JPS59198728A - Lsiチップの基板への取付方法 - Google Patents
Lsiチップの基板への取付方法Info
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- JPS59198728A JPS59198728A JP58073508A JP7350883A JPS59198728A JP S59198728 A JPS59198728 A JP S59198728A JP 58073508 A JP58073508 A JP 58073508A JP 7350883 A JP7350883 A JP 7350883A JP S59198728 A JPS59198728 A JP S59198728A
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- JP
- Japan
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- sealing agent
- heat
- substrate
- powder
- pads
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/013—Manufacture or treatment of die-attach connectors
- H10W72/01331—Manufacture or treatment of die-attach connectors using blanket deposition
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
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- H10W72/07236—Soldering or alloying
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
- H10W72/07251—Connecting or disconnecting of bump connectors characterised by changes in properties of the bump connectors during connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
木発明は電子部品と基板との取付方法に関するものであ
る。
る。
〈従来技術〉
従来提案されている電子部品(LSI)と基板との一般
的な取付方法としては、たとえば半田バンプによるボン
ディング方法とAuバンプによるボンディング方法かあ
るが、前者は半田付時に250℃程度の高温に加熱し々
ければならないので、電子部品及び基板に悪影響を与え
るという問題があり、又カーボン等の半田付できない材
料で配線された回路基板には適用できないという欠点が
ある。また、後者の場合もボンディング時に450℃程
度加熱する必要があり、さらに基板上の電極パッドには
予めSnメッキを施しておく必要があるという問題があ
った。
的な取付方法としては、たとえば半田バンプによるボン
ディング方法とAuバンプによるボンディング方法かあ
るが、前者は半田付時に250℃程度の高温に加熱し々
ければならないので、電子部品及び基板に悪影響を与え
るという問題があり、又カーボン等の半田付できない材
料で配線された回路基板には適用できないという欠点が
ある。また、後者の場合もボンディング時に450℃程
度加熱する必要があり、さらに基板上の電極パッドには
予めSnメッキを施しておく必要があるという問題があ
った。
く目的〉
本発明はかかる従来の問題点に鑑みて成されたもので、
基板材料や配線材料に関係なく低温で電子部品をボンデ
ィングしうる新規な電子部品の取付方法を提供するもの
である。
基板材料や配線材料に関係なく低温で電子部品をボンデ
ィングしうる新規な電子部品の取付方法を提供するもの
である。
〈実施例〉
以下図にもとづbて木発明の詳細な説明する。
第1図は本発明方法によって基板に電子部品を取付た図
である。
である。
図において、lけ基板、2は基板上の配線、3は端子部
分にAfパッド4を施したLSIチップである。また、
5はヒートシール剤(又はホットタルト接着剤)を示し
、前記基板lとLSIチップ3はこのヒートシール剤に
よって結合されて層る。このヒートシール剤には予め導
電性の粒子6、たとえばAg、 A 11 % C%
Cu −、N i粉が混入されていて、しかも、これら
の粒子6t/′i、LSIチップのAlパッド4と基板
の配線2との間に集中させているo依って、LSIチッ
プ3はヒートシール剤5によって基板1に取付られ、し
かも該チップ端子と基板配線とは導電性の粒子6を介し
て電気的に接続される。
分にAfパッド4を施したLSIチップである。また、
5はヒートシール剤(又はホットタルト接着剤)を示し
、前記基板lとLSIチップ3はこのヒートシール剤に
よって結合されて層る。このヒートシール剤には予め導
電性の粒子6、たとえばAg、 A 11 % C%
Cu −、N i粉が混入されていて、しかも、これら
の粒子6t/′i、LSIチップのAlパッド4と基板
の配線2との間に集中させているo依って、LSIチッ
プ3はヒートシール剤5によって基板1に取付られ、し
かも該チップ端子と基板配線とは導電性の粒子6を介し
て電気的に接続される。
第2図は上記ヒートシール剤による取付手順を示すもの
で、この図により今少し詳細に説明する。
で、この図により今少し詳細に説明する。
捷ず、A?パッド4を具えたLSIウェハー7を150
℃程度に加熱しく図■)、その表面にヒートシール剤5
をローラにより20〜50μ程度にコートする(図■)
。次にコートシタヒートシール剤5の上に上記Alパッ
ド4に対向する部分を穿孔しでなるマスク8を載せ、そ
の穿孔内にAg粉6を散布したのち(図■)、加熱して
Ag粉6を沈降させる(図@)。そして、矢印の部分で
カッティングして(図■)、l’パッド4に対応する部
分にAg粉を集中させてなるヒートシール剤5を付けた
LSIチップ3を得る(図■)。
℃程度に加熱しく図■)、その表面にヒートシール剤5
をローラにより20〜50μ程度にコートする(図■)
。次にコートシタヒートシール剤5の上に上記Alパッ
ド4に対向する部分を穿孔しでなるマスク8を載せ、そ
の穿孔内にAg粉6を散布したのち(図■)、加熱して
Ag粉6を沈降させる(図@)。そして、矢印の部分で
カッティングして(図■)、l’パッド4に対応する部
分にAg粉を集中させてなるヒートシール剤5を付けた
LSIチップ3を得る(図■)。
このようにして得られたLSIチップ3はヒートシール
剤5を下にして基板1の配線2に当接り。
剤5を下にして基板1の配線2に当接り。
該LSIチップ3の上から150℃に加熱したコテを2
Q Kq/cl 加圧してボンディングする。
Q Kq/cl 加圧してボンディングする。
このような取付方法によれば、ヒートシール剤は所謂樹
脂性の接着剤であるから、基板材料や配線材料に関係な
く低温で電子部品を取付ることか出来、しかもヒートシ
ール剤には導電性の粒子か混入されて因るから電子部品
端子と基板配線とを電気的に結合することが出来る。
脂性の接着剤であるから、基板材料や配線材料に関係な
く低温で電子部品を取付ることか出来、しかもヒートシ
ール剤には導電性の粒子か混入されて因るから電子部品
端子と基板配線とを電気的に結合することが出来る。
以上の様に本発明方法は導電性の粒子を混入させたヒー
トシール剤を用いて電子部品と基板を結合するものであ
るから、150″C程度の低温の巾で、しかも基板材料
や配線材料に関係なく電子部品を取付ることが出来る。
トシール剤を用いて電子部品と基板を結合するものであ
るから、150″C程度の低温の巾で、しかも基板材料
や配線材料に関係なく電子部品を取付ることが出来る。
したがって、電子部品をどのような基板にも取付ること
が出来、又熱による悪影響を解消して信頼性の高いボン
ディングを行うことが出来る。
が出来、又熱による悪影響を解消して信頼性の高いボン
ディングを行うことが出来る。
第1図は本発明方法による電子部品と基板の取付状態を
示す図、@2図■〜Oは取付手順を説明する図である。 1は基板、 2は配線、 3はLSIチップ、4は
Alパッド、 5はヒートシール剤、 6は導電性
粒子。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦(他2名)第1凶 ■ ;プ’、 2 i゛イl
示す図、@2図■〜Oは取付手順を説明する図である。 1は基板、 2は配線、 3はLSIチップ、4は
Alパッド、 5はヒートシール剤、 6は導電性
粒子。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦(他2名)第1凶 ■ ;プ’、 2 i゛イl
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 基板上に導電性の粒子を混入させたヒートシール剤
を用いて電子部品を結合してなることを特徴とする電子
部品の取付方法。 2、上記ヒートシール剤中の導電性粒子を電子部品と基
板の端子間に集中させてなることを特徴とする特許請求
の範囲第1項に記載の電子部品の取付方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58073508A JPS59198728A (ja) | 1983-04-25 | 1983-04-25 | Lsiチップの基板への取付方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58073508A JPS59198728A (ja) | 1983-04-25 | 1983-04-25 | Lsiチップの基板への取付方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59198728A true JPS59198728A (ja) | 1984-11-10 |
| JPH0510824B2 JPH0510824B2 (ja) | 1993-02-10 |
Family
ID=13520256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58073508A Granted JPS59198728A (ja) | 1983-04-25 | 1983-04-25 | Lsiチップの基板への取付方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59198728A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5849607A (en) * | 1993-11-27 | 1998-12-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Process for attaching a lead frame to a semiconductor chip |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5122367A (en) * | 1974-08-19 | 1976-02-23 | Suwa Seikosha Kk | Handotaisochino patsukeejihoho |
-
1983
- 1983-04-25 JP JP58073508A patent/JPS59198728A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5122367A (en) * | 1974-08-19 | 1976-02-23 | Suwa Seikosha Kk | Handotaisochino patsukeejihoho |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5849607A (en) * | 1993-11-27 | 1998-12-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Process for attaching a lead frame to a semiconductor chip |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0510824B2 (ja) | 1993-02-10 |
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