JPS607384B2 - ガラス封止型半導体装置 - Google Patents

ガラス封止型半導体装置

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Publication number
JPS607384B2
JPS607384B2 JP14776776A JP14776776A JPS607384B2 JP S607384 B2 JPS607384 B2 JP S607384B2 JP 14776776 A JP14776776 A JP 14776776A JP 14776776 A JP14776776 A JP 14776776A JP S607384 B2 JPS607384 B2 JP S607384B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
glass
semiconductor device
sealed semiconductor
sealing layer
sealed
Prior art date
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Expired
Application number
JP14776776A
Other languages
English (en)
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JPS5372459A (en
Inventor
英治 山本
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPS5372459A publication Critical patent/JPS5372459A/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体べレットを収納したセラミックのベー
スとカバーとの接合面をガラス封止するとともに、一端
側を前記半導体べレットに電気的に接続したりードフレ
ームの池端を前記接合面を通して外部に導出する構成の
ガラス封止型半導体装置に関するものである。
この種のガラス封止型半導体装置においては、従来、セ
ラミック接合面の全面にガラス封止層を形成している。
しかるに、このような封止構成による場合、リードフレ
ームとガラス封止層の熱膨張係数の違いにより、特に多
ピンのものにおいてクラックを生じ易いという欠点があ
った。クラックの発生は封止を破ることにつながり、半
導体装置の劣化を早める原因となるので、好ましくない
。本発明の目的は、多ピンのものにおいても、リードフ
レームとガラス封止層の熱膨張係数の違いによるクラッ
クを起しにくいガラス封止型半導体装置を提供すること
にある。
本発明は、リードフレームとガラス封止層との接触面積
が大きければ大きい程熱膨張係数の違いによる接触部の
ストレスが大きくなることから、リードフレームの強度
および封止効果を損わない程度にリードフレームとガラ
ス封止層との接触面積をできるだけ少なくすればよいと
の考えに基づいて、ガラス封止層を、セラミックベース
とカバーとの接合面の全面に施すことなく、主として半
導体べレット配置部の周辺部と接合面の外周綾部にのみ
施すことによって上記目的を達成したものである。
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
図は本発明による半導体装置の一製造過程の状態を示す
ものである。
11はセラミックベースである。
このベース11の中央凹所12内に図示していない半導
体べレットが収納されらる。半導体べレットにはリード
フレ−ム13が電気的に接続され、ベース11の上面に
沿って配置されて外部に導出される。ベース11の上面
には半導体べレットを収納した中央凹所12の周辺部と
外周緑部のみに比較的狭い幅で全周につながるガラス封
止層16,17が施され、そのほかは必要に応じて適当
に点状のガラス層18が点在するだけで、残りの部分に
はガラス封止層は施されない。このようなベース1 1
上にこれとほぼ同一平面形状を特つ図示していないセラ
ミックカバーが被されて所期のガラス封止型半導体装置
が完成される。このような構成による場合、ガラス封止
層16,17は共に封止作用を果たすのはもちろんであ
るが、どちらかと言えば封止作用は主として内側の封止
層16が受持ち、外側の封止層17は主としてリードフ
レーム13を所定位置に押えておくのに役立つ。また、
ガラス層18は主としてスベーサとして作用する。以上
の構成による本発明の半導体装置は図からもよく分るよ
うにリードフレーム13とガラス封止層16,17との
接触面積が可及的に減少されるので、両者の熱膨張係数
の違いによるクラックは著しく生じにくくなる。
したがって例えば数十ピン以上もの多ピン化も可能とな
る。
【図面の簡単な説明】
図は本発明によるガラス封止型半導体装置の一実施例の
一製造過程における状態を示す斜視図である。 符号の説明、11…・・。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 半導体ペレツトを収納したセラミツクのペースとカ
    バーとの接合面をガラス封止層によってガラス封止する
    とともに、一端側を前記半導体ペレツトに電気的に接続
    したリードの他端側を前記接合面を通して外部に導出す
    るように構成されたガラス封止型半導体装置において、
    前記リードが配設される部分の前記ガラス封施層を、前
    記接合面の1部のみに形成したことを特徴とするガラス
    封止型半導体装置。
JP14776776A 1976-12-10 1976-12-10 ガラス封止型半導体装置 Expired JPS607384B2 (ja)

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JPS5372459A JPS5372459A (en) 1978-06-27
JPS607384B2 true JPS607384B2 (ja) 1985-02-23

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