JPS59204047A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感
受性のある光導電部材に関する。

固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光−導電層を形成する
光導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ
）　／暗電流（Ｉｄ）　］が高く、照射する電磁波のス
ペクトル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有
すること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値をイｆする
こと、使用時において人体に対して無公害であること、
更には固体撮像装置においては、残像を所定時間内に容
易に処理することができること等の特性が要求される。

殊に、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置
内に組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記
の使用時における無公害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電部材に
アモルファスシリコン（以後ａ−８ｉと表記す）があり
、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２８
５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として、独
国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読取装置へ
の応用が記載されている。

面乍ら、従来のａ−８工で構成された光導電層を４１す
る光導電部材は、暗抵抗値、光感度９元応答性等の電気
的、光学的、光導電的特性、及び耐湿性等の使用環境特
性の点、更には経時的安定性の点において、総合的な特
性向上を図る必要があるという、更に改良される可き点
が存するのが実情である。

１７１１えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に
、高光１１へ変化、高暗抵抗化を同時に図ろうとすると
、従来においては、その使用時において残留電位が残る
場合が度々観測され、この４１１１の光導電部材は長時
間繰返し使用し続けると、繰返し使用による疲労の蓄積
が起って、残像が生ｆ　る所謂ゴースト現象を発する碌
になる。或いは、高速で繰返し使用すると応答性が次第
に低量する等の不都合な点が生ずる場合が少なくなかっ
た。

又、別には照射される光が光導電層中に於い”Ｃ１充分
吸収されずに、支持体に到達する光の量が多くなると、
支持体自体が光導電層を透過して来る光に対する反射率
が高い場合には、光導電層内に於いて多重反射による干
渉が起って、画像の「ボケ」が生ずる一要因となる。

この影響は、解像度を上げる為に、照射スポットを小さ
くする程犬きくなり、殊に半尋体レーザを光源とする場
合には大きな問題となっている。

更に、ａ−８ｉ材料で光導電層を構成する場合には、そ
の電気的、光導電的特性の改良を図るために、水素原子
或いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び電気
伝導型の制御のために硼素原子や燐原子等が、或いはそ
の他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子とじ
て光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含有
の仕方如何によっては、形成した層の電気的或いは光導
電的特性や電気的耐圧性に問題が生ずる場合がある。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの６？層中での寿命が充分でない
こと、或いは暗部において、支持体１１＋１よりの電荷
の注入の１澗止が光分でないこと雪が生ずる場合が少な
くない− 更に（−１、層厚が十数μ以上になると層形成用の真空
」１に積室より増り出した後ミ空気中での放１１を時間
の経過と共に、支持体表面からの層の浮きや剥離、或い
は層に亀裂が生ずる等の現象を引起１２勝ちであった。

この現象は、殊に支持体が通常、電子写真分野に於いて
使用されているドラム状支持体の場合に多く起る等、経
時的安定性の点に於いて解決される可き点がある。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって光
学し／こフォトキャリアの該層中での寿命が充分でない
ことや暗部において、支持体側よりの電荷の注入の阻止
が充分でないこと、或いは、転写紙に転写された画像に
俗に「白ヌケ」と呼ばれる、局所的な放電破壊現象によ
ると思われる画像欠陥や、例えは、クリーニングに、ブ
レードを用いるとその摺擦によると思われる、俗に１白
スジ−１といゎハているフッ１副画像欠陥が生じたりし
ていた。又　多湿雰囲気中で使用したり、或いは多湿雰
囲気中（で長時間放置した直後に使用すると俗にいう画
家のボケが生ずる場合が少なくなかった。

従ってａ　−Ｓｉ材料そのものの特性改良が図られる一
方で光導′ａｉ部材を設計する際に、上記した様な問題
の総てが解決される様に二「夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８ｉに
就で電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される元６屯部月としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、ａ−
８ｉ、殊にシリコン原子を母体とし、水素原子（ｆ（）
又はハロゲン原子（Ｘ）のいずれか一方を少なくとも含
有するアモルファス材料、所謂水素化アモルファスシリ
コン、ハロゲン化アモルファスシリコン、或いはハロゲ
ン含有水素化アモルファスシリコン〔以後これ等の総称
的表記としてｒａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）−１を使用する〕か
ら構成され、光導′１１Ｌ性を示す光受容質層を有する
光導電部材の層構成を以後に説明される様な特定化の下
に設計されて作成された光導電部材は実用上著しく優れ
た特ｆトを示すばかりでなく、従来の元導電部拐と較べ
てみてもあらゆる点において凌駕していること、殊に電
子写真用の光４１ｈｒ　Ｎ：Ｓ材として著しく１愛れた
特性を有していること、及び長波長１１すに於ける吸収
スペクトル特性に優れていることを見出した点に基づい
ている。

本発明は′電気的、光学的、光導電的特性が常時安定し
ていて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であ
り、長波長側］の光感ｒＢ二特性に曖ｔ′Ｌると共に耐
光疲労に著しく長け、繰返し使用に際しても劣化現象を
起さず、残留電位が全く又は殆んど観測されない光導電
部Ａ′Ａを提供することを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答
の速い光導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積！脅される１曽の各へ４間に於目る密着性に
優れ、構ズと配クリ的に叔晋で女矩的であり、層品質の
旨い光４す′１↓Ｌ都旧全４是供することである。

本発明の他の目的は、′４Ｌ子写真用のｒ埃形成部拐と
して適用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に
適用さハ得る程度に、静′１にｆ段形成の為の帯７１チ
処理の際の電荷像」、〜能が充分ある優れた電子写真特
性を有する光２ｊ４電部材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、０朋が畠く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ”ＩＮ　（’１度の商い、高品質画像を
得る事が容易に出来る’７１ｊ：子写真用の光４　ｒｔ
ＪＸ部材を提供することである。

本発明の史にもう一つの目的は、高光感度性。

高ＳＮ、ｌ：ＩＺ特性及び支持体との間に良好な゛屯気
的接触性全有する光導’に部材を提供することでもある
。

本発明の史に他の目的は、長期の使用に於いて画１象欠
陥や両部、のボケが全くなく、製置が高く、・・−フト
ーンが鮮明に出て且つ解１坂度の商い、高品質画像を得
ることが容易にできる’ｉｌｊ：子写真用の光導電部材
を提供することである。

本発明の光導電部材は、光導′市部材用の支持体と、Ｇ
ｅ）（Ｓｔ、−Ｘ（０，９５＜　ｘ≦１）を含む非晶Ｖ
Ｊ材料〔以下ａ　　Ｇｅ）ｃ　ｂ　ｉ　＋　−、ｚ　（
Ｈ＋　Ｘ）と記載〕で構成された、第１の層領域とシリ
コン原子を含フ」非晶辿月科で構成され、光導電１ａ′
を示す第２の層領域とシリコン原子と炭素原子とを含む
非晶Ｉ２１拐料で構成された第３の層領域とが前記支持
体側より順に設けられた層構成の光受容層とを有し、該
光受容層には酸素原子が不均一に含有されていることを
特徴とする。

上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的。

光導電的特性、電気的劇■性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部劇として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その′「匠
気的特性が安定しており品感度で、１妬ＳＮ比を有する
ものであって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃朋
が高く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像１庇の商
い、高品質の画像を安定して繰返し得ることができる。

又、本発明の光導′１が部材は支持体上に形成される光
受容層が、層自体が強靭であって、且つ支持体との密着
性に著しく優れており、高床で長時間連続的に繰返し使
用することができる。

更に、本発明の元導電部制は、全可視光域に於いて光感
度が旨く、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速い。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就で詳細に
説明する、 第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材の層
構成を説明するために模式的に示した模式的構成図であ
る。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体１０ｉの上て、光受容層１０２を有り２、該光
受容層１０２は自由表１ｍ１０５を一方の端面に有して
いる。光受容層１０２ば、支持体１０１側よりａ　　Ｇ
ｅ＞（Ｓｉ、−ｙ。

（１１，Ｘ　）　（０，９５＜ｘ≦１　）層構成さｉ’
／１ｍ１の層領域（Ｇ）１０３とａ−８ｉ　（Ｈ、Ｘ　
）で構された第３の層領域（Ｍ）１０６とが順に積層さ
れた層構造を有する。

第１の層領域（Ｇ）　１０３中に含有されるゲル前記第
１の層領域（Ｇ）１０３中に含有される。

本発明の光導電部材１００に於いては、第２の層領域（
Ｓ）１０４には伝導特性を支配する物質（Ｃ）が、含有
されて、第２の１で４領域（Ｓ”１１．０４に所望の伝
導特性が与えられるのが望−ましい。

本発明に於いて、第２の層領域＜５）１０４に含有され
る伝導特性を支配する物＊（Ｃ’、）は、第２の層領域
（Ｓ）１０４の全層領域に刃側なく均一に含有されても
良く、第２の層領域（Ｓ’）１０４の一部の層領域に偏
在する様に含有されても良い。

伝導特性を支配する物質（Ｃ）を第２の層領域（Ｓ）の
一部の層領域に偏在する様に第２の層領域（Ｓ）中に含
有させる場合には、前記物質（Ｃ）の含有される層領域
（ＰＮ）は、第２の層領域（Ｓ）の端部層領域として設
けられるのが望ましい。

殊に、第２の層領域（Ｓ）の支持体側の端部層領域とし
て前記層領域（ＰＮ）が設けられる場合には、該層領域
（ＩＮＮ）中に含有される前記物質（Ｃ）の種類及びそ
の含有量を所望に応じて適宜選択することによって支持
体から光受容層中への特定の極性の電荷の注入を効果的
に用土することが出来る。

光受容層を構成する第２の層領域（Ｓ）中に、伝４特性
を支配する物質（Ｃ）を含有させることにより、該物質
（Ｃ）の含有さオ］、る層領域〔第２のｌｊ”ｌＪ層領
域Ｓ）の一部又は全部の層領域のいす力。

でも良い〕の伝４特性を所望に従って任意に制御するこ
とが出来るものであるが、この様な物質としては、所謂
、半導体分野で云われる不純物を挙げることが出来、本
発明に於いては、形成される光受容層を構成するａ−８
ｉ　（Ｈ、Ｘ　）に対ｌ−て、Ｐ型伝導特性を与えるＰ
型不純物及びｎ型伝巧特性を与えるｎ型不純物を挙げる
ことが出来る。具体的にはＰ型不純物としては、周ル」
律表第１ＩＩ　）ｌｉ：　Ｋ　、ｆＡする原子（１’　
ＩＩＩ　Ｗ−原子）、例えば、Ｂ（硼素）、Ａ／（アル
ミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、
Ｔｌ（タリウム）等があり、殊に好適に用いられるのは
、Ｂ、Ｇａである。ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ
族ＶＣ属する原子（第Ｖ族原子）、例えば、Ｐ　（＃）
、Ａｓ（砒素へｓｂ（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）
等であり、殊に、好適に用いらハ、るのはＰ　、　Ａｓ
である。

本発明に於いて、伝導特性を制０１する物質（Ｃ）が含
有される１曽領域（ＰＮ）に於けるその含有量は該層領
域（ＰＮ’）に要求される伝４を特性、或いは該層領域
（））　Ｎ　、）が支持体に直に接触して設けられる場
合には、その支持体との接触界聞に於ける特性との関係
等、有機的関連性に於いて、適宜選択することが出来る
。

又、前記層領域（ＰＮ）に直に接触して設けられる他の
層領域や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考、（・ばされて、伝導特性を制御する物質の含
有量がス湧宜選択される。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）を第２の層領域（Ｓ）
の支持体側端部に偏在させる場合、層領域（ＰＮ’）中
に含有される伝導特性を制御する物質（Ｃ）の含有量と
しては、好ましくは、０．０１〜Ｉ　Ｘ　１０’　ａｔ
ｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好適には、０５〜、＋　ｘ　ｔ
　ｏ’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、最；ｍｖｃは、］−
５Ｘ　１０３ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされるのが望まし
いものである。

この様な場合、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有さ
′ｉ′１５る層領域（ＰＮ）に於ける該物質（Ｃ）の含
有量を、通常は３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、好適
には５０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には、１０
０ａｔｏｒｎｉｃ　ｐｐｍ以上とすることによって例え
ば、該含有させる物質が前記のＰ型不純物の場合には、
を父ｊ）果的にｌ５１４止することが出来、又、前記含
イ１させる物質が前記のｎ型不純物の場合には、光受容
層の自由表面が（→極性に帯電処、８４！、を受けた際
に、支持体側から光受容層中への正孔の注入を効果的に
阻止することが出来るー 上記の様な場合には、前述したように、前記層領域（Ｐ
Ｎ）を除いた部分の層領域（Ｚ）には、層領域ＣＰＮ）
に含有される伝導特性全支配する物質（Ｃ）の伝導型の
極性とは別の伝導型の極性の伝導特性を支配する物質（
Ｃ）を含有させても良い１７　　或いは、同極性の伝導
型を有する伝導性を支配する物質（Ｃ）を、層領域（Ｐ
Ｎ）に含有させる実際のけよりも一段と少ない量にして
含有させても良いものである。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質の含有量としては、層領域（ＰＮ
）に含有される前記物質の極性や含有量に応じて所望に
従って適宜決定されるものであるが、好ましくは、０．
００１〜ｌＸｌ０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　％　より好
適には０．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ、最適に
は０．１〜２００　ａｔｏｒｎｉｃ　ｐｐｍとされるの
が望ましい。

本発明に於いて、）層領域（ＰＮ）及び層領域（Ｚ）に
同棹の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合に
は、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好捷しくば
、３　Ｑ　１］ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　以下とするのが
望ましい。

本発明に於いては、第２の層領域（Ｓ）中に、一方の極
性の伝導型を有する伝導性を支配する９勿、架を含有さ
せた層領域と、他方の極性の伝導型を有する伝導性全支
配する物質を含有させた層領域とを直に接触する様に設
けて、該接触領域に所謂空乏層を設けることも出来る。

詰り、例えば、第２の層領域（Ｓ）中に、前記のｐ型不
純物を含有するＩＡ層領域前記のｎ型不純物を含有する
層領域とを直に接触する様に設けて所１躇ｐ−ｎ接合を
形成して、空乏層を設けることが出来る。

本発明に於いては、第１の層領域（Ｇ）中に於けるゲル
マニウム原子の分布状態は、第１の層領域（Ｇ）の全層
領域にゲルマニウム原子が連続的に分布しているので、
第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ）との間に於け
る親オロ性に優れ、半導体レーザ等を使用した場合の、
第２の層領域（Ｓ）では殆んど吸収し切れない長波長側
の光全第１の層領域（Ｇ’）に於いて、実質的に完全に
吸収することが出来、支持体面からの反射による干渉を
防止することが出来る。第１の層領域（Ｇ）に含有され
るゲルマニウム原子の分布状態は、層厚方向には、均一
分布、不均一分布のいずれの分布状態をとっても良い。

本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）中に含有されるシ
リコン原子の含有ｋｉｌ　（Ｎ８ｉ　／（Ｎｓｉ＋ＮＧ
ｅ）：Ｎｋは層中のＡ原子の総原子敬）としては、本発
明の目的が効果的に達成される様に所望に従って適宜状
められるが、好捷しくば５　Ｘ　］　０’ａｔｏｍｉｃ
　ＰＩ）ｍ以下、より好寸しくはＩ　Ｘ　１０’ａｔｏ
ｍｉｃｐｐｍ以下、最適にはＩ　Ｘ　１０３ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｍ以下とされるのが望ましい。即ちａ　−（ｘ
ｅｚ　５ｉ１ｚ　（Ｈ。

Ｘ）におけるＸの値としては通常は０．９５　＜　Ｘ≦
１．好ましくは０．９９＜ｘ≦１．最適には（１９９９
＜ｘ≦１とされるのが望すしい１、本発明に於いて第１
０層領戦（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ）との層厚は、本発
明の目的を効果的に達成させる為の重要な因子の１つで
あるので形成される光導電部材に所望の特性が充分与え
られる様に、光導電部材の設計の際に充分なる注意が払
われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ’）の層厚ＴＩ３は
、好ましくは、３０λ〜５０μ、より好ましくは、４０
λ〜４０μ、最適には、５０人〜３０μとされるのが望
ましい。

又、第２の層領域（Ｓ）の層厚Ｔは、好ま１〜〈は、０
５〜９０μ、より好ましくは１〜８０μ、最適には２〜
５０μとされるのが望ましい。

第１の層領域（Ｇ）の層厚ＴＢと第２の層領域（、Ｓ）
の層厚Ｔの和（ＴＢ　＋　Ｔ　）としては、両層領域に
要求される特性と光受容層全体に要求される特性との相
互間の有機的関連性に基づいて、光導′ｉ住部材の層設
計の際に所望に従って、適宜決定される。

本発明の光導電部材に於いては、上記の（ＴＢ」Ｔ）の
数値範囲としては、好ましくは１〜１００μ、より好適
には１〜８０μ、最適には２〜５０μとされるのが望ま
しい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、上記の層
ＪＬ４．ＴＢ及び層厚Ｔとしては、通常はＴｌｌ／Ｔ≦
１なる関係を満足する際に、夫々妬対して適宜適切な数
値が選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、より好ましくは、ＴＢ／Ｔ≦０９、最適にはＴ
Ｂ／Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層厚ＴＢ及び
層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいものである。

本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ＞の層厚ＴＴ３とし
ては成度く薄くされるのが沼ましく、好ましくは３０μ
以下、より好捷しくに２５μ以下、最適には２０μ以下
とされるのが望ましいものである。

本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、史には、支持体と光受容層との間の密着性の改良ヲ
図る目的の為に、少なくとも第１の層領域（Ｇ）中には
、酸素原子が層厚方向に不均一分布する様に含イイされ
る。第１の層領域（Ｇ）中に含有される酸素原子は、第
１の層領域（Ｇ）の全層領域に万飼なく含有されても良
いし、或いは、第１の層領域（Ｇ’）の一部の層領域の
みに含有させて偏在させても良い。

本発明に於いて、酸素原子の含有されている層領域（０
）は、光感度と暗抵抗の向上を主たる目的とする場合に
は、第１の層領域（Ｇ）及び第２の層領域（Ｓ）の両者
の全層領域を占める（）１すに設けられ、支持体と光受
容層との間の密着性の強化を図るのを主たる目的とする
場合には、第１の層領域（Ｇ）の支持体側端部層領域を
占める様に設けられる。

前者の場合、層領域（０）中に含有される酸素原子の含
有量は、高光感度を維持する為に比較的少なくされ、後
者の場合には、支持体との密層性の強化を確実に図る為
に比較的多くされるのが望ましい。

又、前者と後者の両方を同時に達成する目的の為には、
支持体側に於いて比較的菌濃度に分布させ、第２の層領
域（Ｓ）の自由表面側に於いて比較的低浪度に分布させ
るか、或いは、第２の層領域（Ｓ）の自由表面側の表層
領域には、酸素原子を積伶的には含有させない様な酸素
原子の分布状態を層領域（０）中に形成すれば良い。

本発明に於いて、少なくとも第１の層領域（Ｇ）に設け
られる層領域（０）に含有される酸素原子の含有酸は、
層領域（０）自体に要求される特性、或いは該層領域（
０）が支持体に直に接）此して設けられる場合には、該
支持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関
連性１ｃ於いで、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（０）に直に接触して他の層領域が設け
られる場合には、該他の層領域の特性や、該他の層領域
との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、酸素
原子の含准量が適宜選択される。

層領域（０）中に含有される酸素原子のせは、形成され
る光導電部材に要求される特性に応じて所望に従って適
宜法められるが、好斗１．〈は、０．００　］　〜５０
　ａｔｏｍｉｃ％、より好°土し７くは、０、００２〜
４０　ａｔｏｍｉｃ％、最適には０．　ｏ　０３〜３０
　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましいものである、本
発明に於いて、層領域（０）が第３の層領域（Ｍ）を除
いた光受容層の層領域（Ｘ）の全域を占に占める割合が
充分多い場合には、層領域（０）に含有される酸素原子
の含有量の上限は、前記の値より充分少なくされるのが
望ましい。

以上となる様な場合には、層領域（Ｏ）中に含有される
酸素原子の量の上限としては、好ましくは、３０　ａｔ
ｏｍｉｃ％以下、より好ましくは２０ａｔｏｍｉｃ％以
下、最適には１０　ａｔｏｍｉｃチ以下とされるのが望
ましいものである。

第２図乃至第１０図には、本発明における光導電部材の
層領域（０）中に含有される酸素原子の層厚方向の分布
状態の典型的例が示される。

第２図乃至第１０図において、横軸は酸素原子の分布濃
度Ｃを、縦軸は、層領域（０）の層厚を示し、ｔ１４は
支持体側の層領域（０）の端面の位置を、ｔＴは支持体
側とは反対側の層領域（０）の端面の位置ヲ示す。即ち
、酸素原子の含有される層領域（０）はｔｎｌ！ｌより
ｔＴ側に向って層形成がなされる。

第２図には、１傅領域（０）中に含有される酸素原子の
層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第２図に示される例では、酸素原子の含有される層領域
（０）が形成される表面と該層領域（０）の表面とが接
する界面位置ｔＢより　ｔ＋の位置までは、酸素原子の
分布濃度Ｃが０１なる一定の１ｉｕを取り乍ら酸素原子
が形成される層領域（０）に含有され、位置ｔ、よりは
濃度Ｃ２より界面位置ｔＴに至るまで徐々に連続的に減
少されている。界面位置ｔＴにおいては酸素原子の分布
濃度ＣはＣ３とされる。

第３図に示される例においては、含有される酸素原子の
分布濃度Ｃは位置ｔｎより位置ｔＴに到るまで濃度Ｃ４
から徐々に連続的に減少して位ＩＲｔＴにおいて濃度Ｃ
３となる様な分布状態を形成している。

第４図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ２までは酸素原
子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ、位置ｔ２と
位置ｔＴとの間において、徐々に連続的に減少され、位
置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零とされている
（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合である）
。

第５図の場合には９．酸素原子の分布濃１現Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔＴに至るまで、濃度Ｃ８より連続的に徐々
に減少され、位置ｔＴにおいて実質０勺に零とされてい
る。

第６図に示す例においては、酸素原子分布濃度Ｃけ、位
１ｕｔｎと位置ｔ３間においては、濃度Ｃａと一定値で
あり、位置ｔＴにおいては両度Ｃ１゜とされる。位置ｔ
３と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一次関数的に位
置ｔ３より位置ｔＴに至るまで減少されている１、 第７図に示される例においては、分イ５疑度Ｃは位置ｔ
１３より位置ｔ４までは濃度ｃ１゜の一定値を取り、位
置ｔ４より位１ｔｌｔＴまでは濃度ＣＩ２より濃度Ｃ，
３ｔで一次関数的に減少する分布状態とされている。

第８図に示す例においては、位置ｔ１１より位置ｔ１−
に至る寸で、酸素原子の分布濃度Ｃは濃度ｃ１４より実
質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第９図においては　位置ｔＢより位置ｔ、に至るまでは
酸素原子の分布濃度Ｃは、棲度ＣＩ５より濃度（１６ま
で一次関数的に減少され、位置ｔ５と位置ｔＴとの間に
おいては、湿度ｃ７．の一定値とされた例が示されてい
る。

第１０図に示される例においては、酸素原子の分布濃度
Ｃは位ｉｉ￥ｔｎにおいて濃度ＣＩ７であり、位置ｔ、
に至るまではこの濃度ｃ、７より初めはゆっくりと減少
され、ｔ６の位１１′ｒ付近１１ｃおいては、急激に減
少されて位置ｔ６では濃度Ｃ＋ｓとされる。

位置ｔ６と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩かに徐々に減少されて位置ｔ７で
濃度ＣＩｌ＋となり、位置ｔ７と位置ｔ８との間では、
極めてゆっくりと徐々に減少されて位置ｔ８において、
濃度Ｃ２０に至る。位置ｔ８と位置ｔＴの間においては
、濃度Ｃ２０よシ実質的に零になる様に図に示す如き形
状の曲線に従って減少されている。

以上、第２図乃至第１０図により、層領域（０）中に含
有される酸素原子の層厚方向の分布状態の典型例の幾つ
かを説明した様に、本発明においては、支持体側におい
て、酸素原子の分布濃ＵＣの高い部分含有し、界面もＴ
側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に較べて可成
り低くされた部分を有する酸素原子の分布状態が層領域
（０’）に設けられている。

本発明において、酸素原子の含有される層領域（０）は
、上記した様に支持体側の方に酸素原子が比較的高濃度
で含有されている局在領域の）を有するものとして設け
られるのが望ましく、この場合には、支持体と光受容層
との間の密着性をよシ一層向上させることが出来る。

上記局在領域（Ｂ）は、第２図乃至第１０図゛に示す記
号を用いて説明すれば、界面位置ｔｏよシ５μ以内に設
けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域［Ｆ］）は、界面位置
ｔＢより５μ厚までの全層領域（ＬＴ）とされる場合も
あるし、又、層領域（ＬＴ　）の一部とされる場合もあ
る。

局在領域を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全部とす
るかは、形成される光受容層に要求される特性に従って
適宜法められる。

局在領域ＣＢ）はその中に含有される酸素原子の層厚方
向の分布状態として酸素原子の分布濃度の最大値０．ｍ
ａｘが、好ましくは５００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上
、好適には８００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適に
は１００１０００ａｔｏ　ｐＩＸＴ１以上とされる様な
分布状態となり得る様に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、酸素原子の含有される層領域
０）は、支持体側からの層厚で５μ以内（ｔｐから５μ
厚の層領域）に分布濃度の最大値ＣｍａＸが存在する様
に形成されるのが望ましい。

本発明において、必要に応じて光受容層中に含有される
ハロゲン原子■とじては、具体的にはフッ素、塩素、臭
素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なもの
として挙げることが出来る。

本発明において、ａＧｅｘＳｉ４　ｘ（Ｈ、Ｘ　）　（
０，９５〈Ｘ≦１）で構成される第１の層領域（Ｇ）を
形成するには例えばグロー放電法、スパッタリング法、
或いはイオンプレーテインク法等の放電現象を利用する
真空堆積法によって成される。

例えば、グロー放電法によって、ａ　ＧｅｘＳｉｌ−ｘ
（Ｈ，Ｘ）で構成される第１の層領域Ｇ）を形成するに
は、０．９５＜Ｘ＜１の場合、ゲルマニウム原子（Ｇｅ
　）を供給し得るＧｅ供給用の原料ガスとシリコン原子
（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、必要に
応じて水素原子旺導入用の原料ガス又は／及びノ・ロゲ
ン原子（１４人用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆
積室内に所鼠のガス圧状態で導入して、該堆積室内にグ
ロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されである所
定の支持体表面上にａ　　ＧｅｚＳ’＋−Ｘ　（Ｈ、Ｘ
　）からなる層を形成させれば良い。

！＝１の時には前述の原料ガスのうちＳ１惧給用ガスを
除いておけばよい。

又、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ
、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをペースとした
混合ガスの雰囲気中でＧｅでイｈ成されたターゲットを
一枚、或いは、該ターゲットと３ｉで構成でれたターゲ
ットの二枚を使用して、又は、ＳｌとＧｅの混合された
ターゲット會使用して、必要に応じてＨｅ　、　Ａｒ等
の稀釈ガスで稀釈されたＧｅ供給用の原料ガスｔ１　　
必要に応じて、水素原子０又は／及びハロゲン原子００
４人用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入し、所
望のガスプラズマ雰囲気を形成して前記のターゲットを
スパッタリングしてやれば良い。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶ゲル
マニウム又は単結晶ゲルマニウム、必要に応じて多結晶
シリコン又は単結晶シリコンを用い夫々蒸発源として蒸
着ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエ
レクトロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ
飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる
以外はスパッタリングの場合と同様にする事で行う事が
出来る。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成シ
得る物質としては、Ｓｉル、Ｓ〜）（Ｉ　、　Ｓｉ、＆
　。

ｓｉ、ｎ、ｏ等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅
素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ
、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良
さ等の点でＳｉＨ４、５ｉ２Ｈａが好ましいものとして
挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成シ得る物質としては、Ｇｅ’
Ｈａ　＋　ＧｅｔＨｓ　ｙ　Ｇｅ５Ｈｓ　ｐ　Ｇｅ４Ｉ
（＋ｏ　ｔ　Ｇｅ５Ｒｔ　ｒ　ＧｅｅＨｌ＜　＋　Ｇｅ
Ｊ（＋ａ　ｒＧｅａＨ，ａ　−ＧｅＪ（２゜等のガス状
態の又はガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使用
されるものとして挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱
い易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等の点で、ＧｅＨ４，Ｇｅ
Ｊｌ＊　。

Ｇｅ５Ｈｓが好ましいものとして挙けられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、１３ｒＦ　ｐ　ＣＩＦ　ｓ　”’Ｆ８　ＴＢｒ
Ｆ５　、　ＢｒＦ５　、　ＩＦｓ　ｒ　ＩＦ７　、　■
ＣＩ　、　ＩＢｒ等のハロゲン間化合物を挙げることが
できる。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハ、ロゲン原子
で置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば
ＳｉＦ４．５１ｔＦａ　、　５ｉＣ４、ＳｉＢｒ４等の
ハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが出来
る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｉ　ｆ供給
し得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくと
も、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ　　ＱＢｚ
Ｓｊｌ−ｙ、から成る第１の層領域Ｇ）を形成する事が
出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層領
域Ｇ）を作成する場合、基本的には、飼えばＳｉ供給用
の原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料ガ
スとなる水素化ゲルマニウムとＡｒ、　Ｉ（２＋　Ｈｅ
等のガス等を所定の混合比とガス流量になる様にして第
１の層領域（２）を形成する堆積室に導入し、グロー放
−を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成する
ことによって、所望の支持体上に第１の層領域（Ｇ）を
形成し得るものであるが、水素原子の尋人割合の制御を
一層容易になる様に図る為にこれ等のガスに更に水素ガ
ス又は水素原子を含む硅素化合物のガスも所望景混合し
て層形成しても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法の何れの場
合にも形成される層中にハロゲン原子を導入するには、
前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含む硅
素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズマ
雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、ル、或いは前記したシラン類又は／及
び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用の
堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成し
てやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ　、　ＨＣｌ。

ＨＢｒ　、　ＨＩ　、等のハロゲン化水素、ｓｉＨ，Ｆ
２　、５ｉＨｔ　Ｉ！　ｌ５ｉＨ２Ｃｊ’２　ｒ　５Ｌ
ＨＣ６ｓ　＋　Ｓ’ＨｔＢｒｚ　ｐ　””Ｈ’ｓ等のハ
ロゲン置換水系化硅素、及びＧｅＨＦ３．　ＧｅＬＦ２
　、　ＧｅＩ（ＪＦ　、　ＧｅＨＣｌ５　。

ＧｅＨｅＣｌ２ｒ　ＧｅＨｓＣｌ　、　ＧｅＨＪ３ｒｓ
　、　ＧｅＨ２Ｂｒ２　、　ＧｅＨｓＢｒ　、　ＧｅＨ
Ｉｓ　）Ｇｅ）ｈ　Ｌ　、　Ｇｅｍ５　Ｉ等の水素化ハ
ロゲン化ゲルマニウム、等の水素原子を構成要素の１つ
とするハロゲン化物、ＧｅＦ４　、　ＧｅＣ１，、Ｇｅ
Ｂｒ４ｒ　ＧｅＩａ　ｐ　ＧｅＦｚ　ｒＧｅＣ４ｒ　Ｑ
６Ｂｒ２．　ＧｅＩ２等のＺ、＞　ログ７　化’；Ｉ’
　ルマニウム、等々のガス状態の或いはガス化し得る物
質も有効な第１の層領域Ｇ）形成用の出発物質として挙
ける事が出来る。

これ等の物質の中水素原子を含むハロゲン化物は、第１
の層領域・形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同時
に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原
子も導入されるので、本発明においては好適な／・ロゲ
ン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層領域Ｇ）中に構造的に導入するには
、上記の他にル、或いはＳｉＨ，、Ｓｉ晶。

５ｉ３Ｈａ　、　５ｊ４Ｈ＋ｏ等の水素化硅素をＧｅを
供給する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と或
いは、Ｇｅ１（４，Ｇｅ２Ｈａ　ｐ　Ｇｅ３Ｈ８＋Ｇｅ
Ｊｔｏ　、　Ｇｅ５ＨＢ　＋　ＧｅａＨ＋４＋Ｑｅ７Ｈ
１６１ＧｅａＬｇ　ｒ　ＧｅｏＬｏ等の水素化ゲルマニ
ウムとＳｊを供給する為のソリコン又はシリコン化合物
とを堆積室中に共存させて放電を生起させる事でも行う
事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光導電部材の
第１の層領域（Ｇ）中に含有される水素原子■Ｄの量又
はノ・ロゲン原子■の量又は水素原子とハロゲン原子の
量の和（Ｈ十Ｘ）は、好ましくは０．０１〜４０　ａｔ
ｏｍｉｃ％、よシ好適には０．０５〜３０　ａｔｏｍｉ
ｃ％、最適には０．１〜２５　ａｔｏｍｉｃ％とされる
のが望ましい。

中に含有される水素原子σ■又は／及びノ・ロゲン原子
■の量を制御するには、例えば支持体温度又は／及び水
素原子１１或いは・・ロゲン原子（イ）を含有させる為
に使用される出発物質の堆積装置系内へ導入する量、放
電々力等を制御してやれば良い。

本発明に於いて、ａ−ｓｉ　（Ｈ、Ｘ　）で構成される
第２の層領域Ｇ）を形成するには、前記した第１の層領
域Ｇ）形成用の出発物質（Ｉ）の中よシ、Ｇ供給用の原
料ガスとなる出発物質を除いた出発物質〔第２の層領域
（Ｓ）形成用の出発物質（■）〕を使用して、第１の層
領域Ｇ）を形成する場合と同様の方法と条件に従って行
うことが出来る。

即ち、本発明において、ａ　−ｓｉ　（Ｈｒ　Ｘ　）で
構成される第２の層領域［Ｆ］）を形成するには例えば
グロー放電法、スパッタリング法−１或いはイオンブレ
ーティング法等の放電現象を利用する真空堆積法によっ
て成される。例えば、グロー放電法によって、ａ−８ｌ
（ＨＩＸ）で構成される第２の層領域６）を形成するに
は、基本的には前記したシリコン原子（Ｓｉ）を供給し
得るＳｔ供給用の原料ガスと共に、必要に応じて水素原
子１導入用の又は／及びハロゲン原子Ｏｏ心入用の原料
ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に尋人して、該堆
積室内にグロー族′−を生起させ、予め所定位置に設置
されである所定の支持表面上にａ−３４（Ｈ。

Ｘ）からなる層を形成させれば良い。又、スパッタリン
グ法で形成する場合には、例えばＡｒ。

Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした混
合ガスの雰囲気中でＳｉで構成さ肛たターゲットをスパ
ッタリングする際、水素原子０又は／及びハロゲン原子
■導入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入して
おけば良い。

第２の層領域色）中に、伝導特性を制御する物質Ｃ）、
例えば、第■族原子或いは第Ｖ族原子を構造的に導入し
て前記物質Ｃ）の含有された層領域（ＰＮ　）を形成す
るには、層形成の際に、第■族原子導入用の出発物質或
いは第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状態で堆積室中
に第２の層領域（Ｓ）を形成する為の他の出発物質と共
に導入してやれば良い。この様な第■族原子導入用の出
発物質と成シ得るものとしては、常温常圧でガス状の又
は、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るもの
が採用されるのが望ましい。

その様な第■族原子導入用の出発物質として具体的には
硼素原子導入用としては、Ｂ２Ｈａ　、　Ｂ、Ｉ（，０
。

Ｂ５Ｉ（ｌｌ、　ＢａＨｔ＋　、　ＢｅＨ＋ｏ　、　Ｂ
ｅ）Ｌ＊　、　Ｂ６Ｈ１４等の水素化硼素、ＢＦＢ　、
　ＢＣｌｓ　、　ＢＢｒａ等のハロゲン化硼素等が挙げ
られる。この他、ＡｌＣＩＢ　、　ＧａＣ４、Ｇａ　（
ＣＨｓ　）ｓ　、ＩｎＣ１５ｒＴｔｃｉｓ等も挙げるこ
とが出来る。

第■族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ，、
Ｐ２Ｉ（４等の水素比隣、ＰＨ４Ｉ　、　ＰＦ、　。

ＰＦ５　ｙ　ＰＣ１！３　、ＰＣｋ　ｒ　ＰＢｒｓ　、
Ｐ’ｓ　ｒ　Ｐ　Ｉｓ等のハロゲン北隣が挙けられる。

この他、Ａｓ１ｆ（ｘ　ｌ　Ａ８Ｆ３　ｔ　ＡｓＣＡ’
ａ　ｙＡｓＢｒｓ　ｔ　ＡＳＦＳ　、　５ｂｌ（ｓ　ｒ
　５ｂＦｓ　ｐ　５ｂＦｓ　、　５ｂＣ１ｓ　、　５ｂ
Ｃ１ｓ　＋Ｂ１１（、、Ｂ１Ｃ１５、Ｂｉｅｒｓ等も第
■族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げるこ
とが出来る。

不発明に於いて、酸素原子の含有された層領域（０）を
設けるには、光受容層の形成の際に酸素原子導入用の出
発物質を前記した第１の層領域Ｇ）又は／及び第２の層
領域Ｇ）の形成用の出発物質と共に使用して、形成され
る層中にその量を制御し乍ら含有してやれば良い。

層領域（０）を形成するのにグロー放電法を用いる場合
には、前記した第１の層領域Ｇ）或いは第２の層領域（
Ｓ）の形成用の出発物質の中から所望に従って選択され
たものに酸素原子々フ、入用の出発物質が加えられる。

その様な酸素原子導入用の出発物質としては、少なくと
も酸素原子を構成原子とするガス状の物質又はガス化し
得る物質をガス化したものの中の大概のものが使用され
得る。

例えばシリコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原料ガス
と、酸素原子（０）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子０又は／及びハロゲン原子■を構成原
子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用する
か、又は、シリコン原子（Ｓ＝）を構成原子とする原料
ガスと、酸素原子０）及び水素原子■を構成原子とする
原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合するか、或
いは、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガス
と、シリコン原子（Ｓｉ）、酸素原子０）及び水素原子
■の３つを構成原子とする原料ガスとを混合して使用す
ることが出来る。

又、別には、シリコン原子（Ｓｌ）と水素原子印とを構
成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原子とす
る原料ガスを混合して使用しても良い。

具体的には、例えば酸素（０１）、オゾン（ＯＳ　）　
。

−酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（Ｎｏ、）　、−二酸
化窒素（Ｎ、０）　、三二酸化窒素（Ｎ２０３）、四三
酸化窒素（Ｎ、０．）、三二酸化窒素（Ｎ２０ｓ）　、
三酸化窒素（ＮＯ３）。

シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子（０）と水素原子０と
を構成原子とする、例えば、ジシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ
Ｓｉｌ（ｇ　）　ｒ　トリシロキサン（几５ｉＱＳｉＪ
（２０ｓｔＨ３）等の低級シロキサン等を挙げることが
出来る。

スパッタリング法によって、酸素原子を含有する層領域
０）を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェーハ
ー又はＳｉＱ、ウェーハー又はＳｉと５ｉｏｔが混合さ
れて含有されているウェーハーをターゲットとしてこれ
等を種々のガス雰囲気中でスパッタリングすることによ
って行えば良い。

例えば、Ｓｉウエーノ・−をターゲットとして使用すれ
ば、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及びノ・ロ
ゲン原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈
ガスで稀釈して、スフζツタ−用の堆積室中に導入し、
これ等のカスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウエー
ノ・−をスノくツタリングすれば良い。

又、別には、Ｓｉと８１０２とは別々のターゲットとし
て、又はＳｉとＳｊＱ□の混合した一枚のターゲットを
使用することによって、スパッター用のガスとしての稀
釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子０又は／及
びノ・ロゲン原子ｏＯを構成原子として含有するガス雰
囲気中でスノくツタリングすることによって成される。

酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放
電の例で示しだ原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガ
スが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして使用
され得る。

本発明に於いて、光受容層の形成の際に、酸素原子の含
有される層領域（０）を設ける場合、該層領域０）に含
有される酸素原子の分布濃度Ｃ（６）を層厚方向に変化
させて、所望の層厚方向の分布状態（ｄｅｐｔｈ　ｐｒ
ｏｆｊ４ｅ）を有する層領域（０）を形成するには、グ
ロー放′底の場合には、分布濃度Ｃ（０）を変化させる
べき酸素原子尋人用の出発物質のガスを、そのガス流量
を所望の変化率曲線に従って適宜変化させ乍ら、堆積室
内に導入することによつ１成される。

例えは、手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられ
でいる何らかの方法によシ、ガス流路系の途中に設けら
れた所定のニードル・；ルブの開口を漸次変化させる操
作を行えば良い。このとき、流量の変化率は線型である
必要はなくト１］えばマイコン等を用いて、あらかじめ
設計された変化率曲線に従って流量を制御し、所望の含
有率曲線を得ることも出来る。

屑１１’ｔ　Ｈ（Ｄ）　？、スパッタリング法によって
形成する場合、酸素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ（０）
を層厚方向で変化させて、酸素原子の層厚方向の所望の
分布状態（ｄｅｐｔｈ　ｐｒｏｆ　ｉｊ！ｅ　）を形成
するには、第一には、グロー放電法による場合と同様に
、酸素原子導入用の出発物質をガス状態で使用し、該ガ
スを堆積室中へ導入する際のガス流量を所望に従って適
宜変化させることによって成される。

第二には、スパッタリング用のターゲットを例えばＳｉ
とＳｉＯ□との混合されたターゲットを使用するのであ
れば、Ｓｉと８１０．との混合比をターゲットの層厚方
向に於いて、予め変化させておくことによって成される
。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第二の
層領域（Ｓ）中に含有される水素原子σカの量又はハロ
ゲン原子（３）の喰又は水素原子とハロゲン原子の歌の
和（Ｈ十Ｘ）は、好ましくは１〜４０　ａｔｏｍｉｃ　
％　、好適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％、最適には５
〜２５　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

第１図に示される光導電部材１００に於いては第２の層
領域（Ｓ）　１０４上に形成される第３の層領域（Ｍ１
１０６は自由表面を有し、主に耐湿性連続繰返し使用特
性、耐圧性、使用環境特性、耐久性に於いて本発明の目
的を達成するために設けらＪする３、 又、本発明に於いては、第２の層領域（Ｓ）１０４と第
３の層領域（Ｍ）　１０４とを構成する非晶質材料の各
々がシリコン原子という共通の構成要素を有しているの
で、積層界面に於いて化学的な安定性の確保が充分酸さ
れている。

不発明に於ける第３の層領域（６）は、／リコン原子（
Ｓｌ）と炭素原子（Ｃ）と、必要に応じて水素原子αＤ
又は／及び・・ロゲン原子（イ）とを含む非晶質側斜（
以後、ｒ　ａ−（５ｉｘＣ＋−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）＋−ｙ
Ｊと記す。

但し、ｏ＜ｘ　、　ｙ＜１　）で構成される。

ａ　　（ＳｉｘＣ＋−ｘ）　ｙ　ＯＩ、Ｘ）＋−ｙで構
成される第３の層領域（６）の形成はグロー放′−法、
スパッタリング法、エレクトロンビーム法等によって成
される。、これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下
の負荷石′度、製造規模、作製される光導゛咽部材に所
望される特性等の要因によって適宜選択されて採用され
るが、所望する特性を有する光導電部材を製造するだめ
の作製条件の制御が比較的容易である、シリコン原子と
共に炭素原子及びノ・ロゲン原子を、作製する第３の層
領域ＣＭ）中に導入するのが容易に行える等の利点から
グロー放電法或はスパッターリング法が好適に採用され
る。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパンターリ
ング法とを同一装置系内で併用して第３の層領域（Ｍ）
を形成してもよい。

グロー放′ｒＬ法によって第３の層領域（Ｍ）を形成す
るにはａ　　（５ｉｘＣ１−ｘ）ｙ　（Ｉ−Ｉ、Ｘ）ｓ
−ｙ形成用の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定
量の混合比で混合して、支持体の設置して、ある真空堆
私室に導入し、導入されたガスを、グロー放電を生起さ
せることでガスプラズマ化して、前記支持体上に既に形
成されである第２の層領域佑）上にａ　　（ＳｉｘＣｔ
−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）ｔ−ｙを堆積させればよい。

本発明に於いて、ａ−（５ｉｘＣ＋　−ｘ）　ｙ　（Ｈ
、Ｘ　）＋−ｙ形成用の原料ガスとしては、シリコン原
子（Ｓｌ）、炭素原子Ｃ）、水素原子０、ハロゲン原子
■の中の少なくとも一つを構成原子とするガス状の物質
又はガス化し得る物質をガス化したものの中の大概のも
のが使用され得る。

Ｓｉ　、　Ｃ、Ｈ、Ｘの中の一つとしてＳＬを構成原子
とする原料ガスを使用する場合は、例えばＳｌを構成原
子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと、
必要に応じてＨを構成原子とする原料ガス又は／及びＸ
を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して
使用するか、又はｓｉを構成原子とする原料ガスと、Ｃ
及び１（を構成原子とする原料ガス又は／′及びＣ及び
ＸをＭり成原子とする原料ガスとを、これも又、所望の
混合比で混合するか、或いは、Ｓｌを構成原子とする原
料ガスと、Ｓｉ、Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料
カス又は、Ｓｉ　、　Ｃ及びＸの３つを構成原子とする
原料カスとを混合して使用することが出来る。

又、別には、ＳｌとＨとを構成原子とする原料ガスにＣ
を構成原子とする原料ガスを混合して使用しても艮いし
、ＳｉとＸとを構成原子とする原料ガスにＣを構成原子
とする原料ガスを混合して使用しても良い。

本発明に於いて、第３の層領域（Ｍ）中に含有されるハ
ロゲン原子■として好適なのはＦ、ｃｌ。

Ｂｒ　、　Ｉであシ、殊にＦ　、　ＣＩが望ましいもの
である。

本発明に於いて、第３の層領域（Ｍ）を形成するのに有
効に使用される原料ガスと成シ得るものとしては、常温
常圧に於いてガス状態のもの又は容易にガス化し得る物
質を挙げることができる。

本発明に於いて、第３の層領域（Ｍ）形成用の原料ガス
として有効に使用されるのは、ＳｉとＨとを構成原子と
する””Ｈ４１””ｔＨｅ　ｒ　５ｉｓＨｓ　ｌ　””
４ＨＩＯ等のシラン（Ｓ　１Ａａｎｅ　）類等の水素化
硅素ガス、ＣとＨとを構成原子とする、例えば炭素数１
〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水
素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素、ハロゲン単
体、ハロゲン化水素、ハロゲン間化合物、ハロゲン化硅
素、・・ロゲン置換水素化硅素、水素化硅素等を挙げる
事ができる。具体的には、飽和炭化水素としてはメタン
（（ＪＩ、）、エタン（Ｃ，ル）、プロパン（Ｃｘ′Ｈ
８）　、　ｎ−ブタン（ＩＩ　−Ｃ４ＨＩＬ＋　）　。

ペンクン（Ｃａ１ｎ　）　、エチレン系炭化水素として
は、エチレン（Ｃ２Ｉ（４）、プロピレン（Ｃ，ホ）、
グデンー１（０４ＨＪ）　、ブテン−２（Ｃ４■（８）
　、インブチレン（Ｃ４Ｈａ　）。

ペアーｙ−ン（ＣｓＨ＋ｏ）　、アセチレン系炭化水素
トシては、アセチレン（ｃ、ｉ＋ｚ）、メチルアセチレ
ン（Ｃ３Ｈ４）。

シラン（Ｃ４Ｌ）　、□・ロゲン単体としては、フッ素
。

塩素、臭素、ヨウ素の７・ロゲンガス、・・ロゲン化水
累としては、ＦＨ，ＨＩ　、　Ｈｃｘ　、　Ｈｔ３ｒ　
、　ハロゲン間化合物としては、ＢｒＦ　Ｉ　ＣＩＦ　
、　（ＪＦ３．　Ｃ４Ｆ、　、　ＤｒＦ、　。

ＴｋＦｓ　＋　ＩＦ７　＋　ＩＦｓ　ＨＩＣＡ’　、　
ＩＢｒ、　／％　０ゲン化硅素トシては８４Ｆ４＃　５
ｊ２Ｆ６　ｒ　５ｉ（Ｊ３Ｂｒ　、　ＳｉＣ／！２Ｂｒ
２　、５ｉＣｅＢｒ３　、５ｉＣ１４ｓ　Ｉ　＋５ｉｌ
ｌｒ４．　ハＣｌゲンｉｆｆ換水素化硅素としては、５
ｉＨｔＦ２＊ＳｉＨ，［４、５ｉ）ｌｔ／３．５ｉｌ（
４Ｃｌ、　５ｉｌ（ｓＢｒ　、　５ｉ）ｌＢｒ２　、５
ｉＨＢｒ３　。

水素化硅素としては、５ＩＨ４、５ｉ２１（ａ、　５ｉ
４）Ｌｏ等のシラン（５ｉｔａｎｅ　）類、等々を酪げ
ることができる。

これ等の他にＣＦａ　ｅ　ＣＣｌ４　＋　ＣＢｒ４　、
　ＣＨＦ５　＊　ＣＨｚＦｔ　ＰＣ迅Ｆ　、　ＣＨｓＣ
６、ＣＨ３段、Ｃ迅Ｉ　、　ｃｔＨ３ｃｇ等のノ・ロダ
ン置換パラフィン系炭化水素、ＳＦ、、ＳＦ６等のフッ
素化硫黄化合物、ｓ’　（ＣＨ３）４　ｐ　Ｓｌ（Ｃ２
迅）４２等のケイ化アルキルや５ｉｃｌ（ＣＨ３）ｓ　
ｒ　””Ｃ４（ＣＨｓ　）ｔ　＋５１ｃｌ、Ｃ）（３等
のハロゲン含有ケイ化アルギル等のシラン誘導体も有効
なものとして挙げることができる。

これ等の第３の層領域（Ｍ）形成物質は、形成される第
３の層領域（Ｍ）中に、所定の組成比でシリコン原子、
炭素原子及びハロケン原子と必要に応じて水素原子とが
含有される様に、第３の層領域（Ｍ）の形成の際に所望
に従って選択されて使用される。

例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子との含有が
容易に成し得て且つ所望の特性の層が形成され得るＳＬ
　（ＣＨ３）４と、・・ロゲン原子を含有させるものと
してのＳｘｆ■Ｃ１３，５ｚｋｌｙ　Ｃ４、５ｘＣ１４
、或いはＳｓ％　Ｃ１等を所定の混合比にしてガス状態
で第３の層領域（支））形成用の装置内に導入してグロ
ー放電を生起させることによってａ　　（ｓｌＸｃ＋−
ｘ）　ｙ（ＣＩＡ−Ｈ）＋−ｙから成る第３の層領域（
Ｍ）を形成することができる。

スパッターリング法によって第３の層領域σ４を形成す
るには、単結晶又は多結晶のＳｉウェーハー又はＣウエ
ーノ・−又はＳｉとＣが混合されて含有されているウエ
ーノ・−をターゲットとして、これらを必要に応じて・
・ロゲン原子又は／及び水素原子を構成要素として含む
種々のガス雰囲気中でスパッターリングすることによっ
て行えば良い。

例エバ、Ｓｌウエーノ・−をターゲットとして使用すれ
ば、ＣとＨ又は／及びＸを導入するだめの原料ガスを、
必要に応じて稀釈して、ス／（ツタ−用の堆積室中に導
入し、これらのガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｌ
ウェー・・−をスノくツク−リングすれば良い。

又、別には、ＳｉとＣとは別々のターゲットとして、又
はＳｉとＣの混合した一枚のターゲットを使用すること
によって、必要に応じて水素原子又は／及び）・ロゲン
原子を含有するガス雰囲気中でスパッターリングするこ
とによって成される。Ｃ，Ｈ及びＸの導入用の原料ガス
となる物質としては先述したグロー放電の例で示した第
３の層領域（Ｍ）形成用の物質がスノくツタ−１リング
法の場合にも有効な物質として使用され得る。

本発明に於いて、第３の層領域（Ｍ）をグロー放電法又
はスパッターリング法で形成する際に使用される稀釈ガ
スとしては、所Ｎ！’ｌ・希ガス、例えばＨｅ　、　Ｎ
ｅ　、　Ａｒ等が好適なものとして挙げることができる
。

不発明に於ける第３の層領域（Ｍ）は、その要求される
特性が所望通りに与えられる様に注意深く形成される。

即ち、Ｓｉ、Ｏ，必要に応じてＨ又は／及びＸを構成原
子とする物質は、その作成条件によって構造的には結晶
からアモルファスまでの形態を取り、’に見物性的には
、導電性７５）ら半導体性、絶縁性までの間の性質を、
又光導電的性質力＼ら非光導電的性質を、各々示すので
本発明に於いては、目的に応じた所望の特性を有するａ
　−（５ｉＸＯ，ｘ）、（ｌ（、Ｘ）　　　が形成され
る４子に、所望　−ｙ に従ってその作成条件の選択〃５厳密に成される。

例えば、第３の層領域（２）を耐圧性の向上を主な目的
として設けるにはａ　−（Ｓ；ｘＯ，−ｘ）、　（ｌ（
、Ｘ）　、−。

は使用環境に於いて電気絶縁性的挙動の顕著な非晶ｐｔ
材料として作成される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として第３の層領域（２）カニ設けられる場合には
上記の電気絶縁性の度合はめる程度緩和され、照射され
る光に対しである程度の感度を有する非晶質材料として
ａ　−（Ｓ　ｔ　ｘ　０１−ｘ　）ｙ（Ｈ，Ｘ）、、が
作成される。

から成る第３の層領域（財）の表面にａ　−（８ｉｘＯ
１−ｘ）。

（Ｈ，Ｘ）、、から成る第３の層領域■を形成する際、
層形成中の支持体温度は、形成される層の構造及び特性
を左右する重要な因子でりっで、本発明に於いては、目
的とする特注をイ」゛するａ−（ＳｉｘＣ１−ｘ）ｙ（
ＨｌＸ）１−ｙが所望辿りに作成され得る様に層作成時
の支持体温度が厳密に判官１１されるのが望ましい。

本発明に於りる、所望の目的が効果的に達成されるため
の第３の層領域（紛の形成法に併せて適宜最適範囲が選
択されて、第３の層領域（めの形成が実行されるが、好
ましくは２０〜４００°Ｃ１よシ好適には５０〜３５０
゛０１最適には１００〜３００°Ｃとされるのが望まし
い。第３の層領域（Ｍ）の形成には、層を構成する原子
の組成比の微妙な制ｆ卸や層厚の制御が他の方法に較べ
て比較的容易である事等のために、グロー放電法やスパ
ッターリング法の採用が有利であるが、これ等の層形成
法で第３の層領域（（６）を形成する場合には、前−が
作成されるａ−（Ｓ１ｘＣ１−ｘ）ｙ（ｆ（、Ｘ）、、
の特性を左右する重要な因子の一つである。

本発明に於ける目的が達成されるだめの特性を有するａ
−（ＳｉＸＯ，−ｘ）、（Ｉ（、Ｘ）、　、が生産性良
く効果的に作成されるための放電パワー条件としては好
１しくは１０〜３００Ｊ好適には２０〜２ｓｏＪ最適に
は５０〜２００Ｗと逼れるのが望ましい。

堆積室内のガス圧は好丑しくは０，０１〜ＩＴｏｒｒ。

好適には０．１〜０．５　Ｔｏｒｒ程度とされるのが望
せしい。

本−）れ明に於いては第３の層領域（Ｍ）を作成するだ
めの支持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として
前記した範囲の値が挙けられるが、これ等の層作成ファ
クターは、独立的に別々に決められるものではなく、所
望特性のａ　−（ＳｉｘＯ，、）、（Ｈ，Ｘ）、−、か
ら成る８ｇ３の層領域（岡が形成される様に相互的有機
的関連性に基づいて各層作成ファクターの最適値が決め
られるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於ける第３の層領域（Ｍ）に含有
される炭素原子の量は、第３の層領域（Ｍ）の作成条件
と同様、本発明の目的を達成する所望の特性が得られる
第３の層領域（Ｍ）がル成される重要な因子である。

本発明に於ける第３の層′頭載（Ｍ）に５３′有される
炭素原子の量は、第３の層領域（Ｍ）を構成する非晶質
材料の種類及びその特性に応して適宜所望に応じて決め
られるものである。

即ち、前記一般式ａ−（ｂ　＋　ｘＧ　１ｘ　）　（Ｈ
、Ｘ　）１−ｙで示される非晶質材料は、大別すると、
シリコン原子と炭素原子とで４１４成される非晶質材料
（以後、［ａ−８ｉａＯ，−ａＪと記す。但し、０＜ａ
＜１　）、シリコン孫子と炭素原子と水素原子とで構成
される非晶質材料（以後、ｒａ−（Ｓ＋ｂＯ１６）。１
１．−ｏＪと記す。但し、０くｂｌ　ｃ〈１）、シリコ
ン原子と炭素原子とハロゲン原子と必要に応じて水素原
子とで構成される非晶質材料（以後、「ａ−（Ｓ＋ｄＯ
，ｄ）ｅ（Ｈ，Ｘ）、ｅＪと８己す。イ旦し０＜ｄ、、
　ｅ（１）、に分類される。

本発明に於いて、第３の層領域（杓がａ−８ｉ　Ｏ１−
ａ で構成される場合、第３の層領域（搏に含有される炭素
原子の量は、好ましくはｌＸｌ０’〜９゜ａｔｏｍｉｃ
％、よシ好適には１〜８０　ａｔｏｍｉｃ％、最適には
１０〜７５　ａｔｏｍｉｃとされるのが望丑しいもので
ある。即ち、先のａ−８ｉａｃ１−ａのａの表示で行え
ば、ａが好廿しくは０．１〜０．９９９９９、より好適
には０．２〜０．９９、最適には０．２５〜０．９であ
る。

本発明に於いて、第３の層領域φつがａ−（ｓ＋ｂＣ，
、）。Ｈ，−Ｃで構成される場合、第３の層領域（杓に
含有される炭素原子の量は、好址しくはｌＸ１０　〜９
０　ａｔｏ而Ｃ面とされ、より好ましくは１〜９゜ａｔ
ｏｍｉｃ％、最適にはＩ　Ｏ〜８０　ａｔｏｍｉｃ％と
されるのが望ましいものである。水素原子の含有量とし
ては、好１しくは１〜４０　ａｔｏｍｉｃ係、よシ好−
ましくは２〜３５　ａｔｏｍｉｃ％、最適には５〜３゜
ａｔｏ＋ｎｉｃ係とされるのが望ましく、これ等の範囲
ｌこ水素含有量がある場合に形成される光導電部＠は、
実際向に於いて優れたものとして充分適用させ得る。

即ち、先のａ−（ＳｉｂＯ，−６）。Ｈｌ−ｃ（１）ｐ
示で行えばｂが好ましくはｏ、　ｉ〜０．９９９９’Ｊ
、より好適には０．１〜０．９９、最適にはり、１５〜
０．９、Ｃが好ましくは０．６〜０．９９、よシ好′適
には０．６５〜０．９８、最適には０．７〜０．９５で
あるのが望ましい。

第３の層領域（絢が、ａ−（ＳｉｄＵ、、、）ｅ（Ｉ（
、Ｘ）、ｅで構成される場合には、第３０ノー狽域（駒
中に含有される炭素原子の含有：４１−としては、好址
しくは、Ｉ　Ｘ　１０’　〜９０　ａｔｏｍｉｃ％　、
より好適には１〜９０　ａｔｏ叫Ｃ係、最適には１０〜
８０　ａｔｏｍｉｃ係とされるのが望ましい。ハロゲン
原子の含有はとしては、好ましくは１〜２０　ａｔｏｍ
ｉｃ％とされるのが望ましく、これ等の範囲にハロゲン
原子含有量がちる場合に作成される光２１１４　”ｄＬ
部材を実際面に充分適用させ得るものである。必要に応
じて含有される水素原子の含有量としては、好ましくは
１９　ａｔｏｍｉｃチ以下、より好適には１３ａｔｏｍ
ｉｃ％以下とされるのが望ましい。

即ち、先のａ−（Ｓｉ、１０．−ｄ）。（ＨＬＸ）１−
ｅのｄ、ｅの表示で行えばｄが好ましくは、０．１〜０
．９９９９９、よシ好適には０．１〜０．９９、最適に
は０．１５〜ｏ、ｇ、ｅが好ましくは０．８〜０．９９
、よシ好適には０．８２〜０．９９、最適には０．８５
〜０．９８であるのがｍｔＬ“・　　　　　　　　　亀 本発明に於ける第３の層領域（至）の層厚の数範囲は、
本発明の目的を効果的に達成するだめの重要な因子の一
つである。

本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目的に応じ
て適宜所望に従って決められる。

又、第３の層領域（搏の層厚は、該層（搏中に含有され
る炭素原子の量や第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（
Ｓ）の層厚との関係に於いても、各々の層領域に要求さ
れる特性に応じた有機的な関連性の下に所望に従って適
宜決定されるのが望丑しい。

更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経済性の点
に於いても考慮されるのが望丑しい。

本発明に於ける第３の層領域（的の層厚としては、好ま
しくは０．００３〜３０μより好適には０．００４〜２
０ｉｔ、最適には０．００５〜１０μとされるのが望ま
しいものである。

本発明（（おいて使用される支持体と［７ては、導電性
でも電気絶縁性であっても良い。Ｍｆ＝　′ＥＥＬ性支
持体としては、例えば、ＮｉＣｒ　、スデンレス、ＡＡ
’。

Ｃｒ　、　Ｍｏ　、　Ａｕ　、　Ｎｂ　、　Ｔａ　、　
Ｖ　、　Ｔｉ　、　Ｐ＋　、　Ｎ等の金属又はこれ等の
合金が挙けられる。

電気絶縁性支持体としてＱま、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニルポリ塩化ビニリデ
ン、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム
又はノート、ガラスセラミック、紙等が煎常使用される
。これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともそ
の一方の界面を導電処理され、該導電処理された表面側
に他の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ。

ＡＪ　　＋　Ｏｒ　　＋　　Ｍｏ　　＋　　Ａｕ　　＋
　　Ｉｒ　　ｒ　　Ｎｂ　　ｒ　　Ｔａ　　ｒ　　Ｖ　
　＋　　’ｌ’ｉ　　、　　Ｐｔ　　＋　Ｐｄ　、　　
ｌｎ＝Ｏｘ　＋Ｓｎｏｗ　、Ｉ　Ｔ　Ｏ（Ｘｏｓｅｓ　
＋　ｓｎｏ、）等から成る薄ｊｌａ　ｋ設けることによ
って導電性が付与され、或いはポリエステルフィルム等
の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ、ノＵ、ＡＲ，
Ｐｂ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ。

Ｔａ　、　Ｖ　、　’Ｔ’ｉ　、　Ｐｔ　　等の金属の
薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等で
その表面に設け、又は前記金属でその表面をラミネート
処理して、その表面に導電性が付方される。支持体の形
状としては、円筒状、ベルト状、板状等任意の形状とし
得、所望によって、その形状は決定されるが、例えは、
第１図の光ｎｉ−電部材１００を電子写真用像形成部材
として使用するのであれは連続高速複写の場合には、無
端ベルト状又は円１π）状とするのが望ましい。支持体
の厚さは、所望通シの光ｄＩ電部材が形成される様に適
宜決定されるが、光導電部材として可読性が要求される
場合には、支持体としての機能が充分発揮σオシるｆｌ
＋２囲内であオしば口Ｊ能な限９薄くされる。

自生ら、この株な場合支持体の製造上及び取扱い上、機
械的強度等の点から、通常は、１０μ以上とされろ。

次に本発明の光導１Ｌ部材の製造方法の一例の概略につ
いて説明する。

第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、本発明の
光導′曲部材を形成するだめの原料ガスが密封されてお
９、その１例としてたとえば１１０２は、Ｈｅで稀釈さ
れたＳｉＨ，ガス（純度９９．９９９％。

以下ＳｉＨ４／　［ｅと略す。）ボンベ、１１０３はｌ
ｌｅで稀釈されたＧ　ｅ　Ｈ，ガス（純度９９．９９９
％、以下ＧｅＨ，／Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０４は
Ｉｔｅで稀釈されたへルガス（純度９９．９９係、以下
ａ塊／　Ｉｌｅと略す。）ボンベ、、１１０５はＮＯガ
ス（純度９９．９９９係）ボンベ、１１０６はＨ２ガス
（純度９９．９９９係）ボンベである。

これらのガスを反応室１１ｏｔＫｆｉ人させるには、ガ
スボンベ１１０２〜１１０６のバルブ、１１２２〜１１
２６、リークバルブ１１３５が閉じられていることを確
認し、又、流入バルブ１１１２〜１１１６、流出バルブ
１１１７〜１１２１、補助バルブ１１３２゜１１３３が
開かれていることを確認して先づメインバルブ１１３４
を開いて反応室１１０１、及び各ガス配管内を排気する
。次に真空計１１３６の読みが約５　Ｘ　１０’ｔｏｒ
ｒになった時点で補助バルジ゛１１３２　、１１３３、
流出バルブ１１１７〜１１２１を閉じる。

次にシリンダー状基体１１３７上に光受容層を形成する
場合の１例をあげると、ガスボンベ１１０２より５ｉｌ
−＋４　／　ｌｉｅガス、ガスボンベ１１０３よりＧ　
ｅ　Ｈ４／　Ｈｅガス、ガスボンベ１１０５よりＨｅガ
スをバルブ１１２２　、１１２３　、１１２５を開いて
出口圧ゲージ１１２７．１１２８．１１３０の圧を１ｉ
ｔｇ／ｃｍ２に調整し、流入バルブ１１１２　、１１１
３　、１１１５を徐々に開けて、マスフロコントローラ
１１０７゜１１０８．１１１０内に夫々流入させる。引
き続いて流出バルブ１１１７　、１１１８　、１１２０
、補助バルブ１１３２を徐々に開いて夫々のガスを反応
電工１０１に流入させる。このときの５ｉｔ（／　Ｈｅ
ガス流縫とＧ　ｅ　Ｈｌ　／　Ｂｅガス流量とＨｅガス
流量との比が所望の値になるように流出バルブ１１１７
　、１１１８゜１１２０を調整し、又、反応室１１０１
内の圧力が所望の値になるように真空計１１３６の読み
を見ながらメインバルブ１１３４の開口を調整する。

そして基体１１３７の温度が加熱ヒーター１１３８によ
り５０〜４００℃の範囲の温度に設定されていることを
確認された後、電源１１４０を所望の電力に設定して反
応室１１０１内にグロー放電を生起させ所望時間グロー
放電を維持して基体１１３７土に所望層厚に、酸素原子
（０）が含有され、ａ−ＧｅＸ８ｉ　ｔ−ｘ　（Ｈ、Ｘ
）で構成された層領域（０）が形成される。

層領域（０）が所望層厚に形成された段階に於いて、流
出バルブ１１１８　、１１１９の夫々を完全に閉じるこ
と、及び必要に応じて放電条件を変えること以外は、同
様な条件と手順に従って所望時間グロー放電を維持する
ことで前記層領域（０）上に、酸素原子（０）及びゲル
マニウム原子（Ｇｅ　）が含有されていない、ａ−８ｉ
（Ｈ，Ｘ）で構成されだ層領域（Ｓ）が形成されて、第
１のＮ領域（（））及び第２の層領域（Ｓ）の形成が終
了される。

上記の光受容層の形成の際に、該層形成開始後、所望の
時間が経過した段階で、堆積室へのＨｅガスの流入を止
めることによって、酸素原子ρ含有された層領域（０）
の層厚を任意に制御することが出来る。

又、層領域（０）の形成の際には所望の変化率曲線に従
って、堆積室１１０１へのＮｏガスのガス流址を制飢す
ることによって層領域（０）中に含有される酸素原子の
分布状態を所望通りに形成することが出来る。

上記の様にして所望層厚に形成された第１の層領域（Ｇ
）と第２の層領域（Ｓ）上に第３の層領域（至）を形成
するには、第３の層領域（Ｍ）の形成時に使用しないガ
スラインに（４１−Ｌガスをつなぎ、第２０層領域（Ｓ
）の形成の際と同様なバルブ操作によって、例えばＳｉ
Ｈ，ガス、Ｃ２Ｈ１ガスの夫々全必要に応じてＩｌｅ等
の稀釈して、所望の条件に従って、グロー放電を生起さ
せることによって成される。

第３の層領域（的中にハロゲン原子全含有させるには、
例えばＳｉ　Ｆ、ガスとＣ！Ｈ４ガス、或いば、これに
５ｉＨａガスを加えて上記と同様にして第３の層領域に
）を形成することによって成される。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バルブ以外の
流出バルブは全て閉じることは言うまでもなく、又夫々
の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応室
１１０１内、流出バルブ１１１７〜１１２１から反応室
１１０１内に到るガス配管内に残留することを避ける１
とめに、流出バルブ１１１７〜１１２１を閉じ、補助バ
ルブ１１３２．１１３３ｆｆｉ開いてメインバルブ１１
３４を全開して系内を一旦高真空に排気する操作を必要
に応じて行う。

第３の層領域（的中に含有される炭素原子の髄は例えば
、グロー放電による場合と５ｉ１１．ガス、Ｃ２Ｈ４ガ
スの反応室１１０１内に導入される流量比を所望に従っ
て変えるか、或いは、スパッターリングで層形成する場
合には、ターゲットを形成する際シリコンウェハとグラ
ファイトウェハのスパッタ面積比率を変えるか、又はシ
リコン粉末とグラファイト粉末の混合比率ケ変えてり−
ゲソトヲ成型することによって所望に応じて制御するこ
とができる。第３の層領域（＠に含有されるハロゲン原
子（（イ）の量は、ハロゲン原子導入用の原料カス、例
えばＳｉ　Ｆ、ガスが反応室１１０１内に導入される際
の流景を調整することによって成される。

又、層形成を行っている間は層形成の均一化を計る／ζ
め基体１１３７はモーター１１３９によシ一定速度で回
転させてやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状の屁基
体上に、第１表に示す条件で層形成を行って電子写真用
像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置し、■５．　ＯＫＶで０．３式間コロナ帯’＋Ｋ　’
ｔｒ行い、直ちに光像を照射した。光像はタングステン
ランプ光源を用い、２ｅＩＪｘ−東の光量を透過型のテ
ストチャートを辿して照則芒せた。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を宮む）を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像ケ得た。像形
成部材上のトナー画像を、■５．０に■のコロナ帯電で
転写紙上に転写した処、解像力に優れ、階調再現性のよ
い鮮明な高濃度の画像か得られた。

実施例２ 第１１図に示した製造装置により、第２表に示す条件に
した以外は火／Ｉ’ｌ！！、例１と同様にして、層形成
を行って電子写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、帯電極性と現像
剤の荷電極性の夫々を実施例１と反対にした以外は実施
例１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成した
ところ極めて鮮明な画質が得られた。

実施例３ 第１１図に示した製造装置により、第３表に示す条件に
した以外は実施例１と同様にして、層形成を行って電子
写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部拐に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例４ 実施例１に於いて、Ｇ　ｅ　Ｈｌ　／　ＩｌｅガスとＳ
ｉＨ４／　Ｈｅガスのガス流量比を変えて第１層中に含
有されるゲルマニウム原子の含有量を第４表に示す様に
変えた以外は、実施例１と同様にして電子写真用像形成
部材を夫々作成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第４
表に示す結果が得られた。

実施例５ 実７／ｉｌ＋例１に於いて、第１層の層厚を第５衣に示
す様に変える以外は、実施例１と同様Ｖこして各１ル子
写真用像形成部材全作成した。

こうして得られた谷像形成部材に就いて、実施例１と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第
５表に示す結果がイ４すられた。

実施例６ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状の屁基
体上に、第６表乃至第８表に示す各条件で層形成を行っ
て電子写真用イ１１．　）し成部材の夫々（試料Ａ６０
１．６０２，６０３）（ｌ−得た。

こうして得らｇだ像形１戎部制の夫々を、帯電露光実験
装置に設置し■５．　ＯＫＶで０．３　＝ｆ１間コロナ
帯電を行い、−゛直ちに光像を照射した。光像はタング
ステンランプ光源を用い、２　ｅｕｘ−ｃｃの光量を透
過型のテストチャートを辿して照射妊せた。

その後直ちに、■荷電性のＪＭ　ｆ＃剤（トナーとキャ
リアーを含む）を各像形成部材表面をカスケードするこ
とによって、各像形成部材上面上に良好なトナー画像を
州だ。各像形成部材上のトナー画像を、■５．　ＯＫＶ
のコロナ帯Ｌ＋Ｌで転写紙上に転写した処、解像力に侵
れ、階調再現性のよい鮮明な画濃度の画像が得らＪｔ　
ｆｃ　。

実施例７ 第１１図に示した製造装置により、第９表及び第１０表
に示す各条件にした以外は実施例１と同様に（７て、層
形成を行って電子写真用像形成部材の夫々（試料４７０
１　、７０２　）を得た。

こうして得られた像形成部材の夫々に就いて、実施例１
と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したとこ
ろ極めて鮮明なｌＩ！１ｉ質が得られた。

実施例８ 第１１図に示した製造装置により、第１１表乃至第１５
表に示す条件にした以外は実施例１と同様にして、層形
成を行って重子写真用１米形成７ｔ、Ｂ材の夫々（試料
／１６８０１〜８０５）を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例 実施例１に於いて、光源をタングステンランプの代りに
８１０　ｎｍのＧａ　Ａｓ系半導体レーザ（１０ｍＷ）
を用いて、静ｍ像の形成を行った以外は、実施例１と同
様のトナー画像形成条件にして、実施例１と同様の条件
で作成した１子写真用像形成部材に就いてトナー転写画
像の画質評価全行ったところ、解像力に優れ、階調再現
性の良い鮮明な高品位の画像が得ら八た。

実施例１０ 第３の層領域（駒の作成条件を第１６表に示す各条件に
した以外は実施例２〜１０の各実施例と同様の条件と手
順に従って重子写真用像形成部材の夫々（試料洗１２−
２０１〜１２−２０８．１２−３０１〜１２−３０８、
・・・・・・、１２−１００１〜１２−１００９の７２
個の試料）を作成した。

こうして得られた各重子写真用像形成部材の夫々を個別
に複写装置に設置し、０５ＫＶで０．２度量コロナ帝電
を行い、光像を照射した。光源はタングステンラングを
用い、光量はｌ、Ｑ　ｆｕｚ、　ｓｅｅとした。潜像は
■荷電性の現像剤（トナーとキャリアーを含む）によっ
て現像され、通常の紙に転写された。

転写画像は、極めて良好なものであった。転写されない
で゛成子写真用像形成部材上に残ったトナーは、ゴムブ
レードによってクリーニングされた。このような工程を
繰り返し１０万回以上行っても、いずれの場合も画像の
劣化は見られなかった。

谷試料の転写画像の総合画質評価と繰り返し連続使用に
よる組入性の評価の結果を第１７表に示す。

実施例１１ 第３の層領域ＣＭ）の形成時、シリコンウェハとグラフ
ァイトのターゲツト面積比を変えて、第３の層領域（Ｍ
）に於けるシリコン原子の炭素原子の含イイ袖比を変化
させ′る以外は、実Ｍｉ例１と全く同様な方法によって
像形成部制の夫々を作成した。こうして得られた像形成
部拐の夫々につき、実施例１に述べた如き、作像、現像
、クリーニングの工程を約５万回繰り返した後画像評価
を行ったところ第１８表の如き結果を得た。

実施例１２ 第３の層領域（Ｍ）の形成時、Ｓ１ルガスと０２山ガス
の流量比を変えて、第３の層領域に）に於けるシリコン
原子と炭素原子の含有量比を変化させる以外は実施例１
と全く同様な方法によって像形成部材の夫々を作成した
。こうして樹られた各像形成部材につき、実施例１に述
べた如き方法で転写までの工程を約５万回繰り返した後
、画像評価を行ったところ、第１９表の如き結果ヶ得た
。

実施例１３ 第３の層領域（的の形成時、５ＩＨ４ガス、ＳｉＦ４ガ
ス、ＣｔＨｔガスの流量比を変えて、第３の層′頭載（
Ｍｌに於けるシリコン原子と炭素原子の含有−ｈ；：比
を変化させる以外は、実ＪＭ例１と全く同様な方法によ
って像形成部４Ａの夫々を作成し／こ。こうして得られ
た各像形成部材につき火ＩＩｉ＋　ｆ！Ｉ　］に述べた
如き作像、現像、クリーニングの工ａを約５万回繰漫返
した後、画像ｉ’Ｆ　’ｆｉｌｈを行つノこところ第２
０表の如き結果を得た。

実施例１４ 第３の層領域（搏の層厚荀変える以外は、実施例１と全
く同様な方法によって像形成部材の夫々を作成した実施
例１に述べた如き作像、現像、クリーニングの工程を繰
り返し第２１表の結果を得た。

第２１表 以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以下
に示す。

基体温度：ゲルマニウム原子（Ｇｅ）ｆ有基・・・・・
・約２００°Ｃゲルマニウム原子（（ｊｅ）非言七層・
・約２５０　’０放電周波数：　１３．５６　ＭＨｚ 反応時反応室内圧：　Ｑ、３　Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は、不発明の光尋電部拐の層イ（４成を説明する
為の模式的層構成図、第２図乃至第１０図は夫々光受容
層中の酸素原子の分布状態を説明する為の説明図、第１
１図ｔユ、実施例に於いて本発明の光導電部材７作製す
るＸ、）に使用された装置の模式的説明図である。 １００・・・・・光導電部材 １０１　・・・支持体 １０２・・・・光受容層 出願人　　キャノン株式会社 一一一□−一一一〇 −一−−→−Ｃ ０ 一一一→−Ｃ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）光導電部材用の支持体と該支持体上にＧｅｚＳｉ
   、　Ｘ（０，９５＜　ｘ≦１）を含む非晶質材料で構成
   された、第１の層領域とシリコン原子を含む非晶質材料
   で構成され、光導電性を示す第２の層領域とシリコン原
   子と炭素原子とを含む非晶質材料で構成された第３の層
   領域とが前記支持体側より順に設けられた層構成の光受
   容層とを有し、該光受容層には酸素原子が不均一に含有
   されている事を特徴とする光導電部材。
2. （２）第１の層領域、第２の層領域及び第３の層領域の
   少なくともいずれか一つには水素原子が含有されている
   特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。
3. （３）第１の層領域、第２の層領域及び第３の層領域の
   少なくともいずれか一つにはハロゲン原子が含有されて
   いる特許請求の範囲第１項及び同第２項に記載の光導電
   部材。