JPS59146433A - 磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS59146433A JPS59146433A JP58020622A JP2062283A JPS59146433A JP S59146433 A JPS59146433 A JP S59146433A JP 58020622 A JP58020622 A JP 58020622A JP 2062283 A JP2062283 A JP 2062283A JP S59146433 A JPS59146433 A JP S59146433A
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- Japan
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- magnetic
- melting point
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- substrates
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/147—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive with cores being composed of metal sheets, i.e. laminated cores with cores composed of isolated magnetic layers, e.g. sheets
- G11B5/1475—Assembling or shaping of elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
産業上の利用分野
本発明は基板間に磁ダ４−合金金゛リーンドイノチじ／
ｈ形の磁気ヘッド金精度よく量産でさる磁気ヘッドの製
造方法に関するものである。 従来例の構成どその問題点 近年、磁気記録の分野では篩密度記録化が進み、磁気テ
ープの抗磁力Ｈａ が次第に増大しつつある。 一方、磁気ヘッドでは精密加工に適し、１だ耐摩耗性の
優れたフェライトヘッドがこれ寸で用いられてきたこと
は周知のことである。 しかし、最近蒸着ビテオテープあるいに、合金粉末テー
プのごとくその抗磁力がそれぞれ８５０〜１００００ｅ
および１３６００ｅにも達しており、フェライトでは記
録の限界に達し、磁気コアの磁気ｆ−包イ１１が生じて
いる１、 そのため特に合金粉末テープのとと（Ｈｃ ＝１３５０
０ｅ 程度の磁気テープに対してはメタルヘッド金用
いることが提案されている。しかしメタルヘッドの場合
、フェライトヘッドに比べてヘッド摩耗量が極めて多く
、その実用化が困難であった。それを解決する一つの方
法として、メタルの磁気コア全耐摩耗性の犬なる基板に
よってザンドイノチした形のヘッドが開発されつつある
。 これ寸で提案されているものの一例として、以下に述べ
るようにアモルファス砒性合金あるいけセンダスト薄帯
を基板ではさみこんだ形のへノドがある。 第１図〜第３図を用いて、超急冷法などで製〕告したア
モルファス薄帯音用いたイ１゛仔気ヘッドの場合につい
て述べる。 図において、１，３は非磁性のガラス、ガラスセラミッ
ク、フェライト等の基板であり、これらで手記アモルフ
ァス薄帯２を低融点ガラス等の接着層４を介してはさみ
こみ、バー状の第一のブロック５を形成する。次に第１
のブ［］ツク６の？ｊ４数個を低融点ガラス等の接着層
４′を介して（Ｖ＜層し、第２のブロック６を形成する
（第２図）。形成した第２のブロック６を、積層した第
１のブロック５の厚み方向７および８（で切断し、一対
のコア半体ブロック９，１ｏを作る。 次に、コア半体９−にに巻線溝１２を入れだ後、両コア
半休ブロック９，１０の突合せ面金研摩し、８１０２
などの非磁性のギャップスペ−→）−全ス・々ツタ蒸
着などの手段によって形成する。その後側コア半体ブロ
ック９．１０（ｆ突合わせて低融点ガラス１２によって
接着するものである（第３図）。 アモルファス磁性４ｇ料には結晶化７品度があり、その
温ＩＷ以１−に加熱すると結晶化して非（ｉＦｉ ｌ’
ｌ：になることはよく知られていることである。普通結
晶化温度が、例えば５３０℃であっても、磁気特性を劣
化させずに１−記ガラス接着を行なうには、４ ｓ ｏ
’ｃ以下の低い温度で実施する心安がある。 したがって、Ｌ記製造方法では、二つの低融点ガラス金
柑いた。しかし初めに用いた低融点ガラス４．４′が一
対の二１ア半体ケ突合」−Ｊ−る］伶Ｖこ用いるカラス
すなわち低融点ガラス１２を溶かす際に再び４８００以
下の幅１川を加２−る／こめ、溶けてツノラス層の厚み
が変化し、突合わぜ而！１−！ｊ ｔてアモルファス薄
帯と基板等の間に凹凸が生じ、Ｉ’？を度の良いギＶツ
ブが形５父できない。寸プζトラック幅方向のずれが生
じ、４′々ＩＷのよいトラック幅が規制できないなどの
太さな欠点があった。特にアモルファス薄帯の両側に低
融点ガラスが配置されているため、その現象が著しく生
じやすい。 寸だ積層するだめの低融点ガラス層４，４′とＡ′ヤノ
プ形成時の低融点ガラス１２との融点、軟化点などの差
を大さくする、つ寸りガラス−４，４′として低ｌ融点
ガラス１２より１触点の高いガラスを用いることも考え
られる。ところが、４８０ ’ＣＪυ、−Ｆでギャップ
形成する低融点ガラス１２を加熱する際に、ガラス４．
４′がゆる１ないほど差をつけることはほとんど不可能
に近い。 発明の１］的 本発明は金属磁性体を基板の間にはさみこむよつにして
形成した磁気ヘッド孕梢度よく、：ｊ１産的に製造する
ことのでさる方法全提供すること全１］的とする。 発明の構成 本発明は、基板上にスパッタ蒸着等の手段によって形成
した磁件合＠拐刺を低融点ガラス等の接着層を介しても
つ一つ基板ではさみこんだ形のフ゛ロックを複数個積層
し、そのブロックの厚み方向に切断して形成したコア半
休ブロックと他の板状ブロックとをレザーなどによる局
部的加熱によりＷ根回」−全溶着し−あるい（ｆ：１高
融点ガラス金溶融し２て接合寸−ることしてより、ギヤ
ノブ形成時の加熱の際、１−記低融点ガう・スのゆるみ
（／こよ一不生ずるギ英 ４〕 八・ノブ形成およびトラック什合ｌ尤ｒｆｆ Ｉｇｌの
劣化丘−太１１１（Ｃ改善しまたも（Ｚ）である。 実如１イｌ１１の説明 苧、４図〜第８図企用いて本発明の実施例の−ｊ）法ｔ
１４ついて訓１．明−４〜る３、 第４図１６１−ｊ′十！
ｈ形の磁気ヘッド金精度よく量産でさる磁気ヘッドの製
造方法に関するものである。 従来例の構成どその問題点 近年、磁気記録の分野では篩密度記録化が進み、磁気テ
ープの抗磁力Ｈａ が次第に増大しつつある。 一方、磁気ヘッドでは精密加工に適し、１だ耐摩耗性の
優れたフェライトヘッドがこれ寸で用いられてきたこと
は周知のことである。 しかし、最近蒸着ビテオテープあるいに、合金粉末テー
プのごとくその抗磁力がそれぞれ８５０〜１００００ｅ
および１３６００ｅにも達しており、フェライトでは記
録の限界に達し、磁気コアの磁気ｆ−包イ１１が生じて
いる１、 そのため特に合金粉末テープのとと（Ｈｃ ＝１３５０
０ｅ 程度の磁気テープに対してはメタルヘッド金用
いることが提案されている。しかしメタルヘッドの場合
、フェライトヘッドに比べてヘッド摩耗量が極めて多く
、その実用化が困難であった。それを解決する一つの方
法として、メタルの磁気コア全耐摩耗性の犬なる基板に
よってザンドイノチした形のヘッドが開発されつつある
。 これ寸で提案されているものの一例として、以下に述べ
るようにアモルファス砒性合金あるいけセンダスト薄帯
を基板ではさみこんだ形のへノドがある。 第１図〜第３図を用いて、超急冷法などで製〕告したア
モルファス薄帯音用いたイ１゛仔気ヘッドの場合につい
て述べる。 図において、１，３は非磁性のガラス、ガラスセラミッ
ク、フェライト等の基板であり、これらで手記アモルフ
ァス薄帯２を低融点ガラス等の接着層４を介してはさみ
こみ、バー状の第一のブロック５を形成する。次に第１
のブ［］ツク６の？ｊ４数個を低融点ガラス等の接着層
４′を介して（Ｖ＜層し、第２のブロック６を形成する
（第２図）。形成した第２のブロック６を、積層した第
１のブロック５の厚み方向７および８（で切断し、一対
のコア半体ブロック９，１ｏを作る。 次に、コア半体９−にに巻線溝１２を入れだ後、両コア
半休ブロック９，１０の突合せ面金研摩し、８１０２
などの非磁性のギャップスペ−→）−全ス・々ツタ蒸
着などの手段によって形成する。その後側コア半体ブロ
ック９．１０（ｆ突合わせて低融点ガラス１２によって
接着するものである（第３図）。 アモルファス磁性４ｇ料には結晶化７品度があり、その
温ＩＷ以１−に加熱すると結晶化して非（ｉＦｉ ｌ’
ｌ：になることはよく知られていることである。普通結
晶化温度が、例えば５３０℃であっても、磁気特性を劣
化させずに１−記ガラス接着を行なうには、４ ｓ ｏ
’ｃ以下の低い温度で実施する心安がある。 したがって、Ｌ記製造方法では、二つの低融点ガラス金
柑いた。しかし初めに用いた低融点ガラス４．４′が一
対の二１ア半体ケ突合」−Ｊ−る］伶Ｖこ用いるカラス
すなわち低融点ガラス１２を溶かす際に再び４８００以
下の幅１川を加２−る／こめ、溶けてツノラス層の厚み
が変化し、突合わぜ而！１−！ｊ ｔてアモルファス薄
帯と基板等の間に凹凸が生じ、Ｉ’？を度の良いギＶツ
ブが形５父できない。寸プζトラック幅方向のずれが生
じ、４′々ＩＷのよいトラック幅が規制できないなどの
太さな欠点があった。特にアモルファス薄帯の両側に低
融点ガラスが配置されているため、その現象が著しく生
じやすい。 寸だ積層するだめの低融点ガラス層４，４′とＡ′ヤノ
プ形成時の低融点ガラス１２との融点、軟化点などの差
を大さくする、つ寸りガラス−４，４′として低ｌ融点
ガラス１２より１触点の高いガラスを用いることも考え
られる。ところが、４８０ ’ＣＪυ、−Ｆでギャップ
形成する低融点ガラス１２を加熱する際に、ガラス４．
４′がゆる１ないほど差をつけることはほとんど不可能
に近い。 発明の１］的 本発明は金属磁性体を基板の間にはさみこむよつにして
形成した磁気ヘッド孕梢度よく、：ｊ１産的に製造する
ことのでさる方法全提供すること全１］的とする。 発明の構成 本発明は、基板上にスパッタ蒸着等の手段によって形成
した磁件合＠拐刺を低融点ガラス等の接着層を介しても
つ一つ基板ではさみこんだ形のフ゛ロックを複数個積層
し、そのブロックの厚み方向に切断して形成したコア半
休ブロックと他の板状ブロックとをレザーなどによる局
部的加熱によりＷ根回」−全溶着し−あるい（ｆ：１高
融点ガラス金溶融し２て接合寸−ることしてより、ギヤ
ノブ形成時の加熱の際、１−記低融点ガう・スのゆるみ
（／こよ一不生ずるギ英 ４〕 八・ノブ形成およびトラック什合ｌ尤ｒｆｆ Ｉｇｌの
劣化丘−太１１１（Ｃ改善しまたも（Ｚ）である。 実如１イｌ１１の説明 苧、４図〜第８図企用いて本発明の実施例の−ｊ）法ｔ
１４ついて訓１．明−４〜る３、 第４図１６１−ｊ′十！
【−ノアス薄イｆ；４・用いた
」烏合ン畳体（−１いる１、 ；’Ｐ、 ＜ ｌ゛７！ｌ （ｔこ示すごと（ＺＪ ＝
７）−ｔ−ｉ−ｉ’イ（，９，１（Ｂ；１／合４−るｌ
゛〕、ｒｉｉＪ ｔ／ｉ７、ぞフ１らの突合イ）−）ス
［白１１１と平７１なもつ 一方の面して第３のゾＯツ
ク１３￥・押１−．． ＃）Ｃ５し／ザー発振器１４よ
りしＭ−ビート化゛コア半休９゜１０のノ、財反１．３
と第３のフ゛Ｖ】ツク１３とＶＣＨ邑射して溶融せしめ
、局部的（ｌこ位置１５て溶着さぜる５、ζノロ）了−
しルーノアスそ８・ｌＪＩ合金の［間合に（・ま、高ｉ
７！ｌ’ｔｌｌ（Ｘならない士９に短１情間て実屏（１
「ることが学才しい（、 寸だ溶着する基板と１２てツノラスセラミック（感毘′
［４１ヅノラス）乞・Ｊ目いた０、以トロｒ）よつに処
Ｊ！Ｉ臼、た後コア下体９，１００突合わせ佑１１１ヒ
（て５１０２ をスパッタ蒸着に−Ｌ −） −ｃ設
け／ζ−労、両コア半休９，１０４突合わせ−、イＩ（
鳴１１；点カラス１２を溶融する／こめ４８０″に近傍
１で力ｊ１熱して、接着さ＋！：／こ。この用台 ダ・
１の：！ア゛１′休９゜１０と第３の板状ブロック１３
の押しあてる而を）、ｈｖｘ ＋ｒｙよく伺Ｉけること
が低融点ガーラスのゆイ、み（・（よる桔１片劣化の［
クツｊｌｌ−に刈して効果的（で作用１５、実用１はと
んど問題ない棺１ｆｉ＝で餡、気へ１１′を製造できろ
ことかば）か−・／：Ｚ（＋ ｌ記で（１）低１価点
ノノノス層（・１２１１ｍ以下の薄い層であるため、−
ｊ′（−ルーツノ・区＞ｊｌＸ帯が氏面張ブ月でよ−っ
て動きにぐい状態にな−・でいるものと考えられる。 （欠（′こさしく／こ、ギャノフ゛ギ青度およびｌ−’
う、・り幅の位１６決めのイ”４度をあける／ζめにＣ
；」、低ｔｉｄＢ点ガラス層のゆるみ（・ζ関係ない構
造をとれは−しい。 この／こめ（／こは第５１ン１（′こ示すよりに基イ反
−１１６にスハノ′り蒸着、ｘ着、イオンブレーディン
ダ、メッキ等の手段によって、アモルファス磁↑イト合
金膜１７％）ｉｌｊ狗戊し、／（ものを用いる。 （−〇か（′−）は前１ノーｆ’ｓと同様ＶＣもう１つ
の基板１８で一リントイ ノチし７ブと形に形成した第
１のフ：ロソク全腹数詞（７（層して第２のグロックＳ
？製造する１、第２のブ［７ノクを切断してｆ）１」□
４１りと同様に一徽−４の二Ｉア半体丘−形成←、た後
、第６図および第７図に示−ｔごと〈コア半体９，１０
の突合わぜ面１１．：Ｉ−］′イＪな仙の而、もし７く
はＩＡＥ： １ｔｒ１（て、第３のブロック１３１に−
ぐ；１同１９を押し２ｋ・ててレザーＶ′Ｃより、基板
１６゜１８孕基板１３もしくｉｄ［ｈ１１９と溶着さゼ
る６、ζＪ’Ｌ、 ｔ／Ｃ、、ｌ、 −１１、リ、（イ
ｊス ｊ６． １８１弓 Ｉ が ・イ小化さ 才
１ ／（二／、−め、低緘点ガラス１２を溶融さ−ぼる
ための勾１１熱によ−）で／・−とλ−低融点ガラス４
．４′かゆるんだＪ−（−Ｃも、ぞオフがトラック幅の
位置合わ十Ｖ、キ＼・ノブ形成（・て（−１全く影響し
ないことが確；沼された１、４／、−こ（７’） 、ｌ
：つな溶着１役外のノｊθくとし、て、第８図Ｑ′こ１
１ミー４−ごと（；’Ｊ’、 ３のブ「１ツク１３１−
で′かつコア半休９゜１００基板１６．１８に対向−す
−る位置ＶＣ７ｉへを設けておい′て、ｒ−ｃ、に低融
点カラス１２の加熱ｌ、ｊｉ（ｔζゆる寸ない！？４．
融点ガラス２０をあらかじめ充填（７、ニーノア）１〈
体９＋１０．，１−の基板１６．１８と第３ブ１１ツク
１３とを接着する際にレリ゛−ρ高融点ガラス２０ニ照
射して局部的に加熱し２、この「６融点ガラス２０♀溶
融し７て接着１′る・。 この方法もｒｉｉＪ述の方法と同様、中めて良θｆな結
果をもｌＩＺらした３、 なお−１記低融点ガラスとして融点がアセルア１スイ］
μ〆１合（υの′１信ｌｌ１−全ｆＱなわない程１埃の
１′、′１、冒σ／Ｃ，もる′♀イ）光力うス６用い、
・その粘１埃が１０ボイス゛になる（、１７＝（／、ｊ
−４４０°（：程度であった。 ま／Ｔ、 ｉＴ＋荊点カ−ノスとして（ｆ」１０４ボ・
丁ス゛の枯ＩＵ−（／（Ｔろ−るＴ１′１Ｌ１埃ンか石
勺７００ ’（’のもの６−Ｉトｌい／こ、発明の受力
１１も ＋発明のノｊ法（／こよれ（、・」、基板間に１１狩・
１〆１−合金を゛（・１７−みこんで形成づ゛る型の（
ｊＦ＝気−＼ノドの製、く−ブノｌ去Ｈｆ（おいて、上
記基板と他の基板と舎しくｌ−雪（／こ１：る局部的な
溶着あるいは高融点カラスの溶融（・こ１］−１て接着
−Ｊ゛るので、低融点カラスのゆるみ（・こ伴つギャノ
ブ形成ｋ）るい（０１−トラックの突合わｉｌ占ＩＷの
劣化を防１１シ２、極めて良好な精度ケ有する磁気−Ｎ
、・ド全製造することができる。
」烏合ン畳体（−１いる１、 ；’Ｐ、 ＜ ｌ゛７！ｌ （ｔこ示すごと（ＺＪ ＝
７）−ｔ−ｉ−ｉ’イ（，９，１（Ｂ；１／合４−るｌ
゛〕、ｒｉｉＪ ｔ／ｉ７、ぞフ１らの突合イ）−）ス
［白１１１と平７１なもつ 一方の面して第３のゾＯツ
ク１３￥・押１−．． ＃）Ｃ５し／ザー発振器１４よ
りしＭ−ビート化゛コア半休９゜１０のノ、財反１．３
と第３のフ゛Ｖ】ツク１３とＶＣＨ邑射して溶融せしめ
、局部的（ｌこ位置１５て溶着さぜる５、ζノロ）了−
しルーノアスそ８・ｌＪＩ合金の［間合に（・ま、高ｉ
７！ｌ’ｔｌｌ（Ｘならない士９に短１情間て実屏（１
「ることが学才しい（、 寸だ溶着する基板と１２てツノラスセラミック（感毘′
［４１ヅノラス）乞・Ｊ目いた０、以トロｒ）よつに処
Ｊ！Ｉ臼、た後コア下体９，１００突合わせ佑１１１ヒ
（て５１０２ をスパッタ蒸着に−Ｌ −） −ｃ設
け／ζ−労、両コア半休９，１０４突合わせ−、イＩ（
鳴１１；点カラス１２を溶融する／こめ４８０″に近傍
１で力ｊ１熱して、接着さ＋！：／こ。この用台 ダ・
１の：！ア゛１′休９゜１０と第３の板状ブロック１３
の押しあてる而を）、ｈｖｘ ＋ｒｙよく伺Ｉけること
が低融点ガーラスのゆイ、み（・（よる桔１片劣化の［
クツｊｌｌ−に刈して効果的（で作用１５、実用１はと
んど問題ない棺１ｆｉ＝で餡、気へ１１′を製造できろ
ことかば）か−・／：Ｚ（＋ ｌ記で（１）低１価点
ノノノス層（・１２１１ｍ以下の薄い層であるため、−
ｊ′（−ルーツノ・区＞ｊｌＸ帯が氏面張ブ月でよ−っ
て動きにぐい状態にな−・でいるものと考えられる。 （欠（′こさしく／こ、ギャノフ゛ギ青度およびｌ−’
う、・り幅の位１６決めのイ”４度をあける／ζめにＣ
；」、低ｔｉｄＢ点ガラス層のゆるみ（・ζ関係ない構
造をとれは−しい。 この／こめ（／こは第５１ン１（′こ示すよりに基イ反
−１１６にスハノ′り蒸着、ｘ着、イオンブレーディン
ダ、メッキ等の手段によって、アモルファス磁↑イト合
金膜１７％）ｉｌｊ狗戊し、／（ものを用いる。 （−〇か（′−）は前１ノーｆ’ｓと同様ＶＣもう１つ
の基板１８で一リントイ ノチし７ブと形に形成した第
１のフ：ロソク全腹数詞（７（層して第２のグロックＳ
？製造する１、第２のブ［７ノクを切断してｆ）１」□
４１りと同様に一徽−４の二Ｉア半体丘−形成←、た後
、第６図および第７図に示−ｔごと〈コア半体９，１０
の突合わぜ面１１．：Ｉ−］′イＪな仙の而、もし７く
はＩＡＥ： １ｔｒ１（て、第３のブロック１３１に−
ぐ；１同１９を押し２ｋ・ててレザーＶ′Ｃより、基板
１６゜１８孕基板１３もしくｉｄ［ｈ１１９と溶着さゼ
る６、ζＪ’Ｌ、 ｔ／Ｃ、、ｌ、 −１１、リ、（イ
ｊス ｊ６． １８１弓 Ｉ が ・イ小化さ 才
１ ／（二／、−め、低緘点ガラス１２を溶融さ−ぼる
ための勾１１熱によ−）で／・−とλ−低融点ガラス４
．４′かゆるんだＪ−（−Ｃも、ぞオフがトラック幅の
位置合わ十Ｖ、キ＼・ノブ形成（・て（−１全く影響し
ないことが確；沼された１、４／、−こ（７’） 、ｌ
：つな溶着１役外のノｊθくとし、て、第８図Ｑ′こ１
１ミー４−ごと（；’Ｊ’、 ３のブ「１ツク１３１−
で′かつコア半休９゜１００基板１６．１８に対向−す
−る位置ＶＣ７ｉへを設けておい′て、ｒ−ｃ、に低融
点カラス１２の加熱ｌ、ｊｉ（ｔζゆる寸ない！？４．
融点ガラス２０をあらかじめ充填（７、ニーノア）１〈
体９＋１０．，１−の基板１６．１８と第３ブ１１ツク
１３とを接着する際にレリ゛−ρ高融点ガラス２０ニ照
射して局部的に加熱し２、この「６融点ガラス２０♀溶
融し７て接着１′る・。 この方法もｒｉｉＪ述の方法と同様、中めて良θｆな結
果をもｌＩＺらした３、 なお−１記低融点ガラスとして融点がアセルア１スイ］
μ〆１合（υの′１信ｌｌ１−全ｆＱなわない程１埃の
１′、′１、冒σ／Ｃ，もる′♀イ）光力うス６用い、
・その粘１埃が１０ボイス゛になる（、１７＝（／、ｊ
−４４０°（：程度であった。 ま／Ｔ、 ｉＴ＋荊点カ−ノスとして（ｆ」１０４ボ・
丁ス゛の枯ＩＵ−（／（Ｔろ−るＴ１′１Ｌ１埃ンか石
勺７００ ’（’のもの６−Ｉトｌい／こ、発明の受力
１１も ＋発明のノｊ法（／こよれ（、・」、基板間に１１狩・
１〆１−合金を゛（・１７−みこんで形成づ゛る型の（
ｊＦ＝気−＼ノドの製、く−ブノｌ去Ｈｆ（おいて、上
記基板と他の基板と舎しくｌ−雪（／こ１：る局部的な
溶着あるいは高融点カラスの溶融（・こ１］−１て接着
−Ｊ゛るので、低融点カラスのゆるみ（・こ伴つギャノ
ブ形成ｋ）るい（０１−トラックの突合わｉｌ占ＩＷの
劣化を防１１シ２、極めて良好な精度ケ有する磁気−Ｎ
、・ド全製造することができる。
第１図（／ｌｊ、従来の磁気コアの構成図、第２図およ
び第３図は従来の磁気へメトの製造工程図、第４図は本
発明の一実施例を説明するだめの図、第５図はこの実施
例に用いるイ１ａ気コアの構成図、第６図および第７図
と第８図とはそれぞれ本発明の他の実施例全説明するだ
めの図である。 １・・・・・・基板、２・・・アモルファス薄帯、３・
・・・°・基板、４・・・・・低融点ガラス、９・・・
コア半休ブロック、１２・・・・低融点ガラス、１３
・・−板状の第３のブロック、１６・・・・・溶着の部
分、１６．１８・・・一基板、１ア・・・・・アモルフ
ァスａ ＭＥ 膜、２０・・・・高融点ガラス。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 １′２３ 第２図 第 ３ 図 第゛５図 第６図
び第３図は従来の磁気へメトの製造工程図、第４図は本
発明の一実施例を説明するだめの図、第５図はこの実施
例に用いるイ１ａ気コアの構成図、第６図および第７図
と第８図とはそれぞれ本発明の他の実施例全説明するだ
めの図である。 １・・・・・・基板、２・・・アモルファス薄帯、３・
・・・°・基板、４・・・・・低融点ガラス、９・・・
コア半休ブロック、１２・・・・低融点ガラス、１３
・・−板状の第３のブロック、１６・・・・・溶着の部
分、１６．１８・・・一基板、１ア・・・・・アモルフ
ァスａ ＭＥ 膜、２０・・・・高融点ガラス。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 １′２３ 第２図 第 ３ 図 第゛５図 第６図
Claims (4)
- （１）基板１−に形成し２だ磁性合金膜とイ）う つの
基板とを接着層全弁して接合し７、バー状の第１のフ論
、／りを形成する工程、前記第１のブロックをその１７
み方向に複数詞積層して接着（−だ第２のグロックを作
る工程、積層した前記第１のブ［ｌｌりのＩＶみ方向（
Ｃ前記第２のプロ、／りを切断（−７７υル（（固の−
７ア゛１体プロｌり４・作る上イ“１゛、−郊１のコア
゛１′体プロ！夕の少なくとも一力に巻線溝を形成Ｌ
ｉｌ＋ ｉ・〆１．のギ＼・ノブスペーサ全弁して突合
わゼーＪ’１９合してへ７ドバープロ、ツクを形成する
上程、１１１丁記一対のコア半休ブロック２用合−する
以前（・で、少なくとも前記：１ア半休の接合面と平行
なもつ一力の面あるいは底面に第３の板状ブ「１ツクを
押（−あて、ＡｉＪ記コア半休ブロックの基板と第３の
板状ブロックとを溶着する工程、前記ヘッドバーブロッ
ク金基板の位置で切断し所定のヘッドチップを形成する
上程ケ含むことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。 - （２） コア半休ブロックと第３の板状ブロック全接
合する工程において、第３の板状ブロックの少なくとく
）前記−１ア半体ブ０ ツク伏の基板に対向する位置に
溝を設けて充填しブこ、９ｊ融点ガラス全選択的に溶融
させることを特徴とする特ｉｊ’ｌｉｉ？？求の範囲第
１項記載の磁気−・・ノドの製造方法。 - （３） ｌａ １’Ｌ合金としてアモルファス化・げ
ト合金を用いプこことを特徴とする特３′１請求の範囲
第１項記載の（１７１気へノドの製造方法。 - （４）バー状の第１のブ「ノックとしてアモルファス１
）シフ日センダスト薄帯を二つの基板でに１さみこんだ
ブロック２用いること′ｌｆ：特徴とする時Ｗ１請求の
範囲第１項記載の磁気−＼ノドの製造方法、。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58020622A JPS59146433A (ja) | 1983-02-10 | 1983-02-10 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58020622A JPS59146433A (ja) | 1983-02-10 | 1983-02-10 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59146433A true JPS59146433A (ja) | 1984-08-22 |
Family
ID=12032335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58020622A Pending JPS59146433A (ja) | 1983-02-10 | 1983-02-10 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59146433A (ja) |
-
1983
- 1983-02-10 JP JP58020622A patent/JPS59146433A/ja active Pending
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