JPS59198718A - 気相法による被膜作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、元気相法’（Ｐｈｏｔｏ　Ｃｈｅｍｉｃａ
ｌ　Ｖａｐｏｒ”　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　　以下フォ
トＣＶＤまたは光ＣＬｒ）という）により、第１の半導
体層を形成し、さらにその」二面にプラズマ気相法（以
下ＰＣＶＤという）または光プラズマ気相法（Ｐｈｏｔ
ｏ　Ｐｌａｓｍａ　　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　ＶａｐｏｒＤ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　　以下ＰＰＣＶ　Ｄという）によ
り、第２の半導体層を積層して形成し、多量生産を可能
にさせた光ＣＶＤ法に関する。

この発明は、水銀増感法を用いず、反応性気体に光エネ
ルギーと熱エネルギーとを供給して直接光化学反応を行
わしめる光ＣＶＤ法により、被形成表面をスパッタ（損
（りすることなく第１の被膜例えば非単結晶半導体を５
０Å以上の厚さに形成した後、この上面に被膜成長速度
の速いＰＰＣＶ　Ｄ法またはＰＣＶＤ法によりさらに同
−利料の第２の被１漠を積層して形成することにより、
被形成面との界面において混合領域の発生を防止し、ひ
いては界面特性を向上せしめ、加えて実質的な被膜成長
速度を高速度化せしめることを特長としている。

従来、フォトＣＶＤ法においては、被形成面を有する基
板を基板の下方から加熱し、他方、この基板の上側の表
面である被形成面をその垂直上方向より光照射を行うこ
とにより、この表面上での反応性気体の光照射による光
励起を行って光化学反応を生ぜしめていた方法が知られ
ている。

この従来方法においては、水銀増感法を用いない場合、
その被膜成長速度は０．１〜０．３人／秒の低い被膜成
長速度しか得られず、工業的にまったく実用化が不可能
であった。

さらに例えば珪素をシランを用いて形成させようとする
時、この光励起をした珪素の一部が光照射用の窓に付着
して、照射光を吸収してしまうため、反応性気体への照
射光強度を弱めてしまうという欠点を有していた。

このためフォ）ＣＶＤ法が基板表面に損傷を与えないと
いう特長を有しながらも、多量生産用に応用することは
全く不可能であった。

本発明はこれらの欠点を除去して、初めて工業的に量産
可能なフォトＣｖＤ装置を提案するものである。

他方、ｐｃｖｏ法またはＰＰＣＶ　Ｄ法においては、被
膜の成長速度は２〜２０人／秒ときわめて速いにもかか
わらず、被形成面の表面をスパッタをし、この被形成面
を構成する基板の成分の一部を被膜例えば半導体被膜内
に不純物として混入させてしまうという欠点を有してい
た。

これらの双方の欠点を除去し、界面特性はフォトＣＶＤ
法にて改良し、また被膜成長速度をＰＰＣＶ　Ｄ法によ
り改良せしめたことを本発明の特長としている。

このため本発明においては、珪素を主成分とする半導体
のうち、特にシラン（ＳｉｎＨ２ｙｌ＋２　ｎ　ｋ　ｌ
　）においては１０〜１５％というＳ　ｉ　−Ｈ結合手
が光吸収する光エネルギーを有する赤外光を炭酸ガスレ
ーザーまたはニクロムを発光源とする遠赤外光源を用い
て光励起せしめている。１８５ｎｍ、　２５４ｎｍの紫
外光を用いて、光ＣＶＤを行うことも有効である。

以下に図面に従って、本発明の特長を従来装置との比較
において記す。

第１図は従来より知られたフォ１−ＣＶＤ装置の概要を
示す。

図面において、反応容器（２）内は基板（１）が配設さ
れ、下側よりヒーター（５３）により２００〜４００℃
に加熱されている。さらに紫外光（２５３ｎｍ　）が低
圧水銀灯（９）により、石英板を介して基板（１）の表
面に垂直方向に照射（５１）される。石英板の下側には
反応生成物の付着を少なくするため、オイル（５４）が
塗付されている。反応性気体は、ドーピング系（２０）
よりシラン（２６）が流量計（２９）よりバルブ（２８
）を経て基板表面に平行（５０）に供給される。キャリ
アガスとしての水素またはへリュームが（２７）より供
給され、光化学反応がなされ、半導体被膜が基板（１）
ｌに形成される。不要反応生成物およびキャリアガスは
、圧力調整用のバルブ（１３）を経て、真空ポンプ（１
８）より外部に排気される。

かかる従来の装置においては、オイル（５４）は２００
〜４００℃に加熱すると、オイル蒸気が混入してしまう
ため、禁止される。このため基板の裏面より基板のみを
加熱することが重要であるとされる。しかしかかる方法
では、一度に多数の基板を配設することができず、工業
的に実用化はまったく不可能であった。

即ち、もし他の基板が（１′）に配設されると、（１）
により（１）の表面には紫外光が照射され陰になってし
まった。このため下側の基板（１）上では光化学反応を
させることができない。

従来のフォ）ＣＶＤ法のみでは、基板上に被膜を高速成
長速度で多量に形成させることができない。

また第１図に示される従来法においては、この光化学反
応は飛翔中の反応性気体での光化学反応よりも、むしろ
基板表面の光化学反応が律速であるとの思想に基づいて
作られてきた。このため、第１図に示す以外の構成をと
ることができなかった。

また、この方法においては、光源が大気中に配設されて
いるため、石英４＆　（４８）を圧力等による損傷を防
ぐため、大面積にすることができない。

このため基板として３インチウェハ２〜３枚程度しか同
時挿着することができるかどうがであった。

他方、本発明は、このフォトＣＶＤ法を十分検討した結
果、光化学反応が飛翔中の反応性気体に対しても行わし
めることができるという実験的な発見を基礎としている
。さらに、被膜表面での被膜化を照射光というよりも、
むしろ熱エネルギーを用いることにより可能となること
を見いだした。

即も、シリコン膜においては、２５０℃以上の温度例え
ば３００〜３５０°Ｃにおいては紫外光を必ずしも被形
成面上に照射させることの必要性がないことを見いだし
た。

さらに加えて、かかる温度においてもフォ）　ＣＶＤ法
においては、不純物源となる水銀を増感材として用いな
いため、その被膜の成長速度が０，１〜０．３人／秒（
６人／分〜１８人／分）しか得られなかった。このため
本発明方法においては、光エネルギー（光エネルギーと
熱エネルギー）のみによりＰＣＶＤまたはＰＰＣＶ　Ｄ
で被形成面をスパフクしても、基板成分が混入してこな
い程度の平均厚さく５０〜５００人）に被形成面に第１
の半導体層を形成し、さらにその上面にこの光ＣＶＤを
実施しつつ同時に反応性気体に電気エネルギーを供給し
て反応性気体の活性化を促し、ひいては反応性気体の被
膜の成長速度を約１０倍以上の６〜２０人／秒に太き（
することができたことを特長とする。

本発明におけるＰＰＣＶ　Ｄ法は、放電間々ｈを容易に
するとともに、一度放電してしまった後もこの放電が止
まりそうになる不安定性を防くために、反応性気体の一
部を光照射により励起せしめ、さらに電気エネルギーを
光エネルギーと同時に反応性気体に加えることにより、
放電の開始を容易にし、さらに放電の持続を容易にした
ことを特長としている。

以下に図面に従って、本発明のフォ１−ＣＶＤ装置を記
す。

第２図はフォトｃｖＤ、、ＰＰｃｖＤオよびＰＣＶＤ（
７）すべてを任意に実効することができるＣＶＤ装置の
概要を示す。

実施例１ 第２図は反応系（１０）、ドーピング系（２ｏ）を有す
る。

反応系（１０）は、反応容器（２）内容積（巾９０ｃｍ
　　高さ６０ｃｍ　　奥行き１２０ｃｍ　）には被形成
面を有する基板（１）が石英ホルダー（１９）に保持さ
れている。

このホルダーは６５ｃｍ　Ｘ　６５ｃｍであるが、反応
性気体の流れ方向（５０）に２０ｃｍの長さを有し、２
０ｃｍ　ｘ、　　　６０ｃｍ（Ｄ基板を２０枚（被形成
面〕総面積２４０００　ｃｒｌ）同時に挿入させている
。

さらに基板（１）の被形成面は反応性気体の上方より導
入させ、下方へ排出させる流れにそって垂直（鉛直〉方
向に一定の間隔（２〜１０ｃｍ例えば５ｃｍ　）を隔て
て林立させている。

さらに本発明装置においては、ハロゲン・ヒーター（７
）および光化学反応用のランプ（９）のある空間の圧力
は、反応容器（２）の圧力と等しくなるように、バルブ
（４９）の開閉により調整され、１気圧以下の減圧下例
えば０．１〜１Ｏｔｏｒｒに保持させている。このため
石英基板（４８）も破損することがなく、大面積（８０
ｃｍ　Ｘ　８０ｃｍ）を作ることができる。故に反応空
間として６５ｃｍ　Ｘ　６５ｃｍ高さく２０〜６０ｃｍ
）の大空間を作ることが可能となった。

基板はハロゲンヒーター（７）により例えば２００〜５
００℃に加熱される。加えて、１８５ｎｍ、　２５３ｎ
ｍまたは１０．６μの波長を発光する光化学反応用のう
〈プ（９）が上側光源、下側光源に同時に設けられてい
る。その結果、加熱された所定の温度の基板に対し、フ
ォトＣＶＤを実施することが可能である。

照射光は反応空間（４４）のすべてを照射している。さ
らに一対をなす容量結合方式の電極（５）、（６）が網
状を有して設けられ、高周波発振器（４０１３，５６Ｍ
Ｈｚ、　５〜５００Ｗ）に連結されている。

この電極間に電気エネルギーを与えることによりＰＣＶ
Ｄを実行することが可能である。

また電気エネルギーと光エネルギーとを同時に加えるこ
とによりＰＰＣＶ　Ｄを行うことが可能である。

反応性気体は導入口（１１）より石英ノズル（３）を経
て反応空間（４４）に至り、石英排出口（８）を経て（
１２）より排気系に至る。

排気系は、圧力ａ整バルブ（１３）　、ストップバルブ
（１４）　、メカニカルブースターポンプ（１７）ロー
タリーポンプ（１８）より外部に不要物を排出させる。

基板は、石英ホルダーにて最初予備室（１６）に配設さ
せ、貫空引きを（２３）にて行った後、ゲートバルブ（
４５）を開け、反応部（４４）に移設させた。反応性気
体はドーピング系（２０）にてシランが（２６）より、
その他ジボラン（Ｂ２Ｈ，）等のＰ型用反応性気体、ま
たはフォスヒン（ＰＨ３）等のＮ型用気体（２４）　、
珪素に窒素添加または炭素添加せしめるためのアンモニ
アまたはメタン等の気体（２５）、キャリアガスとして
の水素またはヘリューム（２７）がそれぞれ流量針（２
９）を経てバルブ（２８）により制御して加えられる。

シランよりなる半導体の反応性気体は、流量計（２９）
を経て反応系（１０）に至る。この反応系には１００〜
５００℃好ましくは２５０〜３５０　”ｃ、代表的には
３００℃に保持された被形成面を有する基板が配設して
あり、反応領域（４４）の圧力を０．１〜１０ｔｏｒｒ
例えば２ｔｏｒｒとして、シラン流量を１〜５００ｃｃ
Ｚ分例えば５０ｃｃ　７分供給した。光エネルギーを１
０〜１５μの波長を含む赤外光を発するランプ（長さ６
８０　ｃｍ、直径１０　ｍ　ｍ　、最大出力５０ＷＸ８
）を用いて光照射を行った。これは炭酸ガスレーザーを
用いても有効であった。

かくのごとくして珪素被膜を被形成面上に５０Å以上の
厚さに形成させた。

次ぎにこの光エネルギーに加えて電気エネルギーを高周
波発振器（周波数１３．５６Ｍｌ１２０４　）より一対
の（５＞、＜　６　）に加え、プラズマグロー放電をせ
しめてＰＰＣＶＤ反応を行い、フォ）ＣＶＤで形成され
た半導体上に連続して同一材料の半導体をＰＰＣＶ　Ｄ
により積層させた。

基板位置は、光化学反応用の照射光に対して平行にその
表面が配設されており、光化学反応は、基板表面ではな
く飛翔中のハロゲンランプにより１５０〜３５０℃例え
ば３００℃に予熱されている反応性気体に対して行った
。

かくすることにより照射光が基板の陰になり、その反対
側の反応性気体に照射されないことを防くことができ、
多量生産が可能なフォトＣνＤを実施することができた
。さらに本発明装置においては、反応性気体は基板と概
略同一温度に予熱されており、加熱された反応性気体を
光励起しているため、基板の表面に光が照射されな（で
も十分被膜化が可能であるという特長も有する。

この半導体被膜の成長速度は、フォトＣｖＤのみにおい
ては０．１〜０．３人／秒例えは０．２人／秒であった
。またＰＰＣＶＤにおいては、６〜１５人／秒、例えば
１２人／秒と３０倍もの高速成長を得ることができた。

即ちフォトＣｖＤ法においては、基板表面をプラズマに
より損傷することがないため、良好な膜質を得ることが
できた。しかし被膜の成長速度は、０．１〜０．３人／
秒ときわめて遅く、さらにそれに必要な光エネルギーが
きわめて強力であるという欠点を有する。

他方、他の本発明におけるｐｐｃｖｏはプラズマによる
損傷が若干みられるが、被膜の成長速度としては６〜１
５人／秒と、フォトＣｖＤ法の３０倍もの高速成長を行
うことができた。このＰＰＣＶＩＩ法においては、その
工程の順序として反応性気体に対し熱エネルギーを加え
て最初光照射を行い、反応性気体の一部が光励起してき
わめてイオン化しやすくさせ、その後に電気エネルギー
を加えてプラズマ反応を生ぜしめたことがきわめて重要
である。かくすることにより、放電開始時のプラズマ衝
撃波を防（ことができ、基板表面のプラズマ損傷を実質
的に防ぐことができた。

さらにこれでも若干基るプラズマ損傷に対し、本発明に
おいては、被形成面上にフォ）ＣＶＤ法のみによって予
め第１の被膜としての半導体被膜を５ＯＡ以上の厚さに
形成してコーティングしであるため、このプラズマ損傷
により被形成面を構成する基板成分の一部が半導体中に
混入することがなく、被形成面との界面が従来のＰＣＶ
Ｄ法のみにおいては境界領域が１００〜３００人もあっ
たが、これを０〜１００人、代表的には２０〜５０人と
きわめて薄くすることができた。

このため、被形成面がＰ型半導体（珪素または５ｉｘＣ
１−に　Ｑ＜ｘ＜ｌ）であり、その上面にＩ型珪素半導
体を本発明方法により形成させんとする時、このＰＩ接
合界面をきわめて急１唆にすることができ、良好なダイ
オード特性を得ることができた。

また被形成面が透光性導電膜にあっては、その導電股上
に半導体を形成させんとする時、その界面にとって導電
膜を構成するＩＴＯ，ＳｎＯ□の酸素が半導体中に混入
することがなく、良好な半導体特性を得ることができた
。

以上の如くの本発明方法において、珪素を主成分とする
非単結晶半導体はその酸素濃度をｌＸｌ０”ｃｍ’以下
とすることにより、さらに良好な半導体を被形成面上に
形成させることができた。

この本発明方法によりガラス基板上に形成された珪素膜
の膜質を調べると、ＳＪＭＳの測定番こおいて酸素濃度
はＩ　ＸＩＯ１８ａｔｏｍ／ｃｃ以下（光出力１００Ｗ
、放電出力１００ｈｌ以下）を有せしめることができた
。

さらに放電出力を５０Ｗとすると、２　Ｘ　１０”　ａ
ｔｏｍ／ｃｃ＝！：さらにそのＩ１５に減少させること
ができた。しかし他方、ＰＣＶＤ法のみによりガラス基
板上に形成された珪素膜の膜質を調べると、その被膜中
には４Ｘ１０’〜２　Ｘ　１０”　ａｔｏｍ／ｃｃを有
し、本発明方法の１０〜１００倍もの酸素が混入してい
た。これはガラス基板をグロー放電プラズマによりスパ
ツクした基板の一部の珪素が半導体中に混入してしまっ
たものである。

本発明装置において、基板温度を３５０℃、４００℃に
することにより形成された被膜の結晶性はさらに進行し
た。

この反応生成物を作る温度はＰＰＣＶＤ法においては３
００℃ではｉ　＜　１５０〜３００℃においても可能で
あった。

フォ１−ＣＶＤ法において、その反応性気体としてモノ
シランを用いると極端に低く工業的な改良が求められて
いた。

シランを前記したモノシランではなく、精製したモノシ
ランを用い、このシランを無極放電法または紫外光の光
照射により変成して合成した低酸素化ポリシラン（例え
ばジシランＳ　＋、Ｕ６）をμることができる。このジ
シランを少なくとも一部（５〜３０％の濃度）に含むシ
ランを用いて前記したフォ１−ＣＶＤ法により半導体被
膜を作製する場合は、被膜の成長速度を０．６人／秒と
モノシランの場合の３倍にまで高めることができた。

さらにジシランを７５％以上の濃度とすると、さらに１
〜３人／秒とすることができた。

加えてＰＰＣＶ　Ｄ法によりこのフォトＣＶＤに続けて
ジシランを用いて半導体被服を形成せしめると、〜１０
０人／秒の被膜成長速度を得ることができた。

このため、本発明方法にジシランを原料として用いると
、被形成表面をスパツクすることなく、さらに超高速被
膜成長を行うことができることが判明した。

第３図はガラス基板上に第２図の装置にて０．５μのシ
リコン半導体層を作製したものである。

第３図は特に本発明方法のフォ）ＣＶＤ法（光出力０．
１ＫＷ、３００℃）により１００　人の厚さに形成し、
さらにＰＰＣＶ　Ｄ法（光出力０．１ＫＷ、　（４ｍＷ
／ｃＪ）放電出力が５０Ｗ）により合計膜厚０．５μの
厚さにシリコン半導体を形成したものである。

シリコン半導体の電気特性（５６）、（６４）、＜６５
＞、（６６）。

（６８）、従来よりのｐｃｖｏ法のみにより作られた０
、５μの厚さの半導体の電気特性（５７）、（６３）、
（５８）、（６７）。

（６９）を示したものである。

図面において、従来例において領域（５９）は暗電気伝
導度（５７）を示し３　Ｘ　１０−’　（Ωｃｍ＞−’
の値を有している。ここにＡＭ　ｌ　　（１００ｍＷ／
ｃＪ）を領域（６θ）にて照射すると、従来法では曲線
（５８）に示ずごとく、ＩＸＩＰ（Ωｃｍ）−’を有し
、且つ２時間連続照射して約１桁その値が劣化していた
。

これは基板のガラスより酸素が流入し、反応性気体の一
部の水素と結合して水（０１１基）を作り、光劣化特性
を誘発してしまったものである。

他方、本発明（７オ１−ＣＶＤ　＋ＰＰＣＶＤ　）法に
おいて作られた半導体膜は、暗転導度（５６）としてｌ
Ｘｌ０−”（Ωｃｍ）−’を有し、その光伝導度（６４
）は２×１０４（Ωｃｍ）−’　（７）　、ｔ　−グー
とフォトセンシティビテーにて１０６を有し、従来例よ
りも約２桁も大きく、さらに連続光の照射にて、曲線（
６５）に見られるごとくほとんどその電気伝導度の劣化
がみられなかった。　このことよりガラス基板上にフォ
１−ＣＶＤにより半導体をコーティングすることの重要
性が確認された。このフォトｃｖＤ法により作られた半
導体は平均５０Å以上（好ましくは１００〜１ｏｏｏ人
）あることが好ましく、それ以下では一部を覆いきれな
い場合もあるため、必ずしも効果が十分ではなかった。

さらに領域（６１）において、その照射後の暗転導度も
本発明においては（６Ｇ）と（５６）に比べ誤差の範囲
で同一であった。

さらに１５０°Ｃの加熱を行うと、従来例では曲線（６
７）が（６９）となり、見掛は上の特性変化があり、そ
の後領域（６２）にて再度光照射を行うと再び劣化特性
がみられた。

即ち、従来例では電気伝導度が（６７）に示される如く
小さく、かつ光照射により劣化特性がみられる。

しかし本発明においては、電気伝導度が光照射の有無、
熱アニールの有無で特性の変化、劣化が殆ど観察されず
、かつ光伝導度およびフォトセンシティビテー（光伝導
度と暗転導度との差）が大きく、また暗転導度は小さか
った。

以上のごとく、本発明方法はかくのごとく高信頼性を有
するシリコン半導体層を提供することができるという相
乗効果を有することが判明した。

本発明方法により、スパック（損傷）効果が実質的にな
く、かつ多量生産が可能となった。その結果、ＰＮまた
はＰＩＮ接合を光電変換装置、光センサ、静電複写機、
絶縁ゲイト型電界効果半導体およびその集積化装置への
応用が可能となり、工業上きわめて有効なものと判断さ
れる。

実施例２ この実施例は窒化珪素絶縁物を作製する場合を示す。

装置は第２図を用いて作った。

光化学反応用の光源として１８５ｎｍ、　２５４ｎｍの
紫外光を用いた。

第２図において、精製シランを（２６）より、またアン
モニアを（２５）よりＮＨ，／ＳｉＨ４＞５０として供
給した。

その結果、フォトＣｖＤ法においては、０．１人／秒の
絶縁性窒化珪素被膜を５０Å以上の厚さに作ることがで
きた。この窒化珪素膜上にさらにＰＰＣＶＤ法を実施例
１と同様の電気エネルギーを加えることにより、３人／
秒の被膜成長速度を基板温度３００℃、圧力１　ｔｏｒ
ｒにて得ることができた。

シリコン単結晶半導体基板上に１０００人の膜厚を形成
し、Ｃ−■特性を調べた結果、ともに界面電荷密度とし
て１　×１Ｑｌｌ　Ｃｍ″２以下を得ることができた。

また２Ｘ１０’ν／ｃｍの電界強度を加えても、Ｃ−■
特性にヒステリシス現象を見いださず、半導体表面がほ
とんどスパック（損傷）されていないことが判明した。

実施例３ この実施例は本発明の装置により酸化珪素膜を作製した
例である。装置は実施例２と同様である。

反応性気体としてアンモニアの代わりに９を用い（２５
）より導入した。さらにシランを（２６）よりＮａ　Ｏ
／　Ｓ　１％　〉２０として導入した。得られた結果は
実施例２と同様であった。さらに１　ｘｌＯ’　Ｖ／ａ
ｍの絶縁耐力を有していた。

実施例４ この実施例はＩＴＯ（酸化インジューム・スズ、酸化ス
ズを１０重量％以下、例えば５重量％含有した酸化イン
ジューム）を形成した場合である。

実施例２と同じ装置を用いた。反応性気体としては（２
６）より塩化インジュームを加え、（２５）よりＮＯを
加えた。さらに（２４）より形成された酸化インシュー
ムのシート抵抗を下げるため、四塩化スズを添加し、さ
らに（２７）より窒素をキャリアガスとして加えた。

この後、フォー−ＣＶＤを実施し、第１の被膜を作り、
さらに連続して電気エネルギーを加えてｐｐｃｖＤ法に
より第２の被膜を積層した。

か（して酸化インジュームまたはＩＴＯを１００〜５０
０℃例えば３００℃にて得ることができた。

被膜形成速度はＰＰＣＶＤ法により７人／秒を１　ｔｏ
ｒｒ３００℃にて作ることができた。

シート抵抗は５００人の膜厚で２０Ω／口、透過率８７
％であった。

実施例５ この実施例は酸化スズの透明導電膜を作製した。

装置は実施例４と同じであった。

反応性気体として塩化スズを（２４）より、ＮＯを（２
５）よりＮｘ　Ｏ／　５ｎＣ１＋＞　２０として加えた
。

同時に（２６）よりＣ％Ｂ　ｒを添加してシート抵抗を
５０Ω／口以下（厚さ１ｏｏｏ人の場合）に下げた。

形成された被膜をさらに光化学反応用の照射光を加えつ
つ、ＮＯ雰囲気または酸素と窒素との混合λ 雰囲気にて５００℃にて焼成した。

かくして耐酸性、耐プラズマ性を有する酸化スズ膜を得
ることができた。この酸化スズ膜は、透光性の絶縁基板
例えばガラス基板」二であっても、また、実施例１に示
したガラス基板上のＩＴＯ上にコート材として積層しで
ＩＴＯＣ３００〜１５００人）、５ｎ０２．（２００〜
４００人）の２層構造としても有効であった。

本発明方法において、形成される被膜は、反応性気体と
してＴ？ｌＡ（＋−リメチルアルミニューム）またはこ
れに０．１〜１％のシランを添加して金属アルミニュー
ムを作る場合またはその他金属被膜を作る場合にも適用
が可能である。

以上の説明より明らかなごとく、本発明は反応性気体に
対し、ますフォ）ＣＶＤ法により被膜を形成し、さらに
同一反応炉にて被膜形成を連続してＰＰＣＶ　Ｄを実行
して界面特性の向上をも成就したものである。このＰＩ
”ＣＶ　Ｄに対しては、その代わりにＰＣＶＤとしても
、またそのいずれかを被膜作製で繰り返してもよい。

しかしＰＣＶＤにおいては、放電開始時および放電不安
定時におけるスパック効果を有する。このためｐｃｖｏ
法を用いる場合は、７．ｔトＣＶ　Ｄ　−ｒ’ＰＣＶ　
Ｄ　−Ｐ　ＣＶ　Ｉ）と中間にＰＰＣＶ　Ｄを行い、放
電開始時のスパッタ効果を除くことが重要である。

本発明は１つの基板が他の基板の陰にならないように、
この基板の表面に平行に光照射をさせ反応性気体を飛翔
中に光励起せしめたことを特長としており、芸の結果、
本発明の実施例に示すごとく、７　オ）　ＣＶＤ、　Ｐ
ＣＶＤ、　ＰＰＣＶＤを同一反応炉にて実施することが
可能となった。加えて２０ｃｍ　Ｘ　６０ｃｍの基板を
２０枚または５インチサイズのシリコン基板を同様に１
００枚も挿着することができ、従来の方式の１０〜３０
倍もの多量生産が高速被膜製造方法により可能となり、
工業上の効果をきわめて大なるものであると信する。

もちろん本発明方法を用いる装置は第２図の構造を限定
されることがな〈実施例に記した以外の構造形状、大き
さに作ることは可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のフメトＣｖＤ装置の概要を示す。 ４Ａ２図は本発明方法を用いたツメ）ＣＶＤ装置の概要
を示す。 第３図は本発明方法及び従来例によって得られた電気伝
導度特性を示す。 特許出願人 ／−−一一一−−□−− 茗１図 ８４１切（ムと） 翠９（２ 特許庁長官　殿 １、事件の表示 昭和５８年特許願第０７２５５７号 ２、発明の名称 気相法による被膜作製方法 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 ４、補正命令の日付 昭和５８年７月６日 （発送日　昭和５８年７月２６日） ５、補正の対象 願書および明細書 ６、補正の内容

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ■、基板上の被形成面上に、光気相反応法により第１の
   被膜を形成する工程と、該第１の被膜上に、光プラズマ
   気相法により同一材料の第２の被膜を積層して形成する
   ことを特徴とする気相法による被膜作製方法。 ２、基板上の被形成面上に、光気相反応法により第１の
   被膜を形成する工程と、該第１の被膜上に、プラズマ気
   相法により同一材料の第２の被膜を積層して形成するこ
   とを特徴とする気相法による被膜作製方法。 ３、特許請求の範囲第１項またはＳ２項において、第１
   および第２の被膜は同一導電型の珪素を主成分とするこ
   とを特徴とする気相法による被膜作製方法。 ４、特許請求の範囲第１項または第２項において、第１
   および第２の被膜は窒化珪素または酸化珪素を主成分と
   することを特徴とする気相法による被膜作製方法。 ５、特許請求の範囲第１項または第２項において、第１
   および第２の被膜は酸化スズ、酸化インジュームを主成
   分とする透光性導電順よりなることを特徴とする気相法
   による被膜作製方法。 ５、特許請求の範囲第１項または第２項において、第１
   および第２の被膜は平均膜厚が５０Å以上を有すること
   を特徴とする気相法による被膜作製方法。