JPS59102953A - 導電性の合成樹脂組成物 - Google Patents
導電性の合成樹脂組成物Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
法と、これを添加してなる合成樹脂組成物に関する。
昨今のコンピューター機器を始めとし、デンタル技術を
応用した電子装置の急速な発展に併い、これらから外部
に放射される不要な電磁波による障害が深刻な社会問題
になりつつある。衆知の如く、上記電子設備は半導体な
どの回路要素の[(:化とその大規模集積化およびバッ
キング技術の進歩に支えられ、人間社会の隅々にまで浸
透している。
応用した電子装置の急速な発展に併い、これらから外部
に放射される不要な電磁波による障害が深刻な社会問題
になりつつある。衆知の如く、上記電子設備は半導体な
どの回路要素の[(:化とその大規模集積化およびバッ
キング技術の進歩に支えられ、人間社会の隅々にまで浸
透している。
これら゛市r−装(肖から作動中に発する高周波パルス
は互に干渉し合い誤動作の原因をつくり、叉テレビ、・
2ンオ受信機、無線通信機、音響機器等の般公」19の
″市r設留Iにもu]害をLJへ、いわゆる電磁波公害
と称さ力、る新たな公害+J、l因を胚胎させようとし
ている。
は互に干渉し合い誤動作の原因をつくり、叉テレビ、・
2ンオ受信機、無線通信機、音響機器等の般公」19の
″市r設留Iにもu]害をLJへ、いわゆる電磁波公害
と称さ力、る新たな公害+J、l因を胚胎させようとし
ている。
従来、このような深刻fヒしつつある゛)E磁波障害を
克服する為の種々の方法が提案されて(、−するが、現
在のところ不′Bコなr(f、磁波の発生源を電気的に
シールドする方法が唯一の実用的手段とされている。
克服する為の種々の方法が提案されて(、−するが、現
在のところ不′Bコなr(f、磁波の発生源を電気的に
シールドする方法が唯一の実用的手段とされている。
本発明の目的はこれら電r−機器の組込まれた膜幅の外
筐に便用される合成樹脂、合成ゴム等に電磁シールドの
目的で添加される導電性充填材の改良された製造法を提
供することにある。
筐に便用される合成樹脂、合成ゴム等に電磁シールドの
目的で添加される導電性充填材の改良された製造法を提
供することにある。
従来提案されている電磁シールドを施すだめの手段とし
ては、■)プラス千ツク成型品の外部表面に導電性膜を
形成させるもの、例えば亜鉛溶剤、銅、ニッケル等の金
属粒子を含む導電塗装、真空蒸着、メッキ、ヌパノタリ
ンク等を挙げることができ、2)成型材料内に導電性フ
ィラーを混入させるものでd:、フィラーとしてカーボ
ンブラック、金属フレークや繊維、金属パウダー、カー
ボン繊維、メタライズドカラス等が挙げられる。
ては、■)プラス千ツク成型品の外部表面に導電性膜を
形成させるもの、例えば亜鉛溶剤、銅、ニッケル等の金
属粒子を含む導電塗装、真空蒸着、メッキ、ヌパノタリ
ンク等を挙げることができ、2)成型材料内に導電性フ
ィラーを混入させるものでd:、フィラーとしてカーボ
ンブラック、金属フレークや繊維、金属パウダー、カー
ボン繊維、メタライズドカラス等が挙げられる。
これら従来法には種々欠点が指摘されており木だ決定的
に1夏侍な実用的シールド方法が見出されていない。例
えば、亜鉛忰包、1法では、シールド効果は優れている
が、高価な設(dllが必すであり、導電性塗装は設備
が安く済むが、塗装1のコストが高い、。
に1夏侍な実用的シールド方法が見出されていない。例
えば、亜鉛忰包、1法では、シールド効果は優れている
が、高価な設(dllが必すであり、導電性塗装は設備
が安く済むが、塗装1のコストが高い、。
11す(すC4<1.−曲でのj]・4、ニー・ケル、
りIIノベqのノ・x−7人では、l−Iス1i’、’
Jの1、メ1キuHiヒな]A月に制限がある。
りIIノベqのノ・x−7人では、l−Iス1i’、’
Jの1、メ1キuHiヒな]A月に制限がある。
白字M2!1″″(、スハ・タリ〜り′:9は411殊
な設侑を安し、ハしく商filiである ス、+1η1
汁1)f′ツノ−は、カーホ〜)”i、夕はコツト安テ
9ルカJ!’i’、lLl’l:UIKぐ、jN] ハ
、1ツタ” ヤ計i74裁イ(1ば、中’、’Rでp
> 61酸化K J: ル尭市1′1)低1・、−y−
> −y、 −t−’J ’y l、l−1−:l t
y)B」y、2r、り加I]の間!11n等が挙げられ
る3、 本発明者らはfiC来の′市磁波ンール1”方法にみら
れる高面な(]!Iと設friii s物11.の変化
、1+y、バi」の困テ1[、性能不1′↓′砧の欠点
を東服すべく検d−1シた結果、無電解メッキ法により
表面に金属11着膜を施し、導′市加下しだ合成樹脂の
小)1を一種もしくに、異種のベース合成樹脂に添加、
分散もしくは混練りすることにより、これらの合1+1
21位1脂に卓越せる′tE磁波バ暗能を(、i、1j
せしめうることを見出しだ。
な設侑を安し、ハしく商filiである ス、+1η1
汁1)f′ツノ−は、カーホ〜)”i、夕はコツト安テ
9ルカJ!’i’、lLl’l:UIKぐ、jN] ハ
、1ツタ” ヤ計i74裁イ(1ば、中’、’Rでp
> 61酸化K J: ル尭市1′1)低1・、−y−
> −y、 −t−’J ’y l、l−1−:l t
y)B」y、2r、り加I]の間!11n等が挙げられ
る3、 本発明者らはfiC来の′市磁波ンール1”方法にみら
れる高面な(]!Iと設friii s物11.の変化
、1+y、バi」の困テ1[、性能不1′↓′砧の欠点
を東服すべく検d−1シた結果、無電解メッキ法により
表面に金属11着膜を施し、導′市加下しだ合成樹脂の
小)1を一種もしくに、異種のベース合成樹脂に添加、
分散もしくは混練りすることにより、これらの合1+1
21位1脂に卓越せる′tE磁波バ暗能を(、i、1j
せしめうることを見出しだ。
心′屯加1′の71象とする小11化された合成樹脂の
(la f+’iは、無′市lII’I’〕・ギにより
、これらの表面に密ノロしだ金属性i占膜か1)珀トな
熱(iすj (11を 1’lおよびゼ駆■≠1槓l脂の全てに及O・、代表例
としてフィメール、ユリア、ノラミノ、ポリエステル、
エポキシ、ウレタ/、ポリオレフィン、ポリアミI−、
ポリイミ1−1ABS1ホリカーボ不−1−、ポリスチ
レン、円゛0、ツタクリル、含弗素71!リオレフf〕
、I?1.Xビ、耐ヒの各位j脂および各fΦ繊繊素素
糸各槓1脂をントげるCとかできる1、1..1.!各
樹脂の小11の形状は特に制限はないか、不定+pのt
)“f−1ノい球状、円盤状、ベレ・1−状、薄IH状
、もしくは繊卸状およびこれの集【11本としての1夕
Q線、綱4ノ品、1□亀 次JU、、 1次lL、
次ノi1に展開した各種の形状を佳0、に選定すること
がでへる。こねも小j1の1法はケ外的な粒「状のもの
では最大iYかo、 o + my〜30問、嶋・14
状のものでは、最大径がl、 Q mm〜3.Qmm、
繊卸状のものではB 0.0 ] nm〜1. OII
Im 、長さ05xm 〜l(1+mが一般ト1的の電
磁波遮蔽杓として使用する場合の好適な範囲であり、特
にアスペク1−比の大きい薄片、1状および繊維状を呈
する充填(」が人なる電磁波遮蔽効果を与える。
(la f+’iは、無′市lII’I’〕・ギにより
、これらの表面に密ノロしだ金属性i占膜か1)珀トな
熱(iすj (11を 1’lおよびゼ駆■≠1槓l脂の全てに及O・、代表例
としてフィメール、ユリア、ノラミノ、ポリエステル、
エポキシ、ウレタ/、ポリオレフィン、ポリアミI−、
ポリイミ1−1ABS1ホリカーボ不−1−、ポリスチ
レン、円゛0、ツタクリル、含弗素71!リオレフf〕
、I?1.Xビ、耐ヒの各位j脂および各fΦ繊繊素素
糸各槓1脂をントげるCとかできる1、1..1.!各
樹脂の小11の形状は特に制限はないか、不定+pのt
)“f−1ノい球状、円盤状、ベレ・1−状、薄IH状
、もしくは繊卸状およびこれの集【11本としての1夕
Q線、綱4ノ品、1□亀 次JU、、 1次lL、
次ノi1に展開した各種の形状を佳0、に選定すること
がでへる。こねも小j1の1法はケ外的な粒「状のもの
では最大iYかo、 o + my〜30問、嶋・14
状のものでは、最大径がl、 Q mm〜3.Qmm、
繊卸状のものではB 0.0 ] nm〜1. OII
Im 、長さ05xm 〜l(1+mが一般ト1的の電
磁波遮蔽杓として使用する場合の好適な範囲であり、特
にアスペク1−比の大きい薄片、1状および繊維状を呈
する充填(」が人なる電磁波遮蔽効果を与える。
これら合成樹脂小Jjに金属着膜させるには、従来一般
に知られている各種無電解メッキ法より、盾眸しようと
する金属の種類によって適宜選択される。
に知られている各種無電解メッキ法より、盾眸しようと
する金属の種類によって適宜選択される。
無電解メッキ法は、人別して、エノチノ先−感受性化−
活111.化−メッキの各工程よりなり、いずれも単純
な浴侵漬のみによ ・で達成されるが、本発明方法も原
則としてこの順序に従う。しかし、被メッキ物の表面状
態によ−・ては、工、チンクおよび感受性化を省くこと
もできる。
活111.化−メッキの各工程よりなり、いずれも単純
な浴侵漬のみによ ・で達成されるが、本発明方法も原
則としてこの順序に従う。しかし、被メッキ物の表面状
態によ−・ては、工、チンクおよび感受性化を省くこと
もできる。
無電解メッキ法は、使用される還元剤の種類によ・で、
次111i 1ン酸法、ホルマリン法、ヒトランン法、
水素(1−ホウ7+2法および各種改良法が知られてい
るが、水沫ではこのいずれも適用1でき、メッキ浴には
上記いずれかの還元剤・f中もしくは、tΦ11月と、
+rf lI&jしようとされる金属のnf浴性塩を不
nJ欠的に念み、必゛沈に応じて、JT調整剤、緩衝剤
、安定剤、錯化剤、助剤等をlん加された水溶液」;り
なる。還元剤としては、銅の場合はホルマリン、ヒト′
ラシン、次tJli IJン酸ソータが、ニッケル、コ
バルトおよび合金の場合はヒドラジン、次亜リン酸ソー
タ、水酸化ホウ素が好しく、叉I−記金属のnJ溶性」
九としては、それぞれの硫酸塩、塩酸塩等が適当である
。錯化剤としては、酒石酸、クエン酸、1・:1日′Δ
、縮合リン酸塩、ポリポスホン酸塩、エチレンシアミン
等が、緩衝剤としては低分子1什のカルボン酸もしくは
オギシカルボン酸、その他助剤として硫酸アンモニウム
、塩化アンモニウム、ホウ酸等を使用しうる。
次111i 1ン酸法、ホルマリン法、ヒトランン法、
水素(1−ホウ7+2法および各種改良法が知られてい
るが、水沫ではこのいずれも適用1でき、メッキ浴には
上記いずれかの還元剤・f中もしくは、tΦ11月と、
+rf lI&jしようとされる金属のnf浴性塩を不
nJ欠的に念み、必゛沈に応じて、JT調整剤、緩衝剤
、安定剤、錯化剤、助剤等をlん加された水溶液」;り
なる。還元剤としては、銅の場合はホルマリン、ヒト′
ラシン、次tJli IJン酸ソータが、ニッケル、コ
バルトおよび合金の場合はヒドラジン、次亜リン酸ソー
タ、水酸化ホウ素が好しく、叉I−記金属のnJ溶性」
九としては、それぞれの硫酸塩、塩酸塩等が適当である
。錯化剤としては、酒石酸、クエン酸、1・:1日′Δ
、縮合リン酸塩、ポリポスホン酸塩、エチレンシアミン
等が、緩衝剤としては低分子1什のカルボン酸もしくは
オギシカルボン酸、その他助剤として硫酸アンモニウム
、塩化アンモニウム、ホウ酸等を使用しうる。
−1−記ノノや工程に先立ち、前処用jとして、エノチ
ンク 感受性化−活性化が必要である。エノチンクはメ
ッキ膜と波メッキ物間の密着1イ1向1.の1」的で行
なわれるもので、本発明の対象物では硫酸−クロト酸の
混液に浸漬することによ−・で達成される。感受性化処
理は次段における活性化金属の析出を容易にするために
行われ、通常1%の塩化第−揚水溶液へのθ夛漬によ・
で、叉活性化処理は001%のi+(金1萬イオノを含
む水溶液への浸11Tによ・で達成される。
ンク 感受性化−活性化が必要である。エノチンクはメ
ッキ膜と波メッキ物間の密着1イ1向1.の1」的で行
なわれるもので、本発明の対象物では硫酸−クロト酸の
混液に浸漬することによ−・で達成される。感受性化処
理は次段における活性化金属の析出を容易にするために
行われ、通常1%の塩化第−揚水溶液へのθ夛漬によ・
で、叉活性化処理は001%のi+(金1萬イオノを含
む水溶液への浸11Tによ・で達成される。
・連のメッキ1(、l、lでの操業条件や操作方法にu
:!t、7別の制限はないか、水沫で71象とする波メ
、キ物は合成樹脂の小)1であるので、−・般のメッキ
の71偽物である入りイスの物(イ・に化し、比表面[
【1fは馨しく大きくなる1、この、y)メ ・ギ浴の
容(Lliとi+υメッキ物)の谷表曲債の比で表わさ
れる浴比およびメッキ膜のH:、)さを重接左右する浸
漬時の金DA析出1jtに苅する操業1の管理が11に
中間である5、メ・キ膜p7は本発明の目的物だる電磁
11犯餞(イとしてのl’bripに直接影響を与える
。即ち、膜片が大きくなれば皮膜の電−(抵抗1]i’
、iが低1−シ、人なる遮蔽効果が得られるか、一方(
」月の中位EF、’ fit当りの金属の析出量を大き
くしなければkらないので、メッキ浴のりy賃が頻繁に
なり経済的に不利である。このU点から、ブ[づγ′I
■磁遮蔽効果が得られ、かつ経済的なメッキ膜厚は1ミ
クロン〜3ミクロンが適当である。
:!t、7別の制限はないか、水沫で71象とする波メ
、キ物は合成樹脂の小)1であるので、−・般のメッキ
の71偽物である入りイスの物(イ・に化し、比表面[
【1fは馨しく大きくなる1、この、y)メ ・ギ浴の
容(Lliとi+υメッキ物)の谷表曲債の比で表わさ
れる浴比およびメッキ膜のH:、)さを重接左右する浸
漬時の金DA析出1jtに苅する操業1の管理が11に
中間である5、メ・キ膜p7は本発明の目的物だる電磁
11犯餞(イとしてのl’bripに直接影響を与える
。即ち、膜片が大きくなれば皮膜の電−(抵抗1]i’
、iが低1−シ、人なる遮蔽効果が得られるか、一方(
」月の中位EF、’ fit当りの金属の析出量を大き
くしなければkらないので、メッキ浴のりy賃が頻繁に
なり経済的に不利である。このU点から、ブ[づγ′I
■磁遮蔽効果が得られ、かつ経済的なメッキ膜厚は1ミ
クロン〜3ミクロンが適当である。
合成樹脂小片を無電解ノブキする場合の第ユの開立1と
して、前段から後段処即二を稈への浴液汚染を挙けるこ
とができる。これを防止するため、各段における処理の
終了後、常法によ−・て十分水洗し、必要に応じて、圧
沖過法、遠・bン濾過法、前月法等によ−・て洗液を可
及的に除去し処即物を次段へ11込むようにする。これ
ら特記事項似外のメッキ条件や浴管理′ηは71象とす
るlri wy K対し従来から提案されている要領に
従うことにより1゛つ1実施1り能である3゜無電解メ
ッキ法により金属着膜されだI’+il記樹脂小11の
添加の7.1象としうるベース樹脂は、該盾膜槓j脂と
同種もしくは異f中にかかわらず州)硬化性、熱(iJ
、!!’El性の全てに及び、代表例として、)1ノ−
ル、 不fGq和ポリニス−アル、ユリア、エボN−ン
、ポリウレタン、ポリアミ1−、ボリイミ1−、ポリオ
レフずノ、l ’ 111 ’l’ 、 円・1.′
1.′・11+萬、ポリアクリロニl−リル、J焦ヒ’
、P[itヱ゛、ポリカーボ不−1、ポリスチレン、メ
タアクリル、1川゛C)、ポリアセタール、含弗素ポリ
オレフイノ、ンリコーンの各樹脂および、これらの複介
樹脂等を挙げることができる。該着膜樹脂の小11を電
磁越蔽イ」として利用する場合、所望のベース樹脂を目
的物に成型する1)IIに、通常の充填イ」を混入せし
めると同様の常套的な手段により、添加、分散もしくは
混練りさせるたけでよい。又単なるベース樹脂への添加
、促練り以外に、S M C’:等の複合材料の素材か
塗料の充填材としても使用iiJ能である。
して、前段から後段処即二を稈への浴液汚染を挙けるこ
とができる。これを防止するため、各段における処理の
終了後、常法によ−・て十分水洗し、必要に応じて、圧
沖過法、遠・bン濾過法、前月法等によ−・て洗液を可
及的に除去し処即物を次段へ11込むようにする。これ
ら特記事項似外のメッキ条件や浴管理′ηは71象とす
るlri wy K対し従来から提案されている要領に
従うことにより1゛つ1実施1り能である3゜無電解メ
ッキ法により金属着膜されだI’+il記樹脂小11の
添加の7.1象としうるベース樹脂は、該盾膜槓j脂と
同種もしくは異f中にかかわらず州)硬化性、熱(iJ
、!!’El性の全てに及び、代表例として、)1ノ−
ル、 不fGq和ポリニス−アル、ユリア、エボN−ン
、ポリウレタン、ポリアミ1−、ボリイミ1−、ポリオ
レフずノ、l ’ 111 ’l’ 、 円・1.′
1.′・11+萬、ポリアクリロニl−リル、J焦ヒ’
、P[itヱ゛、ポリカーボ不−1、ポリスチレン、メ
タアクリル、1川゛C)、ポリアセタール、含弗素ポリ
オレフイノ、ンリコーンの各樹脂および、これらの複介
樹脂等を挙げることができる。該着膜樹脂の小11を電
磁越蔽イ」として利用する場合、所望のベース樹脂を目
的物に成型する1)IIに、通常の充填イ」を混入せし
めると同様の常套的な手段により、添加、分散もしくは
混練りさせるたけでよい。又単なるベース樹脂への添加
、促練り以外に、S M C’:等の複合材料の素材か
塗料の充填材としても使用iiJ能である。
一般に、添加の対象とするベース樹脂の熱変形温度75
哩1熱温度が前記着膜樹脂小片のそれより高い場合は混
練り操作中に両樹脂が互いに411溶すると同時に、小
j1樹脂表面の金属膜が卸B)化し、得られたブレンド
′樹脂内に微粒子とな−・て均一に分散する。又、逆に
該小片樹脂の耐熱温度か高い場合は一定の温度範囲内に
て着膜小片の原形を保持した状態でベース樹脂内に分散
する31両者の耐熱性の差による樹脂の組合せは、(す
、・111目的によ・て任αに選択しうるが、特例を除
いては一般に異種の樹脂をブレントイ″11溶させるこ
とによりベース樹脂の4′¥1イ1が失われること及び
小j11−の金属膜が破壊し微細r1:することによ
1てTr!、置市な架橋効果が損れる結果、電磁遮蔽能
が低1−すること′IQの11t! +−11により、
ベース樹脂よす高い耐熱と品度をイ1する・IJ’+樹
脂を選択するのが好しい3、カバる観、・、°、1、よ
り例を挙げれば、ベース樹脂としては、塩ビ、ポリエチ
レン、ポリスチレン、△トS、メククリルMの各樹脂を
、又金属着膜の対物とする小片樹脂としてフェノール、
ポリエステル、エポキシ、ポリウレタン′、ポリアミド
、ボリイミ1−゛、ボリカーホ不−l−1I゛PO、ポ
リアセタール等の各樹脂を一般的な選択規準として挙け
ることができるが、もちろん必要に応じて双方を4−配
回−の1■より選ぶこともii■能である。耐熱性のよ
り高い樹脂の小j1に金属着膜を施し、目的のベース樹
脂に均一に分散さぜる場合これにI?越せる電磁遮暗能
をf:I”:、Lうると同時に材料補強、4・]質改善
の機能をも発揮させつる。通常の合成樹脂の成型品には
(」月改質の1・1的で、クラースウールか無機質の粉
体が添加されるが、本発明に係る電磁遮蔽素桐とOL用
添加することにより、イ゛4月改質およ0・軽IIF化
の而でもより一層の向上を図ることができる。
哩1熱温度が前記着膜樹脂小片のそれより高い場合は混
練り操作中に両樹脂が互いに411溶すると同時に、小
j1樹脂表面の金属膜が卸B)化し、得られたブレンド
′樹脂内に微粒子とな−・て均一に分散する。又、逆に
該小片樹脂の耐熱温度か高い場合は一定の温度範囲内に
て着膜小片の原形を保持した状態でベース樹脂内に分散
する31両者の耐熱性の差による樹脂の組合せは、(す
、・111目的によ・て任αに選択しうるが、特例を除
いては一般に異種の樹脂をブレントイ″11溶させるこ
とによりベース樹脂の4′¥1イ1が失われること及び
小j11−の金属膜が破壊し微細r1:することによ
1てTr!、置市な架橋効果が損れる結果、電磁遮蔽能
が低1−すること′IQの11t! +−11により、
ベース樹脂よす高い耐熱と品度をイ1する・IJ’+樹
脂を選択するのが好しい3、カバる観、・、°、1、よ
り例を挙げれば、ベース樹脂としては、塩ビ、ポリエチ
レン、ポリスチレン、△トS、メククリルMの各樹脂を
、又金属着膜の対物とする小片樹脂としてフェノール、
ポリエステル、エポキシ、ポリウレタン′、ポリアミド
、ボリイミ1−゛、ボリカーホ不−l−1I゛PO、ポ
リアセタール等の各樹脂を一般的な選択規準として挙け
ることができるが、もちろん必要に応じて双方を4−配
回−の1■より選ぶこともii■能である。耐熱性のよ
り高い樹脂の小j1に金属着膜を施し、目的のベース樹
脂に均一に分散さぜる場合これにI?越せる電磁遮暗能
をf:I”:、Lうると同時に材料補強、4・]質改善
の機能をも発揮させつる。通常の合成樹脂の成型品には
(」月改質の1・1的で、クラースウールか無機質の粉
体が添加されるが、本発明に係る電磁遮蔽素桐とOL用
添加することにより、イ゛4月改質およ0・軽IIF化
の而でもより一層の向上を図ることができる。
木材の合成樹脂等に対する添加割合は最低lO%程度を
含(jさせることにより、十分に通常目的の電磁遮蔽効
果を得ることができる。木材は、合成樹脂小片の表面に
僅か1ミクロン〜3ミクロンの金属が着膜されているの
みであるので、従来の金属パラターの使用にみられる俺
端な4:A月の重質化はなく、i4i位容積当りの月利
の型部にはほとんど変化はない。又、金属バラタ−の液
状樹脂に添加12だときにみられる沈降分離も起さない
のて却下が容易である。
含(jさせることにより、十分に通常目的の電磁遮蔽効
果を得ることができる。木材は、合成樹脂小片の表面に
僅か1ミクロン〜3ミクロンの金属が着膜されているの
みであるので、従来の金属パラターの使用にみられる俺
端な4:A月の重質化はなく、i4i位容積当りの月利
の型部にはほとんど変化はない。又、金属バラタ−の液
状樹脂に添加12だときにみられる沈降分離も起さない
のて却下が容易である。
本状!(よれば、真空蒸着法や、スパッタリング等の高
価で特殊な設備や、大サイズの成型体を対象とするメ、
7キ、導電塗装、金属溶削にみられる大規模な設備も不
要であり、ありきたりの小規模な無電解メッキ設備で充
分本来の目的を達しうる。
価で特殊な設備や、大サイズの成型体を対象とするメ、
7キ、導電塗装、金属溶削にみられる大規模な設備も不
要であり、ありきたりの小規模な無電解メッキ設備で充
分本来の目的を達しうる。
一般に材料の電磁波遮蔽効果(S l> )は次式8式
% 但し、R′拐料の体積固有抵抗率(Ω・α)t′、、材
料の厚み(α ) f 周波数([旧−1z) で表わされ、SIE値として30〜40c+bであれば
実用可能とされている。本式によって一般に電磁波障害
の対象となる周波数l QMITz 〜l GHz(7
)範囲で実用化するにはlOΩ・rmpJ、l−′の体
積固有抵抗率が必要なことが判る。
% 但し、R′拐料の体積固有抵抗率(Ω・α)t′、、材
料の厚み(α ) f 周波数([旧−1z) で表わされ、SIE値として30〜40c+bであれば
実用可能とされている。本式によって一般に電磁波障害
の対象となる周波数l QMITz 〜l GHz(7
)範囲で実用化するにはlOΩ・rmpJ、l−′の体
積固有抵抗率が必要なことが判る。
本発明方法によ−て得られる金属着膜された小JA樹脂
の10〜40市量部を100重量部の合成樹脂に添加、
混練りして得られた成型体の体積固有抵抗率は10−2
〜10’Ω・cmを示し、充分に電磁波遮蔽材に供しう
ろことが確認された。
の10〜40市量部を100重量部の合成樹脂に添加、
混練りして得られた成型体の体積固有抵抗率は10−2
〜10’Ω・cmを示し、充分に電磁波遮蔽材に供しう
ろことが確認された。
以下実施例によって具体的に説明する。
実施例1
平均粒径が50ミクロンの粒状AI鼾;樹脂50Fを遂
次60%硫酸−2%無水クロム酸混液によるエノチンク
、水洗、1%塩化錫による感受性化、水洗、および0.
01%塩化パランウl、による活性化を施したものを下
記組成のメッキ浴1rに25 ’cにて30分間浸漬し
、ゆるやかに攪ばんする。
次60%硫酸−2%無水クロム酸混液によるエノチンク
、水洗、1%塩化錫による感受性化、水洗、および0.
01%塩化パランウl、による活性化を施したものを下
記組成のメッキ浴1rに25 ’cにて30分間浸漬し
、ゆるやかに攪ばんする。
メ ツキ浴組成
硝酸銅 0.05モル/r
酒石酸すトリウム 01 〃苛性ソーダ
05 //ホルムアルデヒド
10 〃pH11,5(塩酸による) メッキ終了後、水洗、乾燥した結果、A t:3 S樹
脂の個々の粒子表面に畦面な金属光沢を有する銅メッキ
膜が得られた。
05 //ホルムアルデヒド
10 〃pH11,5(塩酸による) メッキ終了後、水洗、乾燥した結果、A t:3 S樹
脂の個々の粒子表面に畦面な金属光沢を有する銅メッキ
膜が得られた。
本処理物20重量部を常法に従−〕て/\IIs樹脂原
体100重量部に加熱混練りして得られた成型体の体積
固有抵抗率は127Ω・αであり、十分?+・磁遮蔽用
途に供しうることが確認された。
体100重量部に加熱混練りして得られた成型体の体積
固有抵抗率は127Ω・αであり、十分?+・磁遮蔽用
途に供しうることが確認された。
実施例2
直径が20ミクロン、長さが3Mの繊維状ポリカーボネ
ー1−樹脂50 yに遂次イソプロピルアルコールによ
るプレエノチンク、水洗、60%硫酸−2%無水クロム
酸混液によるエノチン夕、水洗、1%塩化第一錫による
感受性fヒ、および001%塩化パラジウムによる活性
化を施し、だものを[・記組成のメッキ浴1eに65’
Cにて30分間浸漬し、ゆるやかに攪はんする。
ー1−樹脂50 yに遂次イソプロピルアルコールによ
るプレエノチンク、水洗、60%硫酸−2%無水クロム
酸混液によるエノチン夕、水洗、1%塩化第一錫による
感受性fヒ、および001%塩化パラジウムによる活性
化を施し、だものを[・記組成のメッキ浴1eに65’
Cにて30分間浸漬し、ゆるやかに攪はんする。
メッキ浴組成
疏酸二、ケル 01モル/eヒドラジン
10 〃酒石酸す1−リウム
0.1 //匡D ’I’Δ 2Na
O,05’/■旧 11.0 (1
’(υ、0[]による)メメッキ終了後水洗乾燥した結
果、ポリカーボネー1−繊随表面」−に鮮明な金属光沢
を有するニノケルメッギ膜が得られた。
10 〃酒石酸す1−リウム
0.1 //匡D ’I’Δ 2Na
O,05’/■旧 11.0 (1
’(υ、0[]による)メメッキ終了後水洗乾燥した結
果、ポリカーボネー1−繊随表面」−に鮮明な金属光沢
を有するニノケルメッギ膜が得られた。
本処即物15重■部を常法に従−てΔl”(S樹脂内に
加熱混練りして得られた成型体の体積固有抵抗率は03
8Ω・mでありト分電磁遮蔽用途に供しうることか確認
された。
加熱混練りして得られた成型体の体積固有抵抗率は03
8Ω・mでありト分電磁遮蔽用途に供しうることか確認
された。
実施例3
厚さ50ミクロン、縦および横がそれぞれ2問および3
mmのポリプロピレンの薄J42OFを遂次、60%硫
酸−5%無水クりム酸混腋による工7チング、水洗、1
%塩化第一錫による感受性化、水洗および0.01%塩
化パラジウムによる活性化を施しブζものを下記組成の
メッキ浴1eに70Cにて20分間浸漬し、ゆるやかに
tf、tid、んする。
mmのポリプロピレンの薄J42OFを遂次、60%硫
酸−5%無水クりム酸混腋による工7チング、水洗、1
%塩化第一錫による感受性化、水洗および0.01%塩
化パラジウムによる活性化を施しブζものを下記組成の
メッキ浴1eに70Cにて20分間浸漬し、ゆるやかに
tf、tid、んする。
メッキ浴組成
硫酸二ノゲル 01モル/f次卯リン酸ナ
トリウ1. 0,2 //クエン酸ナトリウ
J、 0,2 //硫酸アンモニウJ−,
Q、5 //[旧 100(アンモ
ニアによる)メッキ終了後水洗、乾燥した結果、ポリプ
ロピレン薄j1の表面十に鮮明な金属光沢を有するニア
ケル膜が得られた。
トリウ1. 0,2 //クエン酸ナトリウ
J、 0,2 //硫酸アンモニウJ−,
Q、5 //[旧 100(アンモ
ニアによる)メッキ終了後水洗、乾燥した結果、ポリプ
ロピレン薄j1の表面十に鮮明な金属光沢を有するニア
ケル膜が得られた。
本処理物I Oat部を]7均粒径35ミクロンの水和
アルミナ20Φ゛計部とともに、常法に従−てエポキシ
槓・j脂(Cy−206、チハ社製)100屯量部に混
練り′)′J′敗させた後、硬化剤(Ill−1951
、チハt1−製)を添加して硬化して得られた成バIJ
体の体積固有抵抗率は341Ω・CMを示し、−1゛分
71イ磁遮蔽用途に供しうろことが確認された。
アルミナ20Φ゛計部とともに、常法に従−てエポキシ
槓・j脂(Cy−206、チハ社製)100屯量部に混
練り′)′J′敗させた後、硬化剤(Ill−1951
、チハt1−製)を添加して硬化して得られた成バIJ
体の体積固有抵抗率は341Ω・CMを示し、−1゛分
71イ磁遮蔽用途に供しうろことが確認された。
実施例4
ポリエステルポリオ−v(Mo 618、シェル化学)
およびイソシア不−1−(カラテ゛−1−30、シェル
化′/)をハ;(*1として得られた硬質発泡ポリウレ
タ/の小1’+’(・1′均(−E5Mff)の109
を遂次、1%第一塩化錫による感受III: (IS、
水洗、および0.01%塩化パラジウムによるl’i性
化を施したものを1・1it粛1成の)、N−浴1eに
6,0℃にて15分間浸漬し、ゆるやかに攪けんする3
、メッキ浴組成 1i4e酸二 ノケル 0.
08 モル/ r硫酸銅 0.02 // 次rnrリン酸すI−リウl、 02 〃クエ
ン酸−ノートリウl、 03 〃I+ll
I O,o (苛性ソーダによ
る)メッキ終了後、水洗、乾燥した結果、ポリウレタン
発泡体の各細胞の内部−面にalt明な金属光沢を有す
る銅−二ノケlし合金メッキ膜が得られた。
およびイソシア不−1−(カラテ゛−1−30、シェル
化′/)をハ;(*1として得られた硬質発泡ポリウレ
タ/の小1’+’(・1′均(−E5Mff)の109
を遂次、1%第一塩化錫による感受III: (IS、
水洗、および0.01%塩化パラジウムによるl’i性
化を施したものを1・1it粛1成の)、N−浴1eに
6,0℃にて15分間浸漬し、ゆるやかに攪けんする3
、メッキ浴組成 1i4e酸二 ノケル 0.
08 モル/ r硫酸銅 0.02 // 次rnrリン酸すI−リウl、 02 〃クエ
ン酸−ノートリウl、 03 〃I+ll
I O,o (苛性ソーダによ
る)メッキ終了後、水洗、乾燥した結果、ポリウレタン
発泡体の各細胞の内部−面にalt明な金属光沢を有す
る銅−二ノケlし合金メッキ膜が得られた。
本処理物15爪計部を常法に従−)て一般用11ミリス
チレン100重隈部に加熱混練りして得られた成型体の
体積固有抵抗率は074Ω・渭であり、十分電磁遮蔽用
途に供しうろことが確認された。
チレン100重隈部に加熱混練りして得られた成型体の
体積固有抵抗率は074Ω・渭であり、十分電磁遮蔽用
途に供しうろことが確認された。
実施例5〜7
表に掲るメッキ11象の樹脂止11、メッキ浴および添
加対象のベース樹脂を用いて実施例1〜4と同様の′政
領により樹脂止)1のメッキおよび樹脂成バ1川・の作
成を行い体積固有抵抗率を測定した結果を・括して示し
、いずれも1′分に電磁直両用途に1バしうろことを確
認した。
加対象のベース樹脂を用いて実施例1〜4と同様の′政
領により樹脂止)1のメッキおよび樹脂成バ1川・の作
成を行い体積固有抵抗率を測定した結果を・括して示し
、いずれも1′分に電磁直両用途に1バしうろことを確
認した。
Claims (2)
- (1)無′1目1h′メノギ法により表面に金犀性着膜
を施しだ合成樹脂の小片を充填材として便用することを
特徴とする導電性の合成樹脂組成物。 - (2) 金属性霞嘆カ8R1銅、ニッケル、コバルl
−1i−ニッケル合金、ニッケルーコバ)v1゛合金、
もしくはニッケル鉄合金である特許請求の範囲第1項記
載の導電性の合成樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57212997A JPS59102953A (ja) | 1982-12-03 | 1982-12-03 | 導電性の合成樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57212997A JPS59102953A (ja) | 1982-12-03 | 1982-12-03 | 導電性の合成樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59102953A true JPS59102953A (ja) | 1984-06-14 |
| JPH0238108B2 JPH0238108B2 (ja) | 1990-08-29 |
Family
ID=16631758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57212997A Granted JPS59102953A (ja) | 1982-12-03 | 1982-12-03 | 導電性の合成樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59102953A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6012603A (ja) * | 1983-07-01 | 1985-01-23 | 住友化学工業株式会社 | 導電性樹脂フイラ− |
| JPS61285608A (ja) * | 1985-06-12 | 1986-12-16 | 岩井 謙治 | 貴金属被覆微粒体およびその製造方法 |
| JPS62196378A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-08-29 | Brother Ind Ltd | 薄膜形成方法 |
| JPS63287099A (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-24 | Mitsubishi Metal Corp | 磁気シ−ルド用磁性粉末 |
| JPS63287098A (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-24 | Mitsubishi Metal Corp | 磁気シ−ルド用磁性粉末 |
| JPH01195284A (ja) * | 1987-10-05 | 1989-08-07 | Rhone Poulenc Chim | メッキされた網状化機能性重合体粒子、その製造方法、及びその導電性材料製造における使用 |
| JPH0224358A (ja) * | 1988-07-14 | 1990-01-26 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 無電解めっき粉末含有ポリマー組成物 |
| WO2001024198A1 (de) * | 1999-09-27 | 2001-04-05 | Metallveredlung Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur herstellung einer beschichtung zur absorption der bei der kernreaktion radioaktiver materialien entstehenden neutronen |
| JP2006036912A (ja) * | 2004-07-27 | 2006-02-09 | Koyo Sangyo Co Ltd | 電磁波遮蔽シーリング材及びその製造方法 |
| WO2007004765A1 (en) * | 2005-07-05 | 2007-01-11 | Cheil Industries Inc. | Conductive particles comprising complex metal layer with density gradient, method for preparing the particles, and anisotropic conductive adhesive composition comprising the particles |
| US7295646B1 (en) | 1999-09-27 | 2007-11-13 | Metallveredlung Gmbh & Co. Kg | Method for producing a coating for absorption of neutrons produced in nuclear reactions of radioactive materials |
| JP2011063791A (ja) * | 2009-08-19 | 2011-03-31 | Mitsubishi Engineering Plastics Corp | 電磁波抑制用樹脂組成物及び成形品 |
Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
| JPS5229835A (en) * | 1975-09-02 | 1977-03-07 | Asahi Glass Co Ltd | Improved filler for synthetic resin |
| JPS55160061A (en) * | 1979-05-31 | 1980-12-12 | Showa Highpolymer Co Ltd | Production of treated filler having beautiful metallic luster |
-
1982
- 1982-12-03 JP JP57212997A patent/JPS59102953A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2011063791A (ja) * | 2009-08-19 | 2011-03-31 | Mitsubishi Engineering Plastics Corp | 電磁波抑制用樹脂組成物及び成形品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0238108B2 (ja) | 1990-08-29 |
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