JPS59108349A - 縦方向トランジスタ - Google Patents

縦方向トランジスタ

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Publication number
JPS59108349A
JPS59108349A JP57218753A JP21875382A JPS59108349A JP S59108349 A JPS59108349 A JP S59108349A JP 57218753 A JP57218753 A JP 57218753A JP 21875382 A JP21875382 A JP 21875382A JP S59108349 A JPS59108349 A JP S59108349A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
emitter
base
transistor
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57218753A
Other languages
English (en)
Inventor
Minoru Saito
実 斉藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Fuji Electric Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd, Fuji Electric Manufacturing Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP57218753A priority Critical patent/JPS59108349A/ja
Publication of JPS59108349A publication Critical patent/JPS59108349A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
    • H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
    • H10D48/32—Devices controlled by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H10D48/34—Bipolar devices
    • H10D48/345—Bipolar transistors having ohmic electrodes on emitter-like, base-like, and collector-like regions

Landscapes

  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、例えばモノリシク集積回路に組み込まれる縦
方向トランジスタに関する。
一般にモノリシック集積回路における縦方向トランジス
タ、例えばＰＮＰ基板トランジスタは第１図に示すよう
な構造で作られることが知られている。すなわち、Ｐ形
基板１の上に成長させたＮ形エピタキシャル層２のＰ分
離層３に限切られた領域にエミッタ端子Ｅを接続される
Ｐ領域４およびベース端子Ｂと接続される１層５が形成
され、基板の２層１とＰＮＰトランジスタを構成してい
る。
しかしこの構造においては、大電流時に矢印６が示すよ
うにベース近傍のエミッタに電流が集中してしまうとい
う欠点がある。このため電流容量を大きくするにはトラ
ンジスタ部の面積が大きくしなければならず歩留り低下
、原価上昇を招く。
本発明は上述の欠点を除去し、占有面積の小さい効率的
な縦方向トランジスタを提供することを目的とする。
この目的は、コレクタ層の上に積層されたベース層の反
コレクタ層側の表面に露出してエミッタ領域が形成され
るものにおいて、ベース層中の工で“ ミッタ領域の下側にベース層と同導電形でより高濃度の
網目領域ならびにその網目領域に連結され前記表面に達
する領域が形成されることによって達成される。
以下図を引用して本発明の実施例について説明する。第
２図に示す縦方向トランジスタはＰ形基板１に選択拡散
によりＮ網目領域７を形成してからＮ型エピタキシャル
層２を成長させ、反基板側の表面から拡散によりＰ分離
層３、Ｐエミッタ領域４および耐ベース引き出し層８を
形成する。これらの拡散工程の間に耐網目領域７は図示
のようにＮベース層２の中に伸びており周縁部は１層８
と連結している。これによりベース、エミッタ間のバイ
アスはエミッタ領域４の全面にわたって有効ｌこ働くこ
とになる。その結果矢印９の様にエミッタ全面でトラン
ジスタが動作し、大電流を流し得ることになる。従って
トランジスタの占有面積を小さくでき、また表面の影響
を受けにくいので低電流領域のｈＦＲ低下を招きにくい
効果がある。
第３図に示すようをこ本発明による網目領域７は１゛ ベース層２とコレクタ層１と境界がなく第３図に示すよ
うにベース層２の中に埋め込んでもよい。
以上述べたように本発明は縦方向トランジスタにおける
コレクタ電流のエミッタでの集中を防ぐためエミッタ領
域の下側のベース層にベース端子に接続される高濃度の
網目領域を形成するもので、これによりより効率的にト
ランジスタ動作を行わせ大電流を流せる縦方向トランジ
スタを構成することができ、特にモノリシック集積回路
に組み込
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のモノリシックＩＣ組み込みの縦方向ＰＮ
Ｐ　）ランジスタの一例の断面図、第２図は本発明の一
実施例の断面図、第３図は異なる実施例の断面図である
。 １・・・コレクタ層、２・・・ベース層、４・・・エミ
ツタ層、７・・・網目領域、８・・・ベース引き出し層
。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １）コレクタ層の上に積層されたベース層に反コレクタ
    層側の表面に露出してエミッタ領域が形成されるものに
    おいて、ベース層中のエミッタ領域の下側でベース層と
    同導電形でより高濃度の網目領域ならびにその網目領域
    に連結され前記表面に達する領域が形成されたことを特
    徴とする縦方向トランジスタ。
JP57218753A 1982-12-14 1982-12-14 縦方向トランジスタ Pending JPS59108349A (ja)

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JPS59108349A true JPS59108349A (ja) 1984-06-22

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JP57218753A Pending JPS59108349A (ja) 1982-12-14 1982-12-14 縦方向トランジスタ

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JP (1) JPS59108349A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63314865A (ja) * 1987-06-18 1988-12-22 Nippon Denso Co Ltd 半導体装置
US10340293B2 (en) 2017-01-18 2019-07-02 Samsung Display Co., Ltd. Transistor display panel including a transistor and an overlapping region of a gate line and data line

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63314865A (ja) * 1987-06-18 1988-12-22 Nippon Denso Co Ltd 半導体装置
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