JPS59189252U - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS59189252U JPS59189252U JP1983084784U JP8478483U JPS59189252U JP S59189252 U JPS59189252 U JP S59189252U JP 1983084784 U JP1983084784 U JP 1983084784U JP 8478483 U JP8478483 U JP 8478483U JP S59189252 U JPS59189252 U JP S59189252U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- island
- resin
- semiconductor equipment
- semiconductor device
- leads
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は従来の半導体装置の斜視図、第２図はその断面
図、第３図は従来の他の装置の断面図、第４図は従来の
薄型の半導体装置の断面図、第５図は本考案の一実施例
の断面図である。 １．５・・・・・・リードフレーム部分、２，６・・・
・・・ペレット、３．７・・・・・・金、アルミ等のワ
イヤ、４゜８・・・・・・樹脂、ｔ□ｖ ｔ２・・・・
・・リードフレーム上部、下部の樹脂の厚さ、ａ・・・
・・・リード部の折曲げ点、ｂ・・・・・・リードの段
差量である。
図、第３図は従来の他の装置の断面図、第４図は従来の
薄型の半導体装置の断面図、第５図は本考案の一実施例
の断面図である。 １．５・・・・・・リードフレーム部分、２，６・・・
・・・ペレット、３．７・・・・・・金、アルミ等のワ
イヤ、４゜８・・・・・・樹脂、ｔ□ｖ ｔ２・・・・
・・リードフレーム上部、下部の樹脂の厚さ、ａ・・・
・・・リード部の折曲げ点、ｂ・・・・・・リードの段
差量である。
Claims (1)
- 半導体素子を搭載するアイランドと、前記アイランド周
囲に先端が集まるように配置された複数のリードとをも
ち、前記アイランドと複数のリードを樹脂で封止した半
導体装置において、樹脂に履われた部分の前記リードを
折り曲げ、かつ折り曲げた個所よりアイランドに近い側
が樹脂厚み方向の中心部に位置するようにしたことを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983084784U JPS59189252U (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983084784U JPS59189252U (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59189252U true JPS59189252U (ja) | 1984-12-15 |
Family
ID=30214751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1983084784U Pending JPS59189252U (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59189252U (ja) |
-
1983
- 1983-06-03 JP JP1983084784U patent/JPS59189252U/ja active Pending
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