JPS59103254A - 走査変換型蓄積管の動作方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明はストレージオシロスコープ、Ａ−１）変換器等
に使用する走置変換型蓄積管の動作方法に関し、更に詳
細には、書き込み又は読み取り又は消去を単一の蓄積タ
ーゲット上で選択的に行うことが可能な蓄積管の動作方
法に関する。

従来技術 電気信号を偏向板に印加し、信号に対応した波形全電子
ビームによって蓄積ターゲット上に書き込み、心安に応
じてＳ損された波形を電気信号として肌み出すことが出
来る走置変換型蓄積管部ちスキャンコンバータ官は公知
である。また、特開昭５５−１０６６号公報には、第１
図及び第２図に概略的に示す如く、絶縁物単結晶基板山
の上に、単一のコレクタ電極（２）を設け、絶縁物単結
晶からなる蓄積面［３１＊　電子ビームで衝撃１−るこ
とによって亀子−正孔対奮発生させ、これヲ薔き込みに
利用して書き込み速度を向上させる構造の蓄積ターゲッ
トが開示されている。

ところで、従来の蓄積管に於いて、電子ビームを割ｍｌ
すれば、書き込み、読み取り、消去を選択的に行うこと
が原理的には可能となる。しかし、２つの波形を蓄積タ
ーゲットＶｃ４さ込み、この内の一方のみヲ読み取った
り、又は一方のみを消去することは極めて困難であった
。

発明の目的 そこで、本発明の目的は、選択的な書き込み又は欣み取
り又は消去を容易に行うことが可能な蓄積管の動作方法
を提供することにある。

発明の構成 上記目的を達成するための本発明は、好ましくは１０１
２Ω・副以上の抵抗率の単結晶、多結晶、非晶質等の絶
縁物質からなる蓄積基体上に３個以上のコレクタｔ　憔
ｋＮ気的に絶縁した状態で互いに平行に配置した構造の
蓄積ターケラトに成子ビームを偏向して投射して電気信
号の優き込み、又は読み取り、又は消去全行う除に、前
記３個以上のく対する応答特性と前記３個以上のコレク
タ電極から選択された第２の組み合せの２つのコレクタ
′暖億の闇の第２の蓄積面の前記゛電子ビームに対する
応答時性とに差が生じるように前記３個以上のコレクタ
屯換に電圧全印加した状態で前記電子ビーム全前記蓄積
ターゲット上に投射して選択的な書き込み又は読み取り
又は消去全行うこと全特徴とする走査変侠ｉｉ蓄積看の
動作方法に係わるものである。

作用効果 上記発明に基づいてコレクタ電極の電圧を制ゴーし、例
えは、第１の蓄積面を書き込み又は読み取り又はγ１云
を行うことが可能な電圧状態となし、第２の蓄積面全書
き込み又は読み取り又は消去を行うことが不可能な電圧
状、帳とｊ几ば、選択動作を極めて容易に達成すること
が出来る。従って、例えば２つの波形を同一ターゲット
上に書き込み、この内の一方のみヲ読み出すこと、又は
一方のみを消去すること等全容易に行うことが出来る。

実施例 次に図面全参照して本発明の実施例について述べる。尚
、以下の説明での各部の゛電位又は′４圧は特に指定し
ない限り、陰極に対する電位又は電圧である。

第１の実施例（第３図〜第６図） 第３図〜第４図にＪｊＡ理的に示￥第１の実施例に係わ
る蓄積ターゲット（４）は、絶醸物単結晶であるサファ
イヤ単結晶基板（５）の平坦な一方の主表面上に、互い
に電気的に分離さｎた第１のコレクタ電極（６）と第２
のコレクタ電極（７ンと第３のコレクタ′電極（８）と
を有する。サファイヤ単結晶基板ｔ５１は電気的絶縁物
であるので、第１、第２及び第３のコレクタ電極（６）
　（７）　＋８）を分離して配置すれば両者は電気的に
絶縁される。第１、第２及び第３のコレクタ電’ｍ　（
６１（７１＋８１　ハクＣ１ム（Ｃｒ　）等”　金ｍ　
ｌｃ　厚す０．０５　ｐｍ〜数μｍに被層させ、ホトレ
ジスト技術によって所足バタンに形成したものであり、
ｔ■０．５μｍ〜５０μｍ程度の線条部分（６ａ）（７
ａ）（８ａ）を夫々有する。

第】及び第２のコレクタ＊４Ｕ　＋６１　＋７）は＜シ
因状に形成され、第】のコレクタ１１６）の１１Ｍ条部
分（６ａ）の相互間に第２のコレクタ電極（７）の線条
部分（７ａ）が挿入さ几ている。第３のコレクタ電極（
８）は第】リコレクタ１１６）と第２のコレクタ電極Ｆ
７）との間に蛇行状に配ｆｆさ几ている。従って中央の
タ１−ゲット有効域に於いては第１のコレクタ［１６）
の線条部分（６ａ）、ｇ３のコレクタ電極（８１の線条
部分（８ａ）、第２のコレクタ電極（７）の線条部分（
７ａ　）、第３のコレクタＲＥ　Ｏｘ　（８）の線条部
分（８ａ）、第１のコレクタ電極（６）の線条部分（６
ａ）の順に各＃１条部分（６ａ）（７ａ）（８ａ）がス
トライプ状に配列さ几、第１と第３のコレクタ電極（６
１（８１からなる第１の組み合せ部分である第１の線条
部分（６ａ）と第３の線条部分（８ａ）との間に第１の
蓄積面（９りが生じ、第２と第３のコレクタ電極（７）
　＋８＋からなる第２の組み合せ部分である第２の線条
部分（７ａ）と第３の線条部分（８ａ）との１＝］に第
２の＃積面（９ｂ）が生じている。蓄積面（９ａ）（９
ｂ）は単結晶基板（５）からなる蓄積狽域（５ａ）即ち
畜梳層の露出表面であり、電子ビームの径よ１２も小さ
い数μｍ−数１００μｍの幅を有する。

第５図は第３図及び第４図に示す蓄積ターゲット（４）
を内蔵する走査変換型苦積管を示す。この蓄積管は、真
壁包囲体Ｑｔｌｌの内に、電子銃側と、偏向糸Ｕと、コ
リメーション系ｕ３１と、蓄積ターゲット（４）とを順
次に配すことによって構成さｎている。

尚電子軌圓は順次に配された陰極（１４、制御＋１電ｍ
ｔ＋ω、加速室＊　（１６１、果束電極ｕ７１、及びア
スティグ電憧（１８１から成り、ターゲット（４）の方
向に向う電子ビーム全土み出す。偏向系圓はビームパス
に沿って配置さ才した一対の垂直偏向板からなる圭直偏
向糸Ｕと、一対の水平偏向板からなる水平偏向系シυ）
とから成り、雉直方向と水平方向との２つの直交方向に
電子ビーム金偏向する。コリメーション基０３）はウオ
ール＊　’ａ　ＩＩＪＪとフィルドメツツユｉｔ　伶ｔ
ｚａとから成り、恍み取り等に炭ける低エネルギ電子ビ
ームをターゲット（４）に垂直に入射させるためのコリ
メーションレンズ（凸レンズ）の１＊ぎをな丁。畜値タ
ーゲツ）（４Ｈ’Ｃは、第１、第２及び第３のコレクタ
電極（６１（７）　（８１に異なる′に圧を印加する手
段として第１、第２及び第３のリード部材シ５１２滲（
ハ）が接続され、こ九等は包囲体［１０１の外に夫々導
出されている。第１、第２及び第３のリード部材Ｗシ４
１し５）は第１、第２、及び第３のコレクタ１Ｋ　＆　
（６１（７１１８１にモードに応じて榎々の屯圧全供絽
することか可能な第１、第２、及び第３の電源回路シロ
１１２力漫に抵抗シソ）（２））ｃＤ金介して接続さｎ
ている。また、谷リード部材（ハ）圓Ｖｉ）はスイッチ
Ｃ林用とコンデンサ□□□）とを介してＪＬみ取り出カ
ライン田に接続さｎている。尚、電源回路Ｖ、６１シη
し印はポテンショメータ形式で原理的に示さｎでいるが
、冥際にはスイッチ操作によって個々の眼圧を供給する
ように構成さｎている。

第５図の蓄積管を動作させるために、例えば、制御電極
（−には陰極圓の電位（夾除の電位は一１ｋＶ）　’（
（基準にして０〜−７５ｖ８度の電圧、カロ速電惚（１
６）には＋］ｋＶ、巣束′１１Ｄ及びアステイグ屯極ａ
ａには電子ビームの量に応じて最適に調整された電圧、
ウオール電極シυには＋］ｋＶ、フィールドメツシュ１
１２Ｉには２，３ｋＶｋ印加する。

動作 次に、この蓄積管による信号の選択同門さ込み、説み取
り、消去の代表的な方法について述べる。

ま′ｆ消去状態を得るために、第］、第２、及び第３の
コレクタ電極（６１ｔ７）　（８１に、電源シロ１　Ｃ
２７１田から２次重子放出率（２次職子畝／］次電子数
）が賊初に１になる第１父差嵯位以上の′眼圧（？！Ｉ
えば２３５０ｖ）全天々ＩＣｌ：ｆ］　７ＪＩ］する、
そして、この電圧印加状曽を保って重子ビームでターゲ
ット（４）の有効走置領域の全部を衝撃する。こ１ｔに
より、蓄積面（９ａ）（９ｂ）の電位はコレクタ［＠　
Ｃ６１Ｃ７１Ｃ８１の電位と同じ２３５０Ｖとなる。

次に、第１のコレクタ電極（６）と第１の蓄積面（９ａ
）との間に第】の消去電位差Ｖｔｚを得、第２のコレク
タ゛電極（７）と第２の蓄積面（９ｂ）との間に第２の
消去電位差ＶＩＺを得るために、例えば、第】のコレク
タ電１ｒ６ｘ　ｔ６］に第１交走電位以下の＋８Ｖ、第
２のコレクタ電極（７）に第】交差電位以下の＋１２Ｖ
％第３のコレクタ′！［極（８）に第１父差電位以下の
＋１０Ｖ’ｉ夫々印加し、ターゲラＨ４１全ビームで均
一に全面走ｆする。こｎにより、第１及び第２の蓄積面
（９ａ）（９ｂ）は陰極電位となり、第】のコレクタ電
極（６）と第１の蓄積面（９りとの間に約８ｖの第］の
消去電位差Ｖｇｉが得られ、第２のコレクタ電極（７）
と第２の蓄積面（９ｂ）との闇に平均でｆｌ］２Ｖの第
２の消去電位蓋■鱈が得られる。尚上記の動作方法は蓄
積面（９ａ）（９ｂ）に異なるγ自去龜位屋會与える一
例である。

消去状態を得る第２の方法は第１のコレクタ篭ｍ　（６
１を第１又差電位以上（例えば］　５０Ｖ）第２のコレ
クタ電極（７）を第１父差電位以下（例えば−３０ｖ）
第３のコレクタ電極（８）を第】父走眠位近傍（例えば
１５ｖ）に設疋し電子ビームでターゲット（４）の肩幼
走丘域の全域金画撃する。こｎにより蓄積面（９ａ）の
電位は近似的に第１のコレクタ電惟ノー位ニ、一方蓄積
面（９ｂ）は第２のコレクタ電極（７１の電位的な遮蔽
効果によりビームが到達せず、電位の変化はない。次に
第１のコレクタ電極（６１に第１交差電位以下の成位會
目］加し亀子ビーム＠￥すると蓄積面（９ａ）は陰極と
同電位になる。消去電位差ＶＥ１ｋｍるためには、更に
第１のコレクタ゛電極（６）を陰極に対しＶｚｌの電位
にして電子衝撃ケ丁ればよい。この消去によって蓄積面
（９りのみが消去され蓄積面（９ｂ）は変化していない
。即ち部分消去が実流さ２’したことＫなる。

次に選択書き込みの方法の１例について述べる。

尚説明全簡単１ｃｊるため蓄積面（９りと（９ｂ）は同
じ消去電位差Ｖｚ　（例えば］５■）に消去さ几ている
ものとする。まず蓄積ターゲット（４）に第１の波形？
蓄き込むために、第】のコレクタ電極（６）に第】交差
電位よりも尚い例えば１０．１　ｋＶを印加し、第２及
び巣３のコレクタＮ　億（７）　（８１に］Ｏｋ”Ｖ”
ｉ印加し、第】の波形信号でビームを偏向し、ビームで
ターゲット１４＋　’ｅ衝撃する。これによって蓄積面
１ａ）ｔ（９ｂ）Ｖｃｖ形に対応した曽き込み部分が生
じ、第６図に示す波形への書き込みが終了する。

ところでＪ］、第２、及び第３のコレクタ喧惧＋６１　
ｔ７）　（８）を上述のような電位に設定すれば、第１
及び第３のコレクタ電極（６１（８１間には１００ボル
トのコレクタ間篭位差Ｖｗが生じ、一方、第２及び第３
のコレクタ電４α（７）　（８１間には電位差が生じな
い。このため、第１のコレクタ′龜極（６）と第１の蓄
積面（９、ａ　）との間には、１５Ｖの消去電位、ＪＶ
ｒ、１に１００■のコレクタ間電位差Ｖｗの近似的に半
分Ｖｗ　／　２を加算した電位差Ｖｚ　＋　Ｖｗ　１／
２　が得られ、消去蝦位麦ヲ増大させたと寺価な作用効
果が生じ、ビーム衝撃で発生した２次電子及び電子−正
孔対の電子が未収効果の大きい状態でコレクタ電極（６
）に果められる。即ち、放出された２次電子は高電位の
第】のコレクタ電極（６）に集収さ几、一方、固体内に
発生した電子−正孔対は分離さｒＬ、その電子は大ぎな
ドリフト速度でコレクタｉ　（Ｉｓ　Ｌ６１に向う。ま
た正孔は表面準位に獲えられ、負電荷を中和して蓄積面
（９ａ）の電位上昇に寄与する。こ几により、第１の波
形人を第１の蓄積ｍ（９りに深いレベル（肯いレベル）
に書き込むこるが出来る。第２の蓄積面（９ｂ）にも第
１の仮形人に対応したビーム衝撃がなされるが、コレク
タ間電位％　Ｖｗの無い状態での書き込みとなるので、
第２の蓄積面（９ｂ）には第１の波形へが浅いレベル（
低いレベル）で査き込まれる。

次に、第２の波形Ｂを着き込０除には、第２のコレクタ
電極（７）に第１交差電位よりも尚い例えば１０．１１
ｃＶｔ印加し、第】及び第３のコレクタ屯幌ｆ６１　（
８）に］０ｋＶｉ印加し、第２の波形イぎ号でビームを
偏向し、ビームでターゲット（４）を選択的に衝撃する
。これ罠よって蓄積面（９ａ）（９ｂ）に波形に対応し
た書き込み部分が生じ、第６図に示す波形Ｂの書き込み
が終了する。

ところで、この第２の波形Ｂの書き込みの場合には、第
２及び第３のコレクタ電極（７１（８１間には１００ボ
ルトのコレクタ間電位差ｖｗが生じ、一方、第１及び第
３のコレクタ＃ｉ　’Ｌ＠　Ｌ６１　（８１闇には電位
差が生じない。このため、第２のコレクタ電極（７）と
第２の蓄積面（９ｂ）との間には、１５ｖの消去電位差
Ｖｌ’Ｃ］ＯＯＶのコレクタ間電位差Ｖｗの近似的に半
分Ｖｗ／　２　’ｌ：　ｊＪＤ　昇Ｌ　タ電位Ｍ　（Ｖ
Ｉ＋＋　Ｖｗ　］／２）　ｆｌ”ｌＪ！う几、消去電位
差を増大させたと等１曲な作用幼果が生じ、ビーム衝撃
で発生した２次電子及び電子−正孔対の電子が未収効果
の大きい状態でコレクタ′屯惚（７）に果めらｎ、巣２
の薔槓囲（９ｂ）には第２の波形Ｂが深いレベル（高い
レベル）で誓き込まれる。これに対して、第１の蓄積面
（９ａ）には第２の波形Ｂが浅いレベル（低いレベル）
で優き込まれる。

第６図に示すように書き込まれた第１及び第２の波形Ａ
、Ｂから第１の波形人を選択して読み取る場合には、第
１のコレクタ電極（６）に例えばターゲットカットオフ
電圧１０Ｖｋ印加し、第２のコレクタ電極（７）には例
えば−ｓ’Ｖ＝２印加し、第３のコレクタ電極（８）に
は例えば１０■を印加する。これにより、第１のコレク
タ′（４屯（６）に対して第１の罰去亀位走１５Ｖを有
する第１の蓄積面（９ａ）の第１の波形Ａ（７）督き込
み部分の電位は例えば−４Ｖとなり、第２の波形Ｂの浅
い誓き込み部分の電位は例えば−４，５Ｖとなり、また
非督き込み部分の電位は例えば−５■となる。一方第２
のコレクタ電極（７）に対して第２の消去電位差１５Ｖ
會有する第２のＳ積面（９ｂ）の電位はコレクタ電位（
７）の′電位が一５■になっているため波形Ａ％Ｂの書
き込まれた部分も含めて一５Ｖ以下となる。従って蓄積
面（９ｂ）に書かれた信号はコレクタ電極（７）と（８
）に対してカットオフ以下の電位になっている。この状
態で市子ビームで読み取り全行なうとコレクタ電極（６
１と（８）に蓄積面（９ａ）に書き込まれた波形Ａ、Ｂ
に対応した亀子ビームが到遅し１ぎ号として取り出すこ
とが出来る。又、コレクタ電極（６）と（８）をターゲ
ットカットオフ電圧より低い電位（例えば９．５■）に
すると波形Ｂに対応した部分もターゲットカットオフ以
下の′電位になり１ｇ号’ｋｉ！み出すことが出来な（
なり結果として蓄積面（９ａ）の波形Ａの信号のみを読
み出すことになる。

第２の波形Ｂのみ全選択して耽み取る場合には、第２の
コレクタ１ｊｔＬ極（７）に例えばｃ＋、ｓＶｙ印加し
、第１のコレクタＩｔｆ、　健［６１には例えば−５Ｖ
２印加し、第３のコレクタｗ　＆　（８）には例えは９
．５　Ｖ　２印加する。これにより、蓄積面（９ｂ）に
於ける第２の波形Ｂの暮ぎ込み部分の電位は例えば−４
，５■となり、第１の波形への浅い優き込み部分の電位
は例えば−５Ｖとなり、また非書き込み部分の電位は例
えば−５，５ｖとなる。−万、第１のコレクタ電極（６
）に対しては前述した同様−５■を印加し、蓄積面（９
ａ）に書き込みがなされた部分？含めてターゲットカッ
トオフ以下に設定する。従って、第２の蓄積面（９ｂ）
の第２の波形Ｂの書き込み部分以外はカットオフ状態と
なり、結局、ターゲット（４）の全面の睨み取りビーム
定歪により、第２の波形Ｂのみが読み取られる。

尚、第５図のターゲット（４）に於いて、各コレクタ亀
＠１６１　ｍ　［８）紮スイッチ（３カ鰻惧で並列接続
すれば、単一コレクタ′改悼のターゲットと全く同様に
使用することが出来る。また、例えは第２及び第３のコ
レクタ電極（刀（８）のみ全スインチリ（２）で並列接
続し、この２つのコレクタ１１刀（８）と第１のコレク
タ電極（６）とｉｃ興なる′電圧全印加して使用するこ
とも出来る。

上述から明らかなように、本実施例の方式によれば、第
１及び第２の波形Ａ、Ｂ全選択して読み取ることが可ｎ
Ｌになり、一方のみの波形表示、又は一方のみのＡ−１
）変換全容易に達成することが　　　　゛出来る。

選択的響き込みの他の例として、コレクタ屯極＋６１　
（７１（８）を適切な電位に設足し、例えば蓄積面（９
ａ）（９ｂ）の一方のみに書き込みを実施する方法があ
る。

次にこれを具体的に説明する。但しコレクタ電極（６）
　（７）　（８）の電位操作と電子ビームの作用により
前述の方法により既に消去（Ｙ自去屯位差１５Ｖ）が芙
施さｌしているものとして以下説明する。まずコレクタ
電極（８）を第１交差電位（？ｌｌえは］５ｖ）に設定
する。コレクタ電極（６）を陰極より低い′−位（汐１
」えば−１５Ｖ）に、一方コレクタ′亀倹（ｌ）に第１
交差電位より高い電位（例えば２００Ｖ）にする。

このコレクタ電極の電位配置によって、蓄積面（９ａ）
は陰極より負電位、一方蓄積向（９ｂ）は第ｌ交走電位
より平均して商い電位となる。この状態で畜き込みを実
施して電子ビームで蓄積面（９ｂ）のみを衝撃し、蓄積
面（９ｂ）のみに信号に対応した電荷パターンを形成す
る。苔槓ｍ　（９ａ）のみに晋ぎ込み全するときは、コ
レクタ電極（６）を第１交差電位以上（例えば２００Ｖ
）、コレクタ電極（８）は第１交差屯位（例えば］５ｖ
）、コレクタ電極（７）を負電位（例えば−］５Ｖ）に
ｊ几はよい。こ几によって蓄積面（９ａ）は平均してｉ
ｌ又差亀位以上、一方蓄積而（９ｂ）は負電位となる。

この状態で量ぎ込みを丁７しば、蓄積面（９ａ）のみに
電荷パターン全形成することが出来る。

第２の実施例（第７図） 第７図に）ｊＡ埋的に示ｊ蓄積ターゲットは第４のコレ
クタ１１Ｄ及び第４のリード部材端全追加し、線条部分
（６ａＸ７ａ）（８ａ）（３７ａ）　２有効走査頭域に
ストライブ状に配したものである。このように４つのコ
レクタ電極ｔ６１　（７１［８１い′０を有するものに
於いては、３つの蓄積面（９ａ）（９ｂ）（９ｃ）が独
立に生じるので、第１の実施例と同様な方法で各コレク
タ電極（６１ｔ７１＋８３０１の電位全設定して消去、
膏ぎ込み、読み取りを選択的に行えば、３つの波形の遇
択的耽み取りが可能になる。

第３の実施例（第８図） 第８図に示すターゲットは、格子状の巣３のコレクタ電
極（８）を歳下層に設け、この上に杷蘇増鰻金設け、こ
の絶縁層６９）によって第３のコレクタ電極（８）と絶
醸して第１及び第２のコレクタ電極１６１　（７＋ヲ＜
シ歯状に設けたものである。このようＶＣ燐成しても、
線条部分（６ａ）（７ａ）（８ａ）は有効走置憤域でス
トライプ状に配列され、第】の実施例と四株な督き込み
、読み取りが可能である。尚、この実施例では、第１の
線条部分（６ａ　）、第３の線条部分（８ａ）、第２の
線条部分（７ａ）の順に配列され、第１、第２、及び第
３の蓄積面（９ａ）（９ｂ）（９ｃ）が順？′ＫＶｃ設
けられ、且つ第３の蓄積面（９ｃ）の幅が第１及び第２
の蓄積面（９ａ）（９ｂ）の幅よりも広く設足されてい
る。このため、第】及び第２の蓄積面（９ａ）（９ｂ）
全形成するコレクタ電極間の靜酸谷貫が大きくなり、第
１及び第２の蓄積面（９ａ）（９ｂ）は低速体引書き込
みに好適な唄域となる。一方、第３の蓄積ｍ（９Ｃ）は
商運掃引書き込みに好適な領域となる。

変　　形　　例 以上、本発明の実Ｍ？口について述べたが、本発明はこ
几に限定されるものでなく、例えば次の変形例をとるこ
とが出来るものである。

囚　Ｆｉ７ｆ、１、第２、及び巣３のコレクタ電極（６
１＋７１（８）盆裕子状に形成し、有効定食饋域外でこ
ｒし寺を絶縁分離する構成としてもよい。

（Ｂ）　　基板（５１の背面に背面電極を設け、適当な
″電圧を印加してもよい。

（Ｃ）　　基板（５）の代りに、／リコンの上に多結晶
構造のＳｉＯ２贋を設け、このＳ　ｉＯｚ層會絶縁物蓄
積層として使用してもよい。またサファイヤ単結晶基板
（５）ノ代りに、ＭｇＯ、Ｃａｋ’２、ＭｇＦ２等の絶
は物単結晶基板（ｉｌ−使用してもよい。また基板（５
）全ガラス等の非晶質絶縁物としてもよい。多結晶絶縁
物、非晶質絶縁物で蓄積領域を形成する場合には、書き
込みに２次電子が支配的に関係するが、単結晶絶縁物の
場合と同僚な方法で書き込むことが邑米る。

（ＩＪ　　電極（６１（７１（８１’ｒＣｒ、Ａ１１Ｎ
ｉ、Ｍｏ、Ａｕ％の卑−又は複合層で形成してもよい。

また、５ｎＱ２＠の透明′岨換としてもよい。

■　各実施例では線条部分（６ａ）（７ａ）（８ａ）（
３７ａ）の延びる方向をビームの水平走、前方向に一致
させたが、両者が互いに直交するように配してもよい。

（１”ｌ　　第５図の＃覆管ではウオールに＊Ｉ２υと
フィルドメツンユｈ　＊　＋２２１とからなるコリメー
ション糸１１３４”ｋ設けたが、これを省いた構成とし
てもよい。

０　デジタル信号の磨き込みにも適用可能である。

Ｕ　アルミナ着板前の上にｅ獣′＃Ｊ蓄積層を設ける構
成としてもよい。

（１）　　典なる蓄積面に異なる泊去亀位差を与える除
に例えば、第１及び第３のコレクタ電極（６１＋８１に
＋１０■、第２のコレクタ電極（力に零又は負電位を与
えて第１回目・のビーム走査？なし、仄に第２及び第３
のコレクタ電極（７１（８ｉに＋２０ｖ、第」のコレク
タ電極（６）に零又は負電位を与えて第２のビーム走査
をなしてもよい。

（Ｊ）　　特定のコレクタ篭倹間のみを消去電位まで上
昇させて、特定の蓄積面の波形のみを消去することも可
能である。

（６）　消去電位差金与えずにコレクタ間電位差のみを
与えて書き込み金行ってもよい。

（ト）　５ｇ５図では各リード部材（ハ）圓シａ）がス
イッチい２１１．３３１１３４１介してコンデンサ関忙
接続されているが、各リード部材（ハ）（２）（ハ）に
夫々コンデンサ全接続し、個々に信号を取り出すように
構成してもよい。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のターゲラトラ原理的に示す千四図、第２
図は第１図のターゲットのｌｌ−ｎｍ断面図、弗３図は
本発明の第Ｊの実施例のターゲットを原理的に示す平面
図、第４１Ａは第３図のターゲットのＩＶ　−ＩＶ巌断
面図、第５図は第３図のターゲットを組み込んだ蓄積管
全原理的に示す横断面図、彫６図は第３図のターゲット
に対する波形の誉き込み状態を模式的に示す正面図、第
７図は第２の実施例の蓄積ターゲット全原理的に示す平
面図、第８図は第３の実施例のターゲラトラ原理的に示
す平面図である。 （４）・・・ターゲット、（５）・・・基板、　　（５
ａ）・・・蓄積領域、＋６１１７１１８１　・・・コレ
クタに＊、　　（９ａ）（９ｂ）　・、、蓄積面。 代理人　局野則次 特許庁長官　若杉和夫　　　殿 １．事件の表示 昭和５７年特　許　願第２１２３７７号２、発明の名称
　走査変換型蓄積管の動作方法３　補正をする者 事件との関係　出願人 ４、代理人 明細書の発明の詳細な説明の欄。 （１）明細書第１９頁第５行の「から第１の波形Ａを」
を「の内の蓄積面（９ａ）に書き込まれた部分のみを」
Ｋ補正する。 （２）明細書第１９頁第７行の「電圧」の後に「よりも
高い」を加入する。 （３）明細書第２１頁第１０行〜第１１行の「前述した
同様−５ｖを印加し、蓄積面（９ａ）に」を「−５■が
印加されているので、蓄積面（９ａ）は」に補正する。 （４）明細書第２１頁第１２行の「設定す」を「な」に
補正する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ｆｉ＋絶縁物質からなる蓄積基体上に３個以上のコレク
   タ電極全電気的に絶縁した状態で互いに平行に配置した
   構造の蓄積ターゲットに電子ビームを偏向して投射して
   電気信号の書き込み、又は院み取り、又は消去を行う際
   に、 前記３個以上のコレクタ１１［ｆｆｉ極から選択された
   第１の組み合せの２つのコレクタ電極の間の第］の蓄積
   面の前記成子ビームに対する応答特性と前記３１１ｉ！
   ｉｔ以上のコレクタ電極から選択された第２の組み合せ
   の２つのコレクタ電極の間の第２の蓄積ｌの前記電子ビ
   ームに対する応答特性とに差が生じるように前記３個以
   上のコレクタ電極に磁圧全印加した状態で前記′電子ビ
   ームを前記蓄積ターゲット上に投射して選択的な書き込
   み、又は耽み取り、又は消去を行うことを特徴とする走
   査変換型蓄積管の動作方法。 １２１　　ｎＩ記３個以上のコレクタ電極は、第】、第
   直さｎた多数の線条部分を大々有し、前記第１のコレク
   タ成極の前記線条部分、前記第２のコレクタ電極の前記
   線条部分、前記第３のコレクタ電極の前ｇ己線条部分、
   Ｍａ己第２のコレクタ嶋幌のＭｉｌ占己線条部分、前記
   第１のコレクタ電極の前記線条部分の順序にて繰返して
   配列されているものである特許請求の範囲第１項記載の
   走査変換型蓄積管の動作方法。