JPS5914543B2 - プラズマデポジション装置 - Google Patents

プラズマデポジション装置

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JPS5914543B2
JPS5914543B2 JP6024976A JP6024976A JPS5914543B2 JP S5914543 B2 JPS5914543 B2 JP S5914543B2 JP 6024976 A JP6024976 A JP 6024976A JP 6024976 A JP6024976 A JP 6024976A JP S5914543 B2 JPS5914543 B2 JP S5914543B2
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JP
Japan
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plasma
plasma deposition
reaction
gases
present
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JP6024976A
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JPS52143980A (en
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正彦 中前
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NEC Corp
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Nippon Electric Co Ltd
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/507—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using external electrodes, e.g. in tunnel type reactors

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は複数の元素をプラズマ反応により所定の膜を所
定基板七に形成するプラズマデポジシヨ Ｉンさせる事
のできる装置に関するものである。
従来プラズマデポジション装置においては、第１図に示
す様に予め混合された原料ガス１１が反応室１２内に導
入され、反応室１２内で高周波コイル１３によりプラズ
マ化されて所定の反応物が生成し、これを所定の基板の
表面に成長せしめろものであつた。すなわち第１図にお
いて、予め混合された複数の原料ガス１１、例えばシラ
ンとアンモニウムガスが反応室１２内に導入され、高周
波コイル電極１３（これは容量型電極でも同じ）により
プラズマ化される。ここで、プラズマ化する場所と化学
反応を起す場所が同−領域であるため反応生成物はプラ
ズマ中の荷電粒子の照射損傷の影響を受けていろ。この
損傷は反応直後の生成物がかなり微細な粒子であるため
にその影響は非常に大きく作用する。この様な損傷を受
けた反応生成物を所定基板例えば支持台１６の上に置か
れた半導体素子基板の表面に被着させた場合、正常な形
成膜としての特性は得られなくなる。本発明の目的は上
述した欠点を解消した荷電粒子の影響を受けることなく
均一で損傷あるいは欠陥のないプラズマ反応による生成
物による膜を形成することのできろプラズマデポジショ
ン装置を提供することである。
すなわち本発明によるプラズマデポジション装置は複数
のガスをそれぞれ個々にプラズマ化させ０ た後、それ
ぞれのプラズマ化したガスを相互に反応させて所定の反
応生成物を生ぜしめて所定基板七に形成せしめることを
特徴とするものである。
あるいは本発明によるプラズマデポジション装置は反応
室にそれぞれ異なるガスの流入管を接続し、５ それぞ
れのガスの流入管にガスをプラズマ化する手段を付与し
たことを特徴とするものである。次に本発明の一実施例
を第２図を参照して説明する。本実施例ではシランとア
ンモニウムガスを用いて半導体基板上にプラズマ反応に
よ沙窒化シ’０ リコン膜を形成する場合について説明
する。第２図に示されている如く反応室２４はシランガ
ス２１とアンモニウムガス２２を個々に流入せしめる流
入管、２１’、２２’が接続し、この流入管２１’、２
２’は反応室に近（・部分にガスのプラズマフ５ 化す
る手段として高周波コイル２３が設けられている。高周
波コイル２３によりそれぞれプラズマ化したシランガス
２１とアンモニウムガス２２は反応室２４に導かれて相
互に反応して窒化シリコンとなＶ）シャッタ２８が開か
れることにより、’１０主真空室２５内にサンプル移動
レール２６に取わつけられて移動しうるサンプル支持台
２Ｔ上に置かれた半導体基板３０上に窒化シリコン膜が
形成される。このように構成されたプラズマデポジショ
ン装置においてはプラズマ中の荷電粒子の分布９５は実
質的にプラズマ発生部、すなわち流入管２１’、２２’
の内部の高周波コイル２３近傍の部分に局在し、反応室
２４内領域までは広がつていない。すＡりなわち本発明
では、プラズマ励起により個々にラジカル化した中性分
子のみを荷電粒子の存在する場所から遠ざけて反応室２
４内で合流反応させ、従つて反応生成物粒子自身に荷電
粒子の影響による損傷を含まない状態で反応室２４内で
反応させこれを基板上に堆積させることである。
すなわち本発明は複数種類のガスを個々に流入管２１２
２′内でそれぞれプラズマ化させ、ラジカル粒子を実質
的に荷電粒子の存在しない場所までそれぞれ輸送し２た
後に合流させて反応させる事である。このように本発明
は複数種類のガスをプラズマ化させる場所と反応させる
場所とを分離させ、反応させる場所には荷電粒子が存在
しないようにしたことである。従つて反応室２４内のプ
ラズマ化されたガスは相互に反応し、かかる反応生成物
は荷電粒子の影響を受けることなく所定物七に膜を形成
することができ、かつその膜は損傷のない、均一で安定
したものとして形成できる。なお本発明は七述した実施
例に限定されるものではなく、要する反応させるべき個
々のガスをプラズマ化した後相互に化学反応させるもの
であり、またプラズマ化する手段は高周波コイルに限定
されるものではない。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のプラズマデポジシヨン装置を示す略断面
図であり、第２図は本発明によるプラズマデポジシヨン
装置を示す略断面図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 複数種類のガスを個々にプラズマ化させる手段を有
    することを特徴とするプラズマデポジション装置。
JP6024976A 1976-05-25 1976-05-25 プラズマデポジション装置 Expired JPS5914543B2 (ja)

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JPS52143980A JPS52143980A (en) 1977-11-30
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Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4282267A (en) * 1979-09-20 1981-08-04 Western Electric Co., Inc. Methods and apparatus for generating plasmas
JPS59148326A (ja) * 1983-02-14 1984-08-25 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｃｖｄ薄膜製造方法
JPS6042765A (ja) * 1983-08-17 1985-03-07 Canon Inc 堆積膜形成法
DE3429899A1 (de) * 1983-08-16 1985-03-07 Canon K.K., Tokio/Tokyo Verfahren zur bildung eines abscheidungsfilms
JPS6041047A (ja) * 1983-08-16 1985-03-04 Canon Inc 堆積膜形成法
JPS6043489A (ja) * 1984-07-04 1985-03-08 Hitachi Ltd 分子線堆積装置
JPS6188521A (ja) * 1984-10-08 1986-05-06 Canon Inc 堆積膜形成法
JPS61183924A (ja) * 1985-02-09 1986-08-16 Canon Inc 堆積膜形成法
JPH0712027B2 (ja) * 1985-02-12 1995-02-08 キヤノン株式会社 光起電力素子の製造方法
JPS61184817A (ja) * 1985-02-12 1986-08-18 Canon Inc 堆積膜形成法
JPH0712028B2 (ja) * 1985-02-18 1995-02-08 キヤノン株式会社 光起電力素子の製造方法
JPS61189626A (ja) * 1985-02-18 1986-08-23 Canon Inc 堆積膜形成法
JPS61189625A (ja) * 1985-02-18 1986-08-23 Canon Inc 堆積膜形成法
JPS61190924A (ja) * 1985-02-19 1986-08-25 Canon Inc 堆積膜形成法
JPS61189629A (ja) * 1985-02-18 1986-08-23 Canon Inc 堆積膜形成法
JPS61190925A (ja) * 1985-02-19 1986-08-25 Canon Inc 堆積膜形成法
JPS61191024A (ja) * 1985-02-20 1986-08-25 Canon Inc 堆積膜形成法
JPS61194711A (ja) * 1985-02-22 1986-08-29 Canon Inc 堆積膜形成法
JPS61191021A (ja) * 1985-02-20 1986-08-25 Canon Inc 堆積膜形成法
JPS61191022A (ja) * 1985-02-20 1986-08-25 Canon Inc 堆積膜形成法
JPS61193430A (ja) * 1985-02-21 1986-08-27 Canon Inc 堆積膜形成法
JPS61198621A (ja) * 1985-02-27 1986-09-03 Canon Inc 堆積膜形成法
JPS61196518A (ja) * 1985-02-26 1986-08-30 Canon Inc 堆積膜形成法
JPS61194818A (ja) * 1985-02-25 1986-08-29 Canon Inc 堆積膜形成法
JPS61193431A (ja) * 1985-02-21 1986-08-27 Canon Inc 堆積膜形成法
JPS61193425A (ja) * 1985-02-21 1986-08-27 Canon Inc 堆積膜形成法
JPS61193429A (ja) * 1985-02-22 1986-08-27 Canon Inc 堆積膜形成法
JPS61194709A (ja) * 1985-02-22 1986-08-29 Canon Inc 堆積膜形成法
JPS61198618A (ja) * 1985-02-28 1986-09-03 Canon Inc 堆積膜形成法
JPS61194819A (ja) * 1985-02-25 1986-08-29 Canon Inc 堆積膜形成法
JPS61194710A (ja) * 1985-02-22 1986-08-29 Canon Inc 堆積膜形成法
JPS61194820A (ja) * 1985-02-25 1986-08-29 Canon Inc 堆積膜形成法
JPS61196520A (ja) * 1985-02-26 1986-08-30 Canon Inc 堆積膜形成法
JPS61276977A (ja) * 1985-05-30 1986-12-06 Canon Inc 堆積膜形成法
JPH0817159B2 (ja) * 1985-08-15 1996-02-21 キヤノン株式会社 堆積膜の形成方法

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