JPS5896777A - 太陽電池 - Google Patents
太陽電池Info
- Publication number
- JPS5896777A JPS5896777A JP56195408A JP19540881A JPS5896777A JP S5896777 A JPS5896777 A JP S5896777A JP 56195408 A JP56195408 A JP 56195408A JP 19540881 A JP19540881 A JP 19540881A JP S5896777 A JPS5896777 A JP S5896777A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- solar battery
- layer
- receiving surface
- paste
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/14—Photovoltaic cells having only PN homojunction potential barriers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は太陽電池に関するものである。
従来のシリコン単結晶太陽電池の構成例を第１図に示し
である。すなわち、この第１図において、（１）はＰ形
シリコン半導体基板、ｅ２）はこの基板（１）の一方の
主面上にｎ形不純物を浅く拡散して形成したｎ形層であ
って受光面を形成しており、また（３）は仁の受光面よ
シマイナス電位を取シ出すグリッド電極、（４）は基板
α）の他方の主面上に設けられてプラス電位を取シ出す
裏面電極、（５）は受光面での光反射防止膜である。
である。すなわち、この第１図において、（１）はＰ形
シリコン半導体基板、ｅ２）はこの基板（１）の一方の
主面上にｎ形不純物を浅く拡散して形成したｎ形層であ
って受光面を形成しており、また（３）は仁の受光面よ
シマイナス電位を取シ出すグリッド電極、（４）は基板
α）の他方の主面上に設けられてプラス電位を取シ出す
裏面電極、（５）は受光面での光反射防止膜である。
このように従来構成によるこの種の太陽電池は、具体的
には５００μｍ程度の厚さのＰ形単結晶シリコン基板（
１）の表面に０．３〜０．５μｍ程度のｎ形拡散領域（
２）を形成して受光面とし、この受光面側に３０θμ、
程度の幅のグリッド電極＜：ｊノを４〜５簡間隔のもと
に、例えばエンゲルハード社製Ａｇペーストをスクリー
ン印刷して形成させ、さらに基板裏面には全面にＡｇ−
Ａｔペーストを同様にスクリーン印刷して形成させ、ま
た基板は大気中、６００〜６２０°Ｃで１０〜１５分程
度焼成し、さらに受光面側にＴｉｅｓ、 Ｓｉ＠Ｎ４．
ＴＢｍＯａなどの反射防止膜（５）を形成しているの
である。
には５００μｍ程度の厚さのＰ形単結晶シリコン基板（
１）の表面に０．３〜０．５μｍ程度のｎ形拡散領域（
２）を形成して受光面とし、この受光面側に３０θμ、
程度の幅のグリッド電極＜：ｊノを４〜５簡間隔のもと
に、例えばエンゲルハード社製Ａｇペーストをスクリー
ン印刷して形成させ、さらに基板裏面には全面にＡｇ−
Ａｔペーストを同様にスクリーン印刷して形成させ、ま
た基板は大気中、６００〜６２０°Ｃで１０〜１５分程
度焼成し、さらに受光面側にＴｉｅｓ、 Ｓｉ＠Ｎ４．
ＴＢｍＯａなどの反射防止膜（５）を形成しているの
である。
こ＼でこのような従来の太陽電池にあって、グリッド電
極（３）は大気中で焼成するために、ｎ形層（２）との
オーミック性が悪＜、ｖ−ｒ特性、光変換効率が悪いも
のであった。
極（３）は大気中で焼成するために、ｎ形層（２）との
オーミック性が悪＜、ｖ−ｒ特性、光変換効率が悪いも
のであった。
この発り］は従来のこのような欠点に鑑み、グリッド電
極の材料としてＡｇペーストにＮｉペーストを５〜１０
％程度添加混合したものを用いることによ如才−ミック
性を良好にしてｖ−ト特性および光変換効率を大巾に改
善したものである。
極の材料としてＡｇペーストにＮｉペーストを５〜１０
％程度添加混合したものを用いることによ如才−ミック
性を良好にしてｖ−ト特性および光変換効率を大巾に改
善したものである。
以下、この発明に係わる太陽電池の一実施例につき、第
２図および第３図を参照して詳細に説明する。
２図および第３図を参照して詳細に説明する。
第２図はこの実施例構成を示す断面である。この第２図
において前記第１図と同一符号は同一または相当部分を
示しておシ、この実施例では受光面側に形成するグリッ
ド電極（３ａ）を、従来のＡｇベース）（ｆｉｌ、ｔハ
エンゲルハー）”社製Ａ−４１６２）に、５〜１０％程
度のＮｉペースト（例えばエンゲルハード社製Ａ−４１
０７）を添加混合した材料によシ形成させて、ｎ形層０
）とのオーミック性を良好にしたものである。。
において前記第１図と同一符号は同一または相当部分を
示しておシ、この実施例では受光面側に形成するグリッ
ド電極（３ａ）を、従来のＡｇベース）（ｆｉｌ、ｔハ
エンゲルハー）”社製Ａ−４１６２）に、５〜１０％程
度のＮｉペースト（例えばエンゲルハード社製Ａ−４１
０７）を添加混合した材料によシ形成させて、ｎ形層０
）とのオーミック性を良好にしたものである。。
また第３図は従来例とこの実施例の太陽電池のｖ−４特
性を示し、受光面にＡＭＩ 相当の光を当てた場合で
ある。すなわち、曲線（イ）、←）は従来例における暗
電流時、光照射時でのＶ−Ｉ特性、曲線（ハ）、に）は
この実施例における暗電流時、光照射時でのＶ−Ｉ特性
である。
性を示し、受光面にＡＭＩ 相当の光を当てた場合で
ある。すなわち、曲線（イ）、←）は従来例における暗
電流時、光照射時でのＶ−Ｉ特性、曲線（ハ）、に）は
この実施例における暗電流時、光照射時でのＶ−Ｉ特性
である。
この第３図から明らかなとおシ、この実施例の如くグリ
ッド電極（３ａ）にＡｇペーストと５〜１０％のＮｉペ
ーストを混合した材料を用いることで、順方向バイアス
の電圧降下が大幅に小さくなシ、かつ同電極のオーミッ
ク性が大幅に改善されて、光照射時のＶ−１特性が良好
となり、光変換効率を飛躍的に向上し得るのである。こ
＼でこの実施例での電極材料を使用したのちの焼成条件
は、６１０℃、１０分程度で充分でアシ、これによって
前記のようにオーミック性、光変換効率の向上を図シ得
たものである。
ッド電極（３ａ）にＡｇペーストと５〜１０％のＮｉペ
ーストを混合した材料を用いることで、順方向バイアス
の電圧降下が大幅に小さくなシ、かつ同電極のオーミッ
ク性が大幅に改善されて、光照射時のＶ−１特性が良好
となり、光変換効率を飛躍的に向上し得るのである。こ
＼でこの実施例での電極材料を使用したのちの焼成条件
は、６１０℃、１０分程度で充分でアシ、これによって
前記のようにオーミック性、光変換効率の向上を図シ得
たものである。
なお、前記実施例はシリコン単結晶太陽電池について述
べたが、他の太陽電池であっても同様の効果を得られる
。
べたが、他の太陽電池であっても同様の効果を得られる
。
以上詳述したようにこの発明によれば、シリコン半導体
基板上にこれとは異なる導電層を薄く拡散して形成した
受光面のグリッド電極として、Ｎｉを含むＡ、ペースト
材料を用いたので、そのオーミック性を改善でき、光変
換効率を向上し得ると共に、併せて製造歩留ルの向上、
ならびに原価低減に役立つなどの特長がある。
基板上にこれとは異なる導電層を薄く拡散して形成した
受光面のグリッド電極として、Ｎｉを含むＡ、ペースト
材料を用いたので、そのオーミック性を改善でき、光変
換効率を向上し得ると共に、併せて製造歩留ルの向上、
ならびに原価低減に役立つなどの特長がある。
第１図は従来例による太陽電池の概要構成を示す断面図
、第２図はこの発明の一実施例による太陽電池の概要構
成を示す断面図、第３図は従来例とこの実施例での太陽
電池の光照射時のＶ−Ｉ特性を示す説明図である。 （１）・・・・Ｐ形単結晶シリコン基板、（２）−・・
−ｎ形層、（３）、 （３ａ）・ｍ−・グリッド電極
、（４）・・・・裏面電極、（５）・・・・光反射防止
膜。 代理人 葛野信−（外１名） 第１図 第２図 第３図
、第２図はこの発明の一実施例による太陽電池の概要構
成を示す断面図、第３図は従来例とこの実施例での太陽
電池の光照射時のＶ−Ｉ特性を示す説明図である。 （１）・・・・Ｐ形単結晶シリコン基板、（２）−・・
−ｎ形層、（３）、 （３ａ）・ｍ−・グリッド電極
、（４）・・・・裏面電極、（５）・・・・光反射防止
膜。 代理人 葛野信−（外１名） 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 半導体基板上にこれとは異なる導電層を薄く拡散形成し
て、受光面の近くにＰｎ接合を形成した太陽電池におい
て、少なくとも受光面側の電極にＮｉを含むＡｇペース
ト材料を用いたことを特徴とする太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56195408A JPS5896777A (ja) | 1981-12-03 | 1981-12-03 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56195408A JPS5896777A (ja) | 1981-12-03 | 1981-12-03 | 太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5896777A true JPS5896777A (ja) | 1983-06-08 |
| JPS628039B2 JPS628039B2 (ja) | 1987-02-20 |
Family
ID=16340601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56195408A Granted JPS5896777A (ja) | 1981-12-03 | 1981-12-03 | 太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5896777A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0715022A (ja) * | 1993-06-16 | 1995-01-17 | Hokuriku Toryo Kk | 太陽電池用電極 |
| JP2002373995A (ja) * | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Honda Motor Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
| JP2014229904A (ja) * | 2013-05-20 | 2014-12-08 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池及びその製造方法 |
| JP2015523707A (ja) * | 2012-04-18 | 2015-08-13 | ヘレウス プレシャス メタルズ ノース アメリカ コンショホーケン エルエルシー | 太陽電池接点の印刷方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52129293A (en) * | 1976-04-23 | 1977-10-29 | Agency Of Ind Science & Technol | Electrode of semiconductror device and its formation |
| JPS5333752A (en) * | 1976-09-09 | 1978-03-29 | Matsushita Electric Works Ltd | Electric toothbrush |
-
1981
- 1981-12-03 JP JP56195408A patent/JPS5896777A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52129293A (en) * | 1976-04-23 | 1977-10-29 | Agency Of Ind Science & Technol | Electrode of semiconductror device and its formation |
| JPS5333752A (en) * | 1976-09-09 | 1978-03-29 | Matsushita Electric Works Ltd | Electric toothbrush |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0715022A (ja) * | 1993-06-16 | 1995-01-17 | Hokuriku Toryo Kk | 太陽電池用電極 |
| JP2002373995A (ja) * | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Honda Motor Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
| JP2015523707A (ja) * | 2012-04-18 | 2015-08-13 | ヘレウス プレシャス メタルズ ノース アメリカ コンショホーケン エルエルシー | 太陽電池接点の印刷方法 |
| JP2014229904A (ja) * | 2013-05-20 | 2014-12-08 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池及びその製造方法 |
| US11004988B2 (en) | 2013-05-20 | 2021-05-11 | Lg Electronics Inc. | Solar cell and method for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS628039B2 (ja) | 1987-02-20 |
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