JPS5899176A - 半導体磁器の焼成法 - Google Patents
半導体磁器の焼成法Info
- Publication number
- JPS5899176A JPS5899176A JP56196526A JP19652681A JPS5899176A JP S5899176 A JPS5899176 A JP S5899176A JP 56196526 A JP56196526 A JP 56196526A JP 19652681 A JP19652681 A JP 19652681A JP S5899176 A JPS5899176 A JP S5899176A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fired
- objects
- firing method
- semiconductor porcelain
- firing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Furnace Charging Or Discharging (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
導体磁器はＢ＋ｌＯＯ，とτｉｏ、に０ａ００Ｂ 、
Ｐｂ０．８ｒ００゜等の添加物とＹ、 Ｏ，等の半導体
化材を秤量配合し、これを湿式混合して１１００〜１２
００’Ｃで仮焼した後ボールミルで粉砕混合し、必要に
応じてさらに添加物を配合し、混合粉末にバインダーを
加えてＦｆｒ足の形状に圧縮成形し、これを電気炉で１
３００〜１３５０℃で焼成することによりて製造される
。第１図はその焼成装置における従来の被焼成物の載置
台を示している。
Ｐｂ０．８ｒ００゜等の添加物とＹ、 Ｏ，等の半導体
化材を秤量配合し、これを湿式混合して１１００〜１２
００’Ｃで仮焼した後ボールミルで粉砕混合し、必要に
応じてさらに添加物を配合し、混合粉末にバインダーを
加えてＦｆｒ足の形状に圧縮成形し、これを電気炉で１
３００〜１３５０℃で焼成することによりて製造される
。第１図はその焼成装置における従来の被焼成物の載置
台を示している。
円盤状に成形された被焼成物１はボート２の内部に積み
重ねて収容されている。３はボート２の側壁に設けた空
気孔で、被焼成物１に十分な空気を供給することによっ
てその再酸化を促進する。
重ねて収容されている。３はボート２の側壁に設けた空
気孔で、被焼成物１に十分な空気を供給することによっ
てその再酸化を促進する。
ところで上記従来の載置台による焼成は、被焼成物１か
ボート２内に積み重ねである丸め、全体を均一に加熱す
る仁とが困難である。また、被焼成物のバインダの分解
によって発生する還元性ガスによって被焼成物は部分的
に還元されるが、その再酸化が均一に行−なわれず、製
品の特性にバラツキを生じ易い。さらに、積み重ねた被
焼成物の相互間に融着を生ずることがある。
ボート２内に積み重ねである丸め、全体を均一に加熱す
る仁とが困難である。また、被焼成物のバインダの分解
によって発生する還元性ガスによって被焼成物は部分的
に還元されるが、その再酸化が均一に行−なわれず、製
品の特性にバラツキを生じ易い。さらに、積み重ねた被
焼成物の相互間に融着を生ずることがある。
本発明は上記のよう表欠点のない焼成法を提供すること
を目的とする。
を目的とする。
本発明は多数の被焼成物を均一の状態で焼成することを
意図するものである。以下、その実施例を第２図につい
て説明する。１ｉｔ円盤状に成形された被焼成物、２は
ボート、３は１対の側板４．５に所定の間隔をおいて設
けた空気孔である。１対の側板４．５の中間にはこれと
平行に中板６が設けられ、中板６と側板４．５との間に
はこれらを結合するスペーサ７が両側および中間の上下
に設けである。８は側板４．５および中板６に相対向し
て設けたホルダで、その先端に凹部９を有し、との凹部
９に被焼成物１０周辺の一部が係止される。本発明は上
記の構造を有する支持台によって被焼成物を支持し、こ
れを電気炉中で焼成するため゛、多数の被焼成物を均一
々雰囲気のなかで同一条件で焼成することができる。し
たがって製品の品質にノ（ラツキがなく、特性の一定し
た半導体磁器をうろことができる。本発明の焼成法と従
来の焼成法とを比較するために、第１図および第２図の
装置によって直径２０鬼、厚さ５■に成形したチタン酸
バリウム系半導体磁器円盤を１５２０℃で１時間焼成し
た後、１時間５０℃の速度で室温まで冷却してその特性
をテストしたところ、次嶽に示すような結果かえられた
。
意図するものである。以下、その実施例を第２図につい
て説明する。１ｉｔ円盤状に成形された被焼成物、２は
ボート、３は１対の側板４．５に所定の間隔をおいて設
けた空気孔である。１対の側板４．５の中間にはこれと
平行に中板６が設けられ、中板６と側板４．５との間に
はこれらを結合するスペーサ７が両側および中間の上下
に設けである。８は側板４．５および中板６に相対向し
て設けたホルダで、その先端に凹部９を有し、との凹部
９に被焼成物１０周辺の一部が係止される。本発明は上
記の構造を有する支持台によって被焼成物を支持し、こ
れを電気炉中で焼成するため゛、多数の被焼成物を均一
々雰囲気のなかで同一条件で焼成することができる。し
たがって製品の品質にノ（ラツキがなく、特性の一定し
た半導体磁器をうろことができる。本発明の焼成法と従
来の焼成法とを比較するために、第１図および第２図の
装置によって直径２０鬼、厚さ５■に成形したチタン酸
バリウム系半導体磁器円盤を１５２０℃で１時間焼成し
た後、１時間５０℃の速度で室温まで冷却してその特性
をテストしたところ、次嶽に示すような結果かえられた
。
上記の表かられかるように、本発明の焼成法による磁器
は従来の焼成法による磁器よシも抵抗値が均一で安定し
ており、耐電圧も高く、かつ、焼成物の融着かない。こ
れは多数の被焼成４物がその全表面を露出して同一の雰
囲気内において同一条件で加熱されるため、再酸化およ
び焼成が十分かつ、均一に行なわれることによる吃のと
考えられる。
は従来の焼成法による磁器よシも抵抗値が均一で安定し
ており、耐電圧も高く、かつ、焼成物の融着かない。こ
れは多数の被焼成４物がその全表面を露出して同一の雰
囲気内において同一条件で加熱されるため、再酸化およ
び焼成が十分かつ、均一に行なわれることによる吃のと
考えられる。
以上述べたように本発明の半導体磁器の焼成法は、所定
の形状に成形した多数の被焼成物のすべてがその全表面
を露出するように、これを支持台に所定の間隔をおいて
並行に配列支持して電気炉内で焼成するから、すべての
被焼成物を同−雰囲気内で同一条件で十分に焼成するこ
とができる。したがって再酸化が十分に行なわれ、製品
の品質にバラツキがなく、特性の安定した半導体磁器を
うることかできる。
の形状に成形した多数の被焼成物のすべてがその全表面
を露出するように、これを支持台に所定の間隔をおいて
並行に配列支持して電気炉内で焼成するから、すべての
被焼成物を同−雰囲気内で同一条件で十分に焼成するこ
とができる。したがって再酸化が十分に行なわれ、製品
の品質にバラツキがなく、特性の安定した半導体磁器を
うることかできる。
第１図：従来の焼成法において使用される被焼成物の載
置台で、０）は長手方向の側面図、←）は巾方向の側面
図である。 第２図二本発明の焼成法において使用される被焼成物の
支持台で、（イ）は長手方向の側面図、←）は巾方向の
側面図、（ハ）は平面図である。 第５図：第２図における被焼成物支持部分の拡大分解図 〔記号） １−・被焼成物、２・・・ボート、３・・・
空気孔、４．５・・・側板％６・・・中板、７・・・ス
ペーサ、８・・・ホルダー、９・・・凹部 牙１図
置台で、０）は長手方向の側面図、←）は巾方向の側面
図である。 第２図二本発明の焼成法において使用される被焼成物の
支持台で、（イ）は長手方向の側面図、←）は巾方向の
側面図、（ハ）は平面図である。 第５図：第２図における被焼成物支持部分の拡大分解図 〔記号） １−・被焼成物、２・・・ボート、３・・・
空気孔、４．５・・・側板％６・・・中板、７・・・ス
ペーサ、８・・・ホルダー、９・・・凹部 牙１図
Claims (1)
- 所定の形状に成形した多数の被焼成物のすべてが、その
全表面を露出するように、これを支持台に所定の間隔を
おいて並行に配列支持して電気炉内で焼成することを特
徴とする半導体磁−の焼成法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56196526A JPS5899176A (ja) | 1981-12-07 | 1981-12-07 | 半導体磁器の焼成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56196526A JPS5899176A (ja) | 1981-12-07 | 1981-12-07 | 半導体磁器の焼成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5899176A true JPS5899176A (ja) | 1983-06-13 |
Family
ID=16359199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56196526A Pending JPS5899176A (ja) | 1981-12-07 | 1981-12-07 | 半導体磁器の焼成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5899176A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63296U (ja) * | 1986-06-20 | 1988-01-05 | ||
| JPH0652876U (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-19 | 帝国インキ製造株式会社 | ゴルフ用手袋 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5519668A (en) * | 1978-07-29 | 1980-02-12 | Nissan Motor Co Ltd | Meter for vehicle |
-
1981
- 1981-12-07 JP JP56196526A patent/JPS5899176A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5519668A (en) * | 1978-07-29 | 1980-02-12 | Nissan Motor Co Ltd | Meter for vehicle |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63296U (ja) * | 1986-06-20 | 1988-01-05 | ||
| JPH0652876U (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-19 | 帝国インキ製造株式会社 | ゴルフ用手袋 |
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