニウム
に限定されないのは勿浦のことである。また、前記第２
の平滑材、トランスファ＋才および感光材の代りに第３
の感光性平滑材ン用い、この第３の感光性平滑材を所望
・千ターンに露光するよう（二してもよい。その他、本
発明の要旨？逸脱しない範囲で１，１山々変形して実施
することができる。
第１図（ヨ）〜ｔｃ＞は従来の微細ノ量ターン形成工程
ン示す断面図、弔２５図４ｒ１層構造方式の微細・母タ
ーン形成工程ン示す断面図、第３図は従来の間：邑点に
説明するための断面図、第４図（ａ）〜（ｇ）は本発明
の一実施例方法Ｃ；係わる微細ＡＩターン形成工俣ン示
す断面図である。 ４Ｉ・・・シリコン基数、４２・・・アルミニウム膜（
被加工材）、４３・・・第１の感光性平滑材、４４・・
・第２の平滑材、４５・・・トランスファ材、４６・・
・感光材。 十１図 １３ 才２図 才２図 ５ 才３図 ３３ （ Ｊｌｒ４ ｇ ３ （ 才４図
ン示す断面図、弔２５図４ｒ１層構造方式の微細・母タ
ーン形成工程ン示す断面図、第３図は従来の間：邑点に
説明するための断面図、第４図（ａ）〜（ｇ）は本発明
の一実施例方法Ｃ；係わる微細ＡＩターン形成工俣ン示
す断面図である。 ４Ｉ・・・シリコン基数、４２・・・アルミニウム膜（
被加工材）、４３・・・第１の感光性平滑材、４４・・
・第２の平滑材、４５・・・トランスファ材、４６・・
・感光材。 十１図 １３ 才２図 才２図 ５ 才３図 ３３ （ Ｊｌｒ４ ｇ ３ （ 才４図
Claims (3)
- （１）段差！有する被加工材上Ｃ第１の感光性平滑材を
設ける工程と、露光技術を用いて上記第１の感光性平滑
材を露光し該平滑材を上記被加工材の段差間隔の広い部
分にのみ選択的に残存せしめる工程と、しかるのち上Ｗ
ｅｌｌの感光性平滑材上および被加工材上にレジストを
設けこのレジストヲ所望パターンに露光する工程とを具
備したことを特徴とする露光方法。 - （２）前記レノスト？所望パターンＣ：露光する工程と
して、前記第１の感光性平滑材上および被加工材上に＠
２の平滑材を塗布して該平滑材表面を平滑化したのち、
上記第２の平滑材上にトランスファ材を設け、次いで上
記トランスファ材上に感光性材ケ設け、しかるのち上記
感光性材ン所望パターンＣ二露光するようにしたこと全
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の露光方法。 - （３） 前記レジストを所４ノ母ターンに露光する工
程として、前記第１の感光性平滑材上および被加工材上
ｉ：第３の感光性平滑材全塗布して該平滑材表面を平滑
化したのち、上記第３の感光性平滑材を所望ノ母ターン
（二露光するようにしたことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56192167A JPS5895350A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56192167A JPS5895350A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5895350A true JPS5895350A (ja) | 1983-06-06 |
Family
ID=16286795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56192167A Pending JPS5895350A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5895350A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR980003872A (ko) * | 1996-06-24 | 1998-03-30 | 김주용 | 3층 감광막 패선 형성방법 |
| JP2001287199A (ja) * | 2000-02-03 | 2001-10-16 | Sumitomo Metal Ind Ltd | マイクロ構造体及びその製造方法 |
-
1981
- 1981-11-30 JP JP56192167A patent/JPS5895350A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR980003872A (ko) * | 1996-06-24 | 1998-03-30 | 김주용 | 3층 감광막 패선 형성방법 |
| JP2001287199A (ja) * | 2000-02-03 | 2001-10-16 | Sumitomo Metal Ind Ltd | マイクロ構造体及びその製造方法 |
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