JPS59191120A - 磁気コアの製造方法 - Google Patents
磁気コアの製造方法Info
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- JPS59191120A JPS59191120A JP6519883A JP6519883A JPS59191120A JP S59191120 A JPS59191120 A JP S59191120A JP 6519883 A JP6519883 A JP 6519883A JP 6519883 A JP6519883 A JP 6519883A JP S59191120 A JPS59191120 A JP S59191120A
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- Japan
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- magnetic
- thin film
- manufacturing
- magnetic core
- substrate
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/23—Gap features
- G11B5/232—Manufacture of gap
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
不発１９Ｊは磁気コアの製造方法に係り、特ｔこトラン
ク幅と磁気キャップ幅の小さな高密度記録再生型磁気ヘ
ッドの磁気コアの製造方法（こ関する。
ク幅と磁気キャップ幅の小さな高密度記録再生型磁気ヘ
ッドの磁気コアの製造方法（こ関する。
従来技術
この種の磁気コアの従来の］１４゛造および製造方法を
第１図〜第５図に従って説明する。
第１図〜第５図に従って説明する。
第１図※こ符号ｌで示すものはフェライトまたはセンダ
スト等の軟質磁性料からなる直方体形状のインゴットで
あり、最初にこのインゴットを図中長手方向※こ沿って
切断し、研摩加工して第２図（こ示す角柱形状のブロッ
ク２を２本得る。
スト等の軟質磁性料からなる直方体形状のインゴットで
あり、最初にこのインゴットを図中長手方向※こ沿って
切断し、研摩加工して第２図（こ示す角柱形状のブロッ
ク２を２本得る。
次に第３図に示すよう（こブロック２の一方の側面なこ
長手方向に沿って長溝状の巻き線窓３を研削加工（こよ
り形成した後ζこ、磁気ギャップが後をこ形成される突
き合わせ面であるキャップ面４を研摩等で平滑に仕上げ
る。しかる後に２本の内の一方のブロック２のギャップ
面４」二Ｑ二例えはノリカ５ｉ０２等の非磁性体の薄膜
をスパッタリンダ等により所定の厚みで形成し、キャッ
プ面４を被覆する。
長手方向に沿って長溝状の巻き線窓３を研削加工（こよ
り形成した後ζこ、磁気ギャップが後をこ形成される突
き合わせ面であるキャップ面４を研摩等で平滑に仕上げ
る。しかる後に２本の内の一方のブロック２のギャップ
面４」二Ｑ二例えはノリカ５ｉ０２等の非磁性体の薄膜
をスパッタリンダ等により所定の厚みで形成し、キャッ
プ面４を被覆する。
このよう※こ形成したブロック２と突き合わせ面４Ｑこ
薄膜を形成していないフロック２′ とを第４図に示す
よう（こ、キャップ面４および突き合わせ面５で２本突
き合わせ、ギャップ面４と突き合わせ面５どうしを接着
剤あるいはガラス等で接合する。
薄膜を形成していないフロック２′ とを第４図に示す
よう（こ、キャップ面４および突き合わせ面５で２本突
き合わせ、ギャップ面４と突き合わせ面５どうしを接着
剤あるいはガラス等で接合する。
このように突き合わせたブロック２，２′ を軸方向
Ｏこ直行する方向）こ沿って所定の厚みで切断し、研摩
して仕上げ、第５図（こ示すような完成した磁気コアが
得られる。
Ｏこ直行する方向）こ沿って所定の厚みで切断し、研摩
して仕上げ、第５図（こ示すような完成した磁気コアが
得られる。
以上のようないわゆる突き合わせ法による磁気コアの製
造においては、切断、研削、研摩等の機械加工の工程を
含むため、それらの工程においてブロック２等の加工旧
料の角部等にどうしても欠けを生じ易い。また機械加工
（こよるのでトラック幅寸法となる磁気コアの厚みやギ
ャップ深さ等の仕」−げ寸法の精度には限界がある。さ
ら※こ切断や研摩加工時に加工変質層が発生し、それ（
こより完成した磁気コアの磁気特性が劣化する。
造においては、切断、研削、研摩等の機械加工の工程を
含むため、それらの工程においてブロック２等の加工旧
料の角部等にどうしても欠けを生じ易い。また機械加工
（こよるのでトラック幅寸法となる磁気コアの厚みやギ
ャップ深さ等の仕」−げ寸法の精度には限界がある。さ
ら※こ切断や研摩加工時に加工変質層が発生し、それ（
こより完成した磁気コアの磁気特性が劣化する。
以上のような問題があるため、このような突き合わせ法
（こよるとトラック幅が２０μｍ以下で磁気ギャップ幅
が０．５μｍ以下であるような高密度記録再生用磁気ヘ
ッドの磁気コアを製造することは困難であった。
（こよるとトラック幅が２０μｍ以下で磁気ギャップ幅
が０．５μｍ以下であるような高密度記録再生用磁気ヘ
ッドの磁気コアを製造することは困難であった。
以」二の問題を解決する磁気コアの構造として、非磁性
材基板の面上に高高透磁率磁性材薄膜を形成し該薄膜の
一部（こ磁気ギャップ部を形成し、その薄膜面に他の非
磁性材基板を接合した構造が提案されている。
材基板の面上に高高透磁率磁性材薄膜を形成し該薄膜の
一部（こ磁気ギャップ部を形成し、その薄膜面に他の非
磁性材基板を接合した構造が提案されている。
この構造の従来の製造方法Ｑこよれば、巻線窓を形成し
た非磁性材基板の側面」−にＦｎ−ＡＩＳ４．系磁性材
料からなる厚み３０戸以下の薄膜をスパッタリング法や
蒸着法（こより形成し、しかる後に薄膜に磁気キャップ
部を形成し、さら（こ薄膜面に他の非磁性材基板を接合
して磁気コアを得ている。
た非磁性材基板の側面」−にＦｎ−ＡＩＳ４．系磁性材
料からなる厚み３０戸以下の薄膜をスパッタリング法や
蒸着法（こより形成し、しかる後に薄膜に磁気キャップ
部を形成し、さら（こ薄膜面に他の非磁性材基板を接合
して磁気コアを得ている。
ところがこの製造工程（こおいて磁気ギャップ部の形成
力籍・ツタとなっている。というのは磁気キャップ部の
形成方法としてはイオンビームの掃射によるイオン打ち
込み法が提案されているが、その打ち込み深さは現状で
は０３μｍが限度であるのに対して薄膜の厚みすなわち
トラック幅は３０μ−程度であり、薄膜の形成の後では
その厚みの深さの３０μｍを打ち込むのは困難であるか
らである。
力籍・ツタとなっている。というのは磁気キャップ部の
形成方法としてはイオンビームの掃射によるイオン打ち
込み法が提案されているが、その打ち込み深さは現状で
は０３μｍが限度であるのに対して薄膜の厚みすなわち
トラック幅は３０μ−程度であり、薄膜の形成の後では
その厚みの深さの３０μｍを打ち込むのは困難であるか
らである。
目的
本発明は以上のような従来方法の問題点を解決するため
になされたもので、」−記の構造の磁気コアの磁気キャ
ップ部を高精度で形成することができ、トラック幅とギ
ャップ幅の小さい高密度記録再生用磁気ヘッドの磁気コ
アを高精度でかつ優れた磁気特性で製造できる製造方法
を提供することを目的とする。
になされたもので、」−記の構造の磁気コアの磁気キャ
ップ部を高精度で形成することができ、トラック幅とギ
ャップ幅の小さい高密度記録再生用磁気ヘッドの磁気コ
アを高精度でかつ優れた磁気特性で製造できる製造方法
を提供することを目的とする。
実施例
以下図面に示す実施例に基づいて本発明方法を説明する
。
。
第６図〜第１Ｏ図はそれぞれ順に本発明方法Ｑこよる製
造工程を示すものである。
造工程を示すものである。
第６図（こおいて符号６で示すものは基板で非磁性材か
ら直方体形状Ｏこ形成する。この基板の上部で、かつ磁
気記録媒体摺動面となる上端面の中央近傍（こ、超音波
加工もしくはレーザ加工（・こより円形の透孔状の巻線
窓７を形成する。
ら直方体形状Ｏこ形成する。この基板の上部で、かつ磁
気記録媒体摺動面となる上端面の中央近傍（こ、超音波
加工もしくはレーザ加工（・こより円形の透孔状の巻線
窓７を形成する。
次に第７図に符号１４で示す真空チャンバー内で」１記
の基板６の一方の側面に高透磁率磁性材の薄膜を形成す
ると同時に、薄膜に磁気ギヤノブ部を形成する。
の基板６の一方の側面に高透磁率磁性材の薄膜を形成す
ると同時に、薄膜に磁気ギヤノブ部を形成する。
この真空チャンバー１４の内部は不図示の油回転ポンプ
あるいはクライオポンプ等の排気手段によりｉｏ’Ｔｏ
ｒｒ以下の圧力にまで排気される。
あるいはクライオポンプ等の排気手段によりｉｏ’Ｔｏ
ｒｒ以下の圧力にまで排気される。
マタコの真空チキンバー１４にはイオンビームスバッタ
リングを行なうためのアルゴンイオン源９と、Ｆｎ−８
も−Ａｌ 系センダスト合金からなるターゲット１１
とが設けられている。またさらにイオン打込みを行なう
ためイオン銃１２と、基板１を加熱するためのヒータ１
５とが設けられている。
リングを行なうためのアルゴンイオン源９と、Ｆｎ−８
も−Ａｌ 系センダスト合金からなるターゲット１１
とが設けられている。またさらにイオン打込みを行なう
ためイオン銃１２と、基板１を加熱するためのヒータ１
５とが設けられている。
以上の構成の真空チャンバー１４ν長こ基板６を配置し
、内部をＩ Ｏ＝ Ｔｏｒｒ以下の圧力に排気した後、
ヒータ１５により基板６を加熱し、適当な温度に保持す
る。しかる後にアルゴンイオン源９からアルゴンイオン
ビーム１ｏをターゲットに照射することにより、ターゲ
ット１１のセンタスト合金を基板６の一方の側面」二（
こ徐々Ｇこ付着させ、薄膜の形成を行なう。
、内部をＩ Ｏ＝ Ｔｏｒｒ以下の圧力に排気した後、
ヒータ１５により基板６を加熱し、適当な温度に保持す
る。しかる後にアルゴンイオン源９からアルゴンイオン
ビーム１ｏをターゲットに照射することにより、ターゲ
ット１１のセンタスト合金を基板６の一方の側面」二（
こ徐々Ｇこ付着させ、薄膜の形成を行なう。
これと同時Ｑこイオン銃１２により酸素あるいは窒素等
のイオンビーム１３をビーム径０．５μｍ＋こぶ直線上
を適当な周期で掃射し、イオン打込みを行なう。掃射部
分（こ付着したセンタスト合金がイオンビームにより酸
化または窒化されてビーム径の０．５μｍ４こ略等しい
幅の磁気キャップ部が形成される。このイオン打ち込み
の周期はセンタスト合金の基板６への付着の厚みが打ち
込−み深さより大きくならない時間内とする。こうする
こと（こより形成されるセンダスト合金の薄膜の厚みの
全体の深さにわたってイオン打ち込みを行なうことがで
きる。
のイオンビーム１３をビーム径０．５μｍ＋こぶ直線上
を適当な周期で掃射し、イオン打込みを行なう。掃射部
分（こ付着したセンタスト合金がイオンビームにより酸
化または窒化されてビーム径の０．５μｍ４こ略等しい
幅の磁気キャップ部が形成される。このイオン打ち込み
の周期はセンタスト合金の基板６への付着の厚みが打ち
込−み深さより大きくならない時間内とする。こうする
こと（こより形成されるセンダスト合金の薄膜の厚みの
全体の深さにわたってイオン打ち込みを行なうことがで
きる。
以上の薄膜と磁気キャップ部との同時形成を薄膜の膜厚
すなわちトラック幅が所定となるまで行ない、第９図Ｑ
こ示ず中間部品を得る。
すなわちトラック幅が所定となるまで行ない、第９図Ｑ
こ示ず中間部品を得る。
すなわち基板６の側面上（こセンダスト合金（例えばＦ
ｎ ８４．４ ｗｔ％、 Ｓｉ ９．８ ｗｔ％、 Ａ
ｌ ５．８ ｗｔ％の成分比を有する合金）が付着して
所定の厚みのセンダスト合金薄膜（以下薄膜と略称する
）１７が形成されるととも（こ、この薄膜１７の」二端
面の略中央と巻線窓を結ぶ直線部分が全体の膜厚にわた
って酸化または窒化されて幅が略０．５μ−の磁気ギャ
ップ１６が形成される。
ｎ ８４．４ ｗｔ％、 Ｓｉ ９．８ ｗｔ％、 Ａ
ｌ ５．８ ｗｔ％の成分比を有する合金）が付着して
所定の厚みのセンダスト合金薄膜（以下薄膜と略称する
）１７が形成されるととも（こ、この薄膜１７の」二端
面の略中央と巻線窓を結ぶ直線部分が全体の膜厚にわた
って酸化または窒化されて幅が略０．５μ−の磁気ギャ
ップ１６が形成される。
この中間部品のセンタスト合金薄膜１７の形成面に、非
磁性材からなり巻線窓７′ を形成された第６図の基板
６と対応する基板６′を巻線窓７，７′の位置を合わせ
て無機接着剤１１Ｎこより接合して、第１０図に示す磁
気コアの半完成品が得られる。
磁性材からなり巻線窓７′ を形成された第６図の基板
６と対応する基板６′を巻線窓７，７′の位置を合わせ
て無機接着剤１１Ｎこより接合して、第１０図に示す磁
気コアの半完成品が得られる。
この磁気コアの半完成品の磁気ギャップ１６が形成され
た」二端面を円孤状に機械加工して磁気記録媒体との摺
動面を形成し、磁気コアが完成する。
た」二端面を円孤状に機械加工して磁気記録媒体との摺
動面を形成し、磁気コアが完成する。
以上の実施例（こよれば、薄膜１７の厚みがトラック幅
であり、薄膜］７の形成は機械加工によらずイオンビー
ム（こよるスパッタリングで行なうので、２０μ−以下
の狭いトラックを加工変質のない状態で高精度Ｑこ形成
できる。また薄膜１７の形成と同時（こイオン打込み（
こより磁気キャップ１６を形成するので、薄膜］７の厚
み全体（こゎたって磁気キャップを形成でき、またギャ
ップ幅はイオンビームのビーム径（こより決定されるの
で狭いギャップ幅を高精度（こ形成することができる。
であり、薄膜］７の形成は機械加工によらずイオンビー
ム（こよるスパッタリングで行なうので、２０μ−以下
の狭いトラックを加工変質のない状態で高精度Ｑこ形成
できる。また薄膜１７の形成と同時（こイオン打込み（
こより磁気キャップ１６を形成するので、薄膜］７の厚
み全体（こゎたって磁気キャップを形成でき、またギャ
ップ幅はイオンビームのビーム径（こより決定されるの
で狭いギャップ幅を高精度（こ形成することができる。
なお、」−記実施例（こおいて薄膜Ｉ７の形成時の基板
６の加熱温度は、形成されるセンダスト合金薄膜１７の
磁気特性に大きな影響を及ぼす。抵抗磁力のセンダスト
合金薄膜１７を形成する）こは基板６の加熱温度は４０
０″Ｃ〜５５０″Ｃが適当である。
６の加熱温度は、形成されるセンダスト合金薄膜１７の
磁気特性に大きな影響を及ぼす。抵抗磁力のセンダスト
合金薄膜１７を形成する）こは基板６の加熱温度は４０
０″Ｃ〜５５０″Ｃが適当である。
ちなみ番こ温度が５００℃で熱膨張系数が＋３５Ｘ１０
−７／ｌの結晶化ガラスに１０μｍ 付着形成したセン
ダスト合金膜の磁気特性は下記の表Ｑこ示すよう（こ良
好な磁気特性を示した。
−７／ｌの結晶化ガラスに１０μｍ 付着形成したセン
ダスト合金膜の磁気特性は下記の表Ｑこ示すよう（こ良
好な磁気特性を示した。
以上の実施例（こおいては基板６ 、６’ ＋こ先（こ
巻線窓７，７′ を形成したが、先Ｑこ形成せず薄膜
１７と磁気キャップ１６との形成後の基板６，６′の接
合後に巻線窓を形成してもよい。この場合１．＋１（板
６．６′ の接合時の位置合わせが容易（こなる。
巻線窓７，７′ を形成したが、先Ｑこ形成せず薄膜
１７と磁気キャップ１６との形成後の基板６，６′の接
合後に巻線窓を形成してもよい。この場合１．＋１（板
６．６′ の接合時の位置合わせが容易（こなる。
また、前記実施例では、イオンビームによるスパッタリ
ングのクーゲット１１の月料としてに−３も−Ａｌ系セ
ンダスト合金を使用したが、それ以外（こも酸素または
窒素等のイオンを打込んだ部分が磁気キャップとなるよ
うな高透磁率を有する強磁性体材料ならば何を用いても
よいのは勿論である。
ングのクーゲット１１の月料としてに−３も−Ａｌ系セ
ンダスト合金を使用したが、それ以外（こも酸素または
窒素等のイオンを打込んだ部分が磁気キャップとなるよ
うな高透磁率を有する強磁性体材料ならば何を用いても
よいのは勿論である。
また上記のＦｎ−８ｉＡｌ 系センダス！・合金のク
ーゲソ）ＩＩの材料中にＣｒ 、 Ｔｉ 、’ Ｎｂ
等の第４元素を１〜２％添加しても良く、このような
第４元素の添加番こより薄膜１７の耐食性が向上する利
点がある。
ーゲソ）ＩＩの材料中にＣｒ 、 Ｔｉ 、’ Ｎｂ
等の第４元素を１〜２％添加しても良く、このような
第４元素の添加番こより薄膜１７の耐食性が向上する利
点がある。
さらＯこ上記の実施例（こおいて、薄膜の基板６への付
着形成をイオンビームスパッタリング法により行ったが
、それ以外Ｑこ蒸着法やマダイ・トロンスパッタリング
法などの低圧力化での薄膜形成法を行っても良いことは
勿論であり、蒸着法やマグネトロンスパッタリング法は
イオノビームスバッタリング法よりも付着形成速度が大
きいなどの利点。
着形成をイオンビームスパッタリング法により行ったが
、それ以外Ｑこ蒸着法やマダイ・トロンスパッタリング
法などの低圧力化での薄膜形成法を行っても良いことは
勿論であり、蒸着法やマグネトロンスパッタリング法は
イオノビームスバッタリング法よりも付着形成速度が大
きいなどの利点。
がある。
効果
以」二の説明から明らかなよう（こ本発明によれば１、
非磁性材基板の面上に高透磁率磁性材薄膜を形成し該薄
膜の一部（こ磁気ギャップ部を形成してなる磁気コアの
製造方法において、上記の薄膜の形成と同時に、イオン
打ち込みにより薄膜に磁気キャツブ部を形成するので、
トラック幅およびギャップ幅が小さい高密度記録再生型
磁気ヘッドの磁気コアを高い精度でしかも優れた磁気特
性で製造することができる。
非磁性材基板の面上に高透磁率磁性材薄膜を形成し該薄
膜の一部（こ磁気ギャップ部を形成してなる磁気コアの
製造方法において、上記の薄膜の形成と同時に、イオン
打ち込みにより薄膜に磁気キャツブ部を形成するので、
トラック幅およびギャップ幅が小さい高密度記録再生型
磁気ヘッドの磁気コアを高い精度でしかも優れた磁気特
性で製造することができる。
第１図〜第５図はそれぞれ順に従来の磁気コアの製造工
程を説明する斜視図、第６図〜第１０図は本発明方法を
説明するもので第６図は基板の朶１視図、第７図は薄膜
および磁気ギャップ形成工程の説明図、第８図はイオン
ビームの掃射位置を示す基板の斜視図、第９図は中間部
品の斜視図、第１０図は磁気コアの半完成品の斜視図で
ある。 ６．６′・・・基板 ７，７′・・・巻線窓９・
・・アルゴンイオン源 １０・・・アルゴンイオンビーム １１・・・ターゲラ１−１２・・・イオン銃１３・・・
イオンビーム １４・・・真空チャン＜−１５・・・
ヒータ １６・・・磁気キャップ１７・・・セ
ンダスト合金薄膜
程を説明する斜視図、第６図〜第１０図は本発明方法を
説明するもので第６図は基板の朶１視図、第７図は薄膜
および磁気ギャップ形成工程の説明図、第８図はイオン
ビームの掃射位置を示す基板の斜視図、第９図は中間部
品の斜視図、第１０図は磁気コアの半完成品の斜視図で
ある。 ６．６′・・・基板 ７，７′・・・巻線窓９・
・・アルゴンイオン源 １０・・・アルゴンイオンビーム １１・・・ターゲラ１−１２・・・イオン銃１３・・・
イオンビーム １４・・・真空チャン＜−１５・・・
ヒータ １６・・・磁気キャップ１７・・・セ
ンダスト合金薄膜
Claims (1)
- 非磁性材基板の面」−に高透磁率磁性材薄膜を形成し該
薄膜の一部に磁気ギャップ部を形成してなる磁気コアの
製造方法Ｑこおいて、前記の薄膜の形成と同時（こイオ
ン打ち込みにより前記薄膜Ｑこ磁気ギャップ部を形成す
る工程を含むことを特徴とする磁気コアの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6519883A JPS59191120A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | 磁気コアの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6519883A JPS59191120A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | 磁気コアの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59191120A true JPS59191120A (ja) | 1984-10-30 |
Family
ID=13279974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6519883A Pending JPS59191120A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | 磁気コアの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59191120A (ja) |
-
1983
- 1983-04-15 JP JP6519883A patent/JPS59191120A/ja active Pending
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