JPS59103249A - 走査変換型蓄積管 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

技術分野 本発明はストレージオシロスコー７．Ａ−Ｄｉ換器等に
使用する走査変換型蓄積管に関し、更に詳細には、改良
された蓄積ターゲットを有する蓄積管に関する。 従来技術 電気信号を偏向板に印加し、信号に対応した波形を電子
ビームによって蓄積グーゲット上に書き込み、必要に応
じて蓄積された鼓形ン電気信号として絖み吊すことが出
来る走査変換型蓄積管即ちスキャンコンバータ管は公知
である。１３特開昭５５−１０６６　　号公報には、第
１図及び第　　　。 ２図に概略的に示す如く、絶縁物単結晶基板（１）の上
に、単一のコレクタ電極（２）χ設げ、絶縁物単結晶か
らなる蓄積層即ち蓄積領域を電子ビームで衝撃すること
によって電子−正孔対を発生させ、これを書き込みにオ
リ用して書き込み速度馨回上させる構造の蓄積ターゲッ
トが開示されている。 ところで、第】図及び第２図に示す蓄積ターゲットに信
ｇを薔き込む際には１例えは特開昭５ｓ−５０５５８号
公＠に示されるように、デずプライム状態を得るために
、コレクタｔ　′＠！、＋２＋の電位を二次電子放出率
δ（２次電子数／Ｊ次電子数）が最初［１になる第１交
差電位以上の値（ｆｌｌえは陰極に対して２３５０Ｖ）
に設定し、を子ビームでターゲットヶ衝撃する。これに
より、基板＋ＩＪの表面の蓄積面（３）はコレクタ電極
（２）の電位と同じ２３５０Ｖになる。次に、消去電位
差Ｖ８乞得るために、コレクタ電極（２）の′電位を第
１父差電位以下の例えば陰極に別して　ｏ■〜＋１５Ｖ
の範囲から）！！択された＋ＩＵＶに設定し、再び電子
ビームで衝撃し、蓄積面（３）を陰極と１司電位にする
。この結果、蓄積面（３）とコレクタ電極＋２１との間
に］ＯＶの消去電位差が生じる。 次に、蓄積ターゲットに信号を書き込むために、コレク
タ電＠（２）の１ｍ［Ｙ第）交差電位よりも高い例えは
原＠に対して］ＯｋＶとし、蓄積ターゲットにビームン
信号に応じて選択的に投射する。これにより、沓き込み
部分（ビーム衝撃部分）は陰極に幻し１例１えば９９９
］Ｖ（コレクタ電極＋２１に対して一９Ｖ）の電位とな
り、非書き込み部分はＪＯｋｖから消去電位差１０Ｖン
引イｒ＝　９９９０　Ｖ（コレクタｔｉ（２１に対して
一２０Ｖ）に保たれ、コレクタ電極（２）に対して一９
Ｖと一１０Ｖとの電荷バタンか形成される。 次に、読み取り時には、コレクタ電極（２）馨陰極に対
して例えば＋５１Ｃ設定する。この結果書き込み部分の
電位は陰極に対して一４Ｖ、−万非書き込み部分の′ｔ
ＪＬ位は一５Ｖ（陰極に対して）となる。今、ターゲッ
トに於けるビームのカットオフ電圧が一５Ｖである状態
で無変調電子ビームでラスタ走査すると＋’　−４Ｖの
薔き込み部分には電子ビームが到達し、−５Ｖの非書き
込み部分には電子ビームが到達せず、これ等乞区別して
読み取ることが可能になる。 上述の如き方式に於いて、消去電位差Ｖ８を大きく設定
すると、！き込み時に発生する２次電子或いは電子−正
孔対の捕獲率が犬＠（なり、結果として書き込み速度が
速くなるが、コレクタ電ｍ　＋２１の微細加工誤差（コ
レクタ電極＋２１の幅及びピッチの変動）に基づいて生
じる訛み取り時のカットオフ電圧のばらつきが消去電位
差ｖＦ、に比例して太き（なりＳＮ比が悪くなるので、
ＶＦ、を大きく設定すると必然的に読み取り時のカット
オフ電圧のばらつきが大きくなる。従って、消去電位差
Ｖ８の大きさには制限があり、消去電位差ｖ８を大きく
設定することによる書き込み速度の向上にも制限がある
。上述の如き問題はガラス基板、　５ｘＯｘ等で蓄積Ｊ
ｆｆｊ馨形成する場合にも同様に生じる。 発明の目的 本発明の目的は薔き込み速度の向上ン谷易Ｖｃ達成する
ことが可能な走査変換型蓄積管乞提供することにある。 発明の構成 上記目的を達成するだめの本発明は、電子ビームを偏向
して蓄積ターゲットに投射して電気信号を前記蓄積ター
ゲットに書き込む形式の走査変換型蓄積管に於いて、前
記蓄積ターゲットが単結晶。 多結晶、非晶質等の好ましくは抵抗率が］０Ω・いに電
気的に絶縁分離された複数のコレクタ電極とを具備し、
前記被数のコレクタ電極に異なる電圧を印加する手段が
設けられていることを特徴とする走査変換型蓄積管に係
わるものである。 作用効果 上記発明によれば電気的に分離絶縁された被数（７）　
ニア　ｖ　ｙり電極を設け、これ等を互いに平行に配置
し、異なる電圧乞印加することが可能な構成であるので
、書き込み時に隣接するコレクタ電極に異なる電圧を印
加すると、隣接するコレクタ電極間に電位差が生じ、２
次電子及び／又は電子−正孔対を効率よく捕獲すること
が可能になり、消去電位差ｖ８が零又は低い値の状態で
も速い書き込み速度２得ることが可能になる。 実施例 次に、図面を参照して本発明の実施例（（ついて述べる
。 第］の実施例（第３図〜第５幽） 第３図〜第４図に原理的に示す第】の実施例１に係わる
蓄積ターゲット＋４１は、絶縁物単結晶であるサファイ
ヤ単結晶基板（５＋の平坦な一万の生表面上ニ、互いに
電気的に分離されたＭＪのコレクタ電＆（６）と第２の
コレクタを極（７１とを有する。す７フイア単結晶基板
（５）は電気的絶縁物であるので、第１及び第２のコレ
クタ電極＋６１１７）を分離して配置すれは１両者は電
気的に絶縁される。第】及び第２のコレクタ電極＋６１
　（７１はクロム（（’ｒ　）等の金属ン厚さ０．０５
μｍ〜数μｍに被着させ、ホトレジスト技術によってク
シ田型に形成したものであり１幅０・５〜５０μｍ程度
の線条部分＋６８）（７ａ）乞天々有する。 （し歯状の第］のコレクタ電極（６）の線条部分（６ａ
）の相互間に第２のコレクタ電極（７）の線条部分（７
ａ）ンはストライプ状である。各線条部分（６ａ）（７
ａ）の相互間には線条の蓄積面（８）即ち単結晶基板（
５）からなる蓄積領域（９）の表面の一部が導出してい
る。尚線条部分Ｃ６ａ）　（７ａ）の相互間の間隔即ち
ピッチは電子ビームの径よりも小さい数μｍへ数１００
μｍに設定されている。 第５図は第３図及び第４図に示す蓄積ターゲラ１’　＋
４１　’ｆ内蔵する走査変換型蓄積管を示す。この蓄積
管は、真空包囲体（１（１）の内に、電子銃αＤと、偏
向糸ｕ２１と、コリメーション糸旧と、蓄積ターゲット
（４）とン順次に配置ことによって構成されている。 崗篭子Ｖｃｕυは順次に配されＴこ陰極側、制御電極ｕ
９、加速電極ｕｔｉｌ　、集尿＊ｍ（１７１、及びアス
テイグ電極α灼から成り、ターゲット（４〕の方向に向
う電子ビームを生み出す。偏向糸（１２＋はビームバス
に沿って配置ｔされた一対の垂直偏向板からなる垂直偏
向系霞と。 一対の水平偏向板からなる水平偏向糸端とから成り、垂
直方向と水平方向との２つの直交方向に電子ビームを偏
向する。コリメーション系餞はウオール電極０とフィル
ドメツシュ劃１２とから成り。 読ミ取り等に於ける低エネルギ電子ビーム乞ターゲット
（４）に垂直に入射させるためのコレメーションレンズ
の働＠馨な丁。蓄積ターゲット（４）には、第１及び第
２のコレクタ電極（６１Ｆ７１　Ｋ−異なる電圧ン印加
する手段として第］及び第２のリード部材２３１（２４
１が接続され、これ等が包囲体ｕＯ１Ｏ外に夫々導出さ
れている。 第ｊのリード部材（ハ）は抵抗シ５）とスイッチ回路Ｆ
２６Ｊとを介して、プライム用電源１２７）、消去用電
の（ハ）。 第１の書き込み用を分（ハ）、読み取り用型劇印）に選
択的に接続される。第２のリード部材□□□はスイッチ
回路（３１１ｙａ−介して薔き込み時に第２の書き込み
用型のＣ；３２に接続され、プライム・１ｍ去、読み取
り時には第１のリード部材［有］に接続され、第Ｊのリ
ード部材１２３）と同一電位が付与される。 第５図の蓄積管を動作させるために１例えば、　　　　
′陰極側には一１ｋＶ、制御′電極（１５）には陰他圓
ン基準にして０〜−７５Ｖ程度の電圧、加速電極（１６
１にはＯＶ（陰極ａ４Ｉを基準にして＋］　ｋＶ　）　
、集束を極α７ｊ及びアスティグ電極賭には電子ビーム
の量に応して最適に調整された電圧、ウオール電極シＤ
にはＯＶ（陰極Ｕ勾に対して＋］ｋＶ）、フィールドメ
ツシュ電極のには］、３ｋＶ（陰極ＩＪ４１に対して２
．３　ｋＶ）　乞印刀りする。 このターゲット（４）に対する電気信号の書き込みに先
立って消去状態を得る際には、まずスイッチ回路（ハ）
の接点ａ’ｒオン及びスイッチ回路ｃ３刀の接点ｅをオ
ンにすることによつ又、第３及び第２のコレクタ電極＋
６）ｔ７）をプライム用型の（２７）に接続し、コレク
タ電極（６１（７）の電位ンＫ】交差電位以上の例えば
］３５０Ｖ（陰極ｔ’ｌ’ＪＬ”’Ｃ２３５０’Ｖ　）
ＶＣ天Ｊ定し、無変調電子ビームでターゲット（４）の
有効走査領域の全部を衝撃する。これにより、全ての蓄
積面（８）がコレクタ電極（６）（７）と同一の１３５
０Ｖ（陰極に対して２３５０Ｖ）となる。 次に、スイッチ回路ｃ！６）の接点す娑オンになし。 消去用電非（ハ）から第１及び第２のコレクタ電極（６
）（７）に第１交差電位以下の例えば−９９０Ｖ［陰極
に対して＋］ＯＶ）の電圧を印加し、無変調電子ヒーム
でターゲット（４）の全面を走査する。これにより蓄積
面ｆ８１の電位は陰極（１４１と同じ一］　ｋＶ　（陰
極に対してＯＶ）となり、蓄積面＋８１とコレクタ電極
ｔ６１　＋７Ｊとの間Ｖｃ］ＯＶの消去電位差Ｖ８が生
じる。 次に、信号の書き込み乞行う場合には、制御室き込みを
行うために、第１のコレクタ電極＋６１　ト第２　ｒｙ
）　コｖ　ｙり電極（７）とに数Ｖ〜数］００ボ）Ｖ　
トの範囲の電位差が生じるように異なる電圧ン供鞄する
。即ちスイッチ回路（２６１の接点ＣＶオンにして第］
の書き込み用型のｃ！９１から第】のコレクタ電極（６
１に２次電子放出特性曲線の第１交差電位以上１／；Ｉ
例えば９ｋＶ（陰極に対して］０ｋＶ）の電圧馨印加し
。 またスイッチ回路６Ｂの接点ｆをオンにし１第２の書き
込み用型諒り２から例えば９．１　ｋＶ　Ｃ陰極に対し
て］　０．１　ｋＶ　）の電圧を第２のコレクタ電極（
７Ｉ印力口する。第１のコレクタを極（６〕と第２のコ
レクタ電極（７）との間に電位差ＶＷ＝１０’０ン与え
ると。 蓄積面（８）とコレクタ電極（６１（７）との間に消去
モードの電圧ン加算した電位差（６０Ｖ）が得られる。 上述の如く蓄積面（８）とコレクタ電極１６１　（７）
との間の電位差を増大させた状態でターゲット＋４１　
’２選択的に電子ビームで衝撃すると、２次電子及び電
子−正孔対が発生し、一方の２次電子は集成効果の大き
い状態でコレクタ電極　＋７１　Ｋ集められ、他方の電
子−正孔対は分離され、電子がコレクタ電極（７）に向
って大＠なドリフト速度で移動する。従って電子−正孔
対の８結合の割合が減って借き込み速度が同上する。 ＶＷ　　にほぼ反比例するので、コレクタ間電位差ＶＷ
乞与えると書き込み速度の向上が可Ｈ目になる。 即ち、消去電位差ＶＦ、とコレクタ間電位差ＶＷとビ有
する状態で電子ビーム衝撃すると、固体内で電直読壬 子−正孔対が生じ、これが電子と正孔　　離され。 電子は消去電位差ＶＦ、とコレクタ間を位差ＶＷとによ
る大きなドリフト電界に基づく大＠なドリフト速度でコ
レクタ電極（７）に捕獲され、−万、ドリフト速度の比
較的遅い正孔は蓄積面（８）の近傍の表面準位に獲えら
れ、負電荷を中和して蓄積面（８）の電位を上昇させる
。これにより％書き込み速度が向上する。止ミ」；％　
＆　（５Ｊをガラス等の非晶買杷縁物とした場合又はＳ
＋０２等の多結晶絶縁物とした場合には、固体内の電子
−正孔幻の効果よりも、２次電子放出による誉き込み効
果が交配的になる。 このように主として２次′電子放出効果で書き込みを行
う場合であっても、コレクタ間電位差ｖｗを与えること
により、２次電子捕獲効率が向上し、豊き込み速度を尖
萼真向上させることが出来る。 ターゲラ）　＋４１に於いて電子ビームで衝撃されなか
った部分（非書き込み部分）は元の状態に保たれるので
、書き込みによって電位が上った部分と書き込みが行わ
れないで元の電位に保たれる部分とによる電荷バタンか
生じる。 ４Ｆ＠込みによる電′荷バタンの読み取りは、前述のコ
レクタ電位差Ｖ。又は別の任意の電偏差ン有した状態で
コレクタ電極（６１Ｉｎの電位をカットオフ近傍電位に
変化させて行うことが可能で必るが。 ここでは理Ｍン谷易にするために、コレクタ電極＋６１
　（７Ｆに同−電位乞付与して行う場合について述べる
。今、読み取りモードのために、スイッチ回路（Ｊ６）
の接点ｄ′（＋−オンにし、且つスイッチ回路６υの接
点ｅ＝ｉ７オンにして貌み取り用ｍ！ｗ％（至））から
第１及び第２のコレクタ祇憾１６＋　＋７１に例えば−
９９５Ｖ（陰極に対して＋５Ｖ）の′屯圧會印加すると
、非曹ぎ込み部分の蓄積面（８）の電位は、−］００５
Ｖ（陰極に対して一５Ｖ）となり、コレクタ１１極１６
１（７１’ｒ４革にするとｌ向去岨位走Ｖｘ　＝１０　
Ｖだけ低い。一方、書き込み部分の薔槓面（８）の電位
は昔き込みで上昇しているために非書き込み蓄積面（８
）に対して正の電位であり、例えば−１００４Ｖ（陰極
に対して一４■）となり、コレクタ電極ｔ６１　［７１
を基準にすれば一９Ｖとなる。今、カットオフ電圧Ｖｃ
が陰極に対して一５ｖであると１几ば、書き込み部分の
一４■の蓄積面（８）の近傍ではコレクタ電極の電位は
カットオフ以上の電［になりコレクタ電極に電子ビーム
が到達する。一方非書き込み部分の一５ｖの蓄積面（８
）の近傍のコレクタ電極はカットオフ電−ムでターゲッ
ト＋４１の全面を走査丁れば、書き込み部分と非書き込
み部分とを区別して読み取ることが出来る。尚、読み取
り時のコレクタ電極＋６１　（１）の電位は、消去電位
差ｖＦ、に関係して決まるカットオフ電圧■。の近傍に
設定される。このカットオフ電圧■。は陰極に対し正で
、消去電位よりも低い電位で必り、非書き込み部分への
ビームの流れ込みを阻止する電位である。 上述から明らかなように、消去電位差ｖ８を増大させな
くとも、書き込み時にコレクタ間電位差ＶＷを生じさせ
ることにより、書き込み速度を向上させることが可能に
なり、５０００ｄｉｖ／μｓｅｃ程度の書き込みン容易
に達成することが出来る。また。 消去電位差ｖ］！、ヲ増大させる必要がないので、コレ
クタ電極（６１（７１のパタンの加工誤差に起因する同
一ターゲットに於けるカットオフ電圧Ｖ。のばらつきを
最小に抑え且つ畜き込み速度乞向上させることが可能に
なる。ば、らつきが小さげればＳＮ比の良い状態で読み
取り出力乞得ることが出来る。 また、ｍ云電位差ｖＢビ零にしてもコレクタ間電恒差Ｖ
ｗの効果で信号の書き込みを行うことが出来る。従って
、この場合には消去電位差Ｖ８を与える動作が不快とな
る。 第２の実施例１（第６図］ 第６図に示す走査変換型蓄積ターゲット（４ａ）はコレ
クタ電極（６１ｔ７Ｊのバタンを格子状にしたもので　
　　　。 ある。このため、す７アイヤ単結晶基板（５」の上に第
１のコレクタ１１極（６）ン格子状に設けた後に、有効
走査領域外に於いて第］のコレクタ１１極（６）の−部
を絶縁層關で被覆し、この上にＭ２のコレクタ電極（７
７を格子状に設けて多層配線構造としたものである。こ
のように構成しても、ターゲット有効域内には線条部分
（６ａ）　（７ａＪが交互に平行配置されるので第ｊの
実施例と全く同様な作用効果が得られる。 第３の実施例（第７図、第８図） 第７図及び第８図に示すターゲット（４ｂ）は第３図の
ターゲラ）　（４１と同様にサファイヤ単結晶基板（５
Ｊの上に第］及び第２のコレクタ電極（６）　（７１を
くし歯状に設け、更に、両者の間に第３のコレクタ電極
１４１を蛇行状に設げたものである。尚各電極の線条部
分（６ｍ）　（７ａ）　（３４ａ）の幅は０．５　ｐｍ
　〜５０　ｔｔｍ　。 これ等のピッチは数μｍ〜数１００μｍとされている。 このように３つのコレクタ電極＋６１　＋７）　＋３４
１を設けても、ターゲット有効域では夫々の線条部分（
６ａ）＋７ａ）（３４ａ）が互いに平行に配置され、全
体としてストライプ状となるので、第３図のターゲット
ｔ４１と同様に使用することが出来る。 即ち、このターゲットＣ４ｂ）は第３図のターゲット（
４ｊと同様に第５図に示すような蓄積管に組み込んで使
用される。蓄積管［組み込む際には、３つのコレクタ電
極１６＋　［７１圓のリード部材し３ｊ（至）Ｑ５１ン
真空包囲体から独立に導出し、コレクタ電極＋６１　＋
７１−に電圧乞独Ｖに印加することか可能な構成とする
。 このターゲット＋４ｂ）　）ｋ便用して種々の書き込み
及び読み出しの動作方法が可能であるが１代表的な動作
万＠馨次に述べる。 まず、消去する場合には、３つのコレクタ電極＋６１　
（７７−に同一電圧ケ印加し、第３図の第１の実施例の
場合と同様に行う。即ち同一電圧を各コレクタ電極１６
１　ｔ７Ｊ　Ｃ１４１に印加丁れば、単一！極とみなせ
るので、第３図と全く同様ＶＣ消去することが出来る。 次に、書き込む場合には、第１及び第２のコレクタ電極
＋６１　＋７７に同一電圧（例えば９ｋＶ）’ｒ印加し
。 第３のコレクタを極間には第１及び第２のコレクタｔ　
！　＋６１　（７）よりも高い電圧（例えば９．］ｋＶ
）ン印加し、第】の実施例の場合と同様にビーム衝撃を
な丁。これにより第】の実施例の場合と全く同様な書き
込みが出来る。即ち、！極間電位差ＶｗＹ有する状態で
の書き込みが可能となり、第］の実施例と全く同様な作
用効果が得られる。 絖み取り時には例えば第］、第２．及び第３のコレクタ
電極（６１（７１（３４１に同−電圧乞印加し、第１の
実施例の場合と同様に行う。勿論この読み取り時に於い
て、各電極（６１（７）１３４Ｊに異なる電圧を印加し
ても差支えない。 第６図のターゲラ）　（４ｂ）に対する別の書き込み方
法として、各電極（６４（７３Ｃ３４１に異なる電圧ン
印加して書き込みビームを投射する方法がある。この場
合には、第］のコレクタ電極１６７　［ｆｌｊえハ９ｋ
ｖン印加し、第３のコレクタ電極（至）に次に高い例え
は９．３　ｋＶ　Ｙ印力口し、第２のコレクタを極ＩＴ
）Ｖｃｉｔ／Ｉｔも高イ例えハ９．２　ｋＶ　’ｒ印加
する。これにより。 各電極間に１００Ｖの電位差ｖｗを与えることが可能に
なり、第ｊの実施例の場合と全く同様な書き込みが可能
ＶＣなる。 第４の実施例１（第９図ン 第９図に示すターゲット（４ｃ）は、第３のコレクタ電
極−を格子状に設けたものである。即ち、すファイヤ単
結晶基板（５Ｊの上に、マス、第３１７）　コＶクタを
極け４１を格子状に設け、有効走査領域外に絶縁層４３
ｆｉｌを設け１次に、第Ｊ及び第２のコレクタ電極（６
１（７１’Ｙ　＜　Ｌ歯状に設けたものである。このよ
うに形成しても、′？！ｒ電極の線条部分１６ａ）［７
ａバ３４ａ）が有効走査領域で互いに平行に配置される
ので、第７図のクーゲラ）　（４ｂ）と全く同様な作用
効果が得られる。 変形例 以上、本発明の実施例について述べたが１本発明はこれ
に限定されるものでなく１例えば次の様な変形例が可能
なものである。 （Ａ）　　第１０図［示すヨうに、線条部分［６ａＪ（
７ａ）（３４ａ）ン配列させてもよい。この第１０図に
示すターゲット（４ｄ）は、第９図のターゲット（４Ｃ
）と同様に第３のコレクタ電極（至）の上に絶縁層（３
６＋Ｖ設げ、この上に第］及び第２のコレクタ電極（６
）（７）を設けた構成となっているが、線条部分（６ａ
）　Ｃ７ａ）（３４ａ）の配置が第９図と異なっている
。即ち、第Ｊ、第３．第２の線条部分（６ａＪ（３４ａ
Ｊ（７ａＪの順序に配列され、且つ第１の線条部分（６
ａ）と第３の線条部分ｔａ４ａ）との間の第］の蓄積面
（８ａ）及び第３の線条部分（３４ａ）と第２の線条部
分（７ａ）との間の第２の蓄積面（８ｂ）の幅が第２の
線条部分

【７ａ）と第】の線条部分（６ａ）との間の第
３の蓄積面（８Ｃ）の幅よりも小さく設定されている。 尚第３図に示す２つのコレクタ電極ｉ６Ｊ　ｔ７Ｊ　ン
有するターゲット（４）に於いて、蓄積面（８）の幅を
同一とせすに、第１０図と同僚に狭い蓄積面と広い蓄積
面とを交互に配置してもよい。 Ｂ）第３１図に示￥如（、基板（５）の背面に背部室＊
　８ｎｊ乞設け、適西な電圧ン印加してもよい。 （０第１２図に示す如く、シリコン剛の上に多結晶構造
の５１０ｗ層山ケ設け、このＳｉｎ、層１３洟を絶縁物
蓄積層として使用し、でもよい。 ［）ｌ　　サファイヤ単結晶基板（５）の代りに、Ｍｇ
Ｏ。 ｃａＦ’２．　ＭｇＦ２等の絶縁物単結晶基板ン使用し
てもよい。 眠）　基板（５）乞ガラス等の非晶質絶縁物としてもよ
い。 ［Ｆ］）電ａ（６７（７７（３４Ｊ乞Ｃｒ　、　ＡＩ　
、　Ｎｉ　、　Ｍｏ　、　ＡＬＩ等の単−又は複合層で
形成してもよい。また、５ｎｏ２等の透明を極としても
よい。 （０谷実施例では線条部分（６８）［７８月３４ａ）の
延びる方向ケビームの水平走査方向に一致させたが。 両者が互いに直交するように配し又もよい。 ■　第５図の蓄積管ではウォー）Ｌ／電極はとフィルド
メツシュ電極のとでコリメーション系ａ：１を設けたが
、これ２省いた構成としてもよい。 （Ｉｌ　　鼓形２書き込むのみでなく、デジタル信号の
書き込みにも勿論適用可能である。 （Ｊｌ　　アルミナ基板等の上に絶縁物蓄積層ン設けた
構成としてもよい。

【図面の簡単な説明】

第１図はＩ７Ｅ米のターゲット乞原理的に示す平面図、
第２図は第１図のターゲットのＩＩ−ＩＩ線断面図、第
３図は本発明の第］の実施例１のターゲットヶ原理的に
示す平面図、第４図は第３図ｂ）ターゲットの＋Ｖ　−
ｔＶ線断面図、第５図は第３図のターゲットを組み込ん
だ蓄積管を原理的に示″′ｒ横断面図。 第６図は第２の実施例の蓄積ターゲットを原理的に示す
平面図、第７図は第３の実施例のターゲットヶ原理的に
示す平面図、第８図は第７図のターゲットのｖｍ　−ｖ
ｔｎ線断面図、第９図は第４の実施例のターゲット乞原
理的に示す平面図、第】０図は変形例のターゲット’Ｙ
原理的に示す平面図、第１３図及び第１２図は別の変形
例のターゲット’Ｙ大々示す断面図である。 （４）・・・蓄積ターゲット、　（５）・・・基板、（
６ｊ・・・第１のコレクタ電極、　（７Ｆ・・・第２の
コレクタ電極、（８）・・蓄積面、（９Ｊ・・・蓄積領
域。 代　理　　人　　　高　　野　　則　　次特許庁長官　
若杉和夫　　　　殿 １．事件の表示 昭和５７年　特　許　願第２１２３７５号２、発明の名
称　走丘変換型蓄積管 ３、　補正をする者 事件との関係　　出願人 ４、代理人 （１１明細書第７頁第１行の、「−２０ＶＪを１−−１
０ＶＪに補正する。 （２）　　明細書第１３頁第５行の「コレ」を「コリ」
に補正する。 （３）　　明細書第１９頁第１Ｏ行の「コレクタ電位差
Ｖ８」を「コレクタ間電位差Ｖｗ　Ｊに補正する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１１電子ビームを偏向して蓄積ターゲットに投射して
   電気信号を前記蓄積ターゲットＶＣ書き込む形式の走査
   変換型蓄積管に於いて、 置され且つ互いに電気的に絶縁分離され１こ複数のコレ
   クタ電極とン具備し、前記複数のコレクタ電極に異なる
   電圧−￥印刀りする手段が設けられていることを％徴と
   する走査変換型蓄積管。 （２）　　前記蓄積基体は絶縁物単結晶基体である時計
   請求の範囲第１項記載の走査変換型蓄積管。 （３）前記蓄積基体は、非晶質絶縁物基体である時計請
   求の範囲第】項記載の走査変換型蓄積管。 （４）　　前記蓄積基体は多結＆絶縁物基体である特許
   請求の範囲第１項記載の走査変換型蓄積管。 （５１＠ｉＪ記狽欽のコレクタ電惚は、′電気的に分離
   された第Ｊ及び第２のコレクタ電極である％訂謂釆の範
   囲第３項記載の走査変換型蓄積管。 （６＋　　前記第］及び第２のコレクタ電極はくし歯状
   に多数の巌条部分乞夫々有するものであり、前記第】の
   コレクタ電極の前記線条部分と前記第２のコレクタ電極
   の前記線条部分とが又互に平行配置され又いることを特
   徴とする請求 ５項記載の走査変換型蓄積管。 （７ノ　　前記値数のコレクタ電極は．少なくとも第Ｊ
   ，第２．及び第３のコレクタ電極であり，前記第１、第
   ２．及び第３のコレクタ電極は互いに平行配置される多
   数の線条部分乞夫々有するものである特許請求の範囲第
   】項記載の走査変換型蓄積管。 （８１前記第Ｊ、第２．及び第３のコレクタ電極は前記
   第］のコレクタ電極の前記線条部分、前記第２のコレク
   タ電極の前記線条部分、前記第３のコレクタ電極の前記
   線条部分、前６己第２のコレクタを極の前記線条部分、
   前記第１のコレゲタを極の前記線条部分の順序にて繰返
   して配列されるものである％ＩＶ！Ｔ−請求の範囲第７
   項記載の走査変換型蓄積管。 （９１前記異なる電圧ケｆ：ＩＪ加する手段は、前記電
   子ビームによって信号？前記ターゲットに畳き込む際に
   、前記複数のコレクタ電極間ＶＣ電停差を生じさせる電
   圧を印加する回路である％肝請求の範囲第１項記載の走
   査変換型蓄積管。