JPS59196609A - アンテナ装置 - Google Patents
アンテナ装置Info
- Publication number
- JPS59196609A JPS59196609A JP7096283A JP7096283A JPS59196609A JP S59196609 A JPS59196609 A JP S59196609A JP 7096283 A JP7096283 A JP 7096283A JP 7096283 A JP7096283 A JP 7096283A JP S59196609 A JPS59196609 A JP S59196609A
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- JP
- Japan
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- plane
- antenna device
- vector
- points
- radiator
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q19/00—Combinations of primary active antenna elements and units with secondary devices, e.g. with quasi-optical devices, for giving the antenna a desired directional characteristic
- H01Q19/10—Combinations of primary active antenna elements and units with secondary devices, e.g. with quasi-optical devices, for giving the antenna a desired directional characteristic using reflecting surfaces
- H01Q19/12—Combinations of primary active antenna elements and units with secondary devices, e.g. with quasi-optical devices, for giving the antenna a desired directional characteristic using reflecting surfaces wherein the surfaces are concave
- H01Q19/17—Combinations of primary active antenna elements and units with secondary devices, e.g. with quasi-optical devices, for giving the antenna a desired directional characteristic using reflecting surfaces wherein the surfaces are concave the primary radiating source comprising two or more radiating elements
Landscapes
- Aerials With Secondary Devices (AREA)
- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は一次放射器としてホーンアレイを用い、複数
個のビームを有するアンテナ装置に関するものである。
個のビームを有するアンテナ装置に関するものである。
以下２説明全簡単にするため、鏡面系がオフセット力士
グレン形式の場合について説明する。凍た。ビームの数
Ｍ妙Ｘ３の場合について説明する。
グレン形式の場合について説明する。凍た。ビームの数
Ｍ妙Ｘ３の場合について説明する。
第１図は、従来、との柚アンテナ装置として用いられて
いたオフセットカセグレンアンテナの桓略構成図である
。図において、（ｌ）は主反射鏡、（２）は副反射鏡、
（３）は−次放射器である。また２点Ｆｌ。
いたオフセットカセグレンアンテナの桓略構成図である
。図において、（ｌ）は主反射鏡、（２）は副反射鏡、
（３）は−次放射器である。また２点Ｆｌ。
Ｆｚ、 Ｆ３ はそれぞれｐ ｅＢ＊ ｅ２ｐ ｅ
１方向から入射した千面歿が主反射鏡（１）、副反射鏡
（２）で反射波集束する点であシ、最も収差が少な一位
置とする。またこれらの点Ｆｌ、 Ｆ２． Ｐａ ｆ
示す位置ベクトルをそれぞれ”１ｐ ”２？ ’３とす
る。さらに、主反射鏡（１１上の中心の点ｆ Ｍｏとし
たとき２点Ｆｌ、 Ｆ２． Ｆａ７＝らそれぞれｋｌｐ
ｋ２ｔ ｋ３方向に出た光線が副反射鏡（２）で反射
後２点ＡｆｏＫ当たるよう単位ベクトルに□、に２゜ｋ
３を選ぶ。
１方向から入射した千面歿が主反射鏡（１）、副反射鏡
（２）で反射波集束する点であシ、最も収差が少な一位
置とする。またこれらの点Ｆｌ、 Ｆ２． Ｐａ ｆ
示す位置ベクトルをそれぞれ”１ｐ ”２？ ’３とす
る。さらに、主反射鏡（１１上の中心の点ｆ Ｍｏとし
たとき２点Ｆｌ、 Ｆ２． Ｆａ７＝らそれぞれｋｌｐ
ｋ２ｔ ｋ３方向に出た光線が副反射鏡（２）で反射
後２点ＡｆｏＫ当たるよう単位ベクトルに□、に２゜ｋ
３を選ぶ。
一般には２点Ｆｌ、 Ｆ２． Ｆｓに配置する一次放射
器（３ａ几（３ｂル（３Ｃ）の中心軸をそれぞれ”ｌ
”２Ｆ ”ｓ方向に同けると、アンテナ−口上の伽幅分
布による細目能率が最も高くなる。
器（３ａ几（３ｂル（３Ｃ）の中心軸をそれぞれ”ｌ
”２Ｆ ”ｓ方向に同けると、アンテナ−口上の伽幅分
布による細目能率が最も高くなる。
従って２点Ｐｉに位相中心を合わせｋｉ方向に中心軸を
向けた一次放射器（３）を配置すると、攻も能率が高く
なるものと予想される（ｉ＝ｚ４ａ）。しかしながら、
一般には、−次放射Ｗ （３ａ）ｔ Ｃ３ｂ）ｔ （３
Ｃ）の島口面は同一平面内罠ないため、τ・Ｕえは一次
放射器（３ａ）の放射パターンが一次放射器（３ｂ）に
よって乱され、その結果、能率低）、サイドローブ、上
昇等の性能劣化の／Ａ因となる場合があった。
向けた一次放射器（３）を配置すると、攻も能率が高く
なるものと予想される（ｉ＝ｚ４ａ）。しかしながら、
一般には、−次放射Ｗ （３ａ）ｔ Ｃ３ｂ）ｔ （３
Ｃ）の島口面は同一平面内罠ないため、τ・Ｕえは一次
放射器（３ａ）の放射パターンが一次放射器（３ｂ）に
よって乱され、その結果、能率低）、サイドローブ、上
昇等の性能劣化の／Ａ因となる場合があった。
第２因は、前記欠点を除去するために、−次放射器とし
てホーンアレイ（３）を用い７ζ場合の概略＋ｉ’を成
因である。図において、（１）は主反射ｍ、 ＋２１ｒ
Ｉ′ｉ副反射鏡である。示−ンアレイ（３）は岡−寸法
の素子ホーンによって構成されておシ、そのｂ口面は同
一平面上にある。従って、各素子ホーンの位相中心も同
一平面Ｃ上にあることになる。この平面Ｃは２点Ｆｌ、
Ｆ２． Ｆｓを最もよく近以する平面であり。
てホーンアレイ（３）を用い７ζ場合の概略＋ｉ’を成
因である。図において、（１）は主反射ｍ、 ＋２１ｒ
Ｉ′ｉ副反射鏡である。示−ンアレイ（３）は岡−寸法
の素子ホーンによって構成されておシ、そのｂ口面は同
一平面上にある。従って、各素子ホーンの位相中心も同
一平面Ｃ上にあることになる。この平面Ｃは２点Ｆｌ、
Ｆ２． Ｆｓを最もよく近以する平面であり。
例えば最小二乗法によシ決足できる。しかしながら、こ
のとき、各素子ホーンはすべて平面Ｃの法線方向ｍ（ｍ
は単位ベクトルとする〕、に中心軸を持つことになシ、
理想的な方向”ｔ ”２ｔ ｋ３と大きく異なる場合が
ある。特に、二枚反射婉の場合。
のとき、各素子ホーンはすべて平面Ｃの法線方向ｍ（ｍ
は単位ベクトルとする〕、に中心軸を持つことになシ、
理想的な方向”ｔ ”２ｔ ｋ３と大きく異なる場合が
ある。特に、二枚反射婉の場合。
−次放射器位置から副反射鏡（２）全見込む角度が小さ
いためにビーム幅がせまく、その結果、−次放射器の中
心軸のホさくずれが大きなスピルオーバ成分発庄の原因
臆なシ、アンテナのｎと率の低下を引きおこす。
いためにビーム幅がせまく、その結果、−次放射器の中
心軸のホさくずれが大きなスピルオーバ成分発庄の原因
臆なシ、アンテナのｎと率の低下を引きおこす。
この発ＥＪＡは、上記、従来のアンテナ装置の欠点を除
去するために、各素子示−ンの位相中心で足義される平
面Ｃの単位法線ベクトルｍと、ｋｉ（ｉ；ｌ、２・・・
、Ｍ）ｔ−できるだけ近づけることＫよシ。
去するために、各素子示−ンの位相中心で足義される平
面Ｃの単位法線ベクトルｍと、ｋｉ（ｉ；ｌ、２・・・
、Ｍ）ｔ−できるだけ近づけることＫよシ。
スピルオーバによるアンテナ能率の低下を少なくしたも
ので、以下、図面に従って説明する。
ので、以下、図面に従って説明する。
第３図は、この発明によって構成できるアンテナ装置の
一笑施例を示すもので１図においてｆｌｌが主反射鏡、
（２）、ＯｆＭＩＩ反射鏡、（３）がホーンアレイで
ある。ここで、ホーンアレイ（３）を構成する素子ホー
ンの位相中心よシ定義される平面Ｃは７次の柴件を満足
するように選ぶ。まず、平面Ｃの単位法線ベクトルｍが
、−次カ父射器の中心軸の理想的方向”ｈ ｋ２ｐ ｋ
ａを最もよく近以するように、平面Ｃの最大にするよう
にｍを決める方法、（Ｊ、ｍ）２の最ホ値を最大にする
ようにｍを決める方法等が考えられる。次に、この傾き
固定したまま１点Ｆｚ。
一笑施例を示すもので１図においてｆｌｌが主反射鏡、
（２）、ＯｆＭＩＩ反射鏡、（３）がホーンアレイで
ある。ここで、ホーンアレイ（３）を構成する素子ホー
ンの位相中心よシ定義される平面Ｃは７次の柴件を満足
するように選ぶ。まず、平面Ｃの単位法線ベクトルｍが
、−次カ父射器の中心軸の理想的方向”ｈ ｋ２ｐ ｋ
ａを最もよく近以するように、平面Ｃの最大にするよう
にｍを決める方法、（Ｊ、ｍ）２の最ホ値を最大にする
ようにｍを決める方法等が考えられる。次に、この傾き
固定したまま１点Ｆｚ。
Ｆ２．Ｆ３全敢もよく近以するよう、平面Ｃの位置を決
める。それには２例えば２点ｓ； （ｉ＝Ｌａ・・・Ｍ
）を最小にする方法やｔ Ｉ ａ Ｉ−ｍ ｓ’ ｌ
の最大値を最／ＪＸにする方法が考えられる。なお、こ
の方法によると、第２図に示した従来の方法に比べると
収差が発庄するが、相 方向の一次放射器設定位置の誤
差は能率低下にあまシ影響を与えない一方、−次放射器
設定方向誤差によるスピルオーバーを小さくできるため
、全体の能率の低下を小さくすることができる。
める。それには２例えば２点ｓ； （ｉ＝Ｌａ・・・Ｍ
）を最小にする方法やｔ Ｉ ａ Ｉ−ｍ ｓ’ ｌ
の最大値を最／ＪＸにする方法が考えられる。なお、こ
の方法によると、第２図に示した従来の方法に比べると
収差が発庄するが、相 方向の一次放射器設定位置の誤
差は能率低下にあまシ影響を与えない一方、−次放射器
設定方向誤差によるスピルオーバーを小さくできるため
、全体の能率の低下を小さくすることができる。
なお１以上は、ビーム数Ｍが３の場合について説明した
が、この発明はこれに限らず１Ｍが２以上の整数であれ
ばいくらであっても同様の効果があることは明らかであ
る。
が、この発明はこれに限らず１Ｍが２以上の整数であれ
ばいくらであっても同様の効果があることは明らかであ
る。
なお２以上は、鏡面がオフセットカセグレン形式の場合
について説明したか、この発明はこれに限らず、第４図
に示すような、示−ンアレイ（３）が副反射鏡（２）に
対して、主反射鏡（４）からビームの放射方向側に配置
した形式であってもよいのは明らかである。
について説明したか、この発明はこれに限らず、第４図
に示すような、示−ンアレイ（３）が副反射鏡（２）に
対して、主反射鏡（４）からビームの放射方向側に配置
した形式であってもよいのは明らかである。
以上のように、この発明によれば、−次放射器設定位置
誤差による能率低下を小さくしたまま。
誤差による能率低下を小さくしたまま。
−次放射器設定方向誤差による能率低下を少なくできる
利点がある。
利点がある。
第１図は、従来のオフセットカセグレンアンテナ形式の
アンテナ装置の概略構成図、第２図は。 従来のホーンアレイ給電オフセットカセグレン形式のア
ンテナ装置の概略構成図、第３図、第４図は、この発明
によって得られるアンテナ装置の一実施例の概略構成図
である。 図中、（１）は主反射鏡、（２）Ｆｉ副反射鏡、（３）
は−次放射系であシ２図中、同一あるいは相当部分には
同一符号を付して示しである。 代理人 大 岩 瑠 雄 第１図 第２図 第３図
アンテナ装置の概略構成図、第２図は。 従来のホーンアレイ給電オフセットカセグレン形式のア
ンテナ装置の概略構成図、第３図、第４図は、この発明
によって得られるアンテナ装置の一実施例の概略構成図
である。 図中、（１）は主反射鏡、（２）Ｆｉ副反射鏡、（３）
は−次放射系であシ２図中、同一あるいは相当部分には
同一符号を付して示しである。 代理人 大 岩 瑠 雄 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１主反射鏡２則反射鏡及び−次放射器によって構成
され２Ｍ（２以上の整数ン本のビームを有するアンテナ
装置において、−次放射器を、同一寸法の複数個の素子
ホーンをその一口が同一平面となるように配列したホー
ンアレイによって構成し、各ビームに対応した最も収差
の小さくなる一次放射器の位置を示すベクトルｒ、：３
ｒ（ｉ＝１．２．・・・。 Ｍ）とし、各３１からｋｉ方向に出た光線が副反射鏡で
反射後、主反射鏡の中心にあたるよう単位ベクトルｋｉ
を定義するとき、各素子ホーンの位相中心を含む平面Ｃ
の単位法服ベクトルをｍ、各ａｉとすると、（ｍ、ｋｉ
）２ の値をすべてのｉに対して１に近づけるように
ｍｆ決め、 １ｉｊ−ａｊ’ｌをすべての１に対して
ホざくするよりにｍＫ直交する平面Ｃを決めたことを特
徴とするアンテナ装置。 めたことを特徴とする特許請求の範囲オ（１項記載のア
ンテナ装置。 （３１Ｉｊｌｆ （ｍ 、 ｋｉ）２ の最小値を最
大にするように決めたことを特徴とする特許請求の範囲
オ（−）に決めたことを特徴とする特許請求の範囲２・
（＠項記載のアンテナ装置。 （５） 平面Ｃをｌ ｓｉ −ｓｉ’ ｌの最大値を
最小にするように決めたことを特徴とする特許請求の範
囲オ（−）項記載のアンテナ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7096283A JPS59196609A (ja) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | アンテナ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7096283A JPS59196609A (ja) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | アンテナ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59196609A true JPS59196609A (ja) | 1984-11-08 |
| JPH0519842B2 JPH0519842B2 (ja) | 1993-03-17 |
Family
ID=13446646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7096283A Granted JPS59196609A (ja) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | アンテナ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59196609A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5698905A (en) * | 1980-01-11 | 1981-08-08 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | Dual reflecting mirror antenna |
| JPS5840905A (ja) * | 1981-09-04 | 1983-03-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | マルチビ−ムアンテナ |
-
1983
- 1983-04-22 JP JP7096283A patent/JPS59196609A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5698905A (en) * | 1980-01-11 | 1981-08-08 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | Dual reflecting mirror antenna |
| JPS5840905A (ja) * | 1981-09-04 | 1983-03-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | マルチビ−ムアンテナ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0519842B2 (ja) | 1993-03-17 |
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