JPS59200216A - 液晶表示素子 - Google Patents
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、特定の配向制御膜を用いた液晶表示素子に関
する。
する。
従来より、液晶表示素子用透明導電体には、ガラスの表
面を透明導電化したものが用いられている。しかし、液
晶表示素子は益々軽量、薄型化される方向にある。この
ような要求に対し、ガラスの表面を透明導電化したもの
は、ガラスの機械的強度及び製造上の制約からガラス板
をある程度以上薄ぐすることができず、Q、3mmが限
界といわれている。したがって、上記のような目的に適
用するには、おのずから限界があり、更に、衝撃に対す
る脆弱さにより、素子の整造工程において破損するとい
う問題がある。これらの欠点を満足させる方法として、
従来のガラスの代わりに樹脂を用いることが考えられる
。ところが、前述したように、液晶の配向を均一にする
ため、配向を制御するだめの層が必要である。この配向
を制御するための層を得る方法としては、従来のガラス
の場合。
面を透明導電化したものが用いられている。しかし、液
晶表示素子は益々軽量、薄型化される方向にある。この
ような要求に対し、ガラスの表面を透明導電化したもの
は、ガラスの機械的強度及び製造上の制約からガラス板
をある程度以上薄ぐすることができず、Q、3mmが限
界といわれている。したがって、上記のような目的に適
用するには、おのずから限界があり、更に、衝撃に対す
る脆弱さにより、素子の整造工程において破損するとい
う問題がある。これらの欠点を満足させる方法として、
従来のガラスの代わりに樹脂を用いることが考えられる
。ところが、前述したように、液晶の配向を均一にする
ため、配向を制御するだめの層が必要である。この配向
を制御するための層を得る方法としては、従来のガラス
の場合。
二酸化ケイ素等の無機化合物からなる薄膜を斜方蒸着す
る方法及びポリイミド等の有機化合物からなる薄膜をラ
ビング処理する(布等で一定の方向にこする)方法等が
知られている。しかし、上記方法は、いずれも成膜の際
、高温処理を必要とする。これらは従来のガラス基板に
おいては特に問題ないが、樹脂基板の場合には、基板が
上記処理温度に耐えることができず、変形してし7甘い
正常な液晶表示素子を得ることができない。
る方法及びポリイミド等の有機化合物からなる薄膜をラ
ビング処理する(布等で一定の方向にこする)方法等が
知られている。しかし、上記方法は、いずれも成膜の際
、高温処理を必要とする。これらは従来のガラス基板に
おいては特に問題ないが、樹脂基板の場合には、基板が
上記処理温度に耐えることができず、変形してし7甘い
正常な液晶表示素子を得ることができない。
例えば、酸化インジウムの透明電極を設けた樹脂フィル
ムを用いて、電極側にポリイミド系の樹脂を塗布した場
合、高温度で長時間の熱処理により樹脂フィルム基板が
熱変形を起こし、正常な液晶素子を得ることができない
。そこで、樹脂フィルム基板の熱変形温度より低い温度
(100℃)でポリイミドの熱処理を行につだ場合、ポ
リイミドの熱硬化反応が不十分なため、ラビング過程で
。
ムを用いて、電極側にポリイミド系の樹脂を塗布した場
合、高温度で長時間の熱処理により樹脂フィルム基板が
熱変形を起こし、正常な液晶素子を得ることができない
。そこで、樹脂フィルム基板の熱変形温度より低い温度
(100℃)でポリイミドの熱処理を行につだ場合、ポ
リイミドの熱硬化反応が不十分なため、ラビング過程で
。
傷の発生又は膜の剥離が生ずるという問題がある。
そこで、樹脂フィルムに塗布した後、硬化反応を必要と
しない熱可塑性樹脂、すなわち、ポリスチレン、ポリメ
タクリレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン及
びポリカーボネート等の有機溶剤溶液を樹脂フィルムに
塗布乾燥し、その後所定のラビングを施して液晶素子の
形成を試みたところ、液晶表示素子を配向させることが
できず。
しない熱可塑性樹脂、すなわち、ポリスチレン、ポリメ
タクリレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン及
びポリカーボネート等の有機溶剤溶液を樹脂フィルムに
塗布乾燥し、その後所定のラビングを施して液晶素子の
形成を試みたところ、液晶表示素子を配向させることが
できず。
これらの樹脂はいずれも液晶の配向制御膜として使用し
得ないものであった。この原因について調べた結果、こ
れらの樹脂は、液晶に溶解し、ラビングした表面の効果
が消失するためであることが判明した。
得ないものであった。この原因について調べた結果、こ
れらの樹脂は、液晶に溶解し、ラビングした表面の効果
が消失するためであることが判明した。
そこで、液晶に不溶性の樹脂として、ポリビニルアルコ
ール及び各種セルロース類につき検討した。すなわち、
これらの樹脂を水に溶解しその水溶液を前記樹脂フィル
ムに塗布乾燥し、ラビングした後、素子を組立てた。そ
の結果、液晶分子は良好に配向して液晶の配向制御膜と
なることが判明した。しかし、詳細に調べたところ、素
子の耐湿信頼性に乏しく、湿気にょる配向不良が生じた
。
ール及び各種セルロース類につき検討した。すなわち、
これらの樹脂を水に溶解しその水溶液を前記樹脂フィル
ムに塗布乾燥し、ラビングした後、素子を組立てた。そ
の結果、液晶分子は良好に配向して液晶の配向制御膜と
なることが判明した。しかし、詳細に調べたところ、素
子の耐湿信頼性に乏しく、湿気にょる配向不良が生じた
。
す彦わち、樹脂フィルムはガラス板釦比べて透湿性が大
きいため、素子内に水分が入る。ところが。
きいため、素子内に水分が入る。ところが。
これらの配向制御膜は水溶性の樹脂であるため。
水による溶解あるいは膨潤が起こり、液晶を配向させる
能力が消失したものと考えられる。
能力が消失したものと考えられる。
又、特開昭55−9518号公報には、配向処理膜とし
てアミド結合を有する高分子物質(ナイロン等)ヲ用い
る液晶表示パネルが示されているが、この方式は配向制
御膜材料溶液の調製1作業をかなり高温で行なう必要が
あり、必ずしも満足できるものではない。
てアミド結合を有する高分子物質(ナイロン等)ヲ用い
る液晶表示パネルが示されているが、この方式は配向制
御膜材料溶液の調製1作業をかなり高温で行なう必要が
あり、必ずしも満足できるものではない。
本発明は、このような問題点を解決するものである。
すなわち1本発明は、液晶表示素子の配向制御膜が一般
式(1) および一般式(Ill 〔ただし、一般式(1)および(If)において+ R
11R21R3およびR4は水素、低級アルキル基、低
級アルコギシ基、塩素又は臭素を示し、それらは互いに
同じであっても異なっていてもよく、R5およびR6は
水素、メチル基、エチル基、プロピルM、 トリ7ル
オロメチル基又はトリクロロメチル基を示し。
式(1) および一般式(Ill 〔ただし、一般式(1)および(If)において+ R
11R21R3およびR4は水素、低級アルキル基、低
級アルコギシ基、塩素又は臭素を示し、それらは互いに
同じであっても異なっていてもよく、R5およびR6は
水素、メチル基、エチル基、プロピルM、 トリ7ル
オロメチル基又はトリクロロメチル基を示し。
それらは互いに同じでβっでも異なっていてもよ< 、
ArおよびAr’はp−フェニレン基1m−7エ=v
ン基、 ジフェニレン基、ナフチレン基又ハ占H3 れらは互いに同一でも異なっていてもよい、Xはエーテ
ル結合を含んでいてもよい炭素数2〜10の脂肪族基又
はAr’と同じ基を示す〕で表わされる繰返し単位を有
する芳香族ポリエーテルエステルアミド重合体を含有し
てなる液晶表示素子に関する。
ArおよびAr’はp−フェニレン基1m−7エ=v
ン基、 ジフェニレン基、ナフチレン基又ハ占H3 れらは互いに同一でも異なっていてもよい、Xはエーテ
ル結合を含んでいてもよい炭素数2〜10の脂肪族基又
はAr’と同じ基を示す〕で表わされる繰返し単位を有
する芳香族ポリエーテルエステルアミド重合体を含有し
てなる液晶表示素子に関する。
上記芳香族ポリエーテルエステルアミド重合体は、液晶
及び水に不溶性又は難溶性であり、この重合体を特定の
溶剤に溶解し、これを酸化インジウム等の透明導電性膜
°を有する基板に塗布し、低温(100〜120°C)
で加熱乾燥した後、ラビングすることにより配向制御膜
を得え。このようにして作製した2枚の基板の配向制御
膜を対向させて平行に配置し、その間に液晶を封入させ
ることにより、満足した特性を有する樹脂基板液晶光る 水素子を完成することができ劇。
及び水に不溶性又は難溶性であり、この重合体を特定の
溶剤に溶解し、これを酸化インジウム等の透明導電性膜
°を有する基板に塗布し、低温(100〜120°C)
で加熱乾燥した後、ラビングすることにより配向制御膜
を得え。このようにして作製した2枚の基板の配向制御
膜を対向させて平行に配置し、その間に液晶を封入させ
ることにより、満足した特性を有する樹脂基板液晶光る 水素子を完成することができ劇。
本発明の液晶表示素子は、一般に液晶の自己1句性はも
ちろん良好で耐湿性も良好である。それ故。
ちろん良好で耐湿性も良好である。それ故。
基板材料には、従来公知のもののいずれを用いてもよい
。例えば、エポキシアク1ル一ト系樹月旨及びポリエチ
レンテレフタレート等の市販のフィルム又はシートに透
明導電膜を有するものを適用することかでき、これ以外
にも液晶に不溶性おるいは1表面に液晶によって溶解さ
れないような処理をmしタフイルム又はシートであれば
適用可能であり、特に限定されない。力お1本発明にお
いては、もちろんガラス基板を使用してもよい。
。例えば、エポキシアク1ル一ト系樹月旨及びポリエチ
レンテレフタレート等の市販のフィルム又はシートに透
明導電膜を有するものを適用することかでき、これ以外
にも液晶に不溶性おるいは1表面に液晶によって溶解さ
れないような処理をmしタフイルム又はシートであれば
適用可能であり、特に限定されない。力お1本発明にお
いては、もちろんガラス基板を使用してもよい。
本発明においては、基板に特定の芳香族ボ1ノエ
。
。
−チルエステルアミド重合体溶液を塗布した後。
単に溶剤を蒸発乾燥させればよいために、低温且つ短時
間で配向制御膜が得られる。例えば形成する膜厚は50
0〜2000λ程度で非常に薄いので、沸点以下でも十
分に乾燥可能である。従って。
間で配向制御膜が得られる。例えば形成する膜厚は50
0〜2000λ程度で非常に薄いので、沸点以下でも十
分に乾燥可能である。従って。
従来、基板(主にガラス板)に二酸化けい素等からなる
薄膜を斜方蒸着する方式又はポリイミド膜を形成する方
式に比べて、製造が極めて容易に安価々液晶表示素子を
得ることができる。
薄膜を斜方蒸着する方式又はポリイミド膜を形成する方
式に比べて、製造が極めて容易に安価々液晶表示素子を
得ることができる。
本発明における前記一般式mおよび(II)で表わされ
る繰返し単位を有する芳香族ポリエーテルエステルアミ
ド樹脂は、一般式(I[I) Ra R6R4 (ただし9式中、La21 R31R41R5およびR
6は前記一般式(1)におけるものと同じ意味を有する
)で表わされるエーテル結合を有する芳香族ジアミン一
般式(IV) HOX NH2(F/) 〔たたし1式中、Xは、p−フェニレン基+m−フェニ
レン基、ジフェニレン基、ナフチレン基。
る繰返し単位を有する芳香族ポリエーテルエステルアミ
ド樹脂は、一般式(I[I) Ra R6R4 (ただし9式中、La21 R31R41R5およびR
6は前記一般式(1)におけるものと同じ意味を有する
)で表わされるエーテル結合を有する芳香族ジアミン一
般式(IV) HOX NH2(F/) 〔たたし1式中、Xは、p−フェニレン基+m−フェニ
レン基、ジフェニレン基、ナフチレン基。
+y−@−<ただし、ここで、Yは結合。
さ市
またはエーテル結合を含んでいてもよい炭素数2〜10
の脂肪族基を示す〕で表わされる化合物および芳香族ジ
カルボン酸又はその反応性酸誘導体とを、溶液重合、溶
融重合又は特開昭52−23198号公報に示された方
法等の既知の芳香族ポリアミドの製造方法を適用して縮
重合させて得ることができる。
の脂肪族基を示す〕で表わされる化合物および芳香族ジ
カルボン酸又はその反応性酸誘導体とを、溶液重合、溶
融重合又は特開昭52−23198号公報に示された方
法等の既知の芳香族ポリアミドの製造方法を適用して縮
重合させて得ることができる。
ここで、一般式(III)と一般式(IV)で表わされ
る化合物は9モル比で前者/後者が515〜9/1に配
合され′るのが好ましく、特に6/9〜8/2に配合さ
れるのが好ましい。この比が小さすぎると耐熱性が低下
しやすく、大きすぎると接着性が低下しやすくなる。
る化合物は9モル比で前者/後者が515〜9/1に配
合され′るのが好ましく、特に6/9〜8/2に配合さ
れるのが好ましい。この比が小さすぎると耐熱性が低下
しやすく、大きすぎると接着性が低下しやすくなる。
また、一般式(1)と一般式(IV)で表わでれろ化合
物の総量に対して、芳香族ジカルボン酸又はその反応性
酸誘導体を90〜130モルチ使用するのが好筐しく、
特に100モル%またはほぼ100モル係使用するのが
好逢しい。
物の総量に対して、芳香族ジカルボン酸又はその反応性
酸誘導体を90〜130モルチ使用するのが好筐しく、
特に100モル%またはほぼ100モル係使用するのが
好逢しい。
本発明における前記一般式(III>で表わきれるエー
テル結合ケ有する芳香族ジアミンとしては、2゜2−ビ
ス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン
、2.2−ビス〔3−メチル−4−(4−アミノフェノ
キシ)フェニル〕プロパン、2+2−ビス〔3−クロロ
−4−(4−アミノフェノキシ)フェニルジフロパン、
2.2−ビス〔3−ブロモ−4−(4−アミノフェノキ
シ)フェニルジフロパン、2,2−ビス〔3−エチル−
4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2
,2−ビス〔3−プロピル−4−(4−アミノフェノキ
シ)フェニル〕プロパン、λ2−ビス〔3−イソプロピ
ル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン
、2,2−ビス〔3−ブチル−4−(4−アミノフェノ
キシ)フェニルジフロパン、2.2−ビス[3−5ec
−ブチル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プ
ロパン+2.2−ヒX[3−メ)キシ−4−(4−アミ
ノフェノキシ)フェニル〕プロパン、212−ビス〔3
−エトキシ−4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパ
ン、 2.2−ビスC3,5−ジメチル−4−(4−ア
ミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2+2−ビス[
3,5−ジクロロ−4−(4−アミノフェノキ7)フェ
ニル〕プロパン、2+2−ビス〔3I5−ジブロモ−4
−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン。
テル結合ケ有する芳香族ジアミンとしては、2゜2−ビ
ス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン
、2.2−ビス〔3−メチル−4−(4−アミノフェノ
キシ)フェニル〕プロパン、2+2−ビス〔3−クロロ
−4−(4−アミノフェノキシ)フェニルジフロパン、
2.2−ビス〔3−ブロモ−4−(4−アミノフェノキ
シ)フェニルジフロパン、2,2−ビス〔3−エチル−
4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2
,2−ビス〔3−プロピル−4−(4−アミノフェノキ
シ)フェニル〕プロパン、λ2−ビス〔3−イソプロピ
ル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン
、2,2−ビス〔3−ブチル−4−(4−アミノフェノ
キシ)フェニルジフロパン、2.2−ビス[3−5ec
−ブチル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プ
ロパン+2.2−ヒX[3−メ)キシ−4−(4−アミ
ノフェノキシ)フェニル〕プロパン、212−ビス〔3
−エトキシ−4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパ
ン、 2.2−ビスC3,5−ジメチル−4−(4−ア
ミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2+2−ビス[
3,5−ジクロロ−4−(4−アミノフェノキ7)フェ
ニル〕プロパン、2+2−ビス〔3I5−ジブロモ−4
−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン。
2.2−ビス〔3,5−ジメトキシ−4−(4−アミノ
フェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔3−
クロロ−4−(4−アミノフェノキシ)−5−メチルフ
ェニル〕プロパン、1.1−ヒス[4−(4−アミノフ
ェノキシ)フェニル〕エタン。
フェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔3−
クロロ−4−(4−アミノフェノキシ)−5−メチルフ
ェニル〕プロパン、1.1−ヒス[4−(4−アミノフ
ェノキシ)フェニル〕エタン。
1.1−ビス〔3−メチル−4−(4〜アミノフエノキ
シ)フェニル〕エタン、1.1−ビス(3−クロロ−4
−(4−アミノンエノキシ)フェニル〕エタン、l、1
−ビス〔3−ブロモ−4−(4−アミノフェノキシ)フ
ェニル〕エタン、1,1−ビス ゛〔3−エ
チル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕エタン
、1.1−ヒス〔3−70ビル−4−(4−アミノフェ
ノキシ)フェニル〕エタン。
シ)フェニル〕エタン、1.1−ビス(3−クロロ−4
−(4−アミノンエノキシ)フェニル〕エタン、l、1
−ビス〔3−ブロモ−4−(4−アミノフェノキシ)フ
ェニル〕エタン、1,1−ビス ゛〔3−エ
チル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕エタン
、1.1−ヒス〔3−70ビル−4−(4−アミノフェ
ノキシ)フェニル〕エタン。
1.1−ビス〔3−イソプロピル−4−(4−アミノフ
ェノキシ)フェニル〕エタン、1.1−ビス〔3−ブチ
ル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕エタン、
1.l−ビス(3−5ec−ブチル−4−(4−アミノ
フェノキシ)フェニル〕エタン、1,1−ビス〔3−メ
トキシ−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕エタ
ン、1.1−ビス〔3−エトキシ−4−(4−アミノフ
ェノキシ)フェニル〕エタン、L、1−ビス(3,5−
シメfルー4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕エ
タン、1,1−ビス〔3,5−ジクロロ−4−(4−ア
ミノフェノキシ)フェニル〕エタン、1,1−ビス〔3
15−ジブロモ−4−(4−アミノフェノキシ)フェニ
ル〕エタン、1.1−ビス(3,5−シメト#シー4−
(4−アミノフェノキシ)フェニル〕エタン、1,1
−ビス〔3−クロロ−4−(4−アミノフェノキシ)−
5−メチルフェニル〕エタン。
ェノキシ)フェニル〕エタン、1.1−ビス〔3−ブチ
ル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕エタン、
1.l−ビス(3−5ec−ブチル−4−(4−アミノ
フェノキシ)フェニル〕エタン、1,1−ビス〔3−メ
トキシ−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕エタ
ン、1.1−ビス〔3−エトキシ−4−(4−アミノフ
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シメfルー4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕エ
タン、1,1−ビス〔3,5−ジクロロ−4−(4−ア
ミノフェノキシ)フェニル〕エタン、1,1−ビス〔3
15−ジブロモ−4−(4−アミノフェノキシ)フェニ
ル〕エタン、1.1−ビス(3,5−シメト#シー4−
(4−アミノフェノキシ)フェニル〕エタン、1,1
−ビス〔3−クロロ−4−(4−アミノフェノキシ)−
5−メチルフェニル〕エタン。
ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニルコメタン
、ビス〔3−メチル−4−(4−アミノフェノキシ)フ
ェニルコメタン、ビス〔3−クロロ−4−(4−アミノ
フェノキシ)フェニルコメタン、ビス〔3−ブロモ−4
−(4−アミノフェノキシ)フェニルコメタン、ビス〔
3−エテル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニルコ
メタン。
、ビス〔3−メチル−4−(4−アミノフェノキシ)フ
ェニルコメタン、ビス〔3−クロロ−4−(4−アミノ
フェノキシ)フェニルコメタン、ビス〔3−ブロモ−4
−(4−アミノフェノキシ)フェニルコメタン、ビス〔
3−エテル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニルコ
メタン。
ビス〔3−プロピル−4−(4−アミノフェノキシ)フ
ェニルコメタン、ビス〔3−イソプロピル−4−(4−
アミノフェノキシ)フェニルコメタン、ビス〔3−ブチ
ル−4−(4−アミンフェノキシ)フェニルコメタン、
ビス[3sec 7’fルー4−(4−アミノフェノ
キ7)フェニルコメタン、ビス〔3−メトキシ−4−(
4−アミノフェノキシ)フェニルコメタン、ビス〔3−
エトキシ−4−(4−アミノフェノキシ)フェニルコメ
タン、ビス〔3,5−ジメチル−4−(4−アミノフェ
ノキシ)フェニルコメタン、ビス[3,5−ジクロロ−
4−(4−アミノンエノキシ)フェニルコメタン、ビス
〔3,5−ジブロモ−4−(4−アミノフェノキシ)フ
ェニルコメタン、ビス(3,5−ジメトキシ−4−(4
−アミノンエノキシ)フエニル〕メタン、ビスC3−#
ロロー4−(4〜アミノフエノキシ)−5−メチルフェ
ニルコメタン。
ェニルコメタン、ビス〔3−イソプロピル−4−(4−
アミノフェノキシ)フェニルコメタン、ビス〔3−ブチ
ル−4−(4−アミンフェノキシ)フェニルコメタン、
ビス[3sec 7’fルー4−(4−アミノフェノ
キ7)フェニルコメタン、ビス〔3−メトキシ−4−(
4−アミノフェノキシ)フェニルコメタン、ビス〔3−
エトキシ−4−(4−アミノフェノキシ)フェニルコメ
タン、ビス〔3,5−ジメチル−4−(4−アミノフェ
ノキシ)フェニルコメタン、ビス[3,5−ジクロロ−
4−(4−アミノンエノキシ)フェニルコメタン、ビス
〔3,5−ジブロモ−4−(4−アミノフェノキシ)フ
ェニルコメタン、ビス(3,5−ジメトキシ−4−(4
−アミノンエノキシ)フエニル〕メタン、ビスC3−#
ロロー4−(4〜アミノフエノキシ)−5−メチルフェ
ニルコメタン。
1、1.1.3.3.3−へキサフルオロ−2,2−ビ
ス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン
。
ス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン
。
1、1.1.3.3.3−ヘキサクロロ−2,2−ビス
〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕フロパン。
〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕フロパン。
3.3−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル
〕ペンタン、1,1−ビス[4−、(4−アミノフェノ
キシ)フェニル〕プロパン、 1.1.1.3.3.
3−へキサフルオロ−42−ビス(3,5−ジメチル−
4−(4−アミンフェノキシ)フェニル〕プロパン、
1.1.1,3.3.3−ヘキサクロロ−2,2−ビス
〔3,5−ジメチル−4−(4−アミノフェノキシ)フ
ェニル〕プロパン、3,3−ビス〔3,5−ジメチル−
4−(4−アミ/フェノキシ)フェニル〕ペンタン、1
,1−ビス〔3,5−ジメチル−4−(4−アミノンエ
ノキシ)フェニル〕プロパン、1,1゜1、3.3.3
−へキサフルオロ−2,2−ビス[3,5−ジブロモ−
4(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、 1
.1.1.3.3.3−ヘキサクロロ−λ2−ビス(3
,5−ジブロモ−4−(4−アミノフェノキシ)フェニ
ル〕プロパン、3.3−ビス(3,5−ジブロモ−4−
(4−アミノフェノキシ)フェニル〕ペンタン、■、1
−ビス〔3,5−ジブロモ−4−(4−アミノフェノキ
シ)フェニル〕フロパン。
〕ペンタン、1,1−ビス[4−、(4−アミノフェノ
キシ)フェニル〕プロパン、 1.1.1.3.3.
3−へキサフルオロ−42−ビス(3,5−ジメチル−
4−(4−アミンフェノキシ)フェニル〕プロパン、
1.1.1,3.3.3−ヘキサクロロ−2,2−ビス
〔3,5−ジメチル−4−(4−アミノフェノキシ)フ
ェニル〕プロパン、3,3−ビス〔3,5−ジメチル−
4−(4−アミ/フェノキシ)フェニル〕ペンタン、1
,1−ビス〔3,5−ジメチル−4−(4−アミノンエ
ノキシ)フェニル〕プロパン、1,1゜1、3.3.3
−へキサフルオロ−2,2−ビス[3,5−ジブロモ−
4(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、 1
.1.1.3.3.3−ヘキサクロロ−λ2−ビス(3
,5−ジブロモ−4−(4−アミノフェノキシ)フェニ
ル〕プロパン、3.3−ビス(3,5−ジブロモ−4−
(4−アミノフェノキシ)フェニル〕ペンタン、■、1
−ビス〔3,5−ジブロモ−4−(4−アミノフェノキ
シ)フェニル〕フロパン。
2.2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル
コブタン、2,2−ビス〔3−メチル−4=(4−アミ
ノフェノキシ)フェニルコブタン、2+2−ビス〔3,
5−ジメチル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル
〕フタン、2.2−ビス[3,5−ジブロモ−4−(4
・−アミノンエノキシ)フェニルコブタン、 1.1.
1.3.3.3−ヘキザフルオロ−2,2−ビス〔3−
メチル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロ
パン等がある。これらのウチでid、 2.2−ビス[
4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパンが代
表的である。もし。
コブタン、2,2−ビス〔3−メチル−4=(4−アミ
ノフェノキシ)フェニルコブタン、2+2−ビス〔3,
5−ジメチル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル
〕フタン、2.2−ビス[3,5−ジブロモ−4−(4
・−アミノンエノキシ)フェニルコブタン、 1.1.
1.3.3.3−ヘキザフルオロ−2,2−ビス〔3−
メチル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロ
パン等がある。これらのウチでid、 2.2−ビス[
4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパンが代
表的である。もし。
必要ならば、上記のジアミンの混合物を用いるこ神
とができる。
更に9本発明においては、既知の芳香族ジアミン例えば
4.4′−ジアミノジフェニルエーテル、4.4’−ジ
アミノジフェニルメタン、4.4’−ジアミノジフェニ
ルスルホン、メタフェニレンジアミン、4.4’−ジ(
4−アミノフェノキシ)フェニルスルホン。
4.4′−ジアミノジフェニルエーテル、4.4’−ジ
アミノジフェニルメタン、4.4’−ジアミノジフェニ
ルスルホン、メタフェニレンジアミン、4.4’−ジ(
4−アミノフェノキシ)フェニルスルホン。
パラフェニレンジアミン、4.4’−ジ(3−アミノフ
ェノキシ)フェニルスルホン及び3.3′−ジアミノジ
フェニルスルホン等の少なくとも1種を併用することが
できる。これらの芳香族ジアミン類の芳香族ジアミン類
全体に対する割合としては、30モルチ以下が望ましい
。この割合が30七ルチを超えると、縮重合体の溶解性
に悪影響を及ぼすため望ましくない。
ェノキシ)フェニルスルホン及び3.3′−ジアミノジ
フェニルスルホン等の少なくとも1種を併用することが
できる。これらの芳香族ジアミン類の芳香族ジアミン類
全体に対する割合としては、30モルチ以下が望ましい
。この割合が30七ルチを超えると、縮重合体の溶解性
に悪影響を及ぼすため望ましくない。
一般式(■)で表わされる化合物としては、たとえば1
m−アミンフェノール、p−アミンフェノール、1−ア
ミノ−5−ナフトール、1−アミノ−6−ナフトール、
1−アミノ−7−ナフトール、2−アミノ−5−ナフト
ール、4−(4’−アミノフェニル)フェノール等およ
びこれらのアルキル、ハロゲン等の非反応性基で置換さ
れたアミノフェノールをあげることができる。一般式(
IV)で表わされる化合物を共重合させることにより、
基板(%に、ポリエチレンテレフタレートフィルム)と
の接着性を向上させることができる。
m−アミンフェノール、p−アミンフェノール、1−ア
ミノ−5−ナフトール、1−アミノ−6−ナフトール、
1−アミノ−7−ナフトール、2−アミノ−5−ナフト
ール、4−(4’−アミノフェニル)フェノール等およ
びこれらのアルキル、ハロゲン等の非反応性基で置換さ
れたアミノフェノールをあげることができる。一般式(
IV)で表わされる化合物を共重合させることにより、
基板(%に、ポリエチレンテレフタレートフィルム)と
の接着性を向上させることができる。
本発明における芳香族ジカルボン酸としては。
例えばテレフタル酸、インフタル酸、4.4’−ジフェ
ニルジカルボン酸、3.4′−ジフェニルジカルボン酸
、 2.6−ナフタレンジカルボン酸、1,5−ナフタ
レ/ジカルボン酸、4.4’−ジフェニルエーテルジカ
ルボン酸及び3,4′−ジフェニルエーテルジカルボン
酸等を挙げることができるが、テレフタル酸及びイソフ
タル酸が一般に製造されているので好適に使用すること
ができる。特に、テレフタル酸とイソフタル酸の混合物
は、生成する縮重合体の溶解性の点から望ましい。々お
1本発明における芳香族ジカルボン酸の反応性誘導体と
は、前記芳香族ジカルボン酸のジクロライド、ジクロラ
イドLびジエステル等を意味する。又、上記したように
、テレフタル酸とイソフタル酸の混合物を使用する場合
には、ベンゼン核のメタ位にカルボキシル基を有するイ
ソフタル酸とベンゼン核のパラ位にカルボキシル基を有
するテレフタル酸の配合割合は、前者20〜80φに対
し、後者80〜20q6の範囲内とすることが、特に溶
解性の点で望ましい。
ニルジカルボン酸、3.4′−ジフェニルジカルボン酸
、 2.6−ナフタレンジカルボン酸、1,5−ナフタ
レ/ジカルボン酸、4.4’−ジフェニルエーテルジカ
ルボン酸及び3,4′−ジフェニルエーテルジカルボン
酸等を挙げることができるが、テレフタル酸及びイソフ
タル酸が一般に製造されているので好適に使用すること
ができる。特に、テレフタル酸とイソフタル酸の混合物
は、生成する縮重合体の溶解性の点から望ましい。々お
1本発明における芳香族ジカルボン酸の反応性誘導体と
は、前記芳香族ジカルボン酸のジクロライド、ジクロラ
イドLびジエステル等を意味する。又、上記したように
、テレフタル酸とイソフタル酸の混合物を使用する場合
には、ベンゼン核のメタ位にカルボキシル基を有するイ
ソフタル酸とベンゼン核のパラ位にカルボキシル基を有
するテレフタル酸の配合割合は、前者20〜80φに対
し、後者80〜20q6の範囲内とすることが、特に溶
解性の点で望ましい。
配向制御膜用の溶剤とし、では、ジメチルスルホキシド
、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−
メチル−2−ピロリドン及びシクロヘキサノン等の単独
又はこれらの混合溶剤、更に。
、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−
メチル−2−ピロリドン及びシクロヘキサノン等の単独
又はこれらの混合溶剤、更に。
前記芳香族ポリエーテルエステルアミド縮重合体を溶解
可能な範囲で混合したものを用いることができる。例え
ば、上記溶剤を単独で用いるよりも。
可能な範囲で混合したものを用いることができる。例え
ば、上記溶剤を単独で用いるよりも。
セロソルブ類、トルエン及びキシレン等を適量混合した
混合溶剤の方が良好な膜を得る場合があり。
混合溶剤の方が良好な膜を得る場合があり。
上記以外でも芳香族ポリエーテルエステルアミド重合体
を溶解可能なものでめれば特に限定されない。
を溶解可能なものでめれば特に限定されない。
なお又9本発明においては、成膜性等の改良のために、
他の重合体を共存させてもよい。
他の重合体を共存させてもよい。
次に9本発明を実施例により説明するが9本発明はこれ
らによりなんら限定されるものではない。
らによりなんら限定されるものではない。
々お、液晶表示素子の配向性の評価は、液晶分子の長軸
方向と基板表面との角、すなわち基板と液晶分子の長軸
との傾き(チルト角θ)により行なった。良好々配向性
はチルト角1.5〜3.0が望ましく、それによりコン
トラスト比の絶対値を太きくすることができる。〔チル
ト角及びその測定方法はジャーナル、オブ、アプライド
、フィジックス(Journal of Applie
d Physics )第19巻(1980) 、 A
10 、第2013〜4頁に記載されている。
方向と基板表面との角、すなわち基板と液晶分子の長軸
との傾き(チルト角θ)により行なった。良好々配向性
はチルト角1.5〜3.0が望ましく、それによりコン
トラスト比の絶対値を太きくすることができる。〔チル
ト角及びその測定方法はジャーナル、オブ、アプライド
、フィジックス(Journal of Applie
d Physics )第19巻(1980) 、 A
10 、第2013〜4頁に記載されている。
実施例1
i o o om7容フラスコに、撹拌棒、温度計1滴
下漏斗をセットし、 NaOH17,29−を水80威
に溶解してフラスコに入れた。次に、2,2−ビス(4
−(4−アばノフエノキシ)フェニル〕プロパン44.
39−とm−アミノンエノール7.91をシクロヘキサ
ノン3409−に溶解し、上記フラスコ中に注入し、−
2℃まで冷却した。一方、テレフ □゛メタ
ルジクロライド18.2LiF及びインフタル酸ジクロ
ライド18.27をシクロへキサノン24ozに溶解し
、この酸クロライド溶液を滴下漏斗からフラスコ中に注
入し、この際9反応温度が10℃を超えないようにして
3時間反応させた。反応液をメタノール中に投入して重
合体を単離させた。
下漏斗をセットし、 NaOH17,29−を水80威
に溶解してフラスコに入れた。次に、2,2−ビス(4
−(4−アばノフエノキシ)フェニル〕プロパン44.
39−とm−アミノンエノール7.91をシクロヘキサ
ノン3409−に溶解し、上記フラスコ中に注入し、−
2℃まで冷却した。一方、テレフ □゛メタ
ルジクロライド18.2LiF及びインフタル酸ジクロ
ライド18.27をシクロへキサノン24ozに溶解し
、この酸クロライド溶液を滴下漏斗からフラスコ中に注
入し、この際9反応温度が10℃を超えないようにして
3時間反応させた。反応液をメタノール中に投入して重
合体を単離させた。
これを乾燥後、再びジメチルホルムアミドに溶解し、こ
れをメタノール中に投入して芳香族ポリエーテルエステ
ル゛アミド縮重合体(以下重合体と略称する)を2pt
Hした。この重合体の還元粘度(η51./。)(ジメ
チルホルムアミド0.2重量%溶液、30’Cで測定、
以下同様)は1.0であった。
れをメタノール中に投入して芳香族ポリエーテルエステ
ル゛アミド縮重合体(以下重合体と略称する)を2pt
Hした。この重合体の還元粘度(η51./。)(ジメ
チルホルムアミド0.2重量%溶液、30’Cで測定、
以下同様)は1.0であった。
この重合体の3,5重量%N−メチルピロリドン〜ブチ
ルセロソルブアセテート(混合比4:6)溶液を、十分
に洗浄した透明導電膜を有するポリエチレンテレフタレ
ートフィルム上に、スピンナーを用いて、2000rp
mで均一に塗布後、120℃で10分間乾燥して溶媒を
蒸発させ、膜厚1050Aの配向制御膜を形成した。こ
の膜をフェルトで一定方向にラビングし、配向制御膜を
有する基板フィルムを作製した。
ルセロソルブアセテート(混合比4:6)溶液を、十分
に洗浄した透明導電膜を有するポリエチレンテレフタレ
ートフィルム上に、スピンナーを用いて、2000rp
mで均一に塗布後、120℃で10分間乾燥して溶媒を
蒸発させ、膜厚1050Aの配向制御膜を形成した。こ
の膜をフェルトで一定方向にラビングし、配向制御膜を
有する基板フィルムを作製した。
このようにして作製した2枚のフィルムの配向制御膜を
対向させて配置し、これらのフィルムをポリエヌテル系
接着剤よりなる封着剤で接着して液晶表示素子を作製し
た。々お、封着剤は120℃で5分間硬化した。この素
子の配向制御膜間に。
対向させて配置し、これらのフィルムをポリエヌテル系
接着剤よりなる封着剤で接着して液晶表示素子を作製し
た。々お、封着剤は120℃で5分間硬化した。この素
子の配向制御膜間に。
フェニルシクロヘキサン系の液晶(メルク社製。
ZLI−1132)を配置し、2枚の直交偏光板間で液
晶の配向性を調べたところ、良好々配向性を示した。(
チルト角2,3度) 実施例2 下記組成の原料を用いた以外は実施例1と同様の装置及
び方法により重合体を調製した。
晶の配向性を調べたところ、良好々配向性を示した。(
チルト角2,3度) 実施例2 下記組成の原料を用いた以外は実施例1と同様の装置及
び方法により重合体を調製した。
この重合体の3.5重量SN−メチルピロリドン〜ブチ
ルセロソルブアセテート(混合比4:6)溶液を用い、
実施例1と同様のフィルム基板に配向制御膜を形成して
液晶素子を作製し、液晶の配向性を調べたところ、良好
な配向性を示した。
ルセロソルブアセテート(混合比4:6)溶液を用い、
実施例1と同様のフィルム基板に配向制御膜を形成して
液晶素子を作製し、液晶の配向性を調べたところ、良好
な配向性を示した。
(チルト角2.4度)
実施例3
下記組成の原料を用いた以外は実施例1と同様の装置及
び方法により重合体を調製した。
び方法により重合体を調製した。
C重合体0還元粘度(″・η)1”・2f、IQた。
この重合体の3.5重量%N−メチルピロIJト”7〜
ブチルセロソルブアセテート(混合比4:6)溶液を用
い、実施例1と同様のフィルム基板に自己向制御膜を形
成して液晶表示素子を作製し、#i、晶の配向性を調べ
たところ、良好寿配向性を示した。
ブチルセロソルブアセテート(混合比4:6)溶液を用
い、実施例1と同様のフィルム基板に自己向制御膜を形
成して液晶表示素子を作製し、#i、晶の配向性を調べ
たところ、良好寿配向性を示した。
(テ、ルト角2.3度)
比較例
下記組成の原料を用いた以外は実施例1と同様の装置及
び方法により重合体を調製した。
び方法により重合体を調製した。
この重合体の3.5重量%N−メチルピロリドン〜ブチ
ルセロソルブアセテート(混合比4:6)溶液を用い、
実施例1と同様のフィルム基板に配向制御膜を形成して
液晶表示素子を作製し、液晶の配向性を調べたところ、
良好り配向性を示1−た。
ルセロソルブアセテート(混合比4:6)溶液を用い、
実施例1と同様のフィルム基板に配向制御膜を形成して
液晶表示素子を作製し、液晶の配向性を調べたところ、
良好り配向性を示1−た。
(チルト角24度)
次に、ポリエチレンテレフタレートフィルムとの接着性
を下記による方法で評価した。即ち、実施例、比較例で
得られたフェスをポリエチレンテレフタレートフィルム
にスピンナーで塗布(200Orpm −30sec
)L、 1200C−1hr乾燥した後。
を下記による方法で評価した。即ち、実施例、比較例で
得られたフェスをポリエチレンテレフタレートフィルム
にスピンナーで塗布(200Orpm −30sec
)L、 1200C−1hr乾燥した後。
該フィルムを繰り返し折り曲げ、実施例1で述べたのと
同じ方法で液晶を封入し、チルト角を測定した。結果を
表1に示す。
同じ方法で液晶を封入し、チルト角を測定した。結果を
表1に示す。
衣1測定結果
本発明の液晶表示素子は、特定の芳香族ポリエーテルエ
ステルアミド重合体を配向制御膜材料として使用するこ
とにより、(1)基板に樹脂フィルム又は樹脂板を用い
、且つこれらの樹脂が熱変形を生じない低温(100〜
120℃)で処理可能々配向制御膜すなわち特定の芳香
族ポリエーテルエステルアミド重合体の膜を適用し、(
2)これらの熱可塑性樹脂が、水及び液晶に不溶性又は
難溶性の樹脂で特定の溶剤にのみ溶解するものでアリ、
又。
ステルアミド重合体を配向制御膜材料として使用するこ
とにより、(1)基板に樹脂フィルム又は樹脂板を用い
、且つこれらの樹脂が熱変形を生じない低温(100〜
120℃)で処理可能々配向制御膜すなわち特定の芳香
族ポリエーテルエステルアミド重合体の膜を適用し、(
2)これらの熱可塑性樹脂が、水及び液晶に不溶性又は
難溶性の樹脂で特定の溶剤にのみ溶解するものでアリ、
又。
(3)単に溶剤を蒸発させるだけで皮膜が完了するため
、低温且つ短時間で配向膜を得ることができることであ
る。これにより、軽量、薄型化された液晶表示素子を提
供することができる。
、低温且つ短時間で配向膜を得ることができることであ
る。これにより、軽量、薄型化された液晶表示素子を提
供することができる。
又、ガラス基板の場合に、も、従来法より安価な液晶表
示素子を容易に得ることができる。
示素子を容易に得ることができる。
さらに2本発明の配向制御膜は基板への接着性が優れる
。
。
なお9本発明の素子は、ゲストホスト型の液晶を配置し
て、カラー表示も可能である。
て、カラー表示も可能である。
又1本発明の液晶表示素子の耐久性は、実用上。
特に問題はない。
代理人 弁理士 若 林 邦 彦
106−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、液晶表示素子の配向制御膜が一般式(1)〔ただし
、一般式(I)および(It)において、 RIIR2
1R3およびR4は水素、低級アルキル基、低級アルコ
キシ基、塩素又は臭素を示し、それらは互いに同じであ
っても異なっていてもよく、R5およびR6は水素、メ
チル基、エチル基、プロピル基+ ト’Jフルオロメ
チル基又はトリクロロメチル基を示し。 それらは互いに同じであっても異なっていてもよ<、A
rおよびAr’はp−フェニレン基1m−フェニレン基
、ジフェニレン基、ナフチレン基又はOCHs 11 C−、−8−+ C、CH2−を示す)を示し、こC
H3 れらは互いに同一でも異々つていてもよい、Xはエーテ
ル結合を含んでいてもよい炭素数2〜10の脂肪族基又
はAr’と同じ基を示す〕で表わされる繰返し単位を有
する芳香族ポリエーテルエステルアミド重合体を含有し
て々る液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7530283A JPS59200216A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7530283A JPS59200216A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59200216A true JPS59200216A (ja) | 1984-11-13 |
Family
ID=13572316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7530283A Pending JPS59200216A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59200216A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5572345A (en) * | 1986-03-11 | 1996-11-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal device for preventing short circuiting therein |
| US6080832A (en) * | 1998-09-10 | 2000-06-27 | Industrial Technology Research Institute | Low-pretilt alignment layer material |
-
1983
- 1983-04-28 JP JP7530283A patent/JPS59200216A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5572345A (en) * | 1986-03-11 | 1996-11-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal device for preventing short circuiting therein |
| US6080832A (en) * | 1998-09-10 | 2000-06-27 | Industrial Technology Research Institute | Low-pretilt alignment layer material |
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