JPS5897904A - 高周波発生回路 - Google Patents
高周波発生回路Info
- Publication number
- JPS5897904A JPS5897904A JP19707681A JP19707681A JPS5897904A JP S5897904 A JPS5897904 A JP S5897904A JP 19707681 A JP19707681 A JP 19707681A JP 19707681 A JP19707681 A JP 19707681A JP S5897904 A JPS5897904 A JP S5897904A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveform
- alternating current
- input terminal
- diode
- emitter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B19/00—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source
- H03B19/16—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source using uncontrolled rectifying devices, e.g. rectifying diodes or Schottky diodes
Landscapes
- Power Conversion In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は主として、搬送電流供給装置に使用されるＴｔ
４調波発生回路に関す。
４調波発生回路に関す。
（２）技術の背景
従来、搬送波用の高調波発生回路としては磁気飽和マイ
ルｆ用いＡものや、トランスを使用して交流を第３図Ｃ
Ｂ）に示す波形に整形する波形折返し回路等がある。前
者は高透磁率の角形磁心を高磁場によって飽和させて高
調波を発生させるもので角形磁心の高周波特性によって
使用周波数が制限される。後者も、を九ト２ンスを使用
しているので、トランスの伝送周波数特性によって使用
周波数が制限される。
ルｆ用いＡものや、トランスを使用して交流を第３図Ｃ
Ｂ）に示す波形に整形する波形折返し回路等がある。前
者は高透磁率の角形磁心を高磁場によって飽和させて高
調波を発生させるもので角形磁心の高周波特性によって
使用周波数が制限される。後者も、を九ト２ンスを使用
しているので、トランスの伝送周波数特性によって使用
周波数が制限される。
このため、周波数特性が良好であシ、電力消費の少い高
調波発生回路が要望されている。
調波発生回路が要望されている。
（３）従来技術の問題点
第１図は磁気飽和コイルを用いた高調波発生回路を示す
。
。
図において、基本波周波数を出力する主発振器１０交流
出力は高Ｎ波阻止用のコイルＬＩ Ｉ コンデンサＣＩ
を経て磁気飽和コイルＬｍに入力される０ 該交流出力の瞬時値が小なる時は駄コイルＬ！のインダ
クタンスは大きくなシ、該交流出力の瞬１ｉｉＦ値が増
すと販コイルＬ、は急激に飽和しインダクタンスがホに
なる。これにより該コイルＬ、のヒ 両端にはパルス電圧が発生する０負荷抵抗りが販コイル
Ｌ雪の両端に接続されると前記のパルス電圧はコンデ／
すＣＩに充電され、該コイルし！が飽和した時該コンデ
ンサＣ３の充電々圧は骸コイルＬｔを紅て放電する。こ
れにより三角波電圧Ｐｉｔ−負性抵抗（Ｉりに出力する
０ また、皺波形Ｐ１はダイオードＲｅｅ １〜４によって
榊駅される整流器２によって整流され波形Ｐと ２ｔ−負荷抵抗（ＪＥｍ）に出力する。
出力は高Ｎ波阻止用のコイルＬＩ Ｉ コンデンサＣＩ
を経て磁気飽和コイルＬｍに入力される０ 該交流出力の瞬時値が小なる時は駄コイルＬ！のインダ
クタンスは大きくなシ、該交流出力の瞬１ｉｉＦ値が増
すと販コイルＬ、は急激に飽和しインダクタンスがホに
なる。これにより該コイルＬ、のヒ 両端にはパルス電圧が発生する０負荷抵抗りが販コイル
Ｌ雪の両端に接続されると前記のパルス電圧はコンデ／
すＣＩに充電され、該コイルし！が飽和した時該コンデ
ンサＣ３の充電々圧は骸コイルＬｔを紅て放電する。こ
れにより三角波電圧Ｐｉｔ−負性抵抗（Ｉりに出力する
０ また、皺波形Ｐ１はダイオードＲｅｅ １〜４によって
榊駅される整流器２によって整流され波形Ｐと ２ｔ−負荷抵抗（ＪＥｍ）に出力する。
該波形Ｐ１は奇数次萬調波を発生し、骸波形Ｐヒ
２１ユ偶舷次高ｖ４ｖ、を負荷抵抗（＃ｓ）に発生する
０以上の鍋＃ＪＩＡｔ＆発生においては磁気飽和コイル
Ｌ。
０以上の鍋＃ＪＩＡｔ＆発生においては磁気飽和コイル
Ｌ。
の動転に交流の大電流を必要とし、また磁気飽和コイル
Ｌ、の角形磁心は高周波で透磁率が低下するので高次の
關鯛ａが得られない０また前記のトランスを用いた波形
折返し回路、においてもトランスの高域側の特性に限界
があシ、且つ電子−路にトランスを使用することは、回
路のコスト高を招くだけでなく装４ＩＩＬｔ−大形化す
る咎の欠点有する０（４）発明の目的 本発明は上記の欠点を解決するために高次高調波特性の
よい波形折返し回路をトランジスタとダイオードと数個
の抵抗とコンデンサによる簡易な回路の構成による新規
な高調波発生回路ｔ−提供することを目的とするもので
ある。
Ｌ、の角形磁心は高周波で透磁率が低下するので高次の
關鯛ａが得られない０また前記のトランスを用いた波形
折返し回路、においてもトランスの高域側の特性に限界
があシ、且つ電子−路にトランスを使用することは、回
路のコスト高を招くだけでなく装４ＩＩＬｔ−大形化す
る咎の欠点有する０（４）発明の目的 本発明は上記の欠点を解決するために高次高調波特性の
よい波形折返し回路をトランジスタとダイオードと数個
の抵抗とコンデンサによる簡易な回路の構成による新規
な高調波発生回路ｔ−提供することを目的とするもので
ある。
（５）発明の構成
この目的は本発明によれば、トランジスタのペースと該
交流の入力端間に１１ｇ１ダイオードが接続され、咳ト
ランジスタのエミッタと該交流の入力端間に第２ダイオ
ードが咳第１ダイオードとは一逆方向に接続され、該入
力端に貴われる交流が正の場合は皺トランジスタはエミ
ッタ接地（或いはベース接地）形式で動作し、該交流が
負の場合は該トランジスタはベース接地（或いはエミッ
タ接地）形式で動作することによ〕骸交流の波形が折シ
返されることによりて達成される。
交流の入力端間に１１ｇ１ダイオードが接続され、咳ト
ランジスタのエミッタと該交流の入力端間に第２ダイオ
ードが咳第１ダイオードとは一逆方向に接続され、該入
力端に貴われる交流が正の場合は皺トランジスタはエミ
ッタ接地（或いはベース接地）形式で動作し、該交流が
負の場合は該トランジスタはベース接地（或いはエミッ
タ接地）形式で動作することによ〕骸交流の波形が折シ
返されることによりて達成される。
（６）発明の実施例
（以下、本発明を第２図の実施例、菖３図の折ｐ返し
波形図に基づいて説明する。
（以下、本発明を第２図の実施例、菖３図の折ｐ返し
波形図に基づいて説明する。
第２図において、第３−囚に示す交流が端子３に入力さ
れ、該交流に）の正成分（＋）はコンデンサＣｓ ＊
’ｊｌｌＥ １ダイオードＤｌｅ抵抗６を経て、ＮＰＮ
形トランジスタ（以下トランジスタと記す）４のベース
Ｂに入力され、陣交流囚の正成分（＋）は反転波形、即
ち負成分（−）波形となってコレクタＣを経て出力端子
５より出力される。
れ、該交流に）の正成分（＋）はコンデンサＣｓ ＊
’ｊｌｌＥ １ダイオードＤｌｅ抵抗６を経て、ＮＰＮ
形トランジスタ（以下トランジスタと記す）４のベース
Ｂに入力され、陣交流囚の正成分（＋）は反転波形、即
ち負成分（−）波形となってコレクタＣを経て出力端子
５より出力される。
この場合、トランジスタ４の動作はエンツタ接地形式に
なっている。
なっている。
次の時点で、入力端子３に交流囚の負成分（−）がトラ
ンジスタ４のエミッタＥに入力されると、可変抵抗Ｒｖ
ｔ通りて第２ダイオードＤ、が導通ずる０この時のトラ
ンジスタ４はペース接地形式で動作する。
ンジスタ４のエミッタＥに入力されると、可変抵抗Ｒｖ
ｔ通りて第２ダイオードＤ、が導通ずる０この時のトラ
ンジスタ４はペース接地形式で動作する。
以上の動作で、交流囚が折返されて出力端子５より出力
される０この時の波形は交流囚を全波整流した波形とな
る。
される０この時の波形は交流囚を全波整流した波形とな
る。
次に波形囚の整形について、史に詳細に述べる。
ここでトランジスタ４の各点の電圧蝶次の過ｐであるｏ
ベースＢｏｔ圧ｉｖｉ、エミッタを位１ｋｙｇとし、
ペースＢ、工建ツタＥ間の電圧ＶＩ菖とする００点の電
位ＹＡ ｄＶＡ ＝ＶＩＩ −Ｖｄ１（＝十ΔＶ ；／
（オードＤ、の動作電圧で、前記Ｖｌｌの電位はペーｘ
ｆ３の電位’ｖｍ ’ｔｔｃ等しい）であシ、Ｖｌ：Ｖ
ＣＸＲ。
ベースＢｏｔ圧ｉｖｉ、エミッタを位１ｋｙｇとし、
ペースＢ、工建ツタＥ間の電圧ＶＩ菖とする００点の電
位ＹＡ ｄＶＡ ＝ＶＩＩ −Ｖｄ１（＝十ΔＶ ；／
（オードＤ、の動作電圧で、前記Ｖｌｌの電位はペーｘ
ｆ３の電位’ｖｍ ’ｔｔｃ等しい）であシ、Ｖｌ：Ｖ
ＣＸＲ。
／ （Ｒ４＋ Ｒ１） として求まる。ここで、ＶＣ
は電源電圧である。
は電源電圧である。
一方■点の電圧ＶＤはＶＤ ＝ ＶＩ Ｖｌｌ ＋Ｖ
ｄｍ （＝−ΔＶ；ダイオードＤＩの動作電圧とする）
とする。
ｄｍ （＝−ΔＶ；ダイオードＤＩの動作電圧とする）
とする。
＋Δ■、−ΔＶ なる微小電圧は可変抵抗Ｒｖを調整し
て得られる。ここで、第３図囚に示す交流の正成分（＋
）が入力端子３に入力され、０点の電位Ｖムが＋ΔＶ（
点線、）以上になるとトランジスタ４がＯＮし、反転波
形（−）′が；レクタＣに出力される。次に交流囚の負
成分（−）が入力され、０点の電位が一ΔＶ（点線）以
下になると非反転波形（−）“がコレクタＣに出力され
る。この様にして整形された折返し波形■が出力端子５
よシ出力される。
て得られる。ここで、第３図囚に示す交流の正成分（＋
）が入力端子３に入力され、０点の電位Ｖムが＋ΔＶ（
点線、）以上になるとトランジスタ４がＯＮし、反転波
形（−）′が；レクタＣに出力される。次に交流囚の負
成分（−）が入力され、０点の電位が一ΔＶ（点線）以
下になると非反転波形（−）“がコレクタＣに出力され
る。この様にして整形された折返し波形■が出力端子５
よシ出力される。
波形（６）は公知の如く７一リエ級数によって示されそ
の成分は奇数次高１４波群と偶数次高調波群より成って
いる。特に但）２部分の帯域Δａ３）′を広くすると偶
数次高調波が多く発生する。
の成分は奇数次高１４波群と偶数次高調波群より成って
いる。特に但）２部分の帯域Δａ３）′を広くすると偶
数次高調波が多く発生する。
上記の波形の）のノ）２部分はダイオードＤ８及びＤｌ
の夫々の電圧Ｖｄ１．Ｖｄ、による不感帯で、とのω）
２部分を拡げると偶数次高調波が多く出力される。この
場合、０点の電位ＶＡを必要量下げ、０点の電位を必要
量上げることにより達成される。
の夫々の電圧Ｖｄ１．Ｖｄ、による不感帯で、とのω）
２部分を拡げると偶数次高調波が多く出力される。この
場合、０点の電位ＶＡを必要量下げ、０点の電位を必要
量上げることにより達成される。
上記の紋明はＮＰＮ トランジスタを用いた場合につい
て述べたが、ＰＮＰ）ランジスタを用いても＊現可能で
ある〇 （７） 発明の効果゛ 以上本発＃Ｊ８Ｆ！トランジスタとダイオードと数点２
の抵抗及びコンデンサで構成した簡単な回路で英現され
、従来技術の如＜ （１） トランス、及び（２）磁気
飽和コイルを必要としないので高次の高−波が容易に得
られ、また小形化、省電力が行える利点を有する。
−
て述べたが、ＰＮＰ）ランジスタを用いても＊現可能で
ある〇 （７） 発明の効果゛ 以上本発＃Ｊ８Ｆ！トランジスタとダイオードと数点２
の抵抗及びコンデンサで構成した簡単な回路で英現され
、従来技術の如＜ （１） トランス、及び（２）磁気
飽和コイルを必要としないので高次の高−波が容易に得
られ、また小形化、省電力が行える利点を有する。
−
第１図Ｆｉａ気飽和コイルを用いた高調波発生同第３図
は交流と折返し波形の図を示す０図中、１は主発振器、
２は整流器、３は入力端子、４はトランジスタ、５Ｌ出
力端子、０１〜Ｃ１ｒ１図 竿ヲ図
は交流と折返し波形の図を示す０図中、１は主発振器、
２は整流器、３は入力端子、４はトランジスタ、５Ｌ出
力端子、０１〜Ｃ１ｒ１図 竿ヲ図
Claims (1)
- 交流を波形整形して高調波を発生させる高調波発生回路
において、トランジスタのベースと骸交流の入力端間に
笛１ダイオードが接続され、該トランジスタのエミッタ
と該交流の入力端間に＊２ダイオードが該第１ダイオー
ドとは逆方向に接続され、該入力端に表われる交流が正
の場合は骸トランジスタはエミッタ接地（或いはベース
接地）形式で動作し、該交流が負の場合は該トランジス
タはベース接地（或いはエミッタ接地）形式で動作する
ことにより該交流の波形が折シ返されることを特徴とす
る高調波発生回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19707681A JPS5897904A (ja) | 1981-12-08 | 1981-12-08 | 高周波発生回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19707681A JPS5897904A (ja) | 1981-12-08 | 1981-12-08 | 高周波発生回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5897904A true JPS5897904A (ja) | 1983-06-10 |
Family
ID=16368312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19707681A Pending JPS5897904A (ja) | 1981-12-08 | 1981-12-08 | 高周波発生回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5897904A (ja) |
-
1981
- 1981-12-08 JP JP19707681A patent/JPS5897904A/ja active Pending
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