JPS59198731A - 半導体ウエ−ハの収納キヤリア - Google Patents
半導体ウエ−ハの収納キヤリアInfo
- Publication number
- JPS59198731A JPS59198731A JP58072182A JP7218283A JPS59198731A JP S59198731 A JPS59198731 A JP S59198731A JP 58072182 A JP58072182 A JP 58072182A JP 7218283 A JP7218283 A JP 7218283A JP S59198731 A JPS59198731 A JP S59198731A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- storage carrier
- semiconductor wafer
- core material
- core materials
- side walls
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/10—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof using carriers specially adapted therefor, e.g. front opening unified pods [FOUP]
- H10P72/15—Horizontal carrier comprising wall type elements whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising sidewalls
- H10P72/155—Horizontal carrier comprising wall type elements whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising sidewalls characterised by a material, a roughness, a coating or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/50—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for positioning, orientation or alignment
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、複数枚の半導体ウェーハを一括して運搬、保
管あるいは各種製造工程へ供給する等のために用いられ
る収納治具（キャリア）に関する。
管あるいは各種製造工程へ供給する等のために用いられ
る収納治具（キャリア）に関する。
半導体素子の製造工程においては、各種処理工程に半導
体ウェーハを供給する場合に複数の半導体ウェーハを一
括して運搬、保管しつる収納キャリアが用いられる。ま
た、現在では供給先の工程に応じて多１ｍ ％の収納キ
ャリアが用いられている。
体ウェーハを供給する場合に複数の半導体ウェーハを一
括して運搬、保管しつる収納キャリアが用いられる。ま
た、現在では供給先の工程に応じて多１ｍ ％の収納キ
ャリアが用いられている。
例えば、第」図（ａ）に示ず収納キャリアは、半導体ウ
ェーハを１枚ごとに出し入れする、いわゆる枚葉式自動
機に用いられる収納キャリアである。
ェーハを１枚ごとに出し入れする、いわゆる枚葉式自動
機に用いられる収納キャリアである。
この収納キャリアは、複数の半導体ウェーハ１．を。
縦方向に差入れて並列的に収納できるよう内面に溝４が
設けられた一対の側壁部２，２を連結ロッド３により一
体化したものである。側壁部２および連結ロッド３はア
ルミ材料に四７ツ化エチレン（ＣＦ２０Ｆ２）トハー７
０ロアルコキシエチレン（ＣＦ ２Ｃ１”ＣＯＲｆ ）
の共重合樹脂（商品名：テフロンＰＦＡといわれる。）
をコーティングして形成されている。
設けられた一対の側壁部２，２を連結ロッド３により一
体化したものである。側壁部２および連結ロッド３はア
ルミ材料に四７ツ化エチレン（ＣＦ２０Ｆ２）トハー７
０ロアルコキシエチレン（ＣＦ ２Ｃ１”ＣＯＲｆ ）
の共重合樹脂（商品名：テフロンＰＦＡといわれる。）
をコーティングして形成されている。
一方、第１図（１））に示す収納キャリアは上記共重合
樹脂を射出成形により一体成形したもので、同様に側壁
部２の内面にそれぞれ溝４が形成されている。この収納
キャリアは運搬や保管のほか、洗浄、薬液処理等の浸漬
処理にも使用されるものである。
樹脂を射出成形により一体成形したもので、同様に側壁
部２の内面にそれぞれ溝４が形成されている。この収納
キャリアは運搬や保管のほか、洗浄、薬液処理等の浸漬
処理にも使用されるものである。
このように、従来では工程に応じて種類や構造の異なる
収納キャリアを使用しているが、このことは製造工程に
よって相互に半導体ウェーハの移し替えをする必要が生
じ、その移し替えの回数は工程数に比例するため、相当
の回数となる。かかる作業は、半導体素子の特徴である
微細パターンを形成する場合に大数となる塵埃を防ぐ点
で不利であり、また作業能率が悪い。
収納キャリアを使用しているが、このことは製造工程に
よって相互に半導体ウェーハの移し替えをする必要が生
じ、その移し替えの回数は工程数に比例するため、相当
の回数となる。かかる作業は、半導体素子の特徴である
微細パターンを形成する場合に大数となる塵埃を防ぐ点
で不利であり、また作業能率が悪い。
上記不都合を解消するために、上記収納キャリアのいず
れか一方を統一的に使用することも考えられるが以下の
よ５な点で問題がある。すなわち、第１図（ｂ）に示し
た収納キャリアの場合には成形時の歪や使用過程におい
て種々のストレスが加わって収納キャリア自体の形状に
＋１ゆがみ＋＋が発生するため、半導体ウェーハ１枚ご
とに出し入れを行う自動機に使用するには不適である。
れか一方を統一的に使用することも考えられるが以下の
よ５な点で問題がある。すなわち、第１図（ｂ）に示し
た収納キャリアの場合には成形時の歪や使用過程におい
て種々のストレスが加わって収納キャリア自体の形状に
＋１ゆがみ＋＋が発生するため、半導体ウェーハ１枚ご
とに出し入れを行う自動機に使用するには不適である。
これに対して、第１図（ａ）の収納キャリアの場合は、
構造的には第１図（ｂ）のものよりは強度的に問題はな
い。しかし、コーテング樹脂が１コート当り４０〜７０
μｍ程度が限度であるため、あまり厚（することができ
ない。加えて、収納キャリアは複雑な溝形状を有してい
るため、各２部において厚みにばらつきが生じ、また薄
さからくるピンホールを生じることとなる。このことは
、何度も半導体ウエーノ・の出し入れを繰返した場合に
コーティング樹脂がはがれたり、アルミニウム地金の露
出に基づ（汚染が生じ、さらには半導体ウェーハに対す
る衝撃吸収能力が失われたりする不具合を招来すること
となる。また、収納キャリア自体を汚染や塵埃の除去の
ため、使用途中で何度かクリーニングの必要性が生じる
が、ピンホールや擦切れのため、薬液による効果的ｌ；
Ｃクリーニングが不可能となるなどの問題があった。
構造的には第１図（ｂ）のものよりは強度的に問題はな
い。しかし、コーテング樹脂が１コート当り４０〜７０
μｍ程度が限度であるため、あまり厚（することができ
ない。加えて、収納キャリアは複雑な溝形状を有してい
るため、各２部において厚みにばらつきが生じ、また薄
さからくるピンホールを生じることとなる。このことは
、何度も半導体ウエーノ・の出し入れを繰返した場合に
コーティング樹脂がはがれたり、アルミニウム地金の露
出に基づ（汚染が生じ、さらには半導体ウェーハに対す
る衝撃吸収能力が失われたりする不具合を招来すること
となる。また、収納キャリア自体を汚染や塵埃の除去の
ため、使用途中で何度かクリーニングの必要性が生じる
が、ピンホールや擦切れのため、薬液による効果的ｌ；
Ｃクリーニングが不可能となるなどの問題があった。
そこで、本発明は半導体ウエーノ・に傷をつけることな
く、また処理薬液に化学反応を起こさず、半導体ウェー
ハの供給、収納、保管等に必要な強度、変形の防止を図
った収納キャリアを提供することを目的とする。
く、また処理薬液に化学反応を起こさず、半導体ウェー
ハの供給、収納、保管等に必要な強度、変形の防止を図
った収納キャリアを提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明による収納キャリア
は、少なくとも一つの面が開口された箱体からなり、相
対向する一対の側壁部内面のそれぞれに、半導体ウェー
ハの端部が係合可能な複数の溝が相対応して設けられた
半導体ウェーハの収納キャリアにおいて、 前記箱体は四７ツ化エチレン（ＣＦ２ＣＦ２）とパーフ
ロロアルコキシエチレン（ＣＦ２０ＦＣＯＲ，ｆ）の共
重合樹脂の射出成形よりなり、かつ当該箱体内には剛性
体からなる芯材が埋設されている点に特徴を有する。
は、少なくとも一つの面が開口された箱体からなり、相
対向する一対の側壁部内面のそれぞれに、半導体ウェー
ハの端部が係合可能な複数の溝が相対応して設けられた
半導体ウェーハの収納キャリアにおいて、 前記箱体は四７ツ化エチレン（ＣＦ２ＣＦ２）とパーフ
ロロアルコキシエチレン（ＣＦ２０ＦＣＯＲ，ｆ）の共
重合樹脂の射出成形よりなり、かつ当該箱体内には剛性
体からなる芯材が埋設されている点に特徴を有する。
以下、本発明を図示する実施例にス（ｊづいて詳述する
。
。
本発明による収納キャリアの一芙雄側を第２図〜第４図
に示し、他の例を第５図に示す。なお、これらの実施例
において第１図と同等の部分には同一の符号を附して以
下説明する。
に示し、他の例を第５図に示す。なお、これらの実施例
において第１図と同等の部分には同一の符号を附して以
下説明する。
ｆず、本実施例における収納キャリアの外観構造は第１
図（ａ）と同様であるので、第】図（ａ）をそのまま援
用する。すなわち、一対の側壁部２，２が対向して設け
られ、それらの間は連結ロッド３に連結され一体化され
ている。
図（ａ）と同様であるので、第】図（ａ）をそのまま援
用する。すなわち、一対の側壁部２，２が対向して設け
られ、それらの間は連結ロッド３に連結され一体化され
ている。
第２図は側壁部２の構造を示す横断面図である。
側壁部２の内面には半導体ウェーハ１の収納枚数に対応
した数の溝４が縦方向に延在して設げられている。各溝
４は溝壁９をそれぞれ突設することにより設けられてい
る。以上のような形状を有する側壁部２は四フッ化エチ
レン（ＣＦ２ＣＦ２）ドパ−フロロアルコキシエチレン
（ＣＦ２０ＦＣＯＲｆ）の共重合樹脂から成っており、
その平坦部１０および溝壁９の内部には互に連結された
芯材５が埋設されている。芯材５としてはアルミニウム
、ステンレス鋼、アルミ合金（ジュラルミン）、チタン
等のほとんどの金属を使用することか可能であり、また
セラミック等の非金属剛性材料を使用することも可能で
ある。ただし、一定の強度を必要とすることはいうまで
もない。また、芯材５には樹脂との付着性を良くし、か
つ軽量化するために所定間隔に複数個所透孔が穿設され
ている。
した数の溝４が縦方向に延在して設げられている。各溝
４は溝壁９をそれぞれ突設することにより設けられてい
る。以上のような形状を有する側壁部２は四フッ化エチ
レン（ＣＦ２ＣＦ２）ドパ−フロロアルコキシエチレン
（ＣＦ２０ＦＣＯＲｆ）の共重合樹脂から成っており、
その平坦部１０および溝壁９の内部には互に連結された
芯材５が埋設されている。芯材５としてはアルミニウム
、ステンレス鋼、アルミ合金（ジュラルミン）、チタン
等のほとんどの金属を使用することか可能であり、また
セラミック等の非金属剛性材料を使用することも可能で
ある。ただし、一定の強度を必要とすることはいうまで
もない。また、芯材５には樹脂との付着性を良くし、か
つ軽量化するために所定間隔に複数個所透孔が穿設され
ている。
以上の側壁部２の成形に際しては射出成形が行われるが
、芯材５を所定の位飲に保つために、連結ロッド３の固
定用の穴１１を利用すると都合がよい。すなわち、第３
図に示すように芯材５の端部に穿設された穴１２内にピ
ン６を予め挿入しておぎ、樹脂が固化した後に抜取れば
よい。抜取った後入１１内に芯材５の穴１２の内周部が
ｕ４出するおそれがあるが、これを防ぐために＠４図に
示すように上記共重合樹脂と同じ樹脂からなるブツシュ
７およびカラー８を嵌合し、その接合部を溶着すること
により解決される。このようにすることによって得られ
る効果は当該収納キャリア全体を薬液Ｖこ浸漬すること
が可能となることである。すなわち、金属部の１．イ出
に基づ（半導体ウェーハの汚染を防止できる。
、芯材５を所定の位飲に保つために、連結ロッド３の固
定用の穴１１を利用すると都合がよい。すなわち、第３
図に示すように芯材５の端部に穿設された穴１２内にピ
ン６を予め挿入しておぎ、樹脂が固化した後に抜取れば
よい。抜取った後入１１内に芯材５の穴１２の内周部が
ｕ４出するおそれがあるが、これを防ぐために＠４図に
示すように上記共重合樹脂と同じ樹脂からなるブツシュ
７およびカラー８を嵌合し、その接合部を溶着すること
により解決される。このようにすることによって得られ
る効果は当該収納キャリア全体を薬液Ｖこ浸漬すること
が可能となることである。すなわち、金属部の１．イ出
に基づ（半導体ウェーハの汚染を防止できる。
なお、連結ロッド３も同様に上記同様のり抽行内に芯材
を埋設したものを用いる。側壁部２との同定には同樹脂
で作ったネジ等を用いれはよい。
を埋設したものを用いる。側壁部２との同定には同樹脂
で作ったネジ等を用いれはよい。
次に、第５図は上述の実施例のように、側壁部２、連結
ロッドｌを別々に作って組立てるのではなく、第１図（
ｂ）のように射Ｉ１１：ｌ成形により一体成形する場合
に、内部に芯材５を埋設した例を示すものである。
ロッドｌを別々に作って組立てるのではなく、第１図（
ｂ）のように射Ｉ１１：ｌ成形により一体成形する場合
に、内部に芯材５を埋設した例を示すものである。
以上の通り、本発明によれば次の如き効果が得られる。
すなわち、箱体が四フッ化エチレン（ＣＦ２０Ｆ２）ド
パ−７０ロアルコキシエチレン（ｃＦ２ｃＦＣＯＲｆ
） の共重合樹脂材料からなることにより、半導体ウ
ェーハとともに薬液中に浸漬処理することができ、また
射出成形し、その内部に芯材を埋設したことにより充分
な強度を得ることができるため、従来のように工程に応
じた収納キャリアとする必要が７【り、全工程に玩−的
に用いることができる。このことは、例えば半導体ウェ
ーハの枚葉処理を行う７オト豐リングラフイ、イオンイ
ンプランテーション、ドライエツチング、電極形成のた
めの蒸着工程において頻繁に行われる半導体ウェーハの
移し替えが少な（て爵み、具体的には従来との比較では
関口の移し替えが不要となる。
パ−７０ロアルコキシエチレン（ｃＦ２ｃＦＣＯＲｆ
） の共重合樹脂材料からなることにより、半導体ウ
ェーハとともに薬液中に浸漬処理することができ、また
射出成形し、その内部に芯材を埋設したことにより充分
な強度を得ることができるため、従来のように工程に応
じた収納キャリアとする必要が７【り、全工程に玩−的
に用いることができる。このことは、例えば半導体ウェ
ーハの枚葉処理を行う７オト豐リングラフイ、イオンイ
ンプランテーション、ドライエツチング、電極形成のた
めの蒸着工程において頻繁に行われる半導体ウェーハの
移し替えが少な（て爵み、具体的には従来との比較では
関口の移し替えが不要となる。
その結果、防塵性の向上、生産性の向上を図ることがで
きる。
きる。
第１図（ａ）（ｂ）は従来の収納キャリアの外観を示す
斜視図、 第２図は本発明による収納キャリアの側う４部の構造を
示す横断面図、 第３図は芯材端部の穴にピンを挿入した状態を示す部分
拡大図、 第４図は側壁部端部の構造を示す部分拡大断面図、 第５図は他の実施例を示す縦断面図で ある。 １・・・・・・半導体ウェーハ ２・・・・・・側壁部 ３・・・・・・連結ロッド ４・・・・・・溝 部 ５・・・・・・芯 材 ６・・・・・・ピ ン ７・・・・・・ブツシュ ８・・・・・・カラー ９・・・・・・平坦部 １０・・・・・・溝壁部 出願人代理人 猪 股 清第２図 第３図 第４図 第５図
斜視図、 第２図は本発明による収納キャリアの側う４部の構造を
示す横断面図、 第３図は芯材端部の穴にピンを挿入した状態を示す部分
拡大図、 第４図は側壁部端部の構造を示す部分拡大断面図、 第５図は他の実施例を示す縦断面図で ある。 １・・・・・・半導体ウェーハ ２・・・・・・側壁部 ３・・・・・・連結ロッド ４・・・・・・溝 部 ５・・・・・・芯 材 ６・・・・・・ピ ン ７・・・・・・ブツシュ ８・・・・・・カラー ９・・・・・・平坦部 １０・・・・・・溝壁部 出願人代理人 猪 股 清第２図 第３図 第４図 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、少なくとも一つの面が開口された箱体からなり、相
対向する一対の側壁部の内面のそれぞ、れに、半導体ウ
ェーハの端部が係合可能な複数の溝を設けてなる半導体
ウェーハの収納キャリアにおいて、− 前記箱体は四７ツ化エチレン（ＣＦ２ＣＦ２）とバー７
０ロアルコキシエチレン（０Ｆ２ＣＦＣＯＲ［）の共重
合樹脂の射出成形により形成され、かつ、箱体内には剛
性体からなる芯材が埋設されていることを特徴とする半
導体ウェーへの収納キャリア。 ２、特許請求の範囲第１項記載の収納キャリアにおいて
、芯材は金属材料であることを特徴とする半導体ウェー
への収納キャリア。 ３、特許請求の範囲第１項記載の収納キャリアにおいて
、芯材は非金属剛性材料であることを特徴とする半導体
ウェーハの収納キャリア。 ４、特許請求の範囲第１項、第２項または第３項記載の
収納キャリアにおいて、芯材は側壁部の平坦部および溝
の壁部のそれぞれの内部に相互に連結状態をもって埋設
されていることを特徴とする半導体ウェーハの収納キャ
リア。 ５、特許請求の範囲第１項、第２項、第３項または第４
項記載の収納キャリアにおいて、芯材には複数の透孔が
穿設されていることを特徴とする半導体ウェーハの収納
キャリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58072182A JPS59198731A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | 半導体ウエ−ハの収納キヤリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58072182A JPS59198731A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | 半導体ウエ−ハの収納キヤリア |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59198731A true JPS59198731A (ja) | 1984-11-10 |
Family
ID=13481816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58072182A Pending JPS59198731A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | 半導体ウエ−ハの収納キヤリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59198731A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02500631A (ja) * | 1987-07-02 | 1990-03-01 | フロロウエア インコーポレーテツド | 剛性補強部品を埋め込んで強化されたキャリア |
| JPH0392043U (ja) * | 1990-01-08 | 1991-09-19 |
-
1983
- 1983-04-26 JP JP58072182A patent/JPS59198731A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02500631A (ja) * | 1987-07-02 | 1990-03-01 | フロロウエア インコーポレーテツド | 剛性補強部品を埋め込んで強化されたキャリア |
| JPH0392043U (ja) * | 1990-01-08 | 1991-09-19 |
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