JPS59129585A - インバ−タ装置 - Google Patents
インバ−タ装置Info
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- JPS59129585A JPS59129585A JP58003442A JP344283A JPS59129585A JP S59129585 A JPS59129585 A JP S59129585A JP 58003442 A JP58003442 A JP 58003442A JP 344283 A JP344283 A JP 344283A JP S59129585 A JPS59129585 A JP S59129585A
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- JP
- Japan
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- inverter
- thyristor
- load
- fast
- fuse
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of AC power input into DC power output; Conversion of DC power input into AC power output
- H02M7/42—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/505—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means
- H02M7/515—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means using semiconductor devices only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はインバータ装置に係り、特にインバータ逆流電
力によシ発生する過′電圧からインバータ構成素子を保
護する過電圧保護装置に関する。
力によシ発生する過′電圧からインバータ構成素子を保
護する過電圧保護装置に関する。
一般に、直流を交流に変換する半導体インバータ装置に
於いては、回路の電圧はいかなる場合に於いても必ず装
置に使用されている半導体素子(例えばサイリスタ等)
の過電圧耐量以下でなければならない。通常、この種の
インバータは、直流入力側に半導体保護用ヒユーズを備
えている。
於いては、回路の電圧はいかなる場合に於いても必ず装
置に使用されている半導体素子(例えばサイリスタ等)
の過電圧耐量以下でなければならない。通常、この種の
インバータは、直流入力側に半導体保護用ヒユーズを備
えている。
このよう彦インバータ装置の運転中に1何らかの事故、
例えば通弧、失弧、過負荷等によって前記ヒユーズが溶
断した時、この装置の交流出力側に繋がれている負荷が
逆起電力を持ったものであったり、エネルギを溜めてい
るものである場合は、そのエネルギがインバータに逆流
し、その過電圧の為にインバータに使用されている半導
体素子等を破壊してしまうことがある。そこで、従来の
インバータ装ffK於いては、サイリスタに逆並列接続
されたダイオード忙よシ、インバータ逆流電力を電源側
に戻すパスを構成して過電圧保護装置としている。しか
し、前記半導体保護用ヒユーズが溶断すると、電源に戻
るパスがなくなシ、逆流電力はインバータ内の転流コン
デンサを過充電させ、インバータ内の素子を劣化又は破
壊してしまうことに々る。このようなインバータ装置の
弱点を改善する為((、半導体保護用ヒユーズと並列に
ダイオードを直流入力電圧に対し逆極性に接続して、こ
のダイオードにより逆流電力を電源側姉戻すパスを構成
する過電圧保護装置が開発されている。
例えば通弧、失弧、過負荷等によって前記ヒユーズが溶
断した時、この装置の交流出力側に繋がれている負荷が
逆起電力を持ったものであったり、エネルギを溜めてい
るものである場合は、そのエネルギがインバータに逆流
し、その過電圧の為にインバータに使用されている半導
体素子等を破壊してしまうことがある。そこで、従来の
インバータ装ffK於いては、サイリスタに逆並列接続
されたダイオード忙よシ、インバータ逆流電力を電源側
に戻すパスを構成して過電圧保護装置としている。しか
し、前記半導体保護用ヒユーズが溶断すると、電源に戻
るパスがなくなシ、逆流電力はインバータ内の転流コン
デンサを過充電させ、インバータ内の素子を劣化又は破
壊してしまうことに々る。このようなインバータ装置の
弱点を改善する為((、半導体保護用ヒユーズと並列に
ダイオードを直流入力電圧に対し逆極性に接続して、こ
のダイオードにより逆流電力を電源側姉戻すパスを構成
する過電圧保護装置が開発されている。
第1図は、半導体保霞用ヒユーズに並列にダイオードを
取り付けた過電圧保護装置を備えた従来のインバータ装
置の回路例である。インバータ入力直流電源1は速断ヒ
ユーズ(半導体保護用ヒユーズ2を介してインバータを
構成する主サイリスタ3〜6の直流入力側に接続されて
いる。これら主サイリスタ3〜6の交流出力側には遅れ
力率要素を含んだ負荷7が接続され、又、これら主サイ
リスク3〜6にはインバータ逆流′屯カバイパス用ダイ
オード8〜11が逆並列接続されている。更に、これら
主サイリスタ3〜6には転流用コンデンサ12.13を
介して主サイリスタを強制消弧する為の補助サイリスタ
14〜17が並列に接続されている。尚、前記速断ヒユ
ーズ2には並列に逆流電力バイパス用ダイオード18が
直流入力電圧に対して逆向きの極性に接続されている。
取り付けた過電圧保護装置を備えた従来のインバータ装
置の回路例である。インバータ入力直流電源1は速断ヒ
ユーズ(半導体保護用ヒユーズ2を介してインバータを
構成する主サイリスタ3〜6の直流入力側に接続されて
いる。これら主サイリスタ3〜6の交流出力側には遅れ
力率要素を含んだ負荷7が接続され、又、これら主サイ
リスク3〜6にはインバータ逆流′屯カバイパス用ダイ
オード8〜11が逆並列接続されている。更に、これら
主サイリスタ3〜6には転流用コンデンサ12.13を
介して主サイリスタを強制消弧する為の補助サイリスタ
14〜17が並列に接続されている。尚、前記速断ヒユ
ーズ2には並列に逆流電力バイパス用ダイオード18が
直流入力電圧に対して逆向きの極性に接続されている。
第2図は第1図に示したインバータ装置の動作タイムチ
ャートである。期間1.に於いて負荷電流i。の短絡経
路は、第1図の負荷7、逆流電力バイパス用ダイオード
8、速断ヒユーズ2、直流電源1、逆流電力バイパス用
ダイオード11、負荷7となり、又第2図の期間t2は
負荷7、逆流電力バイパス用ダイオード10、速断ヒユ
ーズ2、直流電源1、逆流電力バイパス用ダイオード9
、負荷7となり、いずれの場合も逆流電流は速断ヒユー
ズ2を通って直流電源1に吸収される。速断ヒユーズ2
が溶断した時は、バイパス用ダイオード18が前記短絡
経路のバイパスとなり同一の経路を通って逆流電流io
は直流電源1に吸収される。
ャートである。期間1.に於いて負荷電流i。の短絡経
路は、第1図の負荷7、逆流電力バイパス用ダイオード
8、速断ヒユーズ2、直流電源1、逆流電力バイパス用
ダイオード11、負荷7となり、又第2図の期間t2は
負荷7、逆流電力バイパス用ダイオード10、速断ヒユ
ーズ2、直流電源1、逆流電力バイパス用ダイオード9
、負荷7となり、いずれの場合も逆流電流は速断ヒユー
ズ2を通って直流電源1に吸収される。速断ヒユーズ2
が溶断した時は、バイパス用ダイオード18が前記短絡
経路のバイパスとなり同一の経路を通って逆流電流io
は直流電源1に吸収される。
上記のような従来のインバータ装置の過電圧保護装置に
於いて問題になるのは以下の2点である。
於いて問題になるのは以下の2点である。
一つは、バイパス用ダイオード18が不導通になった時
或いは接触不良により接続されていない等の場合に、速
断ヒユーズ2が溶断した時、逆流電流の直流゛電源1に
戻るパスがなくなり、電流i。
或いは接触不良により接続されていない等の場合に、速
断ヒユーズ2が溶断した時、逆流電流の直流゛電源1に
戻るパスがなくなり、電流i。
が転流用コンデンサ12.13の過充電させて主サイリ
スタ3〜6を過電圧で劣化又は破損する事故が生じるこ
とである。もう一つは、バイパス用ダイオード18が短
絡(BD)Lでいることを検出する機能がない為、バイ
パス用ダイオード18がBDt、ていると速断ヒユーズ
2の遮断特性が悪くなり、主サイリスタ3〜6及び直流
電源1を過電流で劣化又は破損させる事故が生じること
である。即ち、従来のこの種の過電圧保護装置は信頼性
に欠けるという欠点があった。
スタ3〜6を過電圧で劣化又は破損する事故が生じるこ
とである。もう一つは、バイパス用ダイオード18が短
絡(BD)Lでいることを検出する機能がない為、バイ
パス用ダイオード18がBDt、ていると速断ヒユーズ
2の遮断特性が悪くなり、主サイリスタ3〜6及び直流
電源1を過電流で劣化又は破損させる事故が生じること
である。即ち、従来のこの種の過電圧保護装置は信頼性
に欠けるという欠点があった。
本発明の目的は、上記の欠点を解消し、高信頼性且つ安
価な過電圧保護装置を備えたインバータ装置を提供する
ことにある。
価な過電圧保護装置を備えたインバータ装置を提供する
ことにある。
本発明は、直流′電源とインバータとの間に設けられて
いる速断ヒユーズに並列に設けられるダイオードを使用
せず、速断ヒユーズの溶断を検出すると、インバータア
ームを構成しているマスク側主サイリスタのP側とN側
及びスレーブ側主サイリスタのP側とN側の計4個所の
サイリスタを常時オン状態とする検出制御装置を設けて
、負荷に残っている逆流電力をインバータ内部で処理す
ることにより、上記目的を達成する。
いる速断ヒユーズに並列に設けられるダイオードを使用
せず、速断ヒユーズの溶断を検出すると、インバータア
ームを構成しているマスク側主サイリスタのP側とN側
及びスレーブ側主サイリスタのP側とN側の計4個所の
サイリスタを常時オン状態とする検出制御装置を設けて
、負荷に残っている逆流電力をインバータ内部で処理す
ることにより、上記目的を達成する。
以下は本発明の実施例を従来例と同部品は同符号を用い
て図面に従って説明する。第3図は本発明のインバータ
装置の一実施例を示す構成図である。インバータ入力直
流電源IFi速断ヒユーズ2を介して主サイリスタ3〜
6の入力側Km続され、主サイリスタ3〜6の出力側は
負荷7が接続されておシ、逆流電力バイパス用ダイオー
ド8〜11、転流用コンデンサ12.13及び補助サイ
リスタ14〜17の接続関係も第1図に示した従来例と
同一である。本実施例では、速断ヒユーズ2に並列に検
出制御装置19を接続して、従来この部分に接続されて
いたバイパス用ダイオードを排している。
て図面に従って説明する。第3図は本発明のインバータ
装置の一実施例を示す構成図である。インバータ入力直
流電源IFi速断ヒユーズ2を介して主サイリスタ3〜
6の入力側Km続され、主サイリスタ3〜6の出力側は
負荷7が接続されておシ、逆流電力バイパス用ダイオー
ド8〜11、転流用コンデンサ12.13及び補助サイ
リスタ14〜17の接続関係も第1図に示した従来例と
同一である。本実施例では、速断ヒユーズ2に並列に検
出制御装置19を接続して、従来この部分に接続されて
いたバイパス用ダイオードを排している。
第4図は第3図で示した検出制御装置の第1の実施例を
示した構成図である。速断ヒユーズ2の両端に接続され
ている入力部はコンデンサ20゜抵抗21を介して、絶
縁トランス22の1次側に接続されている。絶縁トラン
ス22の2次側はダイオード23を介してアンドゲート
24の一入力端子に接続され、2次側の他端は接地され
ている。
示した構成図である。速断ヒユーズ2の両端に接続され
ている入力部はコンデンサ20゜抵抗21を介して、絶
縁トランス22の1次側に接続されている。絶縁トラン
ス22の2次側はダイオード23を介してアンドゲート
24の一入力端子に接続され、2次側の他端は接地され
ている。
又、この絶縁トランス22の2次側にはノイズ吸収用の
コンデンサ25が挿入されている。アンドゲート24の
他の入力端子には起動停止信号へが人力されており、そ
の出力側はフリップフロップ26に接続されている。こ
のフリップフロップ26の出力側はナントゲート27〜
30の一方の入力端子に接続され、このナントゲート2
7〜30の他方の入力端子はリングカウンタ31に接続
されている。又ナントゲート27の出力側は主サイリス
タ3のゲートへ、ナントゲート28の出力側は主サイリ
スタ4へ、ナントゲート29の出力側は主サイリスタ5
へ、ナントゲート30の出力側は主サイリスタ6へそれ
ぞれ接続されている。
コンデンサ25が挿入されている。アンドゲート24の
他の入力端子には起動停止信号へが人力されており、そ
の出力側はフリップフロップ26に接続されている。こ
のフリップフロップ26の出力側はナントゲート27〜
30の一方の入力端子に接続され、このナントゲート2
7〜30の他方の入力端子はリングカウンタ31に接続
されている。又ナントゲート27の出力側は主サイリス
タ3のゲートへ、ナントゲート28の出力側は主サイリ
スタ4へ、ナントゲート29の出力側は主サイリスタ5
へ、ナントゲート30の出力側は主サイリスタ6へそれ
ぞれ接続されている。
リングカウンタ31の入力端にはアンドゲート32の出
力側が接続され、このアンドゲート32の一方の入力端
子には前記起動停止信号Aが人力され、他方の端子には
カウントパルスCPが入力されている。
力側が接続され、このアンドゲート32の一方の入力端
子には前記起動停止信号Aが人力され、他方の端子には
カウントパルスCPが入力されている。
次に本実施例の動作について説明する。今、速断ヒユー
ズ2が溶断すると、この速断ヒユーズ2の両端には直流
電源1の直流電圧が印加される。
ズ2が溶断すると、この速断ヒユーズ2の両端には直流
電源1の直流電圧が印加される。
この時、コンデンサ20、抵抗21により構成される微
分回路により発生する微分パルスが絶縁トランス22の
1次側に流れる為、トランス22の2次側には微分パル
スが誘起される。この微分パルスは速断ヒユーズ2が溶
断したことを検知するものである。又、この微分パルス
はアンドゲート/Q1 24の一入力端子に人力される。この時、このアンドゲ
ート24の他の入力端子に起動信号Aが入力されていれ
ば、アンドゲート24の出力側は゛” tT”レベルと
なりこれがフリップフロップ26を反転させる。すると
ナントゲート27〜30の一方の入力端子は全て“L#
レベルとなる為、これらナントゲート27〜30はリン
グカウンタ31の出力とは関係力く主サイリスタ3〜6
へのゲートへ1Hルベル信号を出力し、これら主サイリ
スタを全てオン状態とする。
分回路により発生する微分パルスが絶縁トランス22の
1次側に流れる為、トランス22の2次側には微分パル
スが誘起される。この微分パルスは速断ヒユーズ2が溶
断したことを検知するものである。又、この微分パルス
はアンドゲート/Q1 24の一入力端子に人力される。この時、このアンドゲ
ート24の他の入力端子に起動信号Aが入力されていれ
ば、アンドゲート24の出力側は゛” tT”レベルと
なりこれがフリップフロップ26を反転させる。すると
ナントゲート27〜30の一方の入力端子は全て“L#
レベルとなる為、これらナントゲート27〜30はリン
グカウンタ31の出力とは関係力く主サイリスタ3〜6
へのゲートへ1Hルベル信号を出力し、これら主サイリ
スタを全てオン状態とする。
このような状態では第3図の負荷7の両端は主サイリス
タ3〜6及び逆流電力バイパス用ダイオード8〜11で
短絡されることになり、負荷7に残っている逆流電力は
上記短絡経路で吸収されることになシ、即ち逆流電力が
インバータ内部で処理されるととになる。伺、この時の
逆流電力の電流ループは次の4通りの場合がある。その
1、負荷7、逆流電力バイパス用ダイオード10、主サ
イリスタ3、負荷7、その2負荷7、主サイリスタ6、
逆流電力バイパス用ダイオード9、負荷7、(10) ぞの3負荷7、逆流電力バイパス用ダイオード8、主サ
イリスタ5、負荷7、その4負荷7、主サイリスタ4、
逆流電力バイパス用ダイオード11、される。
タ3〜6及び逆流電力バイパス用ダイオード8〜11で
短絡されることになり、負荷7に残っている逆流電力は
上記短絡経路で吸収されることになシ、即ち逆流電力が
インバータ内部で処理されるととになる。伺、この時の
逆流電力の電流ループは次の4通りの場合がある。その
1、負荷7、逆流電力バイパス用ダイオード10、主サ
イリスタ3、負荷7、その2負荷7、主サイリスタ6、
逆流電力バイパス用ダイオード9、負荷7、(10) ぞの3負荷7、逆流電力バイパス用ダイオード8、主サ
イリスタ5、負荷7、その4負荷7、主サイリスタ4、
逆流電力バイパス用ダイオード11、される。
本実施例によれば、険出制ml装竹19が速断ヒユーズ
2の俗断を1四出すると、王サイリスタ3〜6全てをオ
ン状態として負荷7をインバータ内で短絡することによ
り、逆流電流をインバータ内部で処理することが出来、
従来例の如くバイパス用ダイオードを用いていない為、
このダイオードの短絡或いは不噂通等が要因で起こる過
電流保護の不安定要因を排することが出来、過r[圧保
獲のは軸性を著しく高めることが出来る。
2の俗断を1四出すると、王サイリスタ3〜6全てをオ
ン状態として負荷7をインバータ内で短絡することによ
り、逆流電流をインバータ内部で処理することが出来、
従来例の如くバイパス用ダイオードを用いていない為、
このダイオードの短絡或いは不噂通等が要因で起こる過
電流保護の不安定要因を排することが出来、過r[圧保
獲のは軸性を著しく高めることが出来る。
第5図は検出制御装置の第2の実施例全示した構成図で
ある。本実姉例ではフリップフロップ26の出力をす/
トゲー)27.28に人力する構成とし、速断ヒユーズ
2の溶断を検出する絶縁トランス22の2次側の微分パ
ルスによってフリ(11) ツブフロップ26が反転したとき、ナントゲート27.
28により主サイリスタ3,4のみを常時オン状態する
構成となっている。従って、本実施例では速断ヒユーズ
2の溶断時、マスク側のサイリスタ3,4のみを常時オ
ンとして負荷7の短絡経路を次に示す2通りのみとして
いる。即ち、短絡経路は負荷7、逆流電力バイパス用ダ
イオード10、主サイリスタ3、負荷7と、負荷7、主
サイリスタ4、逆流電力バイパス用ダイオード11、負
荷7である。なお、リングカウンタ31の他の2本の出
力は反転素子33.34を通って主サイリスク5.6の
ゲートに印加されている。本実施例では、速断ヒユーズ
2の溶断時の逆流電力短絡経路が2経路のみとなっただ
けで第1の実施例と同様の効果がある。
ある。本実姉例ではフリップフロップ26の出力をす/
トゲー)27.28に人力する構成とし、速断ヒユーズ
2の溶断を検出する絶縁トランス22の2次側の微分パ
ルスによってフリ(11) ツブフロップ26が反転したとき、ナントゲート27.
28により主サイリスタ3,4のみを常時オン状態する
構成となっている。従って、本実施例では速断ヒユーズ
2の溶断時、マスク側のサイリスタ3,4のみを常時オ
ンとして負荷7の短絡経路を次に示す2通りのみとして
いる。即ち、短絡経路は負荷7、逆流電力バイパス用ダ
イオード10、主サイリスタ3、負荷7と、負荷7、主
サイリスタ4、逆流電力バイパス用ダイオード11、負
荷7である。なお、リングカウンタ31の他の2本の出
力は反転素子33.34を通って主サイリスク5.6の
ゲートに印加されている。本実施例では、速断ヒユーズ
2の溶断時の逆流電力短絡経路が2経路のみとなっただ
けで第1の実施例と同様の効果がある。
第6図は第3図に示した検出制御装置19の第3の実施
例を示した構成図である。本実施例ではフリップフロッ
プ26の出力側はナントゲート □29.3
0の一方の入力端子に接続され、このナントゲート29
.30の出力側は主サイリスタ5゜(12) 6のゲートへ接続されている。なお、リングカウンタ3
1の他の2本の出力は反転素子35.36を通して主サ
イリスタ3.4のゲートに印加されてイル。従って、速
断ヒユーズ2が溶断してフリップフロップ26が反転す
るとスレーブ側の主サイリスタ5.6のみが常時オンと
なり、負荷7の両端がN丁に示す2つの経路で4.(7
略する。即ち、短絡経路その1は負荷7、主サイリスタ
6、逆流電力バイパス用ダイオード9、負1′i?i’
7であり、その2は負荷7、逆流電力バイパス用ダイ
オード8、主サイリスタ5、負荷7であり、いずれの経
路に於いても速断ヒユーズ2の溶断時の逆流電力をイン
バータ内で処理し、第1の実施例と同様の効果がある。
例を示した構成図である。本実施例ではフリップフロッ
プ26の出力側はナントゲート □29.3
0の一方の入力端子に接続され、このナントゲート29
.30の出力側は主サイリスタ5゜(12) 6のゲートへ接続されている。なお、リングカウンタ3
1の他の2本の出力は反転素子35.36を通して主サ
イリスタ3.4のゲートに印加されてイル。従って、速
断ヒユーズ2が溶断してフリップフロップ26が反転す
るとスレーブ側の主サイリスタ5.6のみが常時オンと
なり、負荷7の両端がN丁に示す2つの経路で4.(7
略する。即ち、短絡経路その1は負荷7、主サイリスタ
6、逆流電力バイパス用ダイオード9、負1′i?i’
7であり、その2は負荷7、逆流電力バイパス用ダイ
オード8、主サイリスタ5、負荷7であり、いずれの経
路に於いても速断ヒユーズ2の溶断時の逆流電力をイン
バータ内で処理し、第1の実施例と同様の効果がある。
第7図は第3図例示した検出制御装置19の第4の実施
例を示すものである。この例は第4図に示した例とその
回路構成は全く同一であるが、ナントゲート27の出力
側が補助サイリスタ14へ、ナントゲート28の出力側
が補助サイリスタ15へ、ナントゲート29の出力側が
補助サイリスタ(13) 16へ、ナントゲート30の出力側が補助サイリスタ1
7の各ゲートへ接続されているところが第4の実施例と
異なっている。従って、速断ヒユーズ2が溶断して絶縁
トランス22の2次側に微分パルスが発生するとフリッ
プフロップ26が反転し、ナントゲート27〜30の出
力側を常時1トI”レベルとする為、補助サイリスタ1
4〜17が常時オン状態となる。この為負荷7の両端は
以下に示す4つの短絡経路で結ばれることになる。即ち
、その1は負荷7、逆流電力バイパス用ダイオード10
.補助サイリスタ14、補助サイリスタ15、逆流電力
バイパス用ダイオード9、負荷7であり、その2Fi負
荷7、逆流電力バイパス用ダイオード10.補助サイリ
スタ16、補助サイリスタ17、逆流電力バイパス用ダ
イオード9、負荷7であり、その3は負荷7、逆流電力
バイパス用ダイオード8、補助サイリスタ14、補助サ
イリスタ15、逆流電力バイパス用ダイオード11、負
荷7であり、その4は負荷7、逆流電力バイパス用ダイ
オード8、補助サイリスク16、(14) 補助サイリスタ17、逆流電力バイパス用ダイオード1
1.0荷7であり、いずれの場合も逆流電力をインバー
タ内部で処理することが出来、負荷7が進み要素を庁ん
でいない場合は第1の実施例と同様の効果がある。
例を示すものである。この例は第4図に示した例とその
回路構成は全く同一であるが、ナントゲート27の出力
側が補助サイリスタ14へ、ナントゲート28の出力側
が補助サイリスタ15へ、ナントゲート29の出力側が
補助サイリスタ(13) 16へ、ナントゲート30の出力側が補助サイリスタ1
7の各ゲートへ接続されているところが第4の実施例と
異なっている。従って、速断ヒユーズ2が溶断して絶縁
トランス22の2次側に微分パルスが発生するとフリッ
プフロップ26が反転し、ナントゲート27〜30の出
力側を常時1トI”レベルとする為、補助サイリスタ1
4〜17が常時オン状態となる。この為負荷7の両端は
以下に示す4つの短絡経路で結ばれることになる。即ち
、その1は負荷7、逆流電力バイパス用ダイオード10
.補助サイリスタ14、補助サイリスタ15、逆流電力
バイパス用ダイオード9、負荷7であり、その2Fi負
荷7、逆流電力バイパス用ダイオード10.補助サイリ
スタ16、補助サイリスタ17、逆流電力バイパス用ダ
イオード9、負荷7であり、その3は負荷7、逆流電力
バイパス用ダイオード8、補助サイリスタ14、補助サ
イリスタ15、逆流電力バイパス用ダイオード11、負
荷7であり、その4は負荷7、逆流電力バイパス用ダイ
オード8、補助サイリスク16、(14) 補助サイリスタ17、逆流電力バイパス用ダイオード1
1.0荷7であり、いずれの場合も逆流電力をインバー
タ内部で処理することが出来、負荷7が進み要素を庁ん
でいない場合は第1の実施例と同様の効果がある。
第8図は本発明のインバータ装置の他の実施例を示す構
成図でを)る。インバータ人力直流電源1は速断ヒユー
ズ2を介してインバータ37の入力端に接続されている
。このインバータ37の入力側にはインバータPN短絡
用サイリスタ38が取り付けられている。又、速断ヒユ
ーズ21C並列に検出制御装置庁19が接続されている
。伺、インバータ37は第3図で示したものと同様の構
成を有している。
成図でを)る。インバータ人力直流電源1は速断ヒユー
ズ2を介してインバータ37の入力端に接続されている
。このインバータ37の入力側にはインバータPN短絡
用サイリスタ38が取り付けられている。又、速断ヒユ
ーズ21C並列に検出制御装置庁19が接続されている
。伺、インバータ37は第3図で示したものと同様の構
成を有している。
!!g9図は第8図に示した検出制闘装(419の詳細
構成例を示したものである。速断ヒユーズ2の両端はコ
ンデンサ20、抵抗21の微分回路を通して絶縁トラン
ス2201次仰IK接続され、この絶縁トランス22の
2次側はダイオード23を介してアンドゲート24の一
方の入力端子に接続さく15) れ、他端は接地されている。又、@縁トラ/ス22の2
次側にはノイズ吸収用のコンデンサ25が接続されてい
る。アンドゲート24の他方の入力端子には起動停+h
信号へが入力され、このアンドゲート24の1+1力側
はフリップ70ツブ26に入力されている。このフリッ
プフロップ26の出力側は反転素子39を介してインバ
ータPN短絡用サイリスタ38のゲートへ接続されてい
る。
構成例を示したものである。速断ヒユーズ2の両端はコ
ンデンサ20、抵抗21の微分回路を通して絶縁トラン
ス2201次仰IK接続され、この絶縁トランス22の
2次側はダイオード23を介してアンドゲート24の一
方の入力端子に接続さく15) れ、他端は接地されている。又、@縁トラ/ス22の2
次側にはノイズ吸収用のコンデンサ25が接続されてい
る。アンドゲート24の他方の入力端子には起動停+h
信号へが入力され、このアンドゲート24の1+1力側
はフリップ70ツブ26に入力されている。このフリッ
プフロップ26の出力側は反転素子39を介してインバ
ータPN短絡用サイリスタ38のゲートへ接続されてい
る。
速断ヒユーズ2が溶断すると、絶縁トランス2202次
側に微分パルスが発生し、アンドゲート24に起動信号
Aが入力されている場合は、この微分パルスはフリップ
フロップ26を反転させる。この反転出力は反転素子3
9により″″H″H″レベルてインバータ短絡用サイリ
スタ38のゲートへ印加される為、このサイリスタ38
はオン状態となる。従って、との時インバータ37内の
負荷に残っている逆流電力はサイリスタ38を通ってイ
ンバータ内で処理される為、本実施例も第3)4に示し
た実施例と同様の効果がある。
側に微分パルスが発生し、アンドゲート24に起動信号
Aが入力されている場合は、この微分パルスはフリップ
フロップ26を反転させる。この反転出力は反転素子3
9により″″H″H″レベルてインバータ短絡用サイリ
スタ38のゲートへ印加される為、このサイリスタ38
はオン状態となる。従って、との時インバータ37内の
負荷に残っている逆流電力はサイリスタ38を通ってイ
ンバータ内で処理される為、本実施例も第3)4に示し
た実施例と同様の効果がある。
(16)
以上記述した如く本発明のインバータ装置によれば、イ
ンバータ人力速断ヒユーズの溶断を演出すると、負荷の
両端を短絡する経路をインバータ内に形成することによ
り、負荷に残っている逆流電力を人力直流電源に戻すこ
となく、インバータ内部で処理することが出来、過電流
保穫装置の信頼性を向とさせることが出来る。
ンバータ人力速断ヒユーズの溶断を演出すると、負荷の
両端を短絡する経路をインバータ内に形成することによ
り、負荷に残っている逆流電力を人力直流電源に戻すこ
となく、インバータ内部で処理することが出来、過電流
保穫装置の信頼性を向とさせることが出来る。
第1図は従来のインバータ装置の一例を示す構成図、第
2図は第1図で示した従来例のサイリスタゲートの動作
タイムチャート図、第3図は本発明のインバータ装置の
一実施例を示す構成図、第4図は検出制御装置の第1の
実施例を示す構成図、第5図は検出制御装置の第2の実
施例を示す構成図、第6図は検出制御装置の第3の実施
例を示す構成図、第7図は検出制御装置の第4の実施例
を示す構成図、第8図は本発明のインバータ装置の他の
実施例を示す構成図、第9図は第8図で示した検出制御
装置の詳細例を示す構成図である。 1・・・直流電源、2・・・速断ヒユーズ、3,4.・
5゜(17) 6・・・主サイリスタ、7・・・負荷、8.9,10.
11・・・逆流電力バイパス用ダイオード、14,15
゜16.17・・・補助サイリスタ、19・・・検出制
御装置、22・・・トランス、24.32・・・アンド
ゲート、26・・・フリップフロップ、27〜30・・
・ナントゲート、31・・・リングカウンタ、37・・
・インバータ、(18)
2図は第1図で示した従来例のサイリスタゲートの動作
タイムチャート図、第3図は本発明のインバータ装置の
一実施例を示す構成図、第4図は検出制御装置の第1の
実施例を示す構成図、第5図は検出制御装置の第2の実
施例を示す構成図、第6図は検出制御装置の第3の実施
例を示す構成図、第7図は検出制御装置の第4の実施例
を示す構成図、第8図は本発明のインバータ装置の他の
実施例を示す構成図、第9図は第8図で示した検出制御
装置の詳細例を示す構成図である。 1・・・直流電源、2・・・速断ヒユーズ、3,4.・
5゜(17) 6・・・主サイリスタ、7・・・負荷、8.9,10.
11・・・逆流電力バイパス用ダイオード、14,15
゜16.17・・・補助サイリスタ、19・・・検出制
御装置、22・・・トランス、24.32・・・アンド
ゲート、26・・・フリップフロップ、27〜30・・
・ナントゲート、31・・・リングカウンタ、37・・
・インバータ、(18)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 マスター側主サイリスタとスレーブ側主サイリス
タとにより構成されたインバータアームに速断ヒユーズ
を介して直流入力を供給して、インバータアームの出力
側に接続される負荷に交流を給電するインバータ装置に
おいて、速断ヒユーズ溶断を検出すると、主サイリスタ
又はインバータアームに接続されている補助サイリスタ
を常時オン状態として、負荷の両端を短絡する電流経路
をインバータ内に形成することを特徴とするインバータ
装置。 2 速断ヒユーズの溶断検出時に、マスター側主サイリ
スタのP側とN側及びスレーブ側主サイリスタのP側と
N側の合計4個のサイリスタを常時オン状轢とすること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載のインバータ装
置。 3、速断ヒユーズ溶断検出時に、マスター側主サイリス
タのP側とN側の合計2個のサイリスタを常時オン状態
とすることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のイ
ンバータ装置。 4、速断ヒユーズの溶断検出時に、スレーブ側主サイリ
スタのP側とN側の合計2個のサイリスタを常時オン状
態とすることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
インバータ装置。 5、速断ヒユーズの溶断検出時に、マスター側補助サイ
リスクのP側とN側及びスレーブ側補助サイリスタのP
側とN側の合計4個の補助サイリスタを常時オン状態と
することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のイン
バータ装置。 6、 マスター側主サイリスタとスレーブ側主サイリス
タとにより構成されたインノ(−タアームに速断ヒユー
ズを介して直流入力を供給してインノ(−タアームの出
力側に接続される負荷に交流を給電するインバータ装置
において、インバータアームのP側とN側間に短絡用サ
イリスタを接続し、速断ヒユーズの溶断検出時に前記短
絡用サイリスタを常時オン状態としてインバータのPN
間を短絡することを特徴とするインバータ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58003442A JPS59129585A (ja) | 1983-01-14 | 1983-01-14 | インバ−タ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58003442A JPS59129585A (ja) | 1983-01-14 | 1983-01-14 | インバ−タ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59129585A true JPS59129585A (ja) | 1984-07-25 |
Family
ID=11557460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58003442A Pending JPS59129585A (ja) | 1983-01-14 | 1983-01-14 | インバ−タ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59129585A (ja) |
-
1983
- 1983-01-14 JP JP58003442A patent/JPS59129585A/ja active Pending
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