JPS59143479A - 固体撮像装置の信号読み出し装置 - Google Patents
固体撮像装置の信号読み出し装置Info
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- JPS59143479A JPS59143479A JP58016065A JP1606583A JPS59143479A JP S59143479 A JPS59143479 A JP S59143479A JP 58016065 A JP58016065 A JP 58016065A JP 1606583 A JP1606583 A JP 1606583A JP S59143479 A JPS59143479 A JP S59143479A
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- Japan
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- noise
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/65—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to reset noise, e.g. KTC noise related to CMOS structures by techniques other than CDS
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はＣＣＤ （Ｃｈａｒｇｅ ＣｏｎｐｌｅｄＤｅ
ｖｉｃｅ ）やＣＰ Ｄ （Ｃｈａｒｇｅ ｐｒｉｍｉ
ｎｇ Ｄｅｖｉｃｅ ）を用いた固体撮像装置の映像信
号読み出し装置に関する。
ｖｉｃｅ ）やＣＰ Ｄ （Ｃｈａｒｇｅ ｐｒｉｍｉ
ｎｇ Ｄｅｖｉｃｅ ）を用いた固体撮像装置の映像信
号読み出し装置に関する。
第１図は従来のＣＣＤ型固体撮像装置の原理図である。
マトリックス状に配列された光ダイオード２からなる感
光部９と、光ダイオードに蓄積された光信号を読み出す
だめの縦方向のＣＣＤＩＩ〜ＩＮおよび水平方向のＣＣ
Ｄ３と、転送された信号を増幅して出力する出力ＡＭＰ
４がら成。ている。
光部９と、光ダイオードに蓄積された光信号を読み出す
だめの縦方向のＣＣＤＩＩ〜ＩＮおよび水平方向のＣＣ
Ｄ３と、転送された信号を増幅して出力する出力ＡＭＰ
４がら成。ている。
第２図は第１図における出力ＡＭＰ４の回路例である。
３０は水平方向のＣＣＤ３で転送した信号・Ｌ荷量Ｑｓ
を電圧量に変換する小さな静准答景Ｃｏ、３１はｇ量Ｃ
ｏ間に信号覗荷量Ｑｓに比例して生じる信号電圧Ｖ ｏ
” Ｑ ｓ ／ Ｃｏを低インピーダンスで出力する
ソース・７才ロア用ＭＯ８型Ｆ Ｅ Ｔ ３２は容ＭＥ
Ｃｏ内の信号電荷ｔｉｔＱ ｓを外部に取シ除くため
のリセット用Ｍ ＯＳ ｍＦ Ｅ Ｔである。
を電圧量に変換する小さな静准答景Ｃｏ、３１はｇ量Ｃ
ｏ間に信号覗荷量Ｑｓに比例して生じる信号電圧Ｖ ｏ
” Ｑ ｓ ／ Ｃｏを低インピーダンスで出力する
ソース・７才ロア用ＭＯ８型Ｆ Ｅ Ｔ ３２は容ＭＥ
Ｃｏ内の信号電荷ｔｉｔＱ ｓを外部に取シ除くため
のリセット用Ｍ ＯＳ ｍＦ Ｅ Ｔである。
コ（７）第１ 図、 ＠ ２図の構造の素子において、
信号は次の様にして読み出さるる。すなわちまず１フレ
ーム期間で光ダイオード２に蓄積した・１６号電荷を、
垂直帰線期間の間に縦方向のＣＣＤ１１〜ＩＮ内に移す
。や１泊方向のＣＣＤは水平帰線期間ごとに１ラインず
つ転送し、信号電荷を水平方向のＣＣＤ３に順次移す。
信号は次の様にして読み出さるる。すなわちまず１フレ
ーム期間で光ダイオード２に蓄積した・１６号電荷を、
垂直帰線期間の間に縦方向のＣＣＤ１１〜ＩＮ内に移す
。や１泊方向のＣＣＤは水平帰線期間ごとに１ラインず
つ転送し、信号電荷を水平方向のＣＣＤ３に順次移す。
水平帰線期間に水平方向のＣＣＤに移しだ信号電荷は、
それに絖く１水平期間に水平方向のＣＯＤに水平走査の
クロックパルスを加えることによって順次容ｉＣｏ内に
転送する。を番目のクロックパルスでｙ喰Ｃｏに移した
（ハ ＜ｔ）１ 信号電荷Ｑｓは、容量Ｃｏ間に電圧■。を生じ、（ｔ） ソース・フォロア出力端３３から電圧ＶＯのホールドパ
ルス（第３図パルス４ ／、 ） 音出力する。こ（４ のｉ＋＝号ｉ毬荷Ｑｓをリセット用ＭＯＳ型ＦＥＴ３２
を通して外部に取シ除く。また次のｔ＋１番（ｔ） 目のクロックパルスで再び次の信号電荷Ｑｓを容（ｔ） 量ｃｏに４多し、電圧Ｖ、のホールドパルス図パルス４
（ｔ＋１））を出力する。以下同様の操作を繰り返えす
ことによって順次信号を、信号（４（４ 電荷Ｑｓに比例した電圧Ｖｏのホールドパルスの列（第
３ １９（ｃ） ）として出力する。信号成分は第３図
（Ｃ）の出力１言号の変調信号成分をＬＰＦによって取
シ出すことによって・倚られる。
それに絖く１水平期間に水平方向のＣＯＤに水平走査の
クロックパルスを加えることによって順次容ｉＣｏ内に
転送する。を番目のクロックパルスでｙ喰Ｃｏに移した
（ハ ＜ｔ）１ 信号電荷Ｑｓは、容量Ｃｏ間に電圧■。を生じ、（ｔ） ソース・フォロア出力端３３から電圧ＶＯのホールドパ
ルス（第３図パルス４ ／、 ） 音出力する。こ（４ のｉ＋＝号ｉ毬荷Ｑｓをリセット用ＭＯＳ型ＦＥＴ３２
を通して外部に取シ除く。また次のｔ＋１番（ｔ） 目のクロックパルスで再び次の信号電荷Ｑｓを容（ｔ） 量ｃｏに４多し、電圧Ｖ、のホールドパルス図パルス４
（ｔ＋１））を出力する。以下同様の操作を繰り返えす
ことによって順次信号を、信号（４（４ 電荷Ｑｓに比例した電圧Ｖｏのホールドパルスの列（第
３ １９（ｃ） ）として出力する。信号成分は第３図
（Ｃ）の出力１言号の変調信号成分をＬＰＦによって取
シ出すことによって・倚られる。
ところで＄２ｄの出，ｐＡＭＰ回路において、容量［３
２内にホールドした信号電荷数ＱＳを外部に取り除くた
めのリセット用ＭＯＳ型↑’ Ｅ Ｔ ３ ２は理想的
スイッチ素子ではなく、ＯＮ抵抗を有している。そのた
めリセット用ＭＯＳ型ＦＥＴ３２がＯＮ状態にある時、
このＯＮ抵抗の熱雑音による雑音電圧が容ｔｃｏ間に発
生するが、リセット用へ４０８型１” Ｅ Ｔ ３ ２
がＯＦＦ状態になった時、その時間容量Ｃｏ間に発生し
ている雑跨心圧の瞬時値がホールドされ、出力信号内に
混入する。
２内にホールドした信号電荷数ＱＳを外部に取り除くた
めのリセット用ＭＯＳ型↑’ Ｅ Ｔ ３ ２は理想的
スイッチ素子ではなく、ＯＮ抵抗を有している。そのた
めリセット用ＭＯＳ型ＦＥＴ３２がＯＮ状態にある時、
このＯＮ抵抗の熱雑音による雑音電圧が容ｔｃｏ間に発
生するが、リセット用へ４０８型１” Ｅ Ｔ ３ ２
がＯＦＦ状態になった時、その時間容量Ｃｏ間に発生し
ている雑跨心圧の瞬時値がホールドされ、出力信号内に
混入する。
このホールドされる雑匠信号も含め、第３図（Ｃ）の出
力信号を書き直したものを第４図（Ｃ）に示す。
力信号を書き直したものを第４図（Ｃ）に示す。
図において６１はリセット用ＭＯＳ型Ｆ’ＥＴのＯＮ抵
抗熱雑音によって容量Ｃｏ間に生じた雑音電圧部分、６
２はスイッチがＯＦＦ状態になった瞬間における雄片電
圧がホールドされたことによって生じる帷「波形を示す
。同図からも明らかなように、６１の雑音電圧は正負寵
圧同硲率で生じ、その平均匝は小さなものであるのに対
し、６２のホールドされる帷斤は（以下リセット雑音と
記す）、６１の’？（Ｉｌ． Ｅｆ− 電圧の瞬時直そ
のものがホールドされるため、非常に大きな雄片信号を
発生させる。
抗熱雑音によって容量Ｃｏ間に生じた雑音電圧部分、６
２はスイッチがＯＦＦ状態になった瞬間における雄片電
圧がホールドされたことによって生じる帷「波形を示す
。同図からも明らかなように、６１の雑音電圧は正負寵
圧同硲率で生じ、その平均匝は小さなものであるのに対
し、６２のホールドされる帷斤は（以下リセット雑音と
記す）、６１の’？（Ｉｌ． Ｅｆ− 電圧の瞬時直そ
のものがホールドされるため、非常に大きな雄片信号を
発生させる。
従来このリセット雑音の除去はクランプ回路を用いて行
なっている。第５図はその回路構成例を、まだ第６図は
この回路によるリセット雑音除去の原理の説明図である
。すなわち１１体撮像装置７の出力信号波．′Ｘ６図（
ａ）は、まずクランプ回路５１に通芒れリセット雑音の
み含まれる位置６３においてクランプする。クランプさ
れた直後の出力信号波は第６ ＋０］ （Ｃ）の様にリ
セット雑跨の部分はクランプによって除かれ、１言号部
分のみ残される。従ってさらにＬＰＦ５２によって変調
信号成分を取シ出すことによってリセット雑音のない信
号成分を得ることができるというものである。
なっている。第５図はその回路構成例を、まだ第６図は
この回路によるリセット雑音除去の原理の説明図である
。すなわち１１体撮像装置７の出力信号波．′Ｘ６図（
ａ）は、まずクランプ回路５１に通芒れリセット雑音の
み含まれる位置６３においてクランプする。クランプさ
れた直後の出力信号波は第６ ＋０］ （Ｃ）の様にリ
セット雑跨の部分はクランプによって除かれ、１言号部
分のみ残される。従ってさらにＬＰＦ５２によって変調
信号成分を取シ出すことによってリセット雑音のない信
号成分を得ることができるというものである。
一方第２図の出力Ａ Ｍ Ｐｌ路においては、上記リセ
ット雑音の原因になるスイッチ用ＭＯＳ型ＦＥＴ３ ２
だけでなく、ソース・フォロア用ＭＯＳ型ＦＦ，Ｔａ２
も熱准音源による白色のランダム雑音を発生している。
ット雑音の原因になるスイッチ用ＭＯＳ型ＦＥＴ３ ２
だけでなく、ソース・フォロア用ＭＯＳ型ＦＦ，Ｔａ２
も熱准音源による白色のランダム雑音を発生している。
従って実際の固体虚像装置出力信号波形は第４図（Ｃ）
の波形にさらに白色のランダム雑音を重畳したものにな
る。
の波形にさらに白色のランダム雑音を重畳したものにな
る。
そのため第５図のクランプ回路５１を用いた信号読み出
し回路は、スイッチ用ＭＯＳ型ＦＥＴ３２によって容量
Ｃｏ間に発生する雑音電圧をホールドした結果生じたリ
セット雑音をほぼ完全に除去することができるのに対し
、逆にソース・フォロア用ＭＯＳ型ＦＥＴ３１の熱雑音
電圧をホールドし雑音レベルを増加する結果となり（第
６図゛（ｄ））、取り出しだ１言号のＳＮ比の改善率は
低いものに市まっている。
し回路は、スイッチ用ＭＯＳ型ＦＥＴ３２によって容量
Ｃｏ間に発生する雑音電圧をホールドした結果生じたリ
セット雑音をほぼ完全に除去することができるのに対し
、逆にソース・フォロア用ＭＯＳ型ＦＥＴ３１の熱雑音
電圧をホールドし雑音レベルを増加する結果となり（第
６図゛（ｄ））、取り出しだ１言号のＳＮ比の改善率は
低いものに市まっている。
本尤明の目的は、上記の如き欠点を除き、ソース・フォ
ロア用ＭＯＳ型ＦＥＴによる雑音を増加させることなく
、リセット雑音を除去する１言号の読み出し回路及び固
体撮像装置の駆動方法を提供することにある。
ロア用ＭＯＳ型ＦＥＴによる雑音を増加させることなく
、リセット雑音を除去する１言号の読み出し回路及び固
体撮像装置の駆動方法を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明はＩＦ体撮像装置出力
を２つに分け、その一方の出力信号を一定１ 期間（水平定食のリセットパルス周期Ｔの７以内）遅延
して他方の出力信号から差し引いた後、信号部分をサン
プリングするように構成した。そして、又固体撮１絞再
置においてリセット雑音のみ含む時間１゛−τ、−丁と
１ご号も含む時間τが等しくなるよう、駆動するように
構成することを特徴とするものである。
を２つに分け、その一方の出力信号を一定１ 期間（水平定食のリセットパルス周期Ｔの７以内）遅延
して他方の出力信号から差し引いた後、信号部分をサン
プリングするように構成した。そして、又固体撮１絞再
置においてリセット雑音のみ含む時間１゛−τ、−丁と
１ご号も含む時間τが等しくなるよう、駆動するように
構成することを特徴とするものである。
第７図は本発明による１３号読み出し回路の実施Ｉ！Ａ
Ｊ１題、第８図は第７図回路による信号読み出し方法の
説明図である。
Ｊ１題、第８図は第７図回路による信号読み出し方法の
説明図である。
第７１ｇｊにおいて５７は固体撮像装置７を、１％動す
る駆動回路で、水平走肴におけるクロックパルスφＨＩ
＋φＨ２のクロック周波数及びリセットパルスφＲの周
波数を７．１６ＭＨｚに設定する。従ってリセットパル
スφＲの周期Ｔは約１４０ｎｓｅｃとなる。またリセッ
トパルスφＲの幅τ７ （第４図（ｂ））は、第２図容
量Ｃｏに蓄積した信号１荷を除去するのに十分な時間約
２０ｎｓｅｃに設定する。−力信号転送パルスφＨ２の
立ち上がシ位置はリセットパルスφＲの立ち下がり位置
より約６００派遅れた位置に設定し、リセット雑音のみ
含む期間Ｔ−Ｔ１−τと信号を含む期間τがほぼ等しく
なるように設定する。
る駆動回路で、水平走肴におけるクロックパルスφＨＩ
＋φＨ２のクロック周波数及びリセットパルスφＲの周
波数を７．１６ＭＨｚに設定する。従ってリセットパル
スφＲの周期Ｔは約１４０ｎｓｅｃとなる。またリセッ
トパルスφＲの幅τ７ （第４図（ｂ））は、第２図容
量Ｃｏに蓄積した信号１荷を除去するのに十分な時間約
２０ｎｓｅｃに設定する。−力信号転送パルスφＨ２の
立ち上がシ位置はリセットパルスφＲの立ち下がり位置
より約６００派遅れた位置に設定し、リセット雑音のみ
含む期間Ｔ−Ｔ１−τと信号を含む期間τがほぼ等しく
なるように設定する。
以上の駆動方法による固体撮像ｇ置出力信号波形■ｏを
第８図（ａ）に示す。第８図（ａ）の出力信号ｖｏはま
ず２つに分け、その一方を遅延回路５４により時間Δ約
６０ｎｓｅｃ（Δ〜τ）たけずらした麦（第８閏の）Ｖ
ｏ’）引きＸ器５５により遅延しない他方の出力信号Ｖ
Ｏから差し引く（第８図（Ｃ）Ｖ＋ ）。ところでこ
の差し引いた結果の波形ｖ１には、第８図（Ｃ）から明
らかなようにリセット雑音は除去さｔシ、１ｇ号部分と
ソース・フォロア用へ１０Ｓ型ＦＥＴの雑音のみ含む領
域６４が存在する。第７図５６はこの部分をサンプリン
グ回（ルスφＳ（第８図（ｄ））でサンプリングするだ
めのサンプリング回路である。サンプリング後の波形第
８図（ｅ）ｖ２にはすでにリセット雑音は含まれていな
い。
第８図（ａ）に示す。第８図（ａ）の出力信号ｖｏはま
ず２つに分け、その一方を遅延回路５４により時間Δ約
６０ｎｓｅｃ（Δ〜τ）たけずらした麦（第８閏の）Ｖ
ｏ’）引きＸ器５５により遅延しない他方の出力信号Ｖ
Ｏから差し引く（第８図（Ｃ）Ｖ＋ ）。ところでこ
の差し引いた結果の波形ｖ１には、第８図（Ｃ）から明
らかなようにリセット雑音は除去さｔシ、１ｇ号部分と
ソース・フォロア用へ１０Ｓ型ＦＥＴの雑音のみ含む領
域６４が存在する。第７図５６はこの部分をサンプリン
グ回（ルスφＳ（第８図（ｄ））でサンプリングするだ
めのサンプリング回路である。サンプリング後の波形第
８図（ｅ）ｖ２にはすでにリセット雑音は含まれていな
い。
またソース・フォロア用ＭＯ８型ＦＥＴの雑音も雑音電
圧の瞬時値ケホールドする操作がないため、雑音レベル
は小さい。そのだめ第８図（ｅ）の波形ｖ２の変調１ぎ
号成分をＬＰＦ５２によって取り出し、１言号処理回路
５３によってテレビ１５号に必要な５ＹＮＣ等同期信号
を挿入することにより、ＳＮ比の扁いテレビ信号を得る
ことができる。
圧の瞬時値ケホールドする操作がないため、雑音レベル
は小さい。そのだめ第８図（ｅ）の波形ｖ２の変調１ぎ
号成分をＬＰＦ５２によって取り出し、１言号処理回路
５３によってテレビ１５号に必要な５ＹＮＣ等同期信号
を挿入することにより、ＳＮ比の扁いテレビ信号を得る
ことができる。
なお以上の信号読み出し方法においては、第８図（Ｃ）
の領域６４が存在すればよく、任意のτ、。
の領域６４が存在すればよく、任意のτ、。
τに対し、遅延時間Δは
０〈Δ＜Ｔ−ｒ、 ・・・・・・・・・・・・川
・・・・・・（１）の範囲内、サンプリングパルス幅τ
Ｓは０くτｓ＜ＭＩＮ（τ、Δ、Ｔ−τ、−Δ、Ｔ−τ
、−Ｔ） ・（２）の・１，１）μｍ］内で任意に設定
することができる。しかし領域６４を広く取り、高ＳＮ
の信号を得る７ヒめ、パルス幅τ、Ｔｓ及び遅延時間Δ
は各々に設定することが頃ましい。上記実施例は（３）
式の条件に従って設定したものである。
・・・・・・（１）の範囲内、サンプリングパルス幅τ
Ｓは０くτｓ＜ＭＩＮ（τ、Δ、Ｔ−τ、−Δ、Ｔ−τ
、−Ｔ） ・（２）の・１，１）μｍ］内で任意に設定
することができる。しかし領域６４を広く取り、高ＳＮ
の信号を得る７ヒめ、パルス幅τ、Ｔｓ及び遅延時間Δ
は各々に設定することが頃ましい。上記実施例は（３）
式の条件に従って設定したものである。
以上本９ｄ明１ｌ−１，第２図の出力ＡＭＰ回路例によ
って説明したが、第９図の出力Ａ ＩＸ４ Ｐ回路等、
一般にＡ Ｍ Ｐ入力端谷ｔｃｏ間に現われる信号電圧
をイカあるいは電圧増幅するタイプの出力ＡＭＰ回路を
ＭするＣＣＤ型固体撮像装置あるいは第１０図の様なｈ
ｉｏｓ型とＣＣＤ型を結合したタイプの固体撮像装置や
ＣＣＤ型ラインセンサ、ＣＣＤ型遅延＠等のイｈ°号読
み出しにも使用することができる。
って説明したが、第９図の出力Ａ ＩＸ４ Ｐ回路等、
一般にＡ Ｍ Ｐ入力端谷ｔｃｏ間に現われる信号電圧
をイカあるいは電圧増幅するタイプの出力ＡＭＰ回路を
ＭするＣＣＤ型固体撮像装置あるいは第１０図の様なｈ
ｉｏｓ型とＣＣＤ型を結合したタイプの固体撮像装置や
ＣＣＤ型ラインセンサ、ＣＣＤ型遅延＠等のイｈ°号読
み出しにも使用することができる。
第１０図において、Ｔｘ２は縦方向の線から信号′延性
あるいは擬１ｇ号峨荷を読み出すだめの転送ゲート、＋
ＪＩ Ｘｌは抽号祇荷をＣＣＤに、ｌ３ＬＣは擬信号電
荷を擬信号電荷除去用の線ＢＬＤにふり分けて取り出す
ためのスイッチＭＯ８ゲート、φｔ。
あるいは擬１ｇ号峨荷を読み出すだめの転送ゲート、＋
ＪＩ Ｘｌは抽号祇荷をＣＣＤに、ｌ３ＬＣは擬信号電
荷を擬信号電荷除去用の線ＢＬＤにふり分けて取り出す
ためのスイッチＭＯ８ゲート、φｔ。
φＸ、φＲ，ＶＲは各々端子ＴＸ２ 、 Ｔｘｔ 、
Ｂ Ｉ、 Ｃ。
Ｂ Ｉ、 Ｃ。
ＢＬＤに加えるパルス、φＶは垂直スイッチＭＯＳゲー
トに加えるパルスを表わす。
トに加えるパルスを表わす。
以上説明した如く、本発明によれば、ＣＣＤ型等出力Ａ
ＭＰ入カーＧＭＣＯ間に現われる１ぎ号電圧金１３；力
めるいはｔｌＩ、圧瑠幅するタイプの出力ＡＭＰ金有す
る固体撮像装置において、出力ＡＭＰソース・フォロア
用ＭＯ８型ＦＥＴの雑音電圧をホールドし、雑音レベル
を増幅することなく、リセット雑音を除去し、ＳＮ比の
商いテレビ遣号を得ることができる。
ＭＰ入カーＧＭＣＯ間に現われる１ぎ号電圧金１３；力
めるいはｔｌＩ、圧瑠幅するタイプの出力ＡＭＰ金有す
る固体撮像装置において、出力ＡＭＰソース・フォロア
用ＭＯ８型ＦＥＴの雑音電圧をホールドし、雑音レベル
を増幅することなく、リセット雑音を除去し、ＳＮ比の
商いテレビ遣号を得ることができる。
第１図はＣＣＤ型向体倣像装置の原理図、第２図は出力
Ａ ＩＭＰの回路例、第３図はその出力波形の説明図、
４４図はリセット雑音の説明図、第５図９遍６図は便来
のりセント雑音を除去する信号の１１ノ゛ｄみ出し回路
とその説明図、第７図、第８図は本発明によるリセット
雑音を除去する１ぎ号の仇み出し回路とその説明図、第
９図は第２図以外の出力ＡＪＪＰ回路例、第１Ｏ図は本
発明を適用できる第 １ 図 ｖ ｚ 口 不 ３ ｎ 翳 ４ 凹 第 ５ 図 第 に 図 第 ７ 図 第 ８ 図 第 ｑ 目 （０−〕 （ｂ） ′″ｆＪｌｏ 図
Ａ ＩＭＰの回路例、第３図はその出力波形の説明図、
４４図はリセット雑音の説明図、第５図９遍６図は便来
のりセント雑音を除去する信号の１１ノ゛ｄみ出し回路
とその説明図、第７図、第８図は本発明によるリセット
雑音を除去する１ぎ号の仇み出し回路とその説明図、第
９図は第２図以外の出力ＡＪＪＰ回路例、第１Ｏ図は本
発明を適用できる第 １ 図 ｖ ｚ 口 不 ３ ｎ 翳 ４ 凹 第 ５ 図 第 に 図 第 ７ 図 第 ８ 図 第 ｑ 目 （０−〕 （ｂ） ′″ｆＪｌｏ 図
Claims (1)
- １、連続するパルス状の信号電荷Ｑｓを、順次Ａ Ｍ
Ｐ入力端１浄或容量Ｃｏ内に蓄積し、容量Ｃｏ間に現わ
れる信号電圧を増幅して出力する出力Ａ Ｍ ＰＭ路を
有する固体装置において、該出力Ａ Ｍ ＰＭ路の出力
信号を２つに分け、その一方の出力信号を一定時間Δだ
け他方の出力信号に対し遅延した後、前記他方の出力信
号から差し引き、容量ＣｏＫ蓄積した信号電荷Ｑｓを除
去する際に元年するリセット雑音を含まない差信号の部
分をサンプリングした後、ローパスフィルタを介して１
核サンプリング１言号の変調信号成分を取り出すように
構成したことをｉｒ！ｊ徴とする固体撮像装置４の信号
読み出し装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58016065A JPS59143479A (ja) | 1983-02-04 | 1983-02-04 | 固体撮像装置の信号読み出し装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58016065A JPS59143479A (ja) | 1983-02-04 | 1983-02-04 | 固体撮像装置の信号読み出し装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59143479A true JPS59143479A (ja) | 1984-08-17 |
| JPH059987B2 JPH059987B2 (ja) | 1993-02-08 |
Family
ID=11906167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58016065A Granted JPS59143479A (ja) | 1983-02-04 | 1983-02-04 | 固体撮像装置の信号読み出し装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59143479A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS524113A (en) * | 1975-06-28 | 1977-01-13 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Solid pickup equipment |
| JPS56116374A (en) * | 1980-02-20 | 1981-09-12 | Sony Corp | Charge detection circuit |
-
1983
- 1983-02-04 JP JP58016065A patent/JPS59143479A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS524113A (en) * | 1975-06-28 | 1977-01-13 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Solid pickup equipment |
| JPS56116374A (en) * | 1980-02-20 | 1981-09-12 | Sony Corp | Charge detection circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH059987B2 (ja) | 1993-02-08 |
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