JPS5910583B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5910583B2 JPS5910583B2 JP53063370A JP6337078A JPS5910583B2 JP S5910583 B2 JPS5910583 B2 JP S5910583B2 JP 53063370 A JP53063370 A JP 53063370A JP 6337078 A JP6337078 A JP 6337078A JP S5910583 B2 JPS5910583 B2 JP S5910583B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode body
- case
- semiconductor device
- lower electrode
- ring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D8/00—Diodes
- H10D8/60—Schottky-barrier diodes
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は超高周波半導体装置の製造方法に関するもので
、とくに微小なケースの組立てを簡略化する為の改良に
関するものである。
、とくに微小なケースの組立てを簡略化する為の改良に
関するものである。
第１図は従来の超高周波半導体装置の一例を示す断面図
で、１は半導体素子としてのダイオードであり、例えば
基板の一方電極部側にショットキバリアが形成され、他
方の電極部側にオーミック電極が形成されダイオード作
用を行なう。
で、１は半導体素子としてのダイオードであり、例えば
基板の一方電極部側にショットキバリアが形成され、他
方の電極部側にオーミック電極が形成されダイオード作
用を行なう。
２ａはケー′スを形成するケース下部電極体、２ｂはリ
ング電極体を示し、これらはケース側壁体としてのセラ
ミック３により絶縁されている。
ング電極体を示し、これらはケース側壁体としてのセラ
ミック３により絶縁されている。
ここでダイオード１のオーミック電極側はハンダ４ａに
よりケース下部電極体２ａに熱圧着される。５はショッ
トキバリア側のリード線としてのボンディングワイア、
６はケースを形成するケース上部電極体でありハンダ４
ｂによりリング電極体２ｂに付けられる。
よりケース下部電極体２ａに熱圧着される。５はショッ
トキバリア側のリード線としてのボンディングワイア、
６はケースを形成するケース上部電極体でありハンダ４
ｂによりリング電極体２ｂに付けられる。
Ｂａ、８ｂは超高周波ストリップラインに接着する為の
リード端子としてのリボンでありハンダ４ｃ、４ｄによ
りケースの両端に取付けられている。ここでケース本体
の寸法は超高周波帯で用いる場合は、そのケースの容量
やリードのインダクタンスを小さくするため、極力小さ
い方が良く、具体的には１ｍｍ程度に小さくする必要が
ある。また組立て工程上ハンダ４ａ、４ｂ及び（４ｃ、
４ｄ）の順にハンダの溶融温度を低くする必要がある。
さらに通常用いられるダイオードの接合径’は１０μφ
程度となり、ボンディングワイア５は１０μφのＡｕ線
が用いられているのでボンディング強度が弱く、ケース
上部電極体６及びリボンＢａ、８ｂを付ける場合、ハン
ダをとかす為の加熱によリボンディングワイア５が浮い
て断線する・場合が非常に多い。またダイオード自身３
８０℃以上の加熱をするとショットキバリアの破壊が生
ずるので一般にはそれ以下の温度でハンダ付けをする必
要がある。このように従来の組立て方法を用いた場合、
工フ程の数が多く、さらに部品の歩留まりもたかだか２
０％程度である。
リード端子としてのリボンでありハンダ４ｃ、４ｄによ
りケースの両端に取付けられている。ここでケース本体
の寸法は超高周波帯で用いる場合は、そのケースの容量
やリードのインダクタンスを小さくするため、極力小さ
い方が良く、具体的には１ｍｍ程度に小さくする必要が
ある。また組立て工程上ハンダ４ａ、４ｂ及び（４ｃ、
４ｄ）の順にハンダの溶融温度を低くする必要がある。
さらに通常用いられるダイオードの接合径’は１０μφ
程度となり、ボンディングワイア５は１０μφのＡｕ線
が用いられているのでボンディング強度が弱く、ケース
上部電極体６及びリボンＢａ、８ｂを付ける場合、ハン
ダをとかす為の加熱によリボンディングワイア５が浮い
て断線する・場合が非常に多い。またダイオード自身３
８０℃以上の加熱をするとショットキバリアの破壊が生
ずるので一般にはそれ以下の温度でハンダ付けをする必
要がある。このように従来の組立て方法を用いた場合、
工フ程の数が多く、さらに部品の歩留まりもたかだか２
０％程度である。
本発明はこれらの欠点を解決したものであり、図面を用
いて詳細に説明する。
いて詳細に説明する。
第２図は本発明にもとづく超高周波半導体装置ク組立て
の一例を示した断面図と平面図である。
の一例を示した断面図と平面図である。
第２図において最初からストリップラインリボンＢａを
つけてしやもじ伏にしたケース下部電極体ハー９を用い
、ダイオード１のオーミツク側をハンダ４４ａ（例えば
ＡｕＧｅｌ融点３５４℃）を用いて熱圧着し、１０μφ
のＡｕ線をキヤピラリ一を用いダイオード１のシヨツト
キバリア側電極部とリング電極体２ｂとをボンデイング
する。
つけてしやもじ伏にしたケース下部電極体ハー９を用い
、ダイオード１のオーミツク側をハンダ４４ａ（例えば
ＡｕＧｅｌ融点３５４℃）を用いて熱圧着し、１０μφ
のＡｕ線をキヤピラリ一を用いダイオード１のシヨツト
キバリア側電極部とリング電極体２ｂとをボンデイング
する。
ついで第３図において、リング伏のハンダ４ｂ（例えば
Ａｕｓｎｌ融点２８０℃）、ストリツプラインリボンを
つけてしやもじ伏にしたケース上部電極体１０を重ねて
保持具（図示せず）に入れ、ケース上部電極体をバネで
おさえ、炉の中へ人れ、２９０℃程度で接着する。なお
第３図において、１０ａはケース上部電極体１０のリー
ド端子としてのストリツプラインリボンである。さらに
第４図において、ストリツプラインリボン８ａ，１０ａ
の根本を直角に曲げれば第１図と同様の半導体部品をよ
り少ない工程により組立てることができる。このように
ストリツプラインリボンをつけたケース下部電極体９を
最初の部材として半導体装置を作り始めるため、ケース
下部電極体９において第１図の２ａに相当するものを薄
くしても、半導体装−置のハンドリングに支障はなく、
またストリツプラインリボンをつけた上部電極体９を用
いるため、第１図の６に相当する部分を無くしても、同
じく半導体のハンドリングに支障なく気密にでき、従つ
て全体として小さくできる。以上の方法を用いることに
より組立ての歩留まりは８０％程度に上昇し、ケース長
も従来の１．３ｍＷ！から０．９ｍ１Ｌと小さくなり、
周波数６〜２０ＧＨｚでミクサダイオードとして用いた
場合ケースの浮遊容量の影響が小さくなりその特性の良
さを示す変換損失が従来の最も良好な特性である３．５
ｄＢより小さく３．０ｄＢ程度のものが歩留まり良く得
られる。
Ａｕｓｎｌ融点２８０℃）、ストリツプラインリボンを
つけてしやもじ伏にしたケース上部電極体１０を重ねて
保持具（図示せず）に入れ、ケース上部電極体をバネで
おさえ、炉の中へ人れ、２９０℃程度で接着する。なお
第３図において、１０ａはケース上部電極体１０のリー
ド端子としてのストリツプラインリボンである。さらに
第４図において、ストリツプラインリボン８ａ，１０ａ
の根本を直角に曲げれば第１図と同様の半導体部品をよ
り少ない工程により組立てることができる。このように
ストリツプラインリボンをつけたケース下部電極体９を
最初の部材として半導体装置を作り始めるため、ケース
下部電極体９において第１図の２ａに相当するものを薄
くしても、半導体装−置のハンドリングに支障はなく、
またストリツプラインリボンをつけた上部電極体９を用
いるため、第１図の６に相当する部分を無くしても、同
じく半導体のハンドリングに支障なく気密にでき、従つ
て全体として小さくできる。以上の方法を用いることに
より組立ての歩留まりは８０％程度に上昇し、ケース長
も従来の１．３ｍＷ！から０．９ｍ１Ｌと小さくなり、
周波数６〜２０ＧＨｚでミクサダイオードとして用いた
場合ケースの浮遊容量の影響が小さくなりその特性の良
さを示す変換損失が従来の最も良好な特性である３．５
ｄＢより小さく３．０ｄＢ程度のものが歩留まり良く得
られる。
第１図は半導体装置の一例を示す断面図、第２図乃至第
４図は本発明にもとづく超高周波半導体装置の製造工程
を示した図である。 １・・・・・・半導体素子、２ｂ・・・・・・リング電
極体、３・・・・・・セラミツク、４ａ，４ｂ・・・・
・・ハンダ、５・・・・・・ボンデイングワイア、８ａ
・・・・・・ストリツプラインリボン、９・・・・・・
ケース下部電極体、１０・・・・・・しやもじ型ケース
上部電極体、１０ａ・・・・・・ストリツプラインリボ
ン。
４図は本発明にもとづく超高周波半導体装置の製造工程
を示した図である。 １・・・・・・半導体素子、２ｂ・・・・・・リング電
極体、３・・・・・・セラミツク、４ａ，４ｂ・・・・
・・ハンダ、５・・・・・・ボンデイングワイア、８ａ
・・・・・・ストリツプラインリボン、９・・・・・・
ケース下部電極体、１０・・・・・・しやもじ型ケース
上部電極体、１０ａ・・・・・・ストリツプラインリボ
ン。
Claims (1)
- １ ストリップラインリボンをつけでしやもじ状にした
ケース下部電極体及び絶縁材のケース側壁体並びにリン
グ電極体とを用い、当該ケース下部電極体に半導体素子
をその一つの電極部側で取り付け、且つ当該半導体素子
を囲むように当該ケース下部電極体にケース側壁体をそ
の一端面側で取りつけ、更に当該ケース側壁体の他端面
側にリング電極体を取りつけたものを作る工程と、つい
で前記半導体素子の他の電極部側と前記リング電極体と
をリード線で接続する工程と、ついでストリップライン
リボンをつけてしやもじ状にしたケース上部電極体を前
記リング電極体にハンダ付けする工程と、ついでケース
下部電極体及びケース上部電極体のリード端子部を折り
曲げる工程とを備えていることを特徴とした半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53063370A JPS5910583B2 (ja) | 1978-05-29 | 1978-05-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53063370A JPS5910583B2 (ja) | 1978-05-29 | 1978-05-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54154969A JPS54154969A (en) | 1979-12-06 |
| JPS5910583B2 true JPS5910583B2 (ja) | 1984-03-09 |
Family
ID=13227318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53063370A Expired JPS5910583B2 (ja) | 1978-05-29 | 1978-05-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5910583B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61111588U (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-15 |
-
1978
- 1978-05-29 JP JP53063370A patent/JPS5910583B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61111588U (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-15 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54154969A (en) | 1979-12-06 |
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