JPS59150451A - ガラス封止型半導体装置 - Google Patents
ガラス封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPS59150451A JPS59150451A JP58024222A JP2422283A JPS59150451A JP S59150451 A JPS59150451 A JP S59150451A JP 58024222 A JP58024222 A JP 58024222A JP 2422283 A JP2422283 A JP 2422283A JP S59150451 A JPS59150451 A JP S59150451A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- groove
- semiconductor device
- recess
- peripheral edge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/60—Seals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、ガラス封止型半導体装置に関する。
（発明の技術的背景〕
従来、ガラス封止型半導体装置は、第１図に示す工うな
セラミック基板１を用い”Ｃ構成されている。セラミッ
ク基板１の中央部には、素子収容用凹部２が形成されて
Ｉ／ミる。この凹部２を囲む段部上には電極３が形成さ
れている。而して、第２図（６）に示す如く、凹部２に
所望の半導体素子４を装着して、この素子４と電極３間
に金属細線５を架設した後、凹部２を塞ぐ大きさの封止
用リッドと称ぜられる蓋体６を用意する０蓋体６の下面
の周辺部には、四部２を囲む周縁部に対応して低融点ガ
ラスからなる封止ガラス層７が形成されている。この蓋
体６を凹部２を塞ぐようにしてセラミック基板１上に衝
合し、所定温度の炉内で熱処理を施すことにより、同図
（１３）に示す如きガラス封止型半導体装置１−０が組
立てられている。
セラミック基板１を用い”Ｃ構成されている。セラミッ
ク基板１の中央部には、素子収容用凹部２が形成されて
Ｉ／ミる。この凹部２を囲む段部上には電極３が形成さ
れている。而して、第２図（６）に示す如く、凹部２に
所望の半導体素子４を装着して、この素子４と電極３間
に金属細線５を架設した後、凹部２を塞ぐ大きさの封止
用リッドと称ぜられる蓋体６を用意する０蓋体６の下面
の周辺部には、四部２を囲む周縁部に対応して低融点ガ
ラスからなる封止ガラス層７が形成されている。この蓋
体６を凹部２を塞ぐようにしてセラミック基板１上に衝
合し、所定温度の炉内で熱処理を施すことにより、同図
（１３）に示す如きガラス封止型半導体装置１−０が組
立てられている。
前述のガラス封止型半導体装置１−０では、第２図（６
）に示す如く、蓋体６と基板１との位置合わせに多くの
手間を要し、作業性が悪い０また、基板１を高い平坦度
で形成しないと、気密度を十分に高めることができない
問題があった０〔発明の目的〕 本発明は、基板に高い平坦度を要求せずに、しかも高い
気密性を保持して生産性の向−ヒを図ったがラス封止型
半導体装置を提供することをその目的とするものである
。
）に示す如く、蓋体６と基板１との位置合わせに多くの
手間を要し、作業性が悪い０また、基板１を高い平坦度
で形成しないと、気密度を十分に高めることができない
問題があった０〔発明の目的〕 本発明は、基板に高い平坦度を要求せずに、しかも高い
気密性を保持して生産性の向−ヒを図ったがラス封止型
半導体装置を提供することをその目的とするものである
。
本発明は、素子収容用四部を形成する基板の周縁部に溝
を形成し、この溝にＦ部を嵌入した封止ガラス層を介し
て基板に蓋体を取付けたことにより、基板に高い平坦度
を要求せずに、しかも高い気密性を保持して生産性の向
上を図ったガラス封止型半導体装置である。
を形成し、この溝にＦ部を嵌入した封止ガラス層を介し
て基板に蓋体を取付けたことにより、基板に高い平坦度
を要求せずに、しかも高い気密性を保持して生産性の向
上を図ったガラス封止型半導体装置である。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第３図は、本発明の一実施例のガラス封止型半導体装置
の基板部分を示す平面図である。この基板２０は、セラ
ミック等の部材で形成されている。基板２０の中央部に
は、素子収容用凹部２１が形成されでいる。この四部２
１を囲む段部２１ ’ａ Ｊ：には、所定の間隔で電極
２２が形成さｊｔ’Ｃいる。また、四部２ノを囲む基板
２０の周縁部２３の上端面２１ｂには、所定の溝深さの
溝２４が周縁部２３に沿って形成されでいる。而して、
凹部２１内には、第４図（５）に示１如く所望の半導体
素子２５が装着されでいる。
の基板部分を示す平面図である。この基板２０は、セラ
ミック等の部材で形成されている。基板２０の中央部に
は、素子収容用凹部２１が形成されでいる。この四部２
１を囲む段部２１ ’ａ Ｊ：には、所定の間隔で電極
２２が形成さｊｔ’Ｃいる。また、四部２ノを囲む基板
２０の周縁部２３の上端面２１ｂには、所定の溝深さの
溝２４が周縁部２３に沿って形成されでいる。而して、
凹部２１内には、第４図（５）に示１如く所望の半導体
素子２５が装着されでいる。
半導体素子２５と電極２２間には、金属細線２６が架設
されている０基板２０は、溝２４内に嵌入する突部２７
を形成した封止ガラス層２８を、その裏面の周囲に設け
た蓋体２９と衝合するようになっている。封止ガラス層
２８は、低融点ガラス等で形成されている。蓋体２９は
、封止ガラス層２８の突部２７を溝２４内に嵌入するよ
うにして基板２Ｑと衝合し、所定温度の熱処理によって
同図（Ｂ）に示す如く、基板２０と ・一体に固着
してガラス封止型半導体装置３−０を構成する。
されている０基板２０は、溝２４内に嵌入する突部２７
を形成した封止ガラス層２８を、その裏面の周囲に設け
た蓋体２９と衝合するようになっている。封止ガラス層
２８は、低融点ガラス等で形成されている。蓋体２９は
、封止ガラス層２８の突部２７を溝２４内に嵌入するよ
うにして基板２Ｑと衝合し、所定温度の熱処理によって
同図（Ｂ）に示す如く、基板２０と ・一体に固着
してガラス封止型半導体装置３−０を構成する。
このように構成されたガラス刺止副生導体装置ξＯによ
れば、封止ガラス層２８の突部２７と基板２０の溝２４
とを基準にして、蓋体２９と基板２０とを容易にかつ正
確に衝合させることができる。その結果、組立時の作業
性を譜しく向上させることができる。また、突部２７が
溝２４内に完全に密着した状態であれば、凹部２１内を
椅めて高い気密度に保つことができるので、基板２０の
周縁部２３の上端面２１ｂの平坦度を高くする必要がな
い。
れば、封止ガラス層２８の突部２７と基板２０の溝２４
とを基準にして、蓋体２９と基板２０とを容易にかつ正
確に衝合させることができる。その結果、組立時の作業
性を譜しく向上させることができる。また、突部２７が
溝２４内に完全に密着した状態であれば、凹部２１内を
椅めて高い気密度に保つことができるので、基板２０の
周縁部２３の上端面２１ｂの平坦度を高くする必要がな
い。
以上説明した如く、本発明に係るガラス制止型＃導体装
置によれば、基板に高い平坦度を要求ぜずに、しかも、
高い気密性を保持して生産性を同士させることができる
等顕著な効果を咬するものである。
置によれば、基板に高い平坦度を要求ぜずに、しかも、
高い気密性を保持して生産性を同士させることができる
等顕著な効果を咬するものである。
第１図は、従来のガラス封止型半導体装置の基板の平面
図、第２図（Ａ）は、同基板とこれに衝合する蓋体の関
係を示すＷ１面図、同図（Ｂ）は、従来のガラス封止型
半導体装置の断面図、第３図は、本発明の一実施例のガ
ラス封止型半導体装置、の基板の平■］図、第４図い）
は、同基板とこれに衝合する蓋体の関係を示す断面図、
同図（Ｂ） ｌ−ｒ本発明の一実施例の断面図である０ ２゛０・・・基板、２１・・・凹部、２１ａ・・・段部
、２１ｂ・・・上端面、２２・・・電極、２３・・・周
縁部、２４・・溝、２５・・・半導体索子、２６・・金
属細線、２７・・・突部、２８・・・封止ガラス層、２
９・・・蓋体、３θ・・・ガラス封小型半導体装置２゜
出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 が第 １ 図 第 ３ 図 第４図
図、第２図（Ａ）は、同基板とこれに衝合する蓋体の関
係を示すＷ１面図、同図（Ｂ）は、従来のガラス封止型
半導体装置の断面図、第３図は、本発明の一実施例のガ
ラス封止型半導体装置、の基板の平■］図、第４図い）
は、同基板とこれに衝合する蓋体の関係を示す断面図、
同図（Ｂ） ｌ−ｒ本発明の一実施例の断面図である０ ２゛０・・・基板、２１・・・凹部、２１ａ・・・段部
、２１ｂ・・・上端面、２２・・・電極、２３・・・周
縁部、２４・・溝、２５・・・半導体索子、２６・・金
属細線、２７・・・突部、２８・・・封止ガラス層、２
９・・・蓋体、３θ・・・ガラス封小型半導体装置２゜
出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 が第 １ 図 第 ３ 図 第４図
Claims (1)
- 素子収容用四部を有する基板と、該凹部内に固着された
半導体素子と、該凹部を囲む前記基板の周縁部の上端面
に形成された溝と、該溝内に下部を嵌入し上部を前記上
端面上に形成した封止ガラス層と、該封止ガラス層を介
して前記四部を塞ぐようにして前記基板に取付けられた
蓋体とを具備することを特徴とするガラス封止型半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58024222A JPS59150451A (ja) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | ガラス封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58024222A JPS59150451A (ja) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | ガラス封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59150451A true JPS59150451A (ja) | 1984-08-28 |
Family
ID=12132250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58024222A Pending JPS59150451A (ja) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | ガラス封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59150451A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6662426B2 (en) | 2000-06-30 | 2003-12-16 | Enshu Co. Ltd. | Method for manufacturing loop hanger for seat belt |
| US7358482B2 (en) * | 2005-04-29 | 2008-04-15 | Sigurd Microelectronics Corp. | Packaging structure of a light-sensing element and fabrication method thereof |
-
1983
- 1983-02-16 JP JP58024222A patent/JPS59150451A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6662426B2 (en) | 2000-06-30 | 2003-12-16 | Enshu Co. Ltd. | Method for manufacturing loop hanger for seat belt |
| US6964084B2 (en) | 2000-06-30 | 2005-11-15 | Enshu Co., Ltd. | Loop hanger for seat belt |
| US7358482B2 (en) * | 2005-04-29 | 2008-04-15 | Sigurd Microelectronics Corp. | Packaging structure of a light-sensing element and fabrication method thereof |
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