JPS59144164A - 混成集積回路の製造方法 - Google Patents
混成集積回路の製造方法Info
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- JPS59144164A JPS59144164A JP58019220A JP1922083A JPS59144164A JP S59144164 A JPS59144164 A JP S59144164A JP 58019220 A JP58019220 A JP 58019220A JP 1922083 A JP1922083 A JP 1922083A JP S59144164 A JPS59144164 A JP S59144164A
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Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims description 5
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 15
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 9
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 3
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007603 infrared drying Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003340 mental effect Effects 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は混成集積回路の製造方法にかかシ、特に信頼性
の優れた高品質なタンタル薄膜ＲＣ回路の製造方法に関
するものでおる。
の優れた高品質なタンタル薄膜ＲＣ回路の製造方法に関
するものでおる。
従来、同一基板上に形成された薄膜コンデンサと薄膜抵
抗からなる薄膜回路の製造方法は大路次のとおりである
。
抗からなる薄膜回路の製造方法は大路次のとおりである
。
先ずガラス又はセラミック等の絶縁基板上にベータ又は
アル７アータンタル層をスパッター法により被着させ、
該タンタル層を選択エツチングによシ所望のコンデンサ
パターン全形成する。次にコンデンサとして用いるべく
定められた領域中の該タンタル層を選択的に陽極酸化し
、エツチングストップ層を形成し、この後、上記基板全
体にスパッター法によシ抵抗体用タ／タル薄膜を被着生
成する。次に該抵抗体用薄膜全７オトレジスト処理をエ
ツチング技術により所望とする抵抗回路網を形成した後
、前記コンデンサー領域の所定の箇所をポジ型フォトレ
ジストを保護マスクとし、再び陽極酸化し、コンデンサ
ー膜を形成する。該保護マスクは公知の方法で剥離除去
する。次に、上記によシ得られた基板の全体にニクロム
合金、パラジューム、金からなる上部電極を真空蒸着又
はマグネトロンスパッター法で被着生成し、フォトレジ
スト処理によシ所望のパターンを形成した後、タンタル
抵抗Ｉ、くターン面を陽極酸化又は、レーザトリミング
方法によシ所望の抵抗値調節することによシ薄膜回路を
製造する。
アル７アータンタル層をスパッター法により被着させ、
該タンタル層を選択エツチングによシ所望のコンデンサ
パターン全形成する。次にコンデンサとして用いるべく
定められた領域中の該タンタル層を選択的に陽極酸化し
、エツチングストップ層を形成し、この後、上記基板全
体にスパッター法によシ抵抗体用タ／タル薄膜を被着生
成する。次に該抵抗体用薄膜全７オトレジスト処理をエ
ツチング技術により所望とする抵抗回路網を形成した後
、前記コンデンサー領域の所定の箇所をポジ型フォトレ
ジストを保護マスクとし、再び陽極酸化し、コンデンサ
ー膜を形成する。該保護マスクは公知の方法で剥離除去
する。次に、上記によシ得られた基板の全体にニクロム
合金、パラジューム、金からなる上部電極を真空蒸着又
はマグネトロンスパッター法で被着生成し、フォトレジ
スト処理によシ所望のパターンを形成した後、タンタル
抵抗Ｉ、くターン面を陽極酸化又は、レーザトリミング
方法によシ所望の抵抗値調節することによシ薄膜回路を
製造する。
しかしながら上記の製造方法によれば、特に微細傾向化
が進むパターン設計に於いては大きな支障が生じてくる
。すなわち、微細化になるにつれ、コンデンサ及び抵抗
パターンは複雑となシ、シかも、小型化に伴う、抵抗回
路網形成空間の減少によシ、パターン設計に以下のよう
な無理が生じてくる。
が進むパターン設計に於いては大きな支障が生じてくる
。すなわち、微細化になるにつれ、コンデンサ及び抵抗
パターンは複雑となシ、シかも、小型化に伴う、抵抗回
路網形成空間の減少によシ、パターン設計に以下のよう
な無理が生じてくる。
薄膜回路は同一基板内にコンデンサ及び抵抗が複数個形
成されることで品質特性全満足させている。しかも、微
細化になることで該抵抗回路網を自然と密集化し、コン
デンサ全陽極酸化するためにあらかじめ形成されている
化成回路パターンに接続が避けられない抵抗回路網が生
じてくる。この場合、前記した如く、コンデンサーとな
るべき所定領域を７オトレジストを保護マスクとし陽極
酸化する際、該保護マスクの耐圧、密着性等が非常に重
要視される。すなわち、酸性溶液中で１〜２時間陽極酸
化するため、抵抗回路上に形成された保論マスクに欠陥
があシ表面リーク等によシ、液が抵抗膜面に触れると急
激に電流が流れることによシ酸化破壊し、該抵抗回路は
断線し、薄膜回路基板そのものが不良となる。この現象
は、前記方法では避けられない問題である。
成されることで品質特性全満足させている。しかも、微
細化になることで該抵抗回路網を自然と密集化し、コン
デンサ全陽極酸化するためにあらかじめ形成されている
化成回路パターンに接続が避けられない抵抗回路網が生
じてくる。この場合、前記した如く、コンデンサーとな
るべき所定領域を７オトレジストを保護マスクとし陽極
酸化する際、該保護マスクの耐圧、密着性等が非常に重
要視される。すなわち、酸性溶液中で１〜２時間陽極酸
化するため、抵抗回路上に形成された保論マスクに欠陥
があシ表面リーク等によシ、液が抵抗膜面に触れると急
激に電流が流れることによシ酸化破壊し、該抵抗回路は
断線し、薄膜回路基板そのものが不良となる。この現象
は、前記方法では避けられない問題である。
本発明の目的は上記製造方法の欠点を是正した混成集積
回路の製造方法を提供することにある。
回路の製造方法を提供することにある。
すなわち、抵抗回路網を形成した後、所定佃域のコンデ
ンサパターン部を７オトレジストを保護マスクとして酸
性溶液中で陽極酸化する際、該保護マスクパターンを所
定のコンデンサ領域部に加え、更に陽極酸化用導通回路
に接続されて形成されている抵抗回路の接続部近傍を算
出形成することによシ、陽極酸化処理開始と同時に集中
電圧をかけることによシ酸化破壊させ、同抵抗回路パタ
ーン部の化成液リーク等による断線をなくすこと？特徴
とする混成集積回路の製造方法である。
ンサパターン部を７オトレジストを保護マスクとして酸
性溶液中で陽極酸化する際、該保護マスクパターンを所
定のコンデンサ領域部に加え、更に陽極酸化用導通回路
に接続されて形成されている抵抗回路の接続部近傍を算
出形成することによシ、陽極酸化処理開始と同時に集中
電圧をかけることによシ酸化破壊させ、同抵抗回路パタ
ーン部の化成液リーク等による断線をなくすこと？特徴
とする混成集積回路の製造方法である。
以下、本発明をタンタル薄膜ＲＣ回路の製造？例とし、
図面によし詳細に説明する。
図面によし詳細に説明する。
第１図から第碕図は本発明による混成集積回路の製造工
程に於ける断面図である。充分に洗浄された部分ダレー
ズ絶縁基板１上にスパッタリング法によシタンタル系薄
膜２を約４００ＯＡの厚さに形成する（第１図）。次に
公知のフォトエツチング法に基づいてタンタル系薄膜２
をエツチング液、所望のコンデンサパターンを形成する
（第２図）。次にボージ型フォトレジスト３例えば東京
応化製のＯＦ’ＰＲ−７ＲＦを約１２〜１５μｍ塗布し
た後、赤外線乾燥炉中で１００℃、３０分のプリベーク
をし、該レジスト膜を、選択的に露光し、現像液例えば
東京応化製０ＦＰＲ，−７Ｒを用いて、感光部を溶解し
、誘電体となるべきタンタル系薄膜が露出するべき所望
とするレジストパターンを形成する（第３図）。次に前
記基板を０．０１９６クエン酸溶液中１５０Ｖ、１０分
の定電圧化成条件で陽極酸化することによシ肪電体とな
るべき箇所に酸化膜を形成し、メンタルエツチング液の
エツチングストップ層４を形成する（第４図）。次にス
パッタリング法によシ抵抗体用タンタル系薄膜５を約３
０ＯＡ基板上全面に付着せしめ（第５図）、フッ酸、硝
酸混合溶液を用い選択エツチングで所望とする抵抗体パ
ターンを形成する（第６図ン。次にエツチングストップ
層形成方法と同条件でエツチングストップ層表面と更に
、陽極酸化用導通回路パターンと接続している抵抗パタ
ーンの接続部近傍の該抵抗パターン表面を約４０μ程度
露出したレジストパターン３を形成しく第７図）、再度
０．０１％クエン酸溶液中２００Ｖ、２時間の定電圧化
成条件で陽極酸化することによりエツチングストップ層
上に陽極酸化を施し、陽極酸化膜６を形成すると共に、
陽極酸化開始と同時にエツチングストップ層のない上記
露出抵抗パターン部に前記エツチングストップ層生成条
件の電圧が急激にかかることによシ該露出抵抗パターン
部を酸化破壊させ断線 ゛状態とする（第３図
）。次に基板全体にスパッタリング法によシニクロム合
金、パラジューム及び金からなる上部電極用金属膜７を
付着せしめ、前記酸化破壊部を導通させるべく公知の７
オトエツチング技術で形成しく第９ 図）、コンデンサ
及び抵抗を含む回路網を得る。最後に大気中で安定化熱
処理？施した後、レーザトリミング法にょｐ抵抗値の調
節を行う。
程に於ける断面図である。充分に洗浄された部分ダレー
ズ絶縁基板１上にスパッタリング法によシタンタル系薄
膜２を約４００ＯＡの厚さに形成する（第１図）。次に
公知のフォトエツチング法に基づいてタンタル系薄膜２
をエツチング液、所望のコンデンサパターンを形成する
（第２図）。次にボージ型フォトレジスト３例えば東京
応化製のＯＦ’ＰＲ−７ＲＦを約１２〜１５μｍ塗布し
た後、赤外線乾燥炉中で１００℃、３０分のプリベーク
をし、該レジスト膜を、選択的に露光し、現像液例えば
東京応化製０ＦＰＲ，−７Ｒを用いて、感光部を溶解し
、誘電体となるべきタンタル系薄膜が露出するべき所望
とするレジストパターンを形成する（第３図）。次に前
記基板を０．０１９６クエン酸溶液中１５０Ｖ、１０分
の定電圧化成条件で陽極酸化することによシ肪電体とな
るべき箇所に酸化膜を形成し、メンタルエツチング液の
エツチングストップ層４を形成する（第４図）。次にス
パッタリング法によシ抵抗体用タンタル系薄膜５を約３
０ＯＡ基板上全面に付着せしめ（第５図）、フッ酸、硝
酸混合溶液を用い選択エツチングで所望とする抵抗体パ
ターンを形成する（第６図ン。次にエツチングストップ
層形成方法と同条件でエツチングストップ層表面と更に
、陽極酸化用導通回路パターンと接続している抵抗パタ
ーンの接続部近傍の該抵抗パターン表面を約４０μ程度
露出したレジストパターン３を形成しく第７図）、再度
０．０１％クエン酸溶液中２００Ｖ、２時間の定電圧化
成条件で陽極酸化することによりエツチングストップ層
上に陽極酸化を施し、陽極酸化膜６を形成すると共に、
陽極酸化開始と同時にエツチングストップ層のない上記
露出抵抗パターン部に前記エツチングストップ層生成条
件の電圧が急激にかかることによシ該露出抵抗パターン
部を酸化破壊させ断線 ゛状態とする（第３図
）。次に基板全体にスパッタリング法によシニクロム合
金、パラジューム及び金からなる上部電極用金属膜７を
付着せしめ、前記酸化破壊部を導通させるべく公知の７
オトエツチング技術で形成しく第９ 図）、コンデンサ
及び抵抗を含む回路網を得る。最後に大気中で安定化熱
処理？施した後、レーザトリミング法にょｐ抵抗値の調
節を行う。
以上の如く、本発明の方法によれば陽極酸化用導通回路
パターンに接続している抵抗パターンは、接続部近傍を
陽極化成開始と同時に集中電圧を急激にかけ破壊断線さ
せることで該抵抗パターンは化成液リークでの断憩又は
ビンホール不良が皆無となｐｌ しかも上部電極膜のパ
ターン形成の際、断線部の接続は容易であシ何んら品質
の変わらぬ信頼性の優れた混成集積回路の製造が可能と
なる。
パターンに接続している抵抗パターンは、接続部近傍を
陽極化成開始と同時に集中電圧を急激にかけ破壊断線さ
せることで該抵抗パターンは化成液リークでの断憩又は
ビンホール不良が皆無となｐｌ しかも上部電極膜のパ
ターン形成の際、断線部の接続は容易であシ何んら品質
の変わらぬ信頼性の優れた混成集積回路の製造が可能と
なる。
又、微細化及び小型化に伴う抵抗回路網の設計も容易と
なる。
なる。
第１図から第（ロ）図は本発明の詳細な説明する為の混
成集積回路の製造工程の断面図である。 尚、図に於いて、１・・・・・・部分ダレーズセラミッ
ク基板、２・・・・・・タンタル系薄膜、３・・・・・
・ポジ型フォトレジスト、４・・・・・・エツチングス
トップ層、５・・・・・・抵抗体用タンタル薄膜、６・
・・・・・陽極酸化膜、７・・・・・・ニクロム、 ）
’ｄ 、 ｋｕ購成膜でめる。
成集積回路の製造工程の断面図である。 尚、図に於いて、１・・・・・・部分ダレーズセラミッ
ク基板、２・・・・・・タンタル系薄膜、３・・・・・
・ポジ型フォトレジスト、４・・・・・・エツチングス
トップ層、５・・・・・・抵抗体用タンタル薄膜、６・
・・・・・陽極酸化膜、７・・・・・・ニクロム、 ）
’ｄ 、 ｋｕ購成膜でめる。
Claims (1)
- 絶縁基板上にＲＣ回路を形成する上で、コンデンサーと
なるべき所望パターン部を７オトレジスト処理で選択的
に酸性溶液中で陽極酸化させる工程に於いて、該陽極酸
化用導通回路に接続された抵抗回路網の接続部近傍を局
部的に露出させることを特徴とした混成集積回路の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58019220A JPS59144164A (ja) | 1983-02-08 | 1983-02-08 | 混成集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58019220A JPS59144164A (ja) | 1983-02-08 | 1983-02-08 | 混成集積回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59144164A true JPS59144164A (ja) | 1984-08-18 |
Family
ID=11993280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58019220A Pending JPS59144164A (ja) | 1983-02-08 | 1983-02-08 | 混成集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59144164A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0648974U (ja) * | 1992-12-16 | 1994-07-05 | 小原株式会社 | 溶接機用加圧シリンダにおける緩衝装置 |
-
1983
- 1983-02-08 JP JP58019220A patent/JPS59144164A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0648974U (ja) * | 1992-12-16 | 1994-07-05 | 小原株式会社 | 溶接機用加圧シリンダにおける緩衝装置 |
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