JPS59104103A - 電圧非直線抵抗素子の製造方法 - Google Patents
電圧非直線抵抗素子の製造方法Info
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- JPS59104103A JPS59104103A JP57214449A JP21444982A JPS59104103A JP S59104103 A JPS59104103 A JP S59104103A JP 57214449 A JP57214449 A JP 57214449A JP 21444982 A JP21444982 A JP 21444982A JP S59104103 A JPS59104103 A JP S59104103A
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Landscapes
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明に酸化亜鉛を主成分とする説結体において出発原
料として金M亜船およびスピネル型結晶のアンチモン化
合物を含有する電圧非直線抵抗素子の製造方法に関する
。
料として金M亜船およびスピネル型結晶のアンチモン化
合物を含有する電圧非直線抵抗素子の製造方法に関する
。
近年IC,)ランジスタ、サイリスタなどの半導体電子
および半導体N路とその応用の急速な発展にともない計
測、制a12通信機器および電力機器における半導体票
子および半導体回路の使用が普及し、これら機器の小型
化、高性能化が急速に進展している。しかし他方でにこ
のような進歩にともないこれらの機器やその部品の耐電
圧、耐サージおよび耐ノイズ性能は十分とはいえない0
このためこれらの機器や部品を異常なサージやノイズか
ら床層すること、おるいは回路電圧を安定化することが
きわめて重要なwJA題になってきている。
および半導体N路とその応用の急速な発展にともない計
測、制a12通信機器および電力機器における半導体票
子および半導体回路の使用が普及し、これら機器の小型
化、高性能化が急速に進展している。しかし他方でにこ
のような進歩にともないこれらの機器やその部品の耐電
圧、耐サージおよび耐ノイズ性能は十分とはいえない0
このためこれらの機器や部品を異常なサージやノイズか
ら床層すること、おるいは回路電圧を安定化することが
きわめて重要なwJA題になってきている。
これらの脚部のために電圧非直心性がきわめて大きく放
電耐にの大きいPf命特性のすぐれたしかも安価な電圧
非[k線批抗双子の開発が要求されてきている。従来と
nらの目的のためにSiCバリスタやS1バリスタなど
の電圧非直線抵抗素子やツェナーダイオードなどが用い
られてきた。また最近では酸化亜鉛を主成分としこれに
添加物を汎えたバリスタが開発されている。バリスタの
xi電圧特性は一般につき゛の関係 I = (V/C)“ で表示される。ここでvHバリスタに印加されている電
比であり、■はバリスタを流れる′wL流である。また
Cは与えられたwL流を流したときの電圧に対応する定
数でおる。α=IHオームの法則にしたがう普通の抵抗
体であり、αが大きいほど非直線性がすぐれているとい
える。ここではバリスタ特性をCとαで表わすかわりに
11+1A における立上り電圧V1mAとαで表わ
すこととする。従来用いられているSiCバリスタはS
iC粒子を磁器結合剤でか’a l!内めたものでその
非IL糾性はSiC粒子相互の接触抵抗の寛1(ユ依存
性に起因している。
電耐にの大きいPf命特性のすぐれたしかも安価な電圧
非[k線批抗双子の開発が要求されてきている。従来と
nらの目的のためにSiCバリスタやS1バリスタなど
の電圧非直線抵抗素子やツェナーダイオードなどが用い
られてきた。また最近では酸化亜鉛を主成分としこれに
添加物を汎えたバリスタが開発されている。バリスタの
xi電圧特性は一般につき゛の関係 I = (V/C)“ で表示される。ここでvHバリスタに印加されている電
比であり、■はバリスタを流れる′wL流である。また
Cは与えられたwL流を流したときの電圧に対応する定
数でおる。α=IHオームの法則にしたがう普通の抵抗
体であり、αが大きいほど非直線性がすぐれているとい
える。ここではバリスタ特性をCとαで表わすかわりに
11+1A における立上り電圧V1mAとαで表わ
すこととする。従来用いられているSiCバリスタはS
iC粒子を磁器結合剤でか’a l!内めたものでその
非IL糾性はSiC粒子相互の接触抵抗の寛1(ユ依存
性に起因している。
したがってバリスタIQれるtl此方向の厚みを変える
ことによつ′tC値を制御する仁とができる。
ことによつ′tC値を制御する仁とができる。
しかし非直線係数αは3から7と比較的小さい。
しかも非酸化性雰囲気中で焼成する必要がある。
他方S1バリスタはその非に?IM性が81のP −n
接合に起因したものであるため広和囲にわたってC(i
tを制御することが不nJ mである。ツェナーダイオ
ードも同様に81のp−nm合を利用しているために電
座非Ir!、 1lil性は極めて大きいが高電圧用の
双子を作ることが難しく、また放tlj4kが小さくサ
ージに弱いという欠点がめる0また酸化亜鉛を主成分と
するセラミックバリスタとして酸化ビスマス、酸化コバ
ルト、l”llt化マンガン、酸化γンチモンなどを含
むものが最近開発されている。これらにその非直線性が
焼結体自体に起因しているため対称形の電圧IIl流特
性を示しその非直線性が非常に大きいという長所をもっ
ている。しかしながら被撃大電流を目J加したときのV
1 mAの正方向の変化率と負方向への変化率の差が
大キく、特に負方向への変化が大きい。このこと1よ対
称形の電圧′uLtIL特性が維持できない、すなわち
極性が発生するという大きい欠点となシ安定性のない訳
筆として信頼性を保証することができない。この他醗化
ビスマスを含まないで酸化ニッケルおよび酸化バリウム
等を含むものや乳土類元嵩および酸化コバルトを含むも
のなどが開発さnており、これらのものは上記の一撃人
環流を印加したときのV 1 mAの変化率の差は小さ
くなっているが電圧非直線性rim化ビスマスを含むも
のと比較して小さくバリスタとしてのサージ抑制特性が
悪いため使用軛囲が眼られてしまう欠点があった。
接合に起因したものであるため広和囲にわたってC(i
tを制御することが不nJ mである。ツェナーダイオ
ードも同様に81のp−nm合を利用しているために電
座非Ir!、 1lil性は極めて大きいが高電圧用の
双子を作ることが難しく、また放tlj4kが小さくサ
ージに弱いという欠点がめる0また酸化亜鉛を主成分と
するセラミックバリスタとして酸化ビスマス、酸化コバ
ルト、l”llt化マンガン、酸化γンチモンなどを含
むものが最近開発されている。これらにその非直線性が
焼結体自体に起因しているため対称形の電圧IIl流特
性を示しその非直線性が非常に大きいという長所をもっ
ている。しかしながら被撃大電流を目J加したときのV
1 mAの正方向の変化率と負方向への変化率の差が
大キく、特に負方向への変化が大きい。このこと1よ対
称形の電圧′uLtIL特性が維持できない、すなわち
極性が発生するという大きい欠点となシ安定性のない訳
筆として信頼性を保証することができない。この他醗化
ビスマスを含まないで酸化ニッケルおよび酸化バリウム
等を含むものや乳土類元嵩および酸化コバルトを含むも
のなどが開発さnており、これらのものは上記の一撃人
環流を印加したときのV 1 mAの変化率の差は小さ
くなっているが電圧非直線性rim化ビスマスを含むも
のと比較して小さくバリスタとしてのサージ抑制特性が
悪いため使用軛囲が眼られてしまう欠点があった。
しかるに本発明の目的は従来の電圧非111[線抵抗電
子における上記の欠点を解決せんとするものである。す
なわち本質的に対称形の電圧電流特性を有し、そのサー
ジ抑制特性が良好である高い電圧非直線係数αをもち実
用上麺撃大電流印加時に高い信軸性をユーザに与える電
圧IILlt特性の維持をなし、さらに諌電寿命特YE
ff〜、めるv1μAの1扛圧の高安定性な満足させる
ために1.圧非直線性が況結体自体に依存しα葡が60
以上と尚い蝋をもち、かつ細撃大邂t11′、を印加し
7r、場合のVlmAの正方向の変化率と負方向の変化
率の差が1%以下ときわめて小1い極性特性をもち、さ
らにV 1 /IA時の電IF変化率が3%以下と小配
い非常に丁ぐれた電圧、11町#L廁抵抗1藺製Ii
方法をJh)供することにある。 以)本りi明の
詳細な一実備例にもとづき#Qゆjする。
子における上記の欠点を解決せんとするものである。す
なわち本質的に対称形の電圧電流特性を有し、そのサー
ジ抑制特性が良好である高い電圧非直線係数αをもち実
用上麺撃大電流印加時に高い信軸性をユーザに与える電
圧IILlt特性の維持をなし、さらに諌電寿命特YE
ff〜、めるv1μAの1扛圧の高安定性な満足させる
ために1.圧非直線性が況結体自体に依存しα葡が60
以上と尚い蝋をもち、かつ細撃大邂t11′、を印加し
7r、場合のVlmAの正方向の変化率と負方向の変化
率の差が1%以下ときわめて小1い極性特性をもち、さ
らにV 1 /IA時の電IF変化率が3%以下と小配
い非常に丁ぐれた電圧、11町#L廁抵抗1藺製Ii
方法をJh)供することにある。 以)本りi明の
詳細な一実備例にもとづき#Qゆjする。
実施例
酸化亜鉛に酸化ビスマス、廉化コバルト、酸化マンガン
、金輌亜鉛およびスピネル型結晶のアンチモン化合物を
それぞれ0.001〜lOモル%の軛νNで添加しこれ
を十分に混合してzomsxlWtの寸法の円板型に成
型し1000°C以上の空気中高温で[13した。とこ
て用いるスピネル型結晶のアンチモン化合物σつ吉′の
ようにしてあらかじめ調゛整しておく。すなわち酸化亜
鉛・酸化ニッケル。
、金輌亜鉛およびスピネル型結晶のアンチモン化合物を
それぞれ0.001〜lOモル%の軛νNで添加しこれ
を十分に混合してzomsxlWtの寸法の円板型に成
型し1000°C以上の空気中高温で[13した。とこ
て用いるスピネル型結晶のアンチモン化合物σつ吉′の
ようにしてあらかじめ調゛整しておく。すなわち酸化亜
鉛・酸化ニッケル。
および酸化アンチモンをスピネル型結晶を形成する組成
に調合し1300°Cで6時間高温処堆し開式粉砕して
製造する。睨結した試料の内向に電極をつけ特性を測定
したところ第1衣に示すような結果が得られた。
に調合し1300°Cで6時間高温処堆し開式粉砕して
製造する。睨結した試料の内向に電極をつけ特性を測定
したところ第1衣に示すような結果が得られた。
すなわち第1表は焼結体の厚みを固足して[極のIlk
順船変えた場合の特性を調べたものであるが、このvI
1表かられかるように1!極の種類と無関係に電体の厚
みによって特性が変わる焼結体自体が非if線性をもつ
素子であることがわかる。
順船変えた場合の特性を調べたものであるが、このvI
1表かられかるように1!極の種類と無関係に電体の厚
みによって特性が変わる焼結体自体が非if線性をもつ
素子であることがわかる。
つぎに第1図に睨鯖?!!岸、と添加量を変えたときの
V 1 mAに対応するα勉の変化を示す。試料の焼鯖
泪度と組成、添加蓋は第2表に示すとおシである。
V 1 mAに対応するα勉の変化を示す。試料の焼鯖
泪度と組成、添加蓋は第2表に示すとおシである。
曲線1は本発明の実施例でもつとも大きたα値を示す。
曲1Vi12に比較例で前記試料において金属亜鉛を出
発原料として使用しないですべて酸化亜鉛を用いた場合
の特性を示す0曲1i1i13r、l&;前例として酸
化ビスマスを含まないで酸化亜鉛に所化ニッケルおよび
r肯化バリウムf41 t−添カ11シたものである。
発原料として使用しないですべて酸化亜鉛を用いた場合
の特性を示す0曲1i1i13r、l&;前例として酸
化ビスマスを含まないで酸化亜鉛に所化ニッケルおよび
r肯化バリウムf41 t−添カ11シたものである。
(以ト余白)
(7)
(8)
これかられかるように酸化ビスマスを含み金属亜鉛を出
@原料として含有するバリスタtよ大きいα値がVlm
Aの広い帽囲にわたり得られるという特徴をもっている
。つぎに第3表に極性特性の比−を示す0丁なわち第3
衣C工衝撃大電流特性、 IK流負負荷特性温湿JIF
サイクルf、y性をVlmAの正方向の変化率と負方向
の変化率で表わしたもので、従来のこの株の電圧非出′
#M批i7L本子のそILと比較した。第3.衣におい
て使用した素子はいずれも同一の形状寸法にあわせた。
@原料として含有するバリスタtよ大きいα値がVlm
Aの広い帽囲にわたり得られるという特徴をもっている
。つぎに第3表に極性特性の比−を示す0丁なわち第3
衣C工衝撃大電流特性、 IK流負負荷特性温湿JIF
サイクルf、y性をVlmAの正方向の変化率と負方向
の変化率で表わしたもので、従来のこの株の電圧非出′
#M批i7L本子のそILと比較した。第3.衣におい
て使用した素子はいずれも同一の形状寸法にあわせた。
V1mA=200V の素子の場合に関して示した例で
ある。従来のZnOのバリスタのデータμ本発明の実施
例の#i成から金属亜鉛を出発原料として含有しないも
のである。
ある。従来のZnOのバリスタのデータμ本発明の実施
例の#i成から金属亜鉛を出発原料として含有しないも
のである。
第3表の鎗から本発明の製造方法により?bられたバリ
スタの4mは従来のバリスタの値に比して一段とすぐれ
ていることがわかる。ms 軍X流特性は500Aのサ
ージ電流を10000回印加した場合のV11mA鎗の
正方向、負方向の変化率をみたもので、バリスタの主ψ
Jな刀1逮でおるサージlii民累子としての安定性を
調べfr、%1のでめる。I#流負向特性n s 5
゛c中テ2 wcl’)負荷tt非連続 00 u在i
JI印加後のVlmAの変化率を−1べたものでおる。
スタの4mは従来のバリスタの値に比して一段とすぐれ
ていることがわかる。ms 軍X流特性は500Aのサ
ージ電流を10000回印加した場合のV11mA鎗の
正方向、負方向の変化率をみたもので、バリスタの主ψ
Jな刀1逮でおるサージlii民累子としての安定性を
調べfr、%1のでめる。I#流負向特性n s 5
゛c中テ2 wcl’)負荷tt非連続 00 u在i
JI印加後のVlmAの変化率を−1べたものでおる。
従来のバリスタは高湿度の場合の劣化が大きいことがわ
かる。湯温度サイクル特性は一40°Cから85°C9
5%R11の雰囲気中で2Wの負蓚を100サイクル行
った後の変化率を調べたものである。また第1図に#、
考前例曲、1i13)として示したへ化亜鉛に酸化ニッ
ケルおよび醸化バリウノ\等を餡加したものの極性特性
はαの正方向の変化率と負方向の変化率の差の絶対値が
4〜5%である◎ 本発明の製造方法により得られたN1圧非W、線抵抗素
子は非直線性がすぐれているうえ、さらに極性特性がき
わめて小さ−。このことは対称形の電圧1流特性を維持
する;1味でシ1;常に康1でめるとともにこれらの寿
命′侍粁、安定11ミは宋子として−い信頼性を1i’
: i+l:するものでぞ)b。このことは実力1上か
らみて特にdt ’114!である。なお61−加物の
酸化ビスマス、酸化コパル)、IW化Yンガン等σ前記
実Mt1例でrLFyl−物を用いた/バ空気中晶lム
1で酸化物になるものであればよく必ずしも酸化物に限
らなhことほいうまでもない。防、義’j 1AIII
紐の設M冷点σ陥刀1)物の節加−に応じですi+異な
るが、1000’CI以下の1都度では焼結が不十分と
なp第2衣に示した安定性の特徴を発挿すZ)ととrよ
鍾しい。焼結温度の一ト限a睨結かijL、すなわち睨
結体が変形したり膨張し次ヤする現象がみ←れない湯度
によってきめられる。
かる。湯温度サイクル特性は一40°Cから85°C9
5%R11の雰囲気中で2Wの負蓚を100サイクル行
った後の変化率を調べたものである。また第1図に#、
考前例曲、1i13)として示したへ化亜鉛に酸化ニッ
ケルおよび醸化バリウノ\等を餡加したものの極性特性
はαの正方向の変化率と負方向の変化率の差の絶対値が
4〜5%である◎ 本発明の製造方法により得られたN1圧非W、線抵抗素
子は非直線性がすぐれているうえ、さらに極性特性がき
わめて小さ−。このことは対称形の電圧1流特性を維持
する;1味でシ1;常に康1でめるとともにこれらの寿
命′侍粁、安定11ミは宋子として−い信頼性を1i’
: i+l:するものでぞ)b。このことは実力1上か
らみて特にdt ’114!である。なお61−加物の
酸化ビスマス、酸化コパル)、IW化Yンガン等σ前記
実Mt1例でrLFyl−物を用いた/バ空気中晶lム
1で酸化物になるものであればよく必ずしも酸化物に限
らなhことほいうまでもない。防、義’j 1AIII
紐の設M冷点σ陥刀1)物の節加−に応じですi+異な
るが、1000’CI以下の1都度では焼結が不十分と
なp第2衣に示した安定性の特徴を発挿すZ)ととrよ
鍾しい。焼結温度の一ト限a睨結かijL、すなわち睨
結体が変形したり膨張し次ヤする現象がみ←れない湯度
によってきめられる。
本発明名の実ト峙平から金N ll1i船のもつとも有
効な添加賢qよ第2 pHに示す衛撃市、維持性から明
らか々ようにo、on1〜10−¥:A/%の1囲であ
り、酸化亜鉛、 m化ニッケル、 酸化アンチモンか
らなるスビ卑ル型結#1のアンチモン化合物のもつとも
4i効な飢〉加Mは第3図に示す?Inl ?W mサ
イクル・)、ν性から明らかなように0.001〜10
モル%の軛曲であるo −11−fi’ ?!: %
0.001% ル%未71#t ft#J、 10 モ
ル%を越える組曲でVよ負方向のV1mA変化率がマイ
ナスとなシ従来と同稗Jkの安定性しかもたない。
効な添加賢qよ第2 pHに示す衛撃市、維持性から明
らか々ようにo、on1〜10−¥:A/%の1囲であ
り、酸化亜鉛、 m化ニッケル、 酸化アンチモンか
らなるスビ卑ル型結#1のアンチモン化合物のもつとも
4i効な飢〉加Mは第3図に示す?Inl ?W mサ
イクル・)、ν性から明らかなように0.001〜10
モル%の軛曲であるo −11−fi’ ?!: %
0.001% ル%未71#t ft#J、 10 モ
ル%を越える組曲でVよ負方向のV1mA変化率がマイ
ナスとなシ従来と同稗Jkの安定性しかもたない。
なお、本発明において上記か加物以外にさらに他のか加
物をめらかじめ酸化#!船に硝加しておくかめるいqユ
説結体中に拡散させるが、またμこれらの方法を適宜組
み合わせて実地してもよい。
物をめらかじめ酸化#!船に硝加しておくかめるいqユ
説結体中に拡散させるが、またμこれらの方法を適宜組
み合わせて実地してもよい。
以上詳述したように不発明によnげ酸化亜鉛を主成分と
し睨結体自体が篭圧非自紛特性を有する電圧非匝線抵抗
襄子の製造方法において出発原料として金属亜鉛および
醸化亜鉛、酸化ニッケル。
し睨結体自体が篭圧非自紛特性を有する電圧非匝線抵抗
襄子の製造方法において出発原料として金属亜鉛および
醸化亜鉛、酸化ニッケル。
酸化アンチモンからなるスピネル型結晶のアンチモン化
合物を含有することによってきわめて大きい非iif線
性を有ししかも極性特性が非常に良好で、かつ製造方法
がきわめて簡便であり安定した特性を有する1!圧非+
fi線抵抗嵩子の製造方法を提供することができる。
合物を含有することによってきわめて大きい非iif線
性を有ししかも極性特性が非常に良好で、かつ製造方法
がきわめて簡便であり安定した特性を有する1!圧非+
fi線抵抗嵩子の製造方法を提供することができる。
第1図は本発明の実hrIr例と従来の参考例とのV
1 mAに対応するα輌の変化の比較をボ丁1111線
図、第2し1μ衝撃″限流持性を示す曲線図、々シ3図
Vユ潟へm−サイクル特性を示す曲線図である。 待 Wl 出 N11 人マルコン先子株
式会社
1 mAに対応するα輌の変化の比較をボ丁1111線
図、第2し1μ衝撃″限流持性を示す曲線図、々シ3図
Vユ潟へm−サイクル特性を示す曲線図である。 待 Wl 出 N11 人マルコン先子株
式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)tlに化亜鉛を主成分とし睨結体自体が電圧非直
線特性を有する電圧非直4111m杭素子の製造方法に
おいて金属亜鉛および醗化亜船、酸化ニッケル、酸化ア
ンチモンからなるスピネル型結晶のアンチモン化合物を
出発原料として含有することを特徴とする電圧非直線抵
抗素子の製造方法。 (2)金属亜鉛およびスピネル型結晶のアンチモン化合
物の含有率がそれぞれ0.001N10モル襲であるこ
とを特徴とする特許請求の乾囲第(11項記載の電圧非
直線抵抗素子の製造方法。 (4焼結体が酸化亜鉛、金xn船およびスピネル型結晶
のアンチモン化合物に少なくと%酸化ビスマスを加えた
ものからガることを特徴とする特許請求の札囲第(1)
項オたに第(2)項記載の電圧非直線抵抗素子の製造方
法。 (4)規結体が洟化亜船、金属血船およびスピネル型結
晶のアンチモン化合物に1!化コバルト、酸化マンガン
などの金へ酸化物の−#ri または二柿以上を少量添
加したものからなることを特徴とする待「「請求の軛囲
第(1)墳ないし第(3)項のいずれかに記載の篭庄非
I&吻批机耐子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57214449A JPS59104103A (ja) | 1982-12-06 | 1982-12-06 | 電圧非直線抵抗素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57214449A JPS59104103A (ja) | 1982-12-06 | 1982-12-06 | 電圧非直線抵抗素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59104103A true JPS59104103A (ja) | 1984-06-15 |
| JPS643325B2 JPS643325B2 (ja) | 1989-01-20 |
Family
ID=16655943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57214449A Granted JPS59104103A (ja) | 1982-12-06 | 1982-12-06 | 電圧非直線抵抗素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59104103A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0417621U (ja) * | 1990-06-01 | 1992-02-13 | ||
| JPH0417619U (ja) * | 1990-06-01 | 1992-02-13 |
-
1982
- 1982-12-06 JP JP57214449A patent/JPS59104103A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS643325B2 (ja) | 1989-01-20 |
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